JP2745913B2 - めっき配線の製造方法 - Google Patents
めっき配線の製造方法Info
- Publication number
- JP2745913B2 JP2745913B2 JP33099391A JP33099391A JP2745913B2 JP 2745913 B2 JP2745913 B2 JP 2745913B2 JP 33099391 A JP33099391 A JP 33099391A JP 33099391 A JP33099391 A JP 33099391A JP 2745913 B2 JP2745913 B2 JP 2745913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plating
- providing
- insulating film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に用いられる
めっき配線の製造方法に関する。
めっき配線の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、特に高集積化された半導体
装置（集積回路）では、寸法の異なる多数の配線が、互
いに並行に、または交差して微細且つ密集して設けられ
ている。
装置（集積回路）では、寸法の異なる多数の配線が、互
いに並行に、または交差して微細且つ密集して設けられ
ている。
【０００３】この様な集積回路の配線として必要な条件
は、電気抵抗が小さい良導体であること、熱的化学的に
安定なこと、加工性が良いこと等が必要である。このた
め従来から金（Ａｕ）による配線が広く用いられてき
た。
は、電気抵抗が小さい良導体であること、熱的化学的に
安定なこと、加工性が良いこと等が必要である。このた
め従来から金（Ａｕ）による配線が広く用いられてき
た。
【０００４】従来、Ａｕ配線の製造方法として、電解め
っきによりＡｕが析出しないホトレジスト膜をマスクに
用いて、配線領域にＡｕを電解めっき方法により厚く設
けるＡｕめっき配線方法と、蒸着法やスパッタ法により
Ａｕ膜を厚く設けた後、これを所望の寸法に加工形成し
て得るＡｕ配線方法等が用いられている。
っきによりＡｕが析出しないホトレジスト膜をマスクに
用いて、配線領域にＡｕを電解めっき方法により厚く設
けるＡｕめっき配線方法と、蒸着法やスパッタ法により
Ａｕ膜を厚く設けた後、これを所望の寸法に加工形成し
て得るＡｕ配線方法等が用いられている。
【０００５】次にＡｕ配線を電解めっき方法により得る
従来の製造方法について、めっき配線断面の模式図によ
り製造工程順に説明する。
従来の製造方法について、めっき配線断面の模式図によ
り製造工程順に説明する。
【０００６】まず図１４（ａ）において、半導体基板１
上の全面に金（Ａｕ）めっきの通電のための、めっき用
導体膜２１を設ける。例えばスパッタ法により、基板１
と密着性の良いチタン（Ｔｉ）金属膜を、続いて配線金
属として優れている金を薄く設ける。次にホトリソグラ
フイ法により、めっき導体膜２１上に配線を設ける所定
の領域３４を開口したホトレジスト膜３を厚く設ける。
上の全面に金（Ａｕ）めっきの通電のための、めっき用
導体膜２１を設ける。例えばスパッタ法により、基板１
と密着性の良いチタン（Ｔｉ）金属膜を、続いて配線金
属として優れている金を薄く設ける。次にホトリソグラ
フイ法により、めっき導体膜２１上に配線を設ける所定
の領域３４を開口したホトレジスト膜３を厚く設ける。
【０００７】次に図１４（ｂ）において、電解めっき法
により、めっき用導体膜２１に電流を通せば、ホトレジ
スト膜３で覆われた以外のめっき用導体膜２１表面に金
が析出堆積して、金属（Ａｕ）めっき層５が形成され
る。
により、めっき用導体膜２１に電流を通せば、ホトレジ
スト膜３で覆われた以外のめっき用導体膜２１表面に金
が析出堆積して、金属（Ａｕ）めっき層５が形成され
る。
【０００８】次に図１４（ｃ）において、ホトレジスト
膜３を除去してめっき用導体膜２１を露出し、次にイオ
ンミリング法により、基板に向けて全面にＡｒイオンを
照射して、露出されためっき用導体膜２１をエッチング
し、さらにその基板表面をも薄くエッチングし、めっき
用導体膜２１、さらにＡｕめっき層５０からなるＡｕめ
っき配線が得られる。
膜３を除去してめっき用導体膜２１を露出し、次にイオ
ンミリング法により、基板に向けて全面にＡｒイオンを
照射して、露出されためっき用導体膜２１をエッチング
し、さらにその基板表面をも薄くエッチングし、めっき
用導体膜２１、さらにＡｕめっき層５０からなるＡｕめ
っき配線が得られる。
【０００９】一方、Ａｕ層を厚く設けた後、所望の配線
寸法に加工形成して得るＡｕ配線の製造方法について図
１５に示す配線断面の模式図を用いて製造工程順に説明
する。
寸法に加工形成して得るＡｕ配線の製造方法について図
１５に示す配線断面の模式図を用いて製造工程順に説明
する。
【００１０】まず始めに図１５（ａ）において、基板１
上に基板１と密着性のよい金属膜、例えばチタン（Ｔ
ｉ）膜２を薄く設け、その上にＡｕ膜５を全面に所望の
厚さに蒸着法またはスパッタ法等により設け、さらに配
線領域として開口部３４が設けられたホトレジスト膜３
を設ける。
上に基板１と密着性のよい金属膜、例えばチタン（Ｔ
ｉ）膜２を薄く設け、その上にＡｕ膜５を全面に所望の
厚さに蒸着法またはスパッタ法等により設け、さらに配
線領域として開口部３４が設けられたホトレジスト膜３
を設ける。
【００１１】図１５（ｂ）において、イオンミリング法
によりホトレジスト膜３をマスクにしてＡｕ膜５とＴｉ
膜２さらに基板１の表面１０を含めてミリング除去す
る。このときＡｕ膜側面にはＡｕの再付着層５３が形成
される。
によりホトレジスト膜３をマスクにしてＡｕ膜５とＴｉ
膜２さらに基板１の表面１０を含めてミリング除去す
る。このときＡｕ膜側面にはＡｕの再付着層５３が形成
される。
【００１２】図１５（ｃ）において、ホトレジスト膜３
を溶剤で除去して、Ａｕ膜５２と金属２からなるＡｕ配
線が得られる。
を溶剤で除去して、Ａｕ膜５２と金属２からなるＡｕ配
線が得られる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述に示
した従来例では、次のような問題点があった。
した従来例では、次のような問題点があった。
【００１４】従来のＡｕめっき配線方法によれば、ホト
レジスト膜３（図１４（ａ））の断面形状がその膜厚が
厚いためにホトレジスト膜のベークにより不均一な台形
状となり、このため得られるＡｕめっき層断面形状５は
逆台形となる。その結果、めっき用導体膜の一部８（図
１４（ｃ））が段差となって残ること。またイオンミリ
ングによりめっき層５０側面はその上部からエッチング
され、そのため後退（図１４（ｃ）に７で示す）し、さ
らにめっき用導体膜に用いているＴｉとめっき層５に用
いられた金とのエッチングレイトが著しく異なるため
に、めっき用導体膜が裾９（図１４（ｃ））を引くよう
に残されてしまい、分離距離（図１４（ｃ）に１１で示
す）は当初のホトレジスト膜寸法より小さくなる。また
さらに、Ａｕめっき層５０が直接イオンミリングに晒さ
れてしまうため一度堆積したＡｕめっき層５０の膜厚が
減少（図１４（ｃ）に６で示す）し、その表面は荒れて
しまい光沢を失う等の問題があった。
レジスト膜３（図１４（ａ））の断面形状がその膜厚が
厚いためにホトレジスト膜のベークにより不均一な台形
状となり、このため得られるＡｕめっき層断面形状５は
逆台形となる。その結果、めっき用導体膜の一部８（図
１４（ｃ））が段差となって残ること。またイオンミリ
ングによりめっき層５０側面はその上部からエッチング
され、そのため後退（図１４（ｃ）に７で示す）し、さ
らにめっき用導体膜に用いているＴｉとめっき層５に用
いられた金とのエッチングレイトが著しく異なるため
に、めっき用導体膜が裾９（図１４（ｃ））を引くよう
に残されてしまい、分離距離（図１４（ｃ）に１１で示
す）は当初のホトレジスト膜寸法より小さくなる。また
さらに、Ａｕめっき層５０が直接イオンミリングに晒さ
れてしまうため一度堆積したＡｕめっき層５０の膜厚が
減少（図１４（ｃ）に６で示す）し、その表面は荒れて
しまい光沢を失う等の問題があった。
【００１５】一方、Ａｕ膜を設けた後、所望の配線寸法
に加工形成して得るＡｕ配線の製造方法では、厚いＡｕ
膜をイオンミリングによりエッチング加工するために、
その特性としてＡｕ膜の側面に、Ａｕの再付着層５３
（図１５（ｂ））が形成され、それがホトレジスト膜を
除去すると、微細なバリ５４，５５（図１５（ｃ））と
なり、配線間のショートの原因となる。また再付着層の
ために配線寸法５６がその上辺よりも拡大してしまう問
題があった。
に加工形成して得るＡｕ配線の製造方法では、厚いＡｕ
膜をイオンミリングによりエッチング加工するために、
その特性としてＡｕ膜の側面に、Ａｕの再付着層５３
（図１５（ｂ））が形成され、それがホトレジスト膜を
除去すると、微細なバリ５４，５５（図１５（ｃ））と
なり、配線間のショートの原因となる。また再付着層の
ために配線寸法５６がその上辺よりも拡大してしまう問
題があった。
【００１６】以上詳細に述べたように従来は何れの方法
でも問題があった。
でも問題があった。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、一基板上に設
けられた素子間の接続に用いられるめっき配線の製造方
法において、（ａ）基板上の全面にめっき析出される導
体膜を設ける工程と、（ｂ）前記導体膜の表面に絶縁膜
を設ける工程と、（ｃ）前記絶縁膜の表面にめっき配線
領域を開口したホトレジスト膜を設ける工程と、（ｄ）
前記ホトレジスト膜の開口部の前記絶縁膜と導体膜を順
次除去して、めっき領域の基板表面を露出する工程と、
（ｅ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、（ｆ）前
記ホトレジスト膜を除去して前記絶縁膜を露出する工程
と、（ｇ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を
設ける工程と、（ｈ）前記絶縁膜と導体膜を順次除去す
る工程とからなることを特徴とする。
けられた素子間の接続に用いられるめっき配線の製造方
法において、（ａ）基板上の全面にめっき析出される導
体膜を設ける工程と、（ｂ）前記導体膜の表面に絶縁膜
を設ける工程と、（ｃ）前記絶縁膜の表面にめっき配線
領域を開口したホトレジスト膜を設ける工程と、（ｄ）
前記ホトレジスト膜の開口部の前記絶縁膜と導体膜を順
次除去して、めっき領域の基板表面を露出する工程と、
（ｅ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、（ｆ）前
記ホトレジスト膜を除去して前記絶縁膜を露出する工程
と、（ｇ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を
設ける工程と、（ｈ）前記絶縁膜と導体膜を順次除去す
る工程とからなることを特徴とする。
【００１８】また、本発明は、一基板上に設けられた素
子間の接続に用いられるめっき配線の製造方法におい
て、 （ａ）基板上の全面にめっき析出されない導体膜を設け
る工程と、 （ｂ）前記導体膜の表面にめっき配線領域を開口したホ
トレジスト膜を設ける工程と、 （ｃ）前記ホトレジスト膜の開口部の前記導体膜を除去
して、めっき領域の基板表面を露出する工程と、 （ｄ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、 （ｅ）前記ホトレジスト膜を除去して前記導体膜を露出
する工程と、 （ｆ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を設け
る工程と、 （ｇ）前記めっき析出されない導体膜を除去する工程と
からなることを特徴とするめっき配線の製造方法。
子間の接続に用いられるめっき配線の製造方法におい
て、 （ａ）基板上の全面にめっき析出されない導体膜を設け
る工程と、 （ｂ）前記導体膜の表面にめっき配線領域を開口したホ
トレジスト膜を設ける工程と、 （ｃ）前記ホトレジスト膜の開口部の前記導体膜を除去
して、めっき領域の基板表面を露出する工程と、 （ｄ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、 （ｅ）前記ホトレジスト膜を除去して前記導体膜を露出
する工程と、 （ｆ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を設け
る工程と、 （ｇ）前記めっき析出されない導体膜を除去する工程と
からなることを特徴とするめっき配線の製造方法。
【００１９】また、本発明は、一基板上に設けられた素
子間の接続に用いられるめっき配線の製造方法におい
て、（ａ）基板上の全面にめっき析出されない第１の絶
縁膜を設ける工程と、（ｂ）前記第１の絶縁膜の表面に
導体膜を設ける工程と、（ｃ）前記導体膜の表面に第２
の絶縁膜を設ける工程と、（ｄ）めっき配線領域を開口
したホトレジスト膜を設ける工程と、（ｅ）前記ホトレ
ジスト膜の開口部の前記第２の絶縁膜と導体膜さらに前
記第１の絶縁膜を順次除去して、めっき領域の基板表面
を露出する工程と、（ｆ）全面にめっき用導体膜を設け
る工程と、（ｇ）前記ホトレジスト膜を除去して前記第
２の絶縁膜を露出する工程と、（ｈ）前記めっき用導体
膜表面にＡｕめっき層を設ける工程と、（ｉ）前記第２
の絶縁膜と導体膜さらに前記第１の絶縁膜を順次除去す
る工程とからなることを特徴とする。
子間の接続に用いられるめっき配線の製造方法におい
て、（ａ）基板上の全面にめっき析出されない第１の絶
縁膜を設ける工程と、（ｂ）前記第１の絶縁膜の表面に
導体膜を設ける工程と、（ｃ）前記導体膜の表面に第２
の絶縁膜を設ける工程と、（ｄ）めっき配線領域を開口
したホトレジスト膜を設ける工程と、（ｅ）前記ホトレ
ジスト膜の開口部の前記第２の絶縁膜と導体膜さらに前
記第１の絶縁膜を順次除去して、めっき領域の基板表面
を露出する工程と、（ｆ）全面にめっき用導体膜を設け
る工程と、（ｇ）前記ホトレジスト膜を除去して前記第
２の絶縁膜を露出する工程と、（ｈ）前記めっき用導体
膜表面にＡｕめっき層を設ける工程と、（ｉ）前記第２
の絶縁膜と導体膜さらに前記第１の絶縁膜を順次除去す
る工程とからなることを特徴とする。
【００２０】また、本発明は、一基板上に設けられた素
子間の接続に用いられるめっき配線の製造方法におい
て、（ａ）基板上の全面にめっき析出されない第１の絶
縁膜を設ける工程と、（ｂ）前記第１の絶縁膜表面に導
体膜を設ける工程と、（ｃ）前記導体膜の表面に第２の
絶縁膜を設ける工程と、（ｄ）めっき配線領域を開口し
たホトレジスト膜を設ける工程と、（ｅ）前記ホトレジ
スト膜の開口部の前記第２の絶縁膜と導体膜さらに前記
第１の絶縁膜を順次除去して、めっき領域の基板表面を
露出する工程と、（ｆ）全面にめっき用導体膜を設ける
工程と、（ｇ）異方性ＲＩＥ法により前記めっき用導体
膜を前記第２の絶縁膜と導体膜および前記第１の絶縁膜
の側面に残置し同時に基板上の前記めっき用導体膜を除
去し、次に前記ホトレジスト膜を除去して前記絶縁膜の
表面を露出する工程と、（ｈ）前記めっき用導体膜の表
面にＡｕめっき層を設ける工程と、（ｉ）前記第２の絶
縁膜と導体膜および前記第１の絶縁膜を順次除去する工
程とからなることを特徴とする。
子間の接続に用いられるめっき配線の製造方法におい
て、（ａ）基板上の全面にめっき析出されない第１の絶
縁膜を設ける工程と、（ｂ）前記第１の絶縁膜表面に導
体膜を設ける工程と、（ｃ）前記導体膜の表面に第２の
絶縁膜を設ける工程と、（ｄ）めっき配線領域を開口し
たホトレジスト膜を設ける工程と、（ｅ）前記ホトレジ
スト膜の開口部の前記第２の絶縁膜と導体膜さらに前記
第１の絶縁膜を順次除去して、めっき領域の基板表面を
露出する工程と、（ｆ）全面にめっき用導体膜を設ける
工程と、（ｇ）異方性ＲＩＥ法により前記めっき用導体
膜を前記第２の絶縁膜と導体膜および前記第１の絶縁膜
の側面に残置し同時に基板上の前記めっき用導体膜を除
去し、次に前記ホトレジスト膜を除去して前記絶縁膜の
表面を露出する工程と、（ｈ）前記めっき用導体膜の表
面にＡｕめっき層を設ける工程と、（ｉ）前記第２の絶
縁膜と導体膜および前記第１の絶縁膜を順次除去する工
程とからなることを特徴とする。
【００２１】
【作用】本発明は、従来のめっき配線形成においてめっ
き用導体膜上にマスクとして設けていたホトレジスト膜
の代わりに、熱的に安定で且つ断面形状の良好な絶縁膜
または金属膜を用いたこと、加工においてイオンミリン
グ方法を用いず、エッチング選択性の大きいリアクテイ
ブイオンエッチング（ＲＩＥ）法及びウエットエッチン
グ法を用いているため、めっき配線の寸法変動が無い、
高精度且つ高密度で集積回路に適したＡｕめっき配線が
得られる。
き用導体膜上にマスクとして設けていたホトレジスト膜
の代わりに、熱的に安定で且つ断面形状の良好な絶縁膜
または金属膜を用いたこと、加工においてイオンミリン
グ方法を用いず、エッチング選択性の大きいリアクテイ
ブイオンエッチング（ＲＩＥ）法及びウエットエッチン
グ法を用いているため、めっき配線の寸法変動が無い、
高精度且つ高密度で集積回路に適したＡｕめっき配線が
得られる。
【００２２】
【実施例】以下に図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【００２３】図１及び図２は本発明によるめっき配線の
製造方法の第１の実施例を説明するためのめっき配線の
模式的断面図で製造工程順に示したものである。
製造方法の第１の実施例を説明するためのめっき配線の
模式的断面図で製造工程順に示したものである。
【００２４】まず図１（ａ）において、基板１上に通電
のための導体２０を、例えばニッケル（Ｎｉ）金属膜を
３μｍの厚さに真空蒸着法あるいはスパッタ法等により
設け、その表面に絶縁膜４０を、例えばＳｉＯ2 膜を気
相成長法（ＣＶＤ）またはスパッタ法により１００ｎｍ
の膜厚に設ける。次に通常用いられているホトリソグラ
フィ法により、めっき領域３４が開口されたホトレジス
ト膜３０を設ける。
のための導体２０を、例えばニッケル（Ｎｉ）金属膜を
３μｍの厚さに真空蒸着法あるいはスパッタ法等により
設け、その表面に絶縁膜４０を、例えばＳｉＯ2 膜を気
相成長法（ＣＶＤ）またはスパッタ法により１００ｎｍ
の膜厚に設ける。次に通常用いられているホトリソグラ
フィ法により、めっき領域３４が開口されたホトレジス
ト膜３０を設ける。
【００２５】図１（ｂ）において、ホトレジスト膜３０
をマスクにして、めっき領域３４の露出しているＳｉＯ
2 膜４０を、ＣＦ4 ガスを用いたリアクテイブイオンエ
ッチング（ＲＩＥ）法により除去し、Ｎｉ導体２０の表
面を露出する。続いてＣＦ4 系ガスを用いたＲＩＥ法に
よりＮｉ導体２０を垂直にエッチング開口し、基板１の
表面１１を露出する。
をマスクにして、めっき領域３４の露出しているＳｉＯ
2 膜４０を、ＣＦ4 ガスを用いたリアクテイブイオンエ
ッチング（ＲＩＥ）法により除去し、Ｎｉ導体２０の表
面を露出する。続いてＣＦ4 系ガスを用いたＲＩＥ法に
よりＮｉ導体２０を垂直にエッチング開口し、基板１の
表面１１を露出する。
【００２６】図１（ｃ）において、めっき用導体膜２１
を、例えば基板と密着性のよいＴｉ金属膜を３０ｎｍの
厚さにスパッタ法により設け、さらにその表面にＡｕ金
属膜を１００ｎｍの厚さに前記同様にスパッタ法により
設ける。
を、例えば基板と密着性のよいＴｉ金属膜を３０ｎｍの
厚さにスパッタ法により設け、さらにその表面にＡｕ金
属膜を１００ｎｍの厚さに前記同様にスパッタ法により
設ける。
【００２７】図２（ｄ）において、ホトレジスト膜３０
を溶剤で除去し、ホトレジスト膜３０に付着しているめ
っき用導体を除去し、導体２０上に設けられたＳｉＯ2
膜４０を露出する。即ちめっき用導体膜２１を導体２０
の表面には形成せず、導体２０の側面と基板表面にのみ
形成する。
を溶剤で除去し、ホトレジスト膜３０に付着しているめ
っき用導体を除去し、導体２０上に設けられたＳｉＯ2
膜４０を露出する。即ちめっき用導体膜２１を導体２０
の表面には形成せず、導体２０の側面と基板表面にのみ
形成する。
【００２８】図２（ｅ）において、通常のＡｕ電解浴を
用いた電解めっき法により、めっき用導体膜２１に負の
電界をかけてＡｕめっきすれば、ＳｉＯ2 ４０上にはめ
っきされずに、めっき導体膜２１上にのみＡｕが析出堆
積して、Ａｕめっき層５１が形成される。
用いた電解めっき法により、めっき用導体膜２１に負の
電界をかけてＡｕめっきすれば、ＳｉＯ2 ４０上にはめ
っきされずに、めっき導体膜２１上にのみＡｕが析出堆
積して、Ａｕめっき層５１が形成される。
【００２９】図２（ｆ）において、ＲＩＥ法によりまず
始めに、ＳｉＯ2 膜をエッチング除去し、次にＮｉ導体
２０を前記同様ＲＩＥ法で除去するか、または硫酸＋過
酸化水素＋水溶液によるウエットエッチング法で除去す
ればＡｕめっき層はエッチングされずに、めっき用導体
膜２１とＡｕめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得
られる。
始めに、ＳｉＯ2 膜をエッチング除去し、次にＮｉ導体
２０を前記同様ＲＩＥ法で除去するか、または硫酸＋過
酸化水素＋水溶液によるウエットエッチング法で除去す
ればＡｕめっき層はエッチングされずに、めっき用導体
膜２１とＡｕめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得
られる。
【００３０】尚、この製造方法は実施例において、導体
２０としてニッケル（Ｎｉ）金属を、また絶縁膜４０に
ＳｉＯ2 を用いた場合について述べたが、他の導体金属
で例えばモリブデン（Ｍｏ），鉄（Ｆｅ），パラジウム
（Ｐａ）等のめっきされ易い金属に適しており、また他
の絶縁膜として、シリコン窒化膜等他の絶縁膜でもよ
い。
２０としてニッケル（Ｎｉ）金属を、また絶縁膜４０に
ＳｉＯ2 を用いた場合について述べたが、他の導体金属
で例えばモリブデン（Ｍｏ），鉄（Ｆｅ），パラジウム
（Ｐａ）等のめっきされ易い金属に適しており、また他
の絶縁膜として、シリコン窒化膜等他の絶縁膜でもよ
い。
【００３１】また絶縁膜にめっき層が析出しない、めっ
き液であれば無電解めっき法を用いることもできる。
き液であれば無電解めっき法を用いることもできる。
【００３２】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。
る。
【００３３】図３及び図４は本発明による第２の実施例
を説明するためのめっき配線の模式的断面図で製造工程
順に示したものである。
を説明するためのめっき配線の模式的断面図で製造工程
順に示したものである。
【００３４】まず始めに図３（ａ）において、基板１の
表面に導体膜２２を、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜３
μｍの厚さに、真空蒸着法あるいはスパッタ法等により
設け、さらにめっき配線領域３４が開口されたホトレジ
スト膜３０を設ける。図３（ｂ）において、ホトレジス
ト膜３０をマスクにして、開口３４のＡｌ導体膜２２を
ＣＣＬ4 系ガスを用いたリアクテイブイオンエッチング
（ＲＩＥ）法、あるいはホット燐酸によるウェットエッ
チング法により除去して、基板表面１１を露出する。
表面に導体膜２２を、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜３
μｍの厚さに、真空蒸着法あるいはスパッタ法等により
設け、さらにめっき配線領域３４が開口されたホトレジ
スト膜３０を設ける。図３（ｂ）において、ホトレジス
ト膜３０をマスクにして、開口３４のＡｌ導体膜２２を
ＣＣＬ4 系ガスを用いたリアクテイブイオンエッチング
（ＲＩＥ）法、あるいはホット燐酸によるウェットエッ
チング法により除去して、基板表面１１を露出する。
【００３５】図３（ｃ）において、露出された基板１、
Ａｌ導体膜２２、ホトレジスト膜３０の表面にめっき用
導体膜２１を、例えば始めにＴｉ金属膜３０ｎｍを次に
Ａｕ金属膜を１００ｎｍをスパッタ法により設ける。
Ａｌ導体膜２２、ホトレジスト膜３０の表面にめっき用
導体膜２１を、例えば始めにＴｉ金属膜３０ｎｍを次に
Ａｕ金属膜を１００ｎｍをスパッタ法により設ける。
【００３６】図４（ｄ）において、ホトレジスト膜３０
を溶剤で除去して、ホトレジスト膜とともにホトレジス
ト膜上のめっき用導体膜２１を除去する。
を溶剤で除去して、ホトレジスト膜とともにホトレジス
ト膜上のめっき用導体膜２１を除去する。
【００３７】図４（ｅ）において、通常のＡｕ電解浴を
用いた電解めっき法により、めっき用導体２１に負の電
界をかけてＡｕめっきすれば、めっき導体膜２１上にＡ
ｕが析出し堆積して、Ａｕめっき層５１が形成される。
用いた電解めっき法により、めっき用導体２１に負の電
界をかけてＡｕめっきすれば、めっき導体膜２１上にＡ
ｕが析出し堆積して、Ａｕめっき層５１が形成される。
【００３８】図４（ｆ）において、ホット燐酸によるウ
エットエッチング法によりＡｌ導体膜２２を除去すれば
Ａｕめっき層はエッチングされずに、めっき用導体膜２
１とＡｕめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得られ
る。
エットエッチング法によりＡｌ導体膜２２を除去すれば
Ａｕめっき層はエッチングされずに、めっき用導体膜２
１とＡｕめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得られ
る。
【００３９】尚、この製造方法の実施例において、導体
膜２２としてＡｌ金属膜を用いた場合について述べた
が、めっきされない金属あるいは導体表面が酸化されて
電解めっきされない金属に適用される。例えばＴｉ，
Ｗ，Ｔａ，Ｈｆ等が挙げられる。
膜２２としてＡｌ金属膜を用いた場合について述べた
が、めっきされない金属あるいは導体表面が酸化されて
電解めっきされない金属に適用される。例えばＴｉ，
Ｗ，Ｔａ，Ｈｆ等が挙げられる。
【００４０】また、無電解めっき法を用いても導体膜に
めっき析出しない、めっき液であればこの製造方法が適
用できる。
めっき析出しない、めっき液であればこの製造方法が適
用できる。
【００４１】次に本発明の第３の実施例について説明す
る。
る。
【００４２】図５及び図６は本発明による第３の実施例
を説明するためのめっき配線の模式的断面図で製造工程
順に示したものである。
を説明するためのめっき配線の模式的断面図で製造工程
順に示したものである。
【００４３】まず始めに図５（ａ）において、基板１上
に第１の絶縁膜４１を、例えば気相成長法あるいはスパ
ッタ法等によりＳｉＯ2 膜を３μｍの膜厚に設け、さら
第１の絶縁膜４１上に導体膜２５として例えば金属パラ
ジウム（Ｐａ）をスパッタ法あるいは真空蒸着法により
１５０ｎｍの膜厚に設け、第２の絶縁膜４２としてＳｉ
Ｏ2 を１００ｎｍの膜厚に設け、その表面にめっき領域
３４が開口されたホトレジスト膜３０を設ける。
に第１の絶縁膜４１を、例えば気相成長法あるいはスパ
ッタ法等によりＳｉＯ2 膜を３μｍの膜厚に設け、さら
第１の絶縁膜４１上に導体膜２５として例えば金属パラ
ジウム（Ｐａ）をスパッタ法あるいは真空蒸着法により
１５０ｎｍの膜厚に設け、第２の絶縁膜４２としてＳｉ
Ｏ2 を１００ｎｍの膜厚に設け、その表面にめっき領域
３４が開口されたホトレジスト膜３０を設ける。
【００４４】図５（ｂ）において、ＣＦ4 ガス系を用い
たＲＩＥ法により、開口部３４の第２の絶縁膜のＳｉＯ
2 膜４２、次に導体膜２５のＰａ膜及び第１の絶縁膜Ｓ
ｉＯ2 膜４１を順次エッチングして開口し、基板１の表
面１１を露出する。
たＲＩＥ法により、開口部３４の第２の絶縁膜のＳｉＯ
2 膜４２、次に導体膜２５のＰａ膜及び第１の絶縁膜Ｓ
ｉＯ2 膜４１を順次エッチングして開口し、基板１の表
面１１を露出する。
【００４５】図５（ｃ）において、開口した全面にめっ
き用導体膜２１を設ける。例えば基板１と絶縁膜４１に
密着性のよいチタン金属膜を３０ｎｍとさらにＡｕ金属
膜を１００ｎｍをスパッタ法により設ける。
き用導体膜２１を設ける。例えば基板１と絶縁膜４１に
密着性のよいチタン金属膜を３０ｎｍとさらにＡｕ金属
膜を１００ｎｍをスパッタ法により設ける。
【００４６】図６（ｄ）において、有機溶剤を用いて、
ホトレジスト膜３０を除去する。同時にホトレジスト膜
上のめっき用導体膜２１が除去され、第２の絶縁膜であ
るＳｉＯ2 膜４２が露出される。
ホトレジスト膜３０を除去する。同時にホトレジスト膜
上のめっき用導体膜２１が除去され、第２の絶縁膜であ
るＳｉＯ2 膜４２が露出される。
【００４７】図６（ｅ）において、通常のＡｕ電解浴を
用いた電解めっき法により、めっき用導体膜２１に負の
電界をかけてＡｕめっきすれば、めっき用導体膜２１上
にＡｕが析出堆積して、Ａｕめっき層５１が形成され
る。
用いた電解めっき法により、めっき用導体膜２１に負の
電界をかけてＡｕめっきすれば、めっき用導体膜２１上
にＡｕが析出堆積して、Ａｕめっき層５１が形成され
る。
【００４８】図６（ｆ）において、ＣＦ系ガスを用いた
ＲＩＥ法により表面から第２の絶縁膜のＳｉＯ2 膜４
２，導体膜２５のＰａ膜および第１の絶縁膜のＳｉＯ2
膜４１を順次エッチング除去して、めっき用導体膜２１
およびめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得られ
る。
ＲＩＥ法により表面から第２の絶縁膜のＳｉＯ2 膜４
２，導体膜２５のＰａ膜および第１の絶縁膜のＳｉＯ2
膜４１を順次エッチング除去して、めっき用導体膜２１
およびめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得られ
る。
【００４９】尚、本実施例において、第１及び第２の絶
縁膜４１，４２としてＳｉＯ2 を用い、導体膜２５とし
てＰａ膜を用いた場合について述べたが、これらに限定
されるものではない。
縁膜４１，４２としてＳｉＯ2 を用い、導体膜２５とし
てＰａ膜を用いた場合について述べたが、これらに限定
されるものではない。
【００５０】また本実施例において、導体膜２５は図７
に示すように第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２のど
の位置にあってもよいし、図８に示すように基板１上に
第１の絶縁体を設けずに、直接に導体膜２５を設けた方
法でもよい。
に示すように第１の絶縁膜４１と第２の絶縁膜４２のど
の位置にあってもよいし、図８に示すように基板１上に
第１の絶縁体を設けずに、直接に導体膜２５を設けた方
法でもよい。
【００５１】さらに本実施例において、第１の絶縁膜４
１は図９に示すように、必要に応じて残置してもよい。
１は図９に示すように、必要に応じて残置してもよい。
【００５２】次に本発明の第４の実施例について説明す
る。
る。
【００５３】図１０及び図１１は本発明による第４の実
施例を説明するためのめっき配線の模式的断面図で製造
工程順に示したものである。
施例を説明するためのめっき配線の模式的断面図で製造
工程順に示したものである。
【００５４】まず始めに図１０（ａ）において、基板１
上に第１の絶縁膜４１を、例えば気相成長法あるいはス
パッタ法等によりＳｉＯ2 膜を３μｍの膜厚に設け、さ
らに第１の絶縁膜４１上に導体膜２５として例えば金属
パラジウム（Ｐａ）をスパッタ法あるいは真空蒸着法に
より１５０ｎｍの膜厚に設け、第２の絶縁膜４２として
ＳｉＯ2 を１００ｎｍの膜厚に設け、その表面にめっき
領域３４が開口されたホトレジスト膜３０を設ける。
上に第１の絶縁膜４１を、例えば気相成長法あるいはス
パッタ法等によりＳｉＯ2 膜を３μｍの膜厚に設け、さ
らに第１の絶縁膜４１上に導体膜２５として例えば金属
パラジウム（Ｐａ）をスパッタ法あるいは真空蒸着法に
より１５０ｎｍの膜厚に設け、第２の絶縁膜４２として
ＳｉＯ2 を１００ｎｍの膜厚に設け、その表面にめっき
領域３４が開口されたホトレジスト膜３０を設ける。
【００５５】図１０（ｂ）において、ＣＦ4 ガス系を用
いたＲＩＥ法により、開口部３４の第２の絶縁膜のＳｉ
Ｏ2 膜４２、次に導体膜２５のＰａ膜及び第１の絶縁膜
ＳｉＯ2 膜４１を順次エッチングして開口し、基板１の
表面１１を露出する。
いたＲＩＥ法により、開口部３４の第２の絶縁膜のＳｉ
Ｏ2 膜４２、次に導体膜２５のＰａ膜及び第１の絶縁膜
ＳｉＯ2 膜４１を順次エッチングして開口し、基板１の
表面１１を露出する。
【００５６】図１０（ｃ）において、開口した全面にめ
っき用導体膜２１を設ける。例えば基板１と絶縁膜４１
に密着性のよいチタン金属膜を３０ｎｍとさらにＡｕ金
属膜を１００ｎｍをスパッタ法により設ける。
っき用導体膜２１を設ける。例えば基板１と絶縁膜４１
に密着性のよいチタン金属膜を３０ｎｍとさらにＡｕ金
属膜を１００ｎｍをスパッタ法により設ける。
【００５７】図１１（ｄ）において、ＣＦ4 系ガスを用
いた異方性ＲＩＥ法により導体膜２５と絶縁膜４１の側
面にめっき用導体膜２１を残して、一方、基板上のめっ
き用導体膜を除去し、次にホトレジスト膜３０を溶剤で
除去して、絶縁膜４２表面１１を露出する。
いた異方性ＲＩＥ法により導体膜２５と絶縁膜４１の側
面にめっき用導体膜２１を残して、一方、基板上のめっ
き用導体膜を除去し、次にホトレジスト膜３０を溶剤で
除去して、絶縁膜４２表面１１を露出する。
【００５８】図１１（ｅ）において、通常の電解めっき
法により、めっき用導体膜２１に負の電界を印加して、
めっき用導体膜２１にＡｕめっき層５１が析出堆積す
る。
法により、めっき用導体膜２１に負の電界を印加して、
めっき用導体膜２１にＡｕめっき層５１が析出堆積す
る。
【００５９】図１１（ｆ）において、ＲＩＥ法により第
２の絶縁膜４２のＳｉＯ2 膜及び導体膜２５さらに第１
の絶縁膜４１のＳｉＯ2 膜を除去して、めっき用導体膜
２１とＡｕめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得ら
れる。
２の絶縁膜４２のＳｉＯ2 膜及び導体膜２５さらに第１
の絶縁膜４１のＳｉＯ2 膜を除去して、めっき用導体膜
２１とＡｕめっき層５１からなるＡｕめっき配線が得ら
れる。
【００６０】なお、実施例に示したようにこの製造方法
によれば、めっきＡｕ析出が、従来の基板表面１１から
垂直方向に堆積していくのに対して、絶縁膜４１に支持
されためっき用導体膜２１面から堆積するため、基板に
対して厚いＡｕめっき層が容易に得られ得る。
によれば、めっきＡｕ析出が、従来の基板表面１１から
垂直方向に堆積していくのに対して、絶縁膜４１に支持
されためっき用導体膜２１面から堆積するため、基板に
対して厚いＡｕめっき層が容易に得られ得る。
【００６１】また図１２（ａ）に示すように、めっき用
導体膜２１１，２１２，２１３が絶縁膜４１ばかりでな
く基板１上にも設けられ、且つ図１２（ｂ）に示すよう
に、その接触面積を任意に選んで、基板１との密着力を
強化したＡｕめっき層５１１，５１２，５１３を得るこ
とが可能である。
導体膜２１１，２１２，２１３が絶縁膜４１ばかりでな
く基板１上にも設けられ、且つ図１２（ｂ）に示すよう
に、その接触面積を任意に選んで、基板１との密着力を
強化したＡｕめっき層５１１，５１２，５１３を得るこ
とが可能である。
【００６２】さらに図１３に示すように、絶縁膜４１の
任意の深さに領域４２を開口し、めっき用導体膜２１４
を設けめっき層５１４を形成することを、基板１表面の
一部を含めて領域１５を除去し、その部分も含めてめっ
き用導体膜２１５を設けて、Ａｕめっき層の面積を拡大
して得ることが可能であり、めっき表面高さが平準化し
て得ることもできる。
任意の深さに領域４２を開口し、めっき用導体膜２１４
を設けめっき層５１４を形成することを、基板１表面の
一部を含めて領域１５を除去し、その部分も含めてめっ
き用導体膜２１５を設けて、Ａｕめっき層の面積を拡大
して得ることが可能であり、めっき表面高さが平準化し
て得ることもできる。
【００６３】この製造方法においても無電解めっき法が
可能であり、その場合には導体膜２５を省略することが
できる。
可能であり、その場合には導体膜２５を省略することが
できる。
【００６４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、配線加工における配線の変形や膜べり、短絡の原因
となるバリの発生などを防止した高精度，高密度なめっ
き配線の製造方法が得られる。
ば、配線加工における配線の変形や膜べり、短絡の原因
となるバリの発生などを防止した高精度，高密度なめっ
き配線の製造方法が得られる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図４】本発明の第２の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図６】本発明の第３の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図７】本発明の第３の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図８】本発明の第３の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図９】本発明の第３の実施例を説明するための、めっ
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
き配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図１０】本発明の第４の実施例を説明するための、め
っき配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
っき配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図１１】本発明の第４の実施例を説明するための、め
っき配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
っき配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図１２】本発明の第４の実施例を説明するための、め
っき配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
っき配線の膜式的断面図で製造工程順に示したものであ
る。
【図１３】本発明の第４の実施例を説明するための、め
っき配線の工程を示す膜式的断面図である。
っき配線の工程を示す膜式的断面図である。
【図１４】従来の配線の膜式的断面図で製造方法を工程
順に示したものである。
順に示したものである。
【図１５】従来の配線の膜式的断面図で製造方法を工程
順に示したものである。
順に示したものである。
１ 基板 ２ 金属膜（Ｔｉ） ２０，２２，２５ 導体膜 ２１ めっき用導体膜 ３，３０ ホトレジスト膜 ３４ ホトレジスト膜開口部 ４０，４１，４２ 絶縁膜 ５，５０，５１ Ａｕめっき層 ５２ Ａｕ膜 ５３ 再付着層 ８ 段差 ９ 裾引き
Claims (4)
- 【請求項１】一基板上に設けられた素子間の接続に用い
られるめっき配線の製造方法において、 （ａ）基板上の全面にめっき析出される導体膜を設ける
工程と、 （ｂ）前記導体膜の表面に絶縁膜を設ける工程と、 （ｃ）前記絶縁膜の表面にめっき配線領域を開口したホ
トレジスト膜を設ける工程と、 （ｄ）前記ホトレジスト膜の開口部の前記絶縁膜と導体
膜を順次除去して、めっき領域の基板表面を露出する工
程と、 （ｅ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、 （ｆ）前記ホトレジスト膜を除去して前記絶縁膜を露出
する工程と、 （ｇ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を設け
る工程と、 （ｈ）前記絶縁膜と導体膜を順次除去する工程とからな
ることを特徴とするめっき配線の製造方法。 - 【請求項２】一基板上に設けられた素子間の接続に用い
られるめっき配線の製造方法において、 （ａ）基板上の全面にめっき析出されない導体膜を設け
る工程と、 （ｂ）前記導体膜の表面にめっき配線領域を開口したホ
トレジスト膜を設ける工程と、 （ｃ）前記ホトレジスト膜の開口部の前記導体膜を除去
して、めっき領域の基板表面を露出する工程と、 （ｄ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、 （ｅ）前記ホトレジスト膜を除去して前記導体膜を露出
する工程と、 （ｆ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を設け
る工程と、 （ｇ）前記めっき析出されない導体膜を除去する工程と
からなることを特徴とするめっき配線の製造方法。 - 【請求項３】一基板上に設けられた素子間の接続に用い
られるめっき配線の製造方法において、 （ａ）基板上の全面にめっき析出されない第１の絶縁膜
を設ける工程と、 （ｂ）前記第１の絶縁膜の表面に導体膜を設ける工程
と、 （ｃ）前記導体膜の表面に第２の絶縁膜を設ける工程
と、 （ｄ）めっき配線領域を開口したホトレジスト膜を設け
る工程と、 （ｅ）前記ホトレジスト膜の開口部の前記第２の絶縁膜
と導体膜さらに前記第１の絶縁膜を順次除去して、めっ
き領域の基板表面を露出する工程と、 （ｆ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、 （ｇ）前記ホトレジスト膜を除去して前記第２の絶縁膜
を露出する工程と、 （ｈ）前記めっき用導体膜表面にＡｕめっき層を設ける
工程と、 （ｉ）前記第２の絶縁膜と導体膜さらに前記第１の絶縁
膜を順次除去する工程とからなることを特徴とするめっ
き配線の製造方法。 - 【請求項４】一基板上に設けられた素子間の接続に用い
られるめっき配線の製造方法において、 （ａ）基板上の全面にめっき析出されない第１の絶縁膜
を設ける工程と、 （ｂ）前記第１の絶縁膜表面に導体膜を設ける工程と、 （ｃ）前記導体膜の表面に第２の絶縁膜を設ける工程
と、 （ｄ）めっき配線領域を開口したホトレジスト膜を設け
る工程と、 （ｅ）前記ホトレジスト膜の開口部の前記第２の絶縁膜
と導体膜さらに前記第１の絶縁膜を順次除去して、めっ
き領域の基板表面を露出する工程と、 （ｆ）全面にめっき用導体膜を設ける工程と、 （ｇ）異方性ＲＩＥ法により前記めっき用導体膜を前記
第２の絶縁膜と導体膜および前記第１の絶縁膜の側面に
残置し同時に基板上の前記めっき用導体膜を除去し、次
に前記ホトレジスト膜を除去して前記絶縁膜の表面を露
出する工程と、 （ｈ）前記めっき用導体膜の表面にＡｕめっき層を設け
る工程と、 （ｉ）前記第２の絶縁膜と導体膜および前記第１の絶縁
膜を順次除去する工程とからなることを特徴とするめっ
き配線の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33099391A JP2745913B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | めっき配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33099391A JP2745913B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | めっき配線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166804A JPH05166804A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2745913B2 true JP2745913B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=18238639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33099391A Expired - Fee Related JP2745913B2 (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | めっき配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745913B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP33099391A patent/JP2745913B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05166804A (ja) | 1993-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5316974A (en) | Integrated circuit copper metallization process using a lift-off seed layer and a thick-plated conductor layer | |
| JPH02278820A (ja) | エアブリッジ金属相互接続の製造方法 | |
| JP2745913B2 (ja) | めっき配線の製造方法 | |
| JP2985326B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3809754B2 (ja) | 転写マスクの製造方法 | |
| JP3126862B2 (ja) | 金属パターンの形成方法 | |
| JP2563180B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2737762B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0918117A (ja) | 導電体層形成方法 | |
| JP2950045B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3033171B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2699498B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2929850B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2753098B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05152251A (ja) | めつき配線の製造方法 | |
| JP3211287B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0799199A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09162187A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05243222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0341732A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS628030B2 (ja) | ||
| JPS60140747A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03263833A (ja) | テーパエツチング方法 | |
| JPH05206125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000031271A (ja) | 多層配線の半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |