JPS58108738A - 半導体装置用電極の製造方法 - Google Patents
半導体装置用電極の製造方法Info
- Publication number
- JPS58108738A JPS58108738A JP20742381A JP20742381A JPS58108738A JP S58108738 A JPS58108738 A JP S58108738A JP 20742381 A JP20742381 A JP 20742381A JP 20742381 A JP20742381 A JP 20742381A JP S58108738 A JPS58108738 A JP S58108738A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- electrode
- wiring
- aluminum alloy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用電極の製造方法に関し、具体的に
は、シリコン拡散層と配線電極との電気的接触を容易に
し、配線電極の段切ｒＬｔ−なくすことを目的としたも
のである。
は、シリコン拡散層と配線電極との電気的接触を容易に
し、配線電極の段切ｒＬｔ−なくすことを目的としたも
のである。
こｎまでの配線電極の形成は主として、蒸着法によるア
ルミニウムか、スパッタリング法によるアルミニウム合
金ヲ使用して行なわｆている。
ルミニウムか、スパッタリング法によるアルミニウム合
金ヲ使用して行なわｆている。
しかしながら、こ扛らの方法では次のことがらが欠点と
してあげらｎる。こｒｌ−ｋ 、第１図、第２図によっ
て、以下に説明する。
してあげらｎる。こｒｌ−ｋ 、第１図、第２図によっ
て、以下に説明する。
（１）第１図は蒸着法によるアルミニウム配線の場合の
欠点を説明したものである。はじめにＰ型シリコン基板
１上の熱酸化膜２を拡散マスクとして電気的接触部３に
、Ｎ型拡散層４を形成する。この場合、蒸着法により形
成さ扛た了ルミニウム配線層５は蒸層時の真空度が高く
、電気的接触部側面での段差６が急だと配線層の段切ｎ
部７が生じてしｔう。又、蒸眉からデバイス完成時まで
の熱処理によシ、アルミ表面にヒロックと呼ばｎる異−
リ。
欠点を説明したものである。はじめにＰ型シリコン基板
１上の熱酸化膜２を拡散マスクとして電気的接触部３に
、Ｎ型拡散層４を形成する。この場合、蒸着法により形
成さ扛た了ルミニウム配線層５は蒸層時の真空度が高く
、電気的接触部側面での段差６が急だと配線層の段切ｎ
部７が生じてしｔう。又、蒸眉からデバイス完成時まで
の熱処理によシ、アルミ表面にヒロックと呼ばｎる異−
リ。
常突起８が生じてしまい、この異常突起８０周辺は保護
、嘆９がつきにくく、信頼性低下の原因となってしまう
。
、嘆９がつきにくく、信頼性低下の原因となってしまう
。
（２）第２図はスパッタリング法によるアルミニウム合
金配線の場合の欠点を説明したものである。
金配線の場合の欠点を説明したものである。
Ｎ型拡散層形成までは、蒸看アルミニウムの場合ト同様
であるが、スパッタリング法により形成さ扛たアルミニ
ウム合金配線層１０は、スパッタリング時の真空度が低
く、電気的接触部側面での段切しは生じないが、Ｎ型拡
散層４との間に電気的接触不良層１１を生じやすい。こ
の電気的接触不良層１１はスパッタリング雰囲気中のア
ルゴン、チッ素、酸素等の元素とからなる。
であるが、スパッタリング法により形成さ扛たアルミニ
ウム合金配線層１０は、スパッタリング時の真空度が低
く、電気的接触部側面での段切しは生じないが、Ｎ型拡
散層４との間に電気的接触不良層１１を生じやすい。こ
の電気的接触不良層１１はスパッタリング雰囲気中のア
ルゴン、チッ素、酸素等の元素とからなる。
本発明はかかる欠点を除去するものであり、アルミニウ
ムとアルミニウム合金の二層構造にして電極配線を形成
する方法を提供するものである。
ムとアルミニウム合金の二層構造にして電極配線を形成
する方法を提供するものである。
次に、第３図を用いて本発明の詳細な説明する。はじめ
に、Ｐ型シリコン基板１上の熱酸化膜２を拡散マスクと
して電気的接触部３に、Ｎ型拡散層４を形成する。次に
、蒸溜法によりアルミニウム配線層５’ｉ２００〜３０
０ｎｍ形成する。
に、Ｐ型シリコン基板１上の熱酸化膜２を拡散マスクと
して電気的接触部３に、Ｎ型拡散層４を形成する。次に
、蒸溜法によりアルミニウム配線層５’ｉ２００〜３０
０ｎｍ形成する。
ひきつづき、スパッタリング法にょシアルミニウム合金
層１０’１６００〜８００ｎｓ形成する。
層１０’１６００〜８００ｎｓ形成する。
従来の孟ソゲラフイー技術によｐこのアルミニウム５と
アルミニウム合金１０の二層からなる電極配線パターン
を形成し、最後に保護膜９を形成して、目的とする半導
体装置用電極を形成する。
アルミニウム合金１０の二層からなる電極配線パターン
を形成し、最後に保護膜９を形成して、目的とする半導
体装置用電極を形成する。
こ、ｒ″Ｌマでの説明でもわかるように、この場合、第
１図で述べた蒸眉法によるアルミニウム配線のみの欠点
は、第二層目に使用するスパッタリング法による了ルミ
ニウム合金１０の配線層によシなくなる。すなわち、第
３図に示すように、第一層目の蒸層法によるアルミニウ
ム配線層５が電気的接触部側面の段差６で段切ｒ７が生
じていても、第二層目のアルミニウム合金１０で段切１
ｆ”Ｌ７にカバーしてしまう。
１図で述べた蒸眉法によるアルミニウム配線のみの欠点
は、第二層目に使用するスパッタリング法による了ルミ
ニウム合金１０の配線層によシなくなる。すなわち、第
３図に示すように、第一層目の蒸層法によるアルミニウ
ム配線層５が電気的接触部側面の段差６で段切ｒ７が生
じていても、第二層目のアルミニウム合金１０で段切１
ｆ”Ｌ７にカバーしてしまう。
又、了ルミニウム配線層５に生じた異常突起８も、第二
層目のアルミニウム合金層１０がカバーして ゛しまい
、保護膜９の信頼性低下上防止することができる。次に
、第２図で述べたスパッタリング法によるアルミニウム
合金配線のみの欠点（電気的接触不良〕も、第一層目に
使用する蒸層法によるアルミニウム配線層５によりなく
なる。すなわち、男３図に示すようにＮ型拡散層４と蒸
溜法によるアルミニウム配線層５との間には、第２図に
示したような電気的接触不良層１１は存在せず、良好な
電気的接触を得ることが可能となる。
層目のアルミニウム合金層１０がカバーして ゛しまい
、保護膜９の信頼性低下上防止することができる。次に
、第２図で述べたスパッタリング法によるアルミニウム
合金配線のみの欠点（電気的接触不良〕も、第一層目に
使用する蒸層法によるアルミニウム配線層５によりなく
なる。すなわち、男３図に示すようにＮ型拡散層４と蒸
溜法によるアルミニウム配線層５との間には、第２図に
示したような電気的接触不良層１１は存在せず、良好な
電気的接触を得ることが可能となる。
以上、詳細に説明したように、本発明の製造方法によ肚
は、段切ｎのない、良好な電気的接触ｔもつ配線電極層
を形成することができる。
は、段切ｎのない、良好な電気的接触ｔもつ配線電極層
を形成することができる。
ここでは、シリコン拡散層の例としてＮ型拡散層につい
ても、同様に、段切ｎのない、良好な電気的接触をもつ
配線電極層な形成することができることは言うまでもな
い。
ても、同様に、段切ｎのない、良好な電気的接触をもつ
配線電極層な形成することができることは言うまでもな
い。
第１図は従来の蒸清法によるアルミニウム配線層使用の
半導体装置用電極の断面図、第２図も従来のスパッタリ
ング法によるアルミニウム合金配線層使用の半導体装置
用電極の断面図、第３図は本発明の製造方法による半導
体装置用電極の断面図である。 １０．Ｐ型シリコン基板 ２゜。熱酸化、嘆３６．電気
的接触部 ４゜、Ｎ武拡散層５６．アルミニウム配線
層 ６．。段差８１．異常突起 ９０．保護膜 １
０ 、。了ルミニウム合金配線層 １１゜。電気的接触
不良層。 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務
半導体装置用電極の断面図、第２図も従来のスパッタリ
ング法によるアルミニウム合金配線層使用の半導体装置
用電極の断面図、第３図は本発明の製造方法による半導
体装置用電極の断面図である。 １０．Ｐ型シリコン基板 ２゜。熱酸化、嘆３６．電気
的接触部 ４゜、Ｎ武拡散層５６．アルミニウム配線
層 ６．。段差８１．異常突起 ９０．保護膜 １
０ 、。了ルミニウム合金配線層 １１゜。電気的接触
不良層。 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務
Claims (3)
- （１）シリコン基板に形成さｎた拡散層と配線電極とで
、電気的接触部とる半導体装置の製造方法において、前
記配線電極形成を、第一層目の電極として、アルミニウ
ム、第二層目の電極として、アルミニウム合金の二層構
造にして行なうこと全特徴とする半導体装置用電極の製
造方法。 - （２）前記第一層目の電極として蒸着法によるアルミニ
ウム、第二層目の電極としてスパッタリング法によるア
ルミニウム合金を使用することを特徴とする特許請求範
囲第１項記載の半導体装置用電極の製造方法。 - （３）前記第二層目の電極としてスパッタリング法によ
る０、５〜３％シリコン入りアルミニウム合金を使用す
ることを特徴とする特許請求範囲第２項記載の半導体装
置用電極の製造方法。 １−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20742381A JPS58108738A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 半導体装置用電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20742381A JPS58108738A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 半導体装置用電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108738A true JPS58108738A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16539504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20742381A Pending JPS58108738A (ja) | 1981-12-22 | 1981-12-22 | 半導体装置用電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108738A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0168828A2 (en) * | 1984-07-18 | 1986-01-22 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device having wiring layers |
| JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
| JPH02170421A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53110464A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-27 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS54132178A (en) * | 1978-04-05 | 1979-10-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-22 JP JP20742381A patent/JPS58108738A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53110464A (en) * | 1977-03-09 | 1978-09-27 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS54132178A (en) * | 1978-04-05 | 1979-10-13 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0168828A2 (en) * | 1984-07-18 | 1986-01-22 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device having wiring layers |
| JPS61245523A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | アルミニウム膜の成長方法 |
| JPH02170421A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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