JPH0511668B2 - - Google Patents
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- JPH0511668B2 JPH0511668B2 JP29381886A JP29381886A JPH0511668B2 JP H0511668 B2 JPH0511668 B2 JP H0511668B2 JP 29381886 A JP29381886 A JP 29381886A JP 29381886 A JP29381886 A JP 29381886A JP H0511668 B2 JPH0511668 B2 JP H0511668B2
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- resistor
- aluminum
- metal film
- aluminum wiring
- forming
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属被膜抵抗の製造方法に関し、特に
金属被膜抵抗の配線の製造方法に関する。
金属被膜抵抗の配線の製造方法に関する。
従来、金属被膜抵抗はそれを覆うアルミニウム
をウエツトエツチング法によりパターニングする
ことにより、抵抗用の配線を形成していた。例え
ば、金属被膜抵抗として、シリコンクロム層を用
いた場合、主としてリン酸からなるエツチング液
を用いてアルミニウム膜をパターニングしアルミ
ニウム配線を形成するが、その時エツチング液は
シリコンクロム層には何ら悪影響を与えることは
なかつた。
をウエツトエツチング法によりパターニングする
ことにより、抵抗用の配線を形成していた。例え
ば、金属被膜抵抗として、シリコンクロム層を用
いた場合、主としてリン酸からなるエツチング液
を用いてアルミニウム膜をパターニングしアルミ
ニウム配線を形成するが、その時エツチング液は
シリコンクロム層には何ら悪影響を与えることは
なかつた。
しかしながら、上述した従来の金属被膜抵抗の
製造方法では、アルミニウム配線の形成がアルミ
ニウムのエツチング液を用いるウエツトエツチン
グ法で行なわれるためサイドエツチングが大き
く、アルミニウム配線の微細化ができないという
問題点があつた。
製造方法では、アルミニウム配線の形成がアルミ
ニウムのエツチング液を用いるウエツトエツチン
グ法で行なわれるためサイドエツチングが大き
く、アルミニウム配線の微細化ができないという
問題点があつた。
しかるに、微細なアルミニウム配線の形成を、
例えばCCl4等のガスを用いるドライエツチング
法で行なうと、アルミニウムのエツチングと共に
金属被膜抵抗体もエツチングされてしまうという
欠点があつた。
例えばCCl4等のガスを用いるドライエツチング
法で行なうと、アルミニウムのエツチングと共に
金属被膜抵抗体もエツチングされてしまうという
欠点があつた。
本発明の目的は、微細なアルミニウム配線を有
する金属被膜抵抗の製造方法を提供することにあ
る。
する金属被膜抵抗の製造方法を提供することにあ
る。
本発明の金属被膜抵抗の製造方法は、PN接合
素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を介して
金属被膜抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体を
含む全面にアルミニウム膜を形成する工程と、ド
ライエツチング法により前記アルミニウム膜をパ
ターニングし前記抵抗体を覆うアルミニウム配線
を形成する工程と、電極形成部分を除く前記抵抗
体上のアルミニウム配線をウエツトエツチング法
により除去する工程とを含んで構成される。
素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を介して
金属被膜抵抗体を形成する工程と、前記抵抗体を
含む全面にアルミニウム膜を形成する工程と、ド
ライエツチング法により前記アルミニウム膜をパ
ターニングし前記抵抗体を覆うアルミニウム配線
を形成する工程と、電極形成部分を除く前記抵抗
体上のアルミニウム配線をウエツトエツチング法
により除去する工程とを含んで構成される。
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第１図ａ〜ｃ及びｅは本発明の第１の実施例を
説明するための工程順に示した半導体チツプの断
面図であり、第１図ｄは第１図ｅの平面図であ
る。
説明するための工程順に示した半導体チツプの断
面図であり、第１図ｄは第１図ｅの平面図であ
る。
まず第１図ａに示すように、Ｎ型の半導体基板
１０１（エピタキシヤル層でも良い）に熱酸化に
より酸化膜１０２を成長させパターニングして、
マスクを形成しこのマスクを用いてＰ型拡散層１
０３を0.5μｍの深さに形成する。次で再び酸化し
たのちマスクを形成してN+型拡散層１０４を
0.2μｍの深さに形成してNPNトランジスタ１０
５を形成する。
１０１（エピタキシヤル層でも良い）に熱酸化に
より酸化膜１０２を成長させパターニングして、
マスクを形成しこのマスクを用いてＰ型拡散層１
０３を0.5μｍの深さに形成する。次で再び酸化し
たのちマスクを形成してN+型拡散層１０４を
0.2μｍの深さに形成してNPNトランジスタ１０
５を形成する。
次に第１図ｂに示すように、酸化膜１０２にコ
ンタクト用窓１０６を空けNPNトランジスタ１
０５の取り出し電極用窓とする。NPNトランジ
スタ１０５の接合が浅いのでアルミニウム配線に
よるアロイスパイクを防止する為に、ポリシリコ
ン１０７を300Åの厚さに全面にCVD法により成
長させる。続いて、高抵抗、低電圧係数、高信頼
度を有する金属被膜抵抗形成用のシリコンクロム
低抗体１０８をポリシリコン１０７上に矩形に形
成する。
ンタクト用窓１０６を空けNPNトランジスタ１
０５の取り出し電極用窓とする。NPNトランジ
スタ１０５の接合が浅いのでアルミニウム配線に
よるアロイスパイクを防止する為に、ポリシリコ
ン１０７を300Åの厚さに全面にCVD法により成
長させる。続いて、高抵抗、低電圧係数、高信頼
度を有する金属被膜抵抗形成用のシリコンクロム
低抗体１０８をポリシリコン１０７上に矩形に形
成する。
次に第１図ｃに示すように、アルミニウムを全
面に約1.0μｍの厚さに被着して従来のフオトレジ
スト技術及びCCl4等のガスを用いるドライエツ
チング法によりパターニングし、シリコンクロム
抵抗体を覆うアルミニウム配線１０９を形成す
る。
面に約1.0μｍの厚さに被着して従来のフオトレジ
スト技術及びCCl4等のガスを用いるドライエツ
チング法によりパターニングし、シリコンクロム
抵抗体を覆うアルミニウム配線１０９を形成す
る。
次に第１図ｄ，ｅに示すように、シリコンクロ
ム抵抗体１０８の電極形成部分を除く抵抗体部分
のみを露出する様に、アルミニウム配線１０９の
一部１１１をリン酸を主とするアルミニウムエツ
チング液にて除去する。この後、400℃窒素中に
て20分間熱処理をする。
ム抵抗体１０８の電極形成部分を除く抵抗体部分
のみを露出する様に、アルミニウム配線１０９の
一部１１１をリン酸を主とするアルミニウムエツ
チング液にて除去する。この後、400℃窒素中に
て20分間熱処理をする。
以下保護膜を全面に形成することにより金属被
膜抵抗が完成する。
膜抵抗が完成する。
第２図ａ〜ｄは本発明の第２の実施例を説明す
るための製造工程順に示した半導体チツプの断面
図である。
るための製造工程順に示した半導体チツプの断面
図である。
まず第２図ａに示すように、Ｎ型半導体基板２
０１に第１の実施例と同様に酸化膜２０２を成長
させ、これをマスクとしてＰ型拡散層２０３を
0.5μｍの深さ、N+型拡散層２０４を0.2μｍの深
さに形成し、NPNトランジスタ２０５を形成す
る。
０１に第１の実施例と同様に酸化膜２０２を成長
させ、これをマスクとしてＰ型拡散層２０３を
0.5μｍの深さ、N+型拡散層２０４を0.2μｍの深
さに形成し、NPNトランジスタ２０５を形成す
る。
次に第２図ｂに示すように、酸化膜２０２にコ
ンタクト用窓２０６を空け、NPNトランジスタ
２０５の取り出し電極用窓とする。次でNPNト
ランジスタ２０５の接合が浅いのでポリシリコン
２０７を300Åの厚さに全面にCVD法により成長
させる。更に全面に約200Åの厚さのシリコンク
ロム層２２１を被着させ、更に厚さ約1.0μｍのア
ルミニウム２２２を全面に被着させる。
ンタクト用窓２０６を空け、NPNトランジスタ
２０５の取り出し電極用窓とする。次でNPNト
ランジスタ２０５の接合が浅いのでポリシリコン
２０７を300Åの厚さに全面にCVD法により成長
させる。更に全面に約200Åの厚さのシリコンク
ロム層２２１を被着させ、更に厚さ約1.0μｍのア
ルミニウム２２２を全面に被着させる。
次に第２図ｅに示すように、従来のフオトレジ
スト技術及びドライエツチング技術を用いてアル
ミニウム２２２、シリコンクロム層２２１、ポリ
シリコン２０７の順にエツチングを行ない、アル
ミニウム配線２０９を形成する。
スト技術及びドライエツチング技術を用いてアル
ミニウム２２２、シリコンクロム層２２１、ポリ
シリコン２０７の順にエツチングを行ない、アル
ミニウム配線２０９を形成する。
次に第２図ｄに示すようにシリコンクロム抵抗
体２０８を形成するために、アルミニウム配線２
０９の一部２１１をリン酸を主とするアルミニウ
ムエツチング液にて除去する。この後、400℃窒
素中にて20分間熱処理を施す。以下全面に保護膜
を形成することにより金属被膜抵抗が完成する。
体２０８を形成するために、アルミニウム配線２
０９の一部２１１をリン酸を主とするアルミニウ
ムエツチング液にて除去する。この後、400℃窒
素中にて20分間熱処理を施す。以下全面に保護膜
を形成することにより金属被膜抵抗が完成する。
本第２の実施例においては、第１の実施例に比
べシリコンクロム抵抗体２０８を形成するための
パターニング工程が省略できるという利点があ
る。
べシリコンクロム抵抗体２０８を形成するための
パターニング工程が省略できるという利点があ
る。
以上説明したように本発明は、抵抗体を覆つた
状態でアルミニウム膜をドライエツチング法でパ
ターニングしてアルミニウム配線を形成し、次に
抵抗体上の不要のアルミニウム配線をウエツトエ
ツチング法により除去することにより、微細なア
ルミニウム配線を有する金属被膜抵抗が得られる
効果がある。
状態でアルミニウム膜をドライエツチング法でパ
ターニングしてアルミニウム配線を形成し、次に
抵抗体上の不要のアルミニウム配線をウエツトエ
ツチング法により除去することにより、微細なア
ルミニウム配線を有する金属被膜抵抗が得られる
効果がある。
第１図ａ〜ｃ及びｅは、本発明の第１の実施例
を説明するための製造工程順に示した半導体チツ
プの断面図、第１図ｄは本発明の第１の実施例を
説明するための半導体チツプの平面図、第２図ａ
〜ｄは本発明の第２の実施例を説明するための製
造工程順に示した半導体チツプの断面図である。 １０１，２０１……Ｎ型半導体基板、１０２，
２０２……酸化膜、１０３，２０３……Ｐ型拡散
層、１０４，２０４……N+型拡散層、１０５，
２０５……NPNトランジスタ、１０６，２０６
……コンタクト用窓、１０７，２０７……ポリシ
リコン、１０８，２０８……シリコンクロム抵抗
体、１０９，２０９……アルミニウム配線、１１
１，２１１……アルミニウム配線除去部、２２１
……シリコンクロム層、２２２……アルミニウ
ム。
を説明するための製造工程順に示した半導体チツ
プの断面図、第１図ｄは本発明の第１の実施例を
説明するための半導体チツプの平面図、第２図ａ
〜ｄは本発明の第２の実施例を説明するための製
造工程順に示した半導体チツプの断面図である。 １０１，２０１……Ｎ型半導体基板、１０２，
２０２……酸化膜、１０３，２０３……Ｐ型拡散
層、１０４，２０４……N+型拡散層、１０５，
２０５……NPNトランジスタ、１０６，２０６
……コンタクト用窓、１０７，２０７……ポリシ
リコン、１０８，２０８……シリコンクロム抵抗
体、１０９，２０９……アルミニウム配線、１１
１，２１１……アルミニウム配線除去部、２２１
……シリコンクロム層、２２２……アルミニウ
ム。
Claims (1)
- １ PN接合素子が形成された半導体基板上に絶
縁膜を介して金属被膜抵抗体を形成する工程と、
前記抵抗体を含む全面にアルミニウム膜を形成す
る工程と、ドライエツチング法により前記アルミ
ニウム膜をパターニングし前記抵抗体を覆うアル
ミニウム配線を形成する工程と、電極形成部分を
除く前記抵抗体上のアルミニウム配線をウエツト
エツチング法により除去する工程とを含むことを
特徴とする金属被膜抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29381886A JPS63252330A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 金属被膜抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29381886A JPS63252330A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 金属被膜抵抗の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63252330A JPS63252330A (ja) | 1988-10-19 |
| JPH0511668B2 true JPH0511668B2 (ja) | 1993-02-16 |
Family
ID=17799549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29381886A Granted JPS63252330A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | 金属被膜抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63252330A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2687469B2 (ja) * | 1988-08-24 | 1997-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| US6242792B1 (en) | 1996-07-02 | 2001-06-05 | Denso Corporation | Semiconductor device having oblique portion as reflection |
| JP3374680B2 (ja) | 1996-11-06 | 2003-02-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| JP5305646B2 (ja) * | 2007-12-18 | 2013-10-02 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 半導体装置、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP5751046B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および投射型表示装置 |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP29381886A patent/JPS63252330A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63252330A (ja) | 1988-10-19 |
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