JPS58103168A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
- H01L23/53223—Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体装置に係り、特に半導体基板とオーミッ
ク接触する電極配線の改良に関する。
ク接触する電極配線の改良に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
ｔｓｒ、超ｔＳｔ等の半導体装置の電極配線材料にはア
ルミニウム（Ａ７りもしくはアルミニウム合金が多く用
いられている。ＡＩは電気抵抗が小さく且つ半導体例え
ばシリコン（Ｓりとの接触抵抗を小さくなし得る等の長
所を有するが、その反面Ｓｉと反応しやすいため、電極
配線形成後のアニール工程等の加熱処理工程において、
Ａｌ中へＳｔが容易に析出し、その結果シ緩ットキバリ
ア・ダイオード等の特性が劣化する。
ルミニウム（Ａ７りもしくはアルミニウム合金が多く用
いられている。ＡＩは電気抵抗が小さく且つ半導体例え
ばシリコン（Ｓりとの接触抵抗を小さくなし得る等の長
所を有するが、その反面Ｓｉと反応しやすいため、電極
配線形成後のアニール工程等の加熱処理工程において、
Ａｌ中へＳｔが容易に析出し、その結果シ緩ットキバリ
ア・ダイオード等の特性が劣化する。
このような問題を防止するため、第１図に示すように、
Ｓｔ基板１表面と二酸化シリコン（Ｓｉｎ。
Ｓｔ基板１表面と二酸化シリコン（Ｓｉｎ。
−）、或いは燐シリケートガラス（ＰＳＧ）層等よりな
る絶縁膜２に開口されたコンタクト窓３においてコンタ
クトする電極配線４を、第１のＡｎｔ層５、Ｔｉ、Ｗ、
Ｍｏのような高融点金属層もしくはその合金層例えばＴ
ｉｕ層６、及び第２のＡＪ層７からなる３層構造がかね
てより用いられている。この構造はＴｉ１．Ｔｉ−等が
ＡＩともＳｉとも反応しないことを利用したものであっ
て、上述の如＜ ＴｉＷよりなる薄層６を第１及び第２
のＡｊ！層５，６の間にバリア層として介在せしめるこ
とにより、Ｓｔと反応するＡＮの量を第１のＡＪ層５の
みに限定し、もってＳｔの析出量を一定量以下に制限し
得るようにしたものである。
る絶縁膜２に開口されたコンタクト窓３においてコンタ
クトする電極配線４を、第１のＡｎｔ層５、Ｔｉ、Ｗ、
Ｍｏのような高融点金属層もしくはその合金層例えばＴ
ｉｕ層６、及び第２のＡＪ層７からなる３層構造がかね
てより用いられている。この構造はＴｉ１．Ｔｉ−等が
ＡＩともＳｉとも反応しないことを利用したものであっ
て、上述の如＜ ＴｉＷよりなる薄層６を第１及び第２
のＡｊ！層５，６の間にバリア層として介在せしめるこ
とにより、Ｓｔと反応するＡＮの量を第１のＡＪ層５の
みに限定し、もってＳｔの析出量を一定量以下に制限し
得るようにしたものである。
半導体装置の電極配線をかかる構造として、Ａｊ！配線
中への基板５５の過剰な拡散を防止することにより、前
記電極配線を形成した後においても、凡そ４５０（’Ｃ
）以下の温度であれば、半導体装置の電気的特性を劣化
させることなく加熱処理を施すことが可能となった。し
かし昨今では素子の組立工程の自動化等のため、素子の
耐熱特性として少なくとも５００（’Ｃ）の温度にさら
されても異常のないことが要請される趨勢にある。
中への基板５５の過剰な拡散を防止することにより、前
記電極配線を形成した後においても、凡そ４５０（’Ｃ
）以下の温度であれば、半導体装置の電気的特性を劣化
させることなく加熱処理を施すことが可能となった。し
かし昨今では素子の組立工程の自動化等のため、素子の
耐熱特性として少なくとも５００（’Ｃ）の温度にさら
されても異常のないことが要請される趨勢にある。
上記５００（℃）という高温下においては、上述の従来
の電極配線構造はＡｌとＳｔの反応を抑止するバリア性
を失い、前記第２（上層）のＡＮ電極配線中への基板Ｓ
ｉの過剰な拡散を生じ、半導体装置の電気的特性が劣化
する。
の電極配線構造はＡｌとＳｔの反応を抑止するバリア性
を失い、前記第２（上層）のＡＮ電極配線中への基板Ｓ
ｉの過剰な拡散を生じ、半導体装置の電気的特性が劣化
する。
ｔｅｌ 発明の目的
本発明の目的は上記問題点を解消して半導体装置の耐熱
特性を向上せしめることにある。
特性を向上せしめることにある。
ｌｄ） 発明の構成
上記目的は本発明において、半導体基板表面より導出さ
れた電極配線層を、アルミニウムもしくはアルミニウム
合金もしくはアルミニウム合金の硅化物よりなり前記半
導体基板とオーミック接触せる第１の薄層と、該第１の
薄層上に形成されたＴｉＪ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、
Ｎｂ、Ｖ、Ｎｉ、 Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ及びその合金の中
から選ばれた一つよりなる第２の薄層と、該第２の薄層
上に形成されたアルミニウムの硅化物もしくはアルミニ
ウム合金の硅化物よりなる第３の薄層とからなる構成と
したことにより達成される。
れた電極配線層を、アルミニウムもしくはアルミニウム
合金もしくはアルミニウム合金の硅化物よりなり前記半
導体基板とオーミック接触せる第１の薄層と、該第１の
薄層上に形成されたＴｉＪ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、
Ｎｂ、Ｖ、Ｎｉ、 Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ及びその合金の中
から選ばれた一つよりなる第２の薄層と、該第２の薄層
上に形成されたアルミニウムの硅化物もしくはアルミニ
ウム合金の硅化物よりなる第３の薄層とからなる構成と
したことにより達成される。
１８） 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
第２図は本発明により製作した半導体装置の一実施例と
してのｎｐｎ型のバイポーラ型半導体装置を示す要部断
面図、第３図はその製造方法を示す要部断面図である。
してのｎｐｎ型のバイポーラ型半導体装置を示す要部断
面図、第３図はその製造方法を示す要部断面図である。
第２図において、ｌはｐ型のＳ＋基板、２は絶縁膜で例
えば二酸化シリコン（Ｓｉｎ、 ）膜、！１．１２゜１
３はそれぞれベース電極、エミッタ電極、コレクタ電極
で、いずれもアルミニウム（Ａ１）よりなる第１の１Ｉ
ｊｌ１４．Ｔｉよりなる第２の１１５． Ｓｉの含有量
が約１ 〔％〕のアルミニウム（ＡＩ）の硅化物（Ｊ２
＋下ＡＩ／Ｓｉと略記する）よりなる第３の薄層１６と
が積層された３層構造を有する。上記第１゜第２．第３
のＩＩ）１１４，１５．１６の厚さは、例えばそれぞれ
凡そ１０００，１０００．６５００ （人〕とする。ま
た１７はｎ型のエピタキシアル層でコレクタ領域、１Ｂ
はｎ÷型の埋込み層、１９はｐ型のベース領域、２０．
２１はｎ＋型領領域それぞれコレクタコンタクト領域、
及びエミッタ領域、２２はＶ型のアイソレージ替ン領域
である。
えば二酸化シリコン（Ｓｉｎ、 ）膜、！１．１２゜１
３はそれぞれベース電極、エミッタ電極、コレクタ電極
で、いずれもアルミニウム（Ａ１）よりなる第１の１Ｉ
ｊｌ１４．Ｔｉよりなる第２の１１５． Ｓｉの含有量
が約１ 〔％〕のアルミニウム（ＡＩ）の硅化物（Ｊ２
＋下ＡＩ／Ｓｉと略記する）よりなる第３の薄層１６と
が積層された３層構造を有する。上記第１゜第２．第３
のＩＩ）１１４，１５．１６の厚さは、例えばそれぞれ
凡そ１０００，１０００．６５００ （人〕とする。ま
た１７はｎ型のエピタキシアル層でコレクタ領域、１Ｂ
はｎ÷型の埋込み層、１９はｐ型のベース領域、２０．
２１はｎ＋型領領域それぞれコレクタコンタクト領域、
及びエミッタ領域、２２はＶ型のアイソレージ替ン領域
である。
上記本実施例の半導体装置は、３層構造の各電極１１，
１３．１４をいずれも、第１の層１４を基板Ｓ＋とのオ
ーミック接触形成容易なＡＩよりなる薄層、第２の層１
５をＴｉよりなる薄層、Ｗ２Ｂの層１６をＳｔの含有量
が約１ 〔％〕のＡＩ／Ｓｔよりなる薄層とした点が従
来の半導体装置と翼なるのみで、他はなんら変るところ
はない。
１３．１４をいずれも、第１の層１４を基板Ｓ＋とのオ
ーミック接触形成容易なＡＩよりなる薄層、第２の層１
５をＴｉよりなる薄層、Ｗ２Ｂの層１６をＳｔの含有量
が約１ 〔％〕のＡＩ／Ｓｔよりなる薄層とした点が従
来の半導体装置と翼なるのみで、他はなんら変るところ
はない。
次に第３図ｔａｌ〜（Ｃ）により本実施例の半導体装置
の製造方法を説明する。
の製造方法を説明する。
第２図（ＪｋｌはＳｉ基板１表面に所定のｎｐｎ型バイ
ポーラ半導体素子の形成を完了し、基板１表面を被覆す
るＳｉｎ、膜２を選択的に除去して、ベース電極窓２３
．エミッタ電極窓２４．コレクタ電極窓２５を開口した
状態を示す。ここ迄の工程は通常の製造工程に従って進
めてよい。
ポーラ半導体素子の形成を完了し、基板１表面を被覆す
るＳｉｎ、膜２を選択的に除去して、ベース電極窓２３
．エミッタ電極窓２４．コレクタ電極窓２５を開口した
状態を示す。ここ迄の工程は通常の製造工程に従って進
めてよい。
次いで同図（ｂ）に示すように、上記Ｓｉｎ、膜２上を
含む基板１上全面に、例えばスパッタリング法によりＡ
Ｉ、 Ｔｉ、 ＡＩ／Ｓｉ （Ｓｔの含有量的１％）
を順次積層して被着せしめ、第１．第２．第３の薄層１
４．１５．１６を形成する。
含む基板１上全面に、例えばスパッタリング法によりＡ
Ｉ、 Ｔｉ、 ＡＩ／Ｓｉ （Ｓｔの含有量的１％）
を順次積層して被着せしめ、第１．第２．第３の薄層１
４．１５．１６を形成する。
ついで同図（Ｃ１に示すように、上記第３の薄層１６上
に所定のパターンに従ってホトレジスト膜２６を形成し
、これをマスクとして例えばＣＣＩ、やＢＣＩ、、
ＣＩ！、等のような塩素系の反応ガスを用いてドライエ
ツチング法により上記第１．第２゜第３の薄層１４，１
５．１６を選択的に除去することにより、ベース電極１
１．エミッタ電極１２．コレクタ電極１３を形成する。
に所定のパターンに従ってホトレジスト膜２６を形成し
、これをマスクとして例えばＣＣＩ、やＢＣＩ、、
ＣＩ！、等のような塩素系の反応ガスを用いてドライエ
ツチング法により上記第１．第２゜第３の薄層１４，１
５．１６を選択的に除去することにより、ベース電極１
１．エミッタ電極１２．コレクタ電極１３を形成する。
このあと前記マスクとして用いたホトレジスト膜２６を
除去して、本実施例の半導体装置の完成体が得られる。
除去して、本実施例の半導体装置の完成体が得られる。
なお上記エソチング工程において、第３の薄層をＡｌ層
とした従来装置においてはパターンエツジが虫食い状態
となるのに対し、本実施例のようにＡｌ／Ｓｉを用いた
場合にはかかる虫食い状態を生じることがなく、シャー
プにエツチングされるという副次効果がある。
とした従来装置においてはパターンエツジが虫食い状態
となるのに対し、本実施例のようにＡｌ／Ｓｉを用いた
場合にはかかる虫食い状態を生じることがなく、シャー
プにエツチングされるという副次効果がある。
以上のようにして得られた本実施例の半導体装置の耐熱
特性を、従来装置と比較して第１表に示す。
特性を、従来装置と比較して第１表に示す。
下記第１表に示す２種類の試料は、第１の薄層１４はい
ずれもＡ１層とし、第２の薄層（バリア層） １５には
いずれもＴｉ層を用い、第３の薄層１６は従来装置はＡ
１層を、また本実施例ではＡｌ／Ｓｉ（Ｓｔ１％）層を
用いて形成したものである。第１表に、これらの試料を
それぞれ窒素（Ｎ、）雰囲気中において同表に示す温度
で約３０分間アニールを行った後、第３の薄層を除去し
て第２の薄層を霧出せしめ、これを顕微鏡で観察した結
果を示す。
ずれもＡ１層とし、第２の薄層（バリア層） １５には
いずれもＴｉ層を用い、第３の薄層１６は従来装置はＡ
１層を、また本実施例ではＡｌ／Ｓｉ（Ｓｔ１％）層を
用いて形成したものである。第１表に、これらの試料を
それぞれ窒素（Ｎ、）雰囲気中において同表に示す温度
で約３０分間アニールを行った後、第３の薄層を除去し
て第２の薄層を霧出せしめ、これを顕微鏡で観察した結
果を示す。
第１表
（注）バリア層二Ｔｉ
同表に見られる如＜４５０（℃）においては両者とも不
良は全（発生しないが、５００（’Ｃ）では従来装置は
全数バリア層が消失したのに対し、本実施例では異常を
聰められたものは１例もなかった。
良は全（発生しないが、５００（’Ｃ）では従来装置は
全数バリア層が消失したのに対し、本実施例では異常を
聰められたものは１例もなかった。
しかし５００（℃）においては両者とも全数バリア層が
消失した。
消失した。
第２表はバリア層１５をＴＩ一層としたもので、この場
合は従来装置のバリア層１５は５００℃においてもなお
残存していたが、いずれも局部的にバリア層１５の破れ
が認められ、前記第１表の試料と同様にバリア層として
の機能は消失した。これに対し本実施例にはなんら異常
を認められなかった。しかし５５０℃では両者とも全数
バリア層１５は消失した。
合は従来装置のバリア層１５は５００℃においてもなお
残存していたが、いずれも局部的にバリア層１５の破れ
が認められ、前記第１表の試料と同様にバリア層として
の機能は消失した。これに対し本実施例にはなんら異常
を認められなかった。しかし５５０℃では両者とも全数
バリア層１５は消失した。
第２表
（注）バリア層：Ｔｉ／Ｗ
１４図は、上記ｔ１１．１ 及ヒ第ａ （７）ｌｌｊｌ
１４．１６１、いずれもＡｌ／ＳＳ層とした本発明に係
るバイポーラ型半導体装置と、いずれもＡｌ層とした従
来構造のバイポーラ型半導体装置を、凡そ５００℃で約
３０分加熱処理を施した場合のエミッターベース間耐圧
の不良発生率を示す図で、曲線Ａは本実施例の、曲線Ｂ
は従来装置の不良率を示す。上記２種類の半導体装置は
いずれもエミッタ及びベースの深さをそれぞれ約０．７
．０．９ （μｍ〕に形成し、第２の１１５は前記Ｔｉ
一層を用いて形成した。また前記第１及び第３の薄層１
４．１６の厚さはいずれも、約１５００ （人）及び６
５００ Ｃ人〕とした。
１４．１６１、いずれもＡｌ／ＳＳ層とした本発明に係
るバイポーラ型半導体装置と、いずれもＡｌ層とした従
来構造のバイポーラ型半導体装置を、凡そ５００℃で約
３０分加熱処理を施した場合のエミッターベース間耐圧
の不良発生率を示す図で、曲線Ａは本実施例の、曲線Ｂ
は従来装置の不良率を示す。上記２種類の半導体装置は
いずれもエミッタ及びベースの深さをそれぞれ約０．７
．０．９ （μｍ〕に形成し、第２の１１５は前記Ｔｉ
一層を用いて形成した。また前記第１及び第３の薄層１
４．１６の厚さはいずれも、約１５００ （人）及び６
５００ Ｃ人〕とした。
同図に見られる如（従来装置にといては、バリア層１５
として用いたＴｉＷ層の厚さに依存することなく殆どが
不良となる。これに対し本実施例の不良発生率は極めて
僅かで、これからも本実施例の効果が理解されよう。但
し上記構造の場合には、Ｔｉ一層の厚さを極端に薄くす
ると膜厚の不均一性が相対的に大きくなるため、Ｔｉ一
層の厚さは凡そ１００〔人〕程度が実用上の下限と思わ
れる。またＴｉ一層の厚さが凡そ１５００ （人〕を越
えると不良率の増大が認められること、及びＴｉ層層は
電気抵抗が高いので余り厚く出来ないことから、この程
度を上限とすることが実用上望ましいようである。
として用いたＴｉＷ層の厚さに依存することなく殆どが
不良となる。これに対し本実施例の不良発生率は極めて
僅かで、これからも本実施例の効果が理解されよう。但
し上記構造の場合には、Ｔｉ一層の厚さを極端に薄くす
ると膜厚の不均一性が相対的に大きくなるため、Ｔｉ一
層の厚さは凡そ１００〔人〕程度が実用上の下限と思わ
れる。またＴｉ一層の厚さが凡そ１５００ （人〕を越
えると不良率の増大が認められること、及びＴｉ層層は
電気抵抗が高いので余り厚く出来ないことから、この程
度を上限とすることが実用上望ましいようである。
但し第２の薄層１５の厚さは特に限定する必要は無く、
上層及び下層の第１．第３の薄層１４．１６の厚さ及び
Ｓｊの含有量、更にはエミッタやベースの深さ等により
、種々選択さるべきものである。
上層及び下層の第１．第３の薄層１４．１６の厚さ及び
Ｓｊの含有量、更にはエミッタやベースの深さ等により
、種々選択さるべきものである。
第５図は、上記第４図の試料と同一構造の電極を用いて
形成したシ醋ットキバリア・ダイオードの順方向電圧Ｖ
Ｆを、Ｔｉ一層の厚さとの関係で示す図である。なお上
記シーツトキバリア・ダイオードの面積は凡そ２５６〔
μｍ２〕で、試料は測定に先立ち約４５０℃で凡そ３０
分加熱処理しである。同図に見られる如く本実施例のシ
ーツトキパリア・ダイオードの順方向電圧は、従来装置
より凡そ数ｌＯｍＶ高くなるが、半導体装置を実際に使
用する際の動作の安定性を確保するためには、従来装置
の順方向電圧は若干低過ぎる傾向にあり、この点からも
むしろ望ましい結果が得られた。
形成したシ醋ットキバリア・ダイオードの順方向電圧Ｖ
Ｆを、Ｔｉ一層の厚さとの関係で示す図である。なお上
記シーツトキバリア・ダイオードの面積は凡そ２５６〔
μｍ２〕で、試料は測定に先立ち約４５０℃で凡そ３０
分加熱処理しである。同図に見られる如く本実施例のシ
ーツトキパリア・ダイオードの順方向電圧は、従来装置
より凡そ数ｌＯｍＶ高くなるが、半導体装置を実際に使
用する際の動作の安定性を確保するためには、従来装置
の順方向電圧は若干低過ぎる傾向にあり、この点からも
むしろ望ましい結果が得られた。
第６図及び第７図は前記第２の１１５をＴｉＮ層及びＴ
ｉ層を用いて形成したシーットキパリア・ダイオードの
順方向電圧の、シーソトキバリア・ダイオード面積及び
アニール温度との関係の一例を示す図である。同図に見
られる如くシーツトキバリア・ダイオードの順方向電圧
の安定性から見ると、バリア層としてはＴｉまたはＴｉ
−等の高融点金属またはその合金よりも、ＴｉＮのよう
な窒化物の方がより望ましいようである。
ｉ層を用いて形成したシーットキパリア・ダイオードの
順方向電圧の、シーソトキバリア・ダイオード面積及び
アニール温度との関係の一例を示す図である。同図に見
られる如くシーツトキバリア・ダイオードの順方向電圧
の安定性から見ると、バリア層としてはＴｉまたはＴｉ
−等の高融点金属またはその合金よりも、ＴｉＮのよう
な窒化物の方がより望ましいようである。
このように本実施例では１１１２の薄層１５のバリア性
が向上したことにより、半導体装置の耐熱特性が改善さ
れ、且つ半導体装置の製造歩留が向上する。
が向上したことにより、半導体装置の耐熱特性が改善さ
れ、且つ半導体装置の製造歩留が向上する。
なお本発明は前記実施例に限定されるものではなく、更
に種々変形して実施し得るものである。
に種々変形して実施し得るものである。
例えば第２の薄層（バリア層）は７１層、 ＴＩ一層Ｔ
ｉＮ層に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記
載した各高融点金属またはその合金よりなる薄層であれ
ばよい。
ｉＮ層に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記
載した各高融点金属またはその合金よりなる薄層であれ
ばよい。
また第１の薄層１４は＾１／Ｓ１層とすることが望まし
いが、この第１の薄層はたとえＡｌにより形成しても、
その後に引き続く加熱処理工程でＳｉが容易に飽和する
ので、強いてＡｌ１５１層とする必要はなく、Ａｔ’層
であってもよい。
いが、この第１の薄層はたとえＡｌにより形成しても、
その後に引き続く加熱処理工程でＳｉが容易に飽和する
ので、強いてＡｌ１５１層とする必要はなく、Ａｔ’層
であってもよい。
上記第１の１１４の厚さも前記一実施例の凡そ１０００
（人〕に限定されるものではなく、凡そ５００〜２０
００ （人〕としてよい。
（人〕に限定されるものではなく、凡そ５００〜２０
００ （人〕としてよい。
第３の薄層１６の厚さは電極配線の電気抵抗を低くする
ため成程度厚いことが必要で、約５０００ （人〕以上
とすることが望ましい。
ため成程度厚いことが必要で、約５０００ （人〕以上
とすることが望ましい。
また上記第１及び第２の薄層１４．１５は銅（Ｃｕ）を
例えば４％程度含有したアルミニウム→−シリコン（Ａ
１２−Ｃｕ−３ｉ）合金のようなアルミニウム合金の
硅化物を用いて形成することも出来る。
例えば４％程度含有したアルミニウム→−シリコン（Ａ
１２−Ｃｕ−３ｉ）合金のようなアルミニウム合金の
硅化物を用いて形成することも出来る。
第２の１１５の厚さは実用上凡そ１００〔人〕以上必要
である。これの厚さの上限は特に限定する必要はなく、
使用する材料の種類や、第１及び第３の薄層１４．１６
、更には半導体装置の設計等を考慮して選択されるべ
きものである。
である。これの厚さの上限は特に限定する必要はなく、
使用する材料の種類や、第１及び第３の薄層１４．１６
、更には半導体装置の設計等を考慮して選択されるべ
きものである。
更に本発明はバイポーラ型半導体装置に限定されるもの
ではなく、本発明を用いていかなる種類の半導体装置を
も製作し得る。
ではなく、本発明を用いていかなる種類の半導体装置を
も製作し得る。
また本発明の半導体装置を製作するための製造工程も前
記一実施例に限定される必要のないことも、容易に理解
されよう。
記一実施例に限定される必要のないことも、容易に理解
されよう。
（ｆ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば半導体装置の耐熱特性が
改善され、半導体装置の電気的特性及び製造歩留が向上
する。
改善され、半導体装置の電気的特性及び製造歩留が向上
する。
第１図は従来の半導体装置の問題点の説明に供するため
の要部断面図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断
面図、第３図は上記一実施例の製造方法を説明するため
の要部断面図、第４図〜第７図は本発明の効果を示す曲
線図である。 図において、１は半導体基板、２は絶縁膜、４゜１１．
１２．１３は電極配線、１４は第１の薄層、１５は第２
の薄層、１６は第３の薄層を示す。 第１世 ４ 第２図 第３閏 （１”１１ 第３図 ＬＣ＞ 第４図 □ＴｉＷ層膜摩（Ａ）
の要部断面図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断
面図、第３図は上記一実施例の製造方法を説明するため
の要部断面図、第４図〜第７図は本発明の効果を示す曲
線図である。 図において、１は半導体基板、２は絶縁膜、４゜１１．
１２．１３は電極配線、１４は第１の薄層、１５は第２
の薄層、１６は第３の薄層を示す。 第１世 ４ 第２図 第３閏 （１”１１ 第３図 ＬＣ＞ 第４図 □ＴｉＷ層膜摩（Ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板表面より導出された電極配線層が、アルミニ
ウムもしくはアルミニウム合金もしくはアルミニウム合
金の硅化物よりなり前記半導体基板とオーミック接触せ
る第１の薄層と、該第１の薄層上に形成されたＴｉＪ、
Ｍｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｖ、Ｎｉ。 Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ及びその合金の中から選ばれた一つよ
りなる第２の薄層と、該第２の薄層上に形成されたアル
ミニウムの硅化物もしくはアルミニウム合金の硅化物よ
りなる第３の薄層とからなることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20407081A JPS58103168A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 半導体装置 |
| EP19820306670 EP0082012B1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-14 | Multilayer electrode of a semiconductor device |
| DE8282306670T DE3278146D1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-14 | Multilayer electrode of a semiconductor device |
| IE298882A IE54310B1 (en) | 1981-12-16 | 1982-12-16 | Multilayer electrode of a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20407081A JPS58103168A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103168A true JPS58103168A (ja) | 1983-06-20 |
| JPS6364057B2 JPS6364057B2 (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=16484261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20407081A Granted JPS58103168A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0082012B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58103168A (ja) |
| DE (1) | DE3278146D1 (ja) |
| IE (1) | IE54310B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2164491B (en) * | 1984-09-14 | 1988-04-07 | Stc Plc | Semiconductor devices |
| JPH0611076B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1994-02-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE3776203D1 (de) * | 1986-04-14 | 1992-03-05 | Philips Nv | Halbleiteranordnung mit einer aluminium-verbindungsschicht mit geringem vanadium-prozentgehalt. |
| US4796081A (en) * | 1986-05-02 | 1989-01-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low resistance metal contact for silicon devices |
| JPS63148646A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4987562A (en) * | 1987-08-28 | 1991-01-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor layer structure having an aluminum-silicon alloy layer |
| GB2214709A (en) * | 1988-01-20 | 1989-09-06 | Philips Nv | A method of enabling connection to a substructure forming part of an electronic device |
| SG118117A1 (en) | 2001-02-28 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4926329B2 (ja) | 2001-03-27 | 2012-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法、電気器具 |
| SG116443A1 (en) | 2001-03-27 | 2005-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Wiring and method of manufacturing the same, and wiring board and method of manufacturing the same. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444866A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3382568A (en) * | 1965-07-22 | 1968-05-14 | Ibm | Method for providing electrical connections to semiconductor devices |
| US3939047A (en) * | 1971-11-15 | 1976-02-17 | Nippon Electric Co., Ltd. | Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction |
| US3881971A (en) * | 1972-11-29 | 1975-05-06 | Ibm | Method for fabricating aluminum interconnection metallurgy system for silicon devices |
| US3918149A (en) * | 1974-06-28 | 1975-11-11 | Intel Corp | Al/Si metallization process |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP20407081A patent/JPS58103168A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-14 EP EP19820306670 patent/EP0082012B1/en not_active Expired
- 1982-12-14 DE DE8282306670T patent/DE3278146D1/de not_active Expired
- 1982-12-16 IE IE298882A patent/IE54310B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444866A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0082012B1 (en) | 1988-02-24 |
| IE54310B1 (en) | 1989-08-16 |
| IE822988L (en) | 1983-06-16 |
| EP0082012A3 (en) | 1985-06-05 |
| EP0082012A2 (en) | 1983-06-22 |
| DE3278146D1 (en) | 1988-03-31 |
| JPS6364057B2 (ja) | 1988-12-09 |
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