JPS62216343A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62216343A JPS62216343A JP5805086A JP5805086A JPS62216343A JP S62216343 A JPS62216343 A JP S62216343A JP 5805086 A JP5805086 A JP 5805086A JP 5805086 A JP5805086 A JP 5805086A JP S62216343 A JPS62216343 A JP S62216343A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
多結晶シリコン（ポリシリコン）／シリサイドの二層構
造の配線が酸化される際に、段差部でシリサイドもしく
はポリシリコンが細くなることを防止するために当該段
差部に酸化防止膜を付着する。
造の配線が酸化される際に、段差部でシリサイドもしく
はポリシリコンが細くなることを防止するために当該段
差部に酸化防止膜を付着する。
本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、さらに
詳しく言えば、ポリシリコン／シリサイドの二層構造（
ポリサイドともいう）配線の段差部の酸化の際に、シリ
サイドもしくはポリシリコンが細くなることを防止する
ための方法に関するものである。
詳しく言えば、ポリシリコン／シリサイドの二層構造（
ポリサイドともいう）配線の段差部の酸化の際に、シリ
サイドもしくはポリシリコンが細くなることを防止する
ための方法に関するものである。
半導体装置の配線にポリシリコンが用いられる場合に、
ポリシリコン配線の抵抗を小に抑えるためにポリシリコ
ン／シリサイド（例えばポリシリコン／Ｔｉ５ｉ２）の
二層構造の配線が用いられる。
ポリシリコン配線の抵抗を小に抑えるためにポリシリコ
ン／シリサイド（例えばポリシリコン／Ｔｉ５ｉ２）の
二層構造の配線が用いられる。
その−例は第１図（ａｌの断面図に示され、図中、１１
は下地（半導体基板または眉間絶縁膜）、１２は５ｉ０
２膜、１３ばポリシリコン膜、１４はシリサイド（例え
ばＴｉ５ｉ２）膜で、ポリシリコン膜１３とシリサイド
膜Ｉ４とで配線を構成する。
は下地（半導体基板または眉間絶縁膜）、１２は５ｉ０
２膜、１３ばポリシリコン膜、１４はシリサイド（例え
ばＴｉ５ｉ２）膜で、ポリシリコン膜１３とシリサイド
膜Ｉ４とで配線を構成する。
第１図ｆａｌに示す配線は意図的に熱酸化されることが
ある。例えば、シリサイド膜１４の表面を熱酸化して表
面にＳｉＯ２膜を形成し、その上に絶縁膜を堆積するこ
とが行われる。または、半導体基板の他の部分に熱処理
が行われ、そのことの結果としてシリサイド膜１４の表
面が熱酸化されて５ｉ０２膜が形成されることがある。
ある。例えば、シリサイド膜１４の表面を熱酸化して表
面にＳｉＯ２膜を形成し、その上に絶縁膜を堆積するこ
とが行われる。または、半導体基板の他の部分に熱処理
が行われ、そのことの結果としてシリサイド膜１４の表
面が熱酸化されて５ｉ０２膜が形成されることがある。
ポリシリコン／シリサイド配線が第１図（ａｌに示され
る如き段差部に形成された場合、前記した熱酸化によっ
てシリサイド膜１４の表面に第２図と第３図に示される
如（ＳｉＯ２膜１５膜形５される。そのときに、段差部
で図に丸印で囲んで示す如くシリサイド膜１４が異常に
細くなり、またはポリシリコン膜１３か細くなることが
ある。そうなると、細くなった部分で抵抗が増大したり
、シリサイド膜またはポリシリコン膜のいずれかが断線
して配線の抵抗が異常に大になることが見出された。
る如き段差部に形成された場合、前記した熱酸化によっ
てシリサイド膜１４の表面に第２図と第３図に示される
如（ＳｉＯ２膜１５膜形５される。そのときに、段差部
で図に丸印で囲んで示す如くシリサイド膜１４が異常に
細くなり、またはポリシリコン膜１３か細くなることが
ある。そうなると、細くなった部分で抵抗が増大したり
、シリサイド膜またはポリシリコン膜のいずれかが断線
して配線の抵抗が異常に大になることが見出された。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、ポリ
シリコン／シリサイド二層構造の配線の段差部の熱酸化
において、配線の細りを防止する方法を提供することを
目的とする。
シリコン／シリサイド二層構造の配線の段差部の熱酸化
において、配線の細りを防止する方法を提供することを
目的とする。
第１図（ａ）ないしくｄｌは本発明の方法を実施する工
程におけるポリシリコン／シリサイド配線の段差部の断
面図である。
程におけるポリシリコン／シリサイド配線の段差部の断
面図である。
本発明においては、シリサイド膜２４の上に絶縁性酸化
防止膜として窒化シリコン（ＳｉｇＮｕ ） 膜１ｅを
形成し、窒化シリコン膜１６をリアクティブ・イオン・
エッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ、 ＲＩＢ ）でエツチングして段差部に窒化シリコ
ン１６ａを残し、しかる後に熱酸化によって５ｉ０２膜
１５を形成する。
防止膜として窒化シリコン（ＳｉｇＮｕ ） 膜１ｅを
形成し、窒化シリコン膜１６をリアクティブ・イオン・
エッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ、 ＲＩＢ ）でエツチングして段差部に窒化シリコ
ン１６ａを残し、しかる後に熱酸化によって５ｉ０２膜
１５を形成する。
前記したＲＩＢにおいては、段差部で窒化シリコン膜は
上下方向に膜厚が大であるので、平坦部の窒化シリコン
膜がエツチングされ終った時点で段差部に窒化シリコン
１６ａが残る。しかる後に熱酸化を行うと、段差部は窒
化シリコン１６ａが存在するために酸化されず、かくし
て第３図と第４図を参照して説明したシリサイド膜また
はポリシリコン膜の細りが防止されるのである。
上下方向に膜厚が大であるので、平坦部の窒化シリコン
膜がエツチングされ終った時点で段差部に窒化シリコン
１６ａが残る。しかる後に熱酸化を行うと、段差部は窒
化シリコン１６ａが存在するために酸化されず、かくし
て第３図と第４図を参照して説明したシリサイド膜また
はポリシリコン膜の細りが防止されるのである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図（ａｌ参照：
従来例と同様に、下地１１（半導体基板、眉間絶縁膜な
ど）にＳｉＯ２膜１２膜形２されていて、下地上にポリ
シリコン膜１３、シリサイド（ＴｉＳｉ２）膜１４をそ
れぞれ２０００人の膜厚に成長してポリシリコン／シリ
サイドの二層構造の配線が形成されている。 ＳｉＯ２
膜１２膜形２でポリシリコン／シリサイド配線は段差部
を構成する。
ど）にＳｉＯ２膜１２膜形２されていて、下地上にポリ
シリコン膜１３、シリサイド（ＴｉＳｉ２）膜１４をそ
れぞれ２０００人の膜厚に成長してポリシリコン／シリ
サイドの二層構造の配線が形成されている。 ＳｉＯ２
膜１２膜形２でポリシリコン／シリサイド配線は段差部
を構成する。
第１図ｆｂｌ参照：
化学気相成長（ＣＶＤ ）法で窒化シリコン膜１６を１
０００〜３０００人の膜厚に成長する。または、酸化レ
ートを下げる効果のある５ｉ０２をＣＶＤ法で同じ膜厚
に成長してもよい。
０００〜３０００人の膜厚に成長する。または、酸化レ
ートを下げる効果のある５ｉ０２をＣＶＤ法で同じ膜厚
に成長してもよい。
第１図（Ｃ）参照：
ＲＩＢで平坦部の窒化シリコン膜が除去されるまでエツ
チングすると、段差部で窒化シリコン膜の膜厚は平坦部
の膜厚よりも大であるので、段差部に窒化シリコン１６
ａが残る。
チングすると、段差部で窒化シリコン膜の膜厚は平坦部
の膜厚よりも大であるので、段差部に窒化シリコン１６
ａが残る。
第１図（ｄ＋参照：
熱酸化でシリサイド膜１４の表面に２００〜４００人の
膜厚のＳｉＯ２膜１５膜形５する。このとき、段差部は
窒化シリコン１６ａでマスクされているので、段差部の
シリサイド膜は酸化されず、第３図、第４図を参照して
説明した段差部のシリサイド膜またはポリシリコン膜の
細りが防止されることが実験によって確認された。なお
、窒化シリコン１６ａはそのまま残しておいてよい。
膜厚のＳｉＯ２膜１５膜形５する。このとき、段差部は
窒化シリコン１６ａでマスクされているので、段差部の
シリサイド膜は酸化されず、第３図、第４図を参照して
説明した段差部のシリサイド膜またはポリシリコン膜の
細りが防止されることが実験によって確認された。なお
、窒化シリコン１６ａはそのまま残しておいてよい。
以上述べてきたように本発明によれば、ポリシリコン／
シリサイドの二層構造の配線の熱酸化において、従来段
差部で発生したシリサイド膜またはポリシリコン膜の細
り、断線などが防止され、同配線の信頼性向上に有効で
ある。
シリサイドの二層構造の配線の熱酸化において、従来段
差部で発生したシリサイド膜またはポリシリコン膜の細
り、断線などが防止され、同配線の信頼性向上に有効で
ある。
第１図ｆａ）ないしくｄ）は本発明実施例断面図、第２
図と第３図は従来例の問題点を示す断面図である。 第１図ないし第３図において、 １１は下地、 １２は ＳｉＯ＋膜、 １３はポリシリコン膜、 １４はシリサイド膜、 １５は ５１０２膜、 １６は窒化シリコン膜である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 芹ｑ６明聚記７列１１ＦＴ鵬四 第１図
図と第３図は従来例の問題点を示す断面図である。 第１図ないし第３図において、 １１は下地、 １２は ＳｉＯ＋膜、 １３はポリシリコン膜、 １４はシリサイド膜、 １５は ５１０２膜、 １６は窒化シリコン膜である。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 芹ｑ６明聚記７列１１ＦＴ鵬四 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 多結晶シリコン膜（１３）とシリサイド膜（１４）の二
層構造の段差部をもった配線の熱酸化において、 シリサイド膜（１４）上に酸化防止膜（１６）を堆積し
、 リアクティブ・イオン・エッチングにて段差部のみに酸
化防止材（１６ａ）を残すことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5805086A JPS62216343A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5805086A JPS62216343A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216343A true JPS62216343A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13073092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5805086A Pending JPS62216343A (ja) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216343A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313972A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Fujitsu Ltd | ポリサイド電極の接触構造 |
| JPH0474457A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5521418A (en) * | 1990-07-17 | 1996-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and a method of manufacturing same |
| USRE36441E (en) * | 1991-07-16 | 1999-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and a method of manufacturing same |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP5805086A patent/JPS62216343A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01313972A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Fujitsu Ltd | ポリサイド電極の接触構造 |
| JPH0474457A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5521418A (en) * | 1990-07-17 | 1996-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and a method of manufacturing same |
| USRE36441E (en) * | 1991-07-16 | 1999-12-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and a method of manufacturing same |
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