JPH0682641B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置の製造方法

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JPH0682641B2
JPH0682641B2 JP60235731A JP23573185A JPH0682641B2 JP H0682641 B2 JPH0682641 B2 JP H0682641B2 JP 60235731 A JP60235731 A JP 60235731A JP 23573185 A JP23573185 A JP 23573185A JP H0682641 B2 JPH0682641 B2 JP H0682641B2
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幸信 村尾
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装置の製造方法に関し、特
に、高融点金属シリサイド層を形成する方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、シリコン半導体集積回路装置の、たとえば拡散層
領域のシリサイド化は、拡散層上の絶縁物を反応性ガス
を用いたドライエッチング法で除去した後、高融点金属
を被着し熱処理法等によりシリサイド層を形成してき
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の高融点金属シリサイド層の形成方法は、
高融点金属被着前に反応性ガスによるドライエッチング
法で、シリサイド化される領域にダメージが与えられる
為にシリコン表面にシリサイド化しにくい層が形成さ
れ、均一なシリサイド層が出来ないという問題があっ
た。
本発明の目的は、シリコン基板及び多結晶シリコン上に
均一なシリサイド層を形成する半導体集積回路装置の製
造方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体集積回路装置の製造方法は、シリコン上
あるいは、多結晶シリコン上に高融点金属を被着し、熱
処理法等によりシリサイド層を形成する場合、高融点金
属被着する際Arプラズマ中で前記のシリコン基板あるい
は、多結晶シリコン表面をエッチングした後高融点金属
を被着することにより構成される。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明す
るために工程順に示した半導体素子の断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン半導体基板
10上にはゲート酸化膜11が形成され、ゲート酸化膜上に
はゲート多結晶シリコン12が形成されゲート多結晶シリ
コン電極を含む表面には気相成長絶縁膜13を被着する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、反応性ガスを用いる
異方性ドライエッチングで気相成長絶縁膜13をエッチン
グし、ゲート電極である多結晶シリコン12の側面に側壁
13aを形成する。この際、反応性ガスを用いたエッチン
グによりソース・ドレインの拡散層上及びゲート電極12
の多結晶シリコン上にはダメージ層14及び14aが形成さ
れる。
次に、Ar雰囲気中でエッチングを行ないダメージ層14及
び14aを除去し、ひき続きTi膜16等の高融点金属を被着
し、第１図（ｃ）の状態とする。
次に、第１図（ｄ）に示すように、不活性ガス雰囲気中
でシリサイド化を行ない、未反応Tiを除去して基板シリ
コン上及び多結晶シリコン上にシリサイド層17を形成す
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明はシリサイド化法により、
シリコン基板及び多結晶シリコン上にシリサイド層を形
成する場合、基板シリコン上及び多結晶シリコン上に、
高融点金属を被着する直前に、Arプラズマ中で基板シリ
コン及び多結晶シリコン表面をエッチングし、前のエッ
チング時に生じたダメージ層を除去することにより均一
なシリサイド層を形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した半導体素子の断面図である。 10……シリコン半導体基板、11……ゲート酸化膜、12…
…ゲート多結晶シリコン電極、13……気相成長酸化膜、
14,14a……ダメージ層、15……Arプラズマ、16……Ti
膜、17……チタンシリサイド（TiSi2）層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板シリコンと多結晶シリコン上に高融点
    金属を被着し熱処理法等により前記基板シリコン上ある
    いは、多結晶シリコン上に前記高融点金属のシリサイド
    層を形成する工程を有する半導体集積回路装置の製造方
    法において、前記高融点金属を被着するに先立ちArプラ
    ズマ中で前記基板シリコンと多結晶シリコン表面をエッ
    チングすることを特徴とする半導体集積回路装置の製造
    方法。
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JPS6197839A (ja) * 1984-10-18 1986-05-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

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