JPH02106971A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH02106971A JPH02106971A JP26181788A JP26181788A JPH02106971A JP H02106971 A JPH02106971 A JP H02106971A JP 26181788 A JP26181788 A JP 26181788A JP 26181788 A JP26181788 A JP 26181788A JP H02106971 A JPH02106971 A JP H02106971A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置及びその製造方法に関し、
特に、高い性能を有する半導体集積回路装置及びその製
造方法に関する。
特に、高い性能を有する半導体集積回路装置及びその製
造方法に関する。
従来、この種の半導体集積回路装置は、不純物拡散層表
面又は多結晶シリコンから成る電極配線表面には層抵抗
値を下げて、素子の高速化をはかるために、各種のシリ
サイド膜の中で最も低い比抵抗値を有するチタンシリサ
イド膜が用いられていた。
面又は多結晶シリコンから成る電極配線表面には層抵抗
値を下げて、素子の高速化をはかるために、各種のシリ
サイド膜の中で最も低い比抵抗値を有するチタンシリサ
イド膜が用いられていた。
上述した従来の半導体集積回路装置においては、第５図
に示す様な、コンタクト穴２０４を形成し、チタンシリ
サイド膜２０２と配線金属とのコンタクトをとる際、チ
タンシリサイド膜２０２上に残るシリコン酸化膜を除去
するために、フッ酸による処理を行なっていた。しかし
、この時コンタクト穴部分に露出しているチタンシリサ
イド膜２０２も本エツチング液で除去されてしまうため
、配線金属とチタンシリサイド膜２０２とのコンタクト
が充分にとれず、コンタクト抵抗値が高くなるという問
題がある。
に示す様な、コンタクト穴２０４を形成し、チタンシリ
サイド膜２０２と配線金属とのコンタクトをとる際、チ
タンシリサイド膜２０２上に残るシリコン酸化膜を除去
するために、フッ酸による処理を行なっていた。しかし
、この時コンタクト穴部分に露出しているチタンシリサ
イド膜２０２も本エツチング液で除去されてしまうため
、配線金属とチタンシリサイド膜２０２とのコンタクト
が充分にとれず、コンタクト抵抗値が高くなるという問
題がある。
本発明の半導体集積回路装置においては、ポリシリコン
電極上部表面やポリシリコン配線表面又は拡散層表面に
チタンシリサイド膜が形成され、さらにこのチタンシリ
サイドの表面全体にタングステンシリ、サイド膜又はモ
リブデンシリサイド膜又はコバルトシリサイド膜が形成
されている構造を有している。
電極上部表面やポリシリコン配線表面又は拡散層表面に
チタンシリサイド膜が形成され、さらにこのチタンシリ
サイドの表面全体にタングステンシリ、サイド膜又はモ
リブデンシリサイド膜又はコバルトシリサイド膜が形成
されている構造を有している。
また、上記半導体集積回路装置の製造方法としては、タ
ングステン膜又はモリブデン膜又はコバルト膜がチタン
シリサイド膜表面に形成された後、Ｔｉ原子よりも重い
イオン、たとえばＡ、イオン。
ングステン膜又はモリブデン膜又はコバルト膜がチタン
シリサイド膜表面に形成された後、Ｔｉ原子よりも重い
イオン、たとえばＡ、イオン。
Ｂ Ｆ ｔイオンがタングステン膜又はモリブデン膜又
はコバルト膜とチタンシリサイド膜との界面に飛程がく
る様に打ち込まれ、その後、窒素ガス又は窒素と水素と
の混合ガス又は水素ガス雰囲気で熱処理が行なわれ、前
記タングステン膜又は、モリブデン膜又はコバルト膜が
タングステンシリサイド膜又はモリブデンシリサイド膜
又はコバルトシリサイド膜として形成される工程とを有
している。
はコバルト膜とチタンシリサイド膜との界面に飛程がく
る様に打ち込まれ、その後、窒素ガス又は窒素と水素と
の混合ガス又は水素ガス雰囲気で熱処理が行なわれ、前
記タングステン膜又は、モリブデン膜又はコバルト膜が
タングステンシリサイド膜又はモリブデンシリサイド膜
又はコバルトシリサイド膜として形成される工程とを有
している。
上記した金属膜が金属シリサイド膜に変質する原因は、
タングステン膜又はモリブデン膜又はコバルト膜がチタ
ンシリサイド膜表面に形成された後、Ｔｉ原子よりも重
いイオンがタングステン膜又はモリブデン膜又はコバル
ト膜とチタンシリサイド膜との界面に飛程がくる様に打
ち込まれるため、これらの金属膜とチタンシリサイド膜
とのミキシングが界面で起こり、その後の熱処理により
チタンシリサイド膜から上部金属膜へのＳｉ原子の拡散
が起こりやすくなり、チタンシリサイド膜上にタングス
テンシリサイド膜又はモリブデンシリサイド膜又はコバ
ルトシリサイド膜が自己整合的に形成されることによる
。
タングステン膜又はモリブデン膜又はコバルト膜がチタ
ンシリサイド膜表面に形成された後、Ｔｉ原子よりも重
いイオンがタングステン膜又はモリブデン膜又はコバル
ト膜とチタンシリサイド膜との界面に飛程がくる様に打
ち込まれるため、これらの金属膜とチタンシリサイド膜
とのミキシングが界面で起こり、その後の熱処理により
チタンシリサイド膜から上部金属膜へのＳｉ原子の拡散
が起こりやすくなり、チタンシリサイド膜上にタングス
テンシリサイド膜又はモリブデンシリサイド膜又はコバ
ルトシリサイド膜が自己整合的に形成されることによる
。
ところで、タングステンシリサイド膜又はモリブデンシ
リサイド膜又はコバルトシリサイド膜は耐フツ酸性が有
るため、これらのシリサイド膜と配線金属との接続をと
る際、シリサイド膜上のシリコン酸化膜を除去する目的
で、フッ酸処理をしてもシリサイド膜は除去されず、シ
リサイド膜と配線金属との良好なコンタクトが形成でき
素子特性の良好な半導体集積回路装置が得られるという
効果がある。
リサイド膜又はコバルトシリサイド膜は耐フツ酸性が有
るため、これらのシリサイド膜と配線金属との接続をと
る際、シリサイド膜上のシリコン酸化膜を除去する目的
で、フッ酸処理をしてもシリサイド膜は除去されず、シ
リサイド膜と配線金属との良好なコンタクトが形成でき
素子特性の良好な半導体集積回路装置が得られるという
効果がある。
また、本発明の発明者が見出したところによると、チタ
ンシリサイド膜はタングステンシリサイド膜又はモリブ
デンシリサイド膜又はコバルトシリサイド膜で被覆され
ることにより、９００℃以上の熱処理が加わった時に見
られていたチタンシリサイド膜の比抵抗値の不均一化（
参考文献、■−ＭＩＣＣｏｎｆ、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
１９８７ ｐｐ４７０〜４７９）は見られず、熱的に
安定なかつ低抵抗のシリサイド膜が得られる。
ンシリサイド膜はタングステンシリサイド膜又はモリブ
デンシリサイド膜又はコバルトシリサイド膜で被覆され
ることにより、９００℃以上の熱処理が加わった時に見
られていたチタンシリサイド膜の比抵抗値の不均一化（
参考文献、■−ＭＩＣＣｏｎｆ、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
１９８７ ｐｐ４７０〜４７９）は見られず、熱的に
安定なかつ低抵抗のシリサイド膜が得られる。
したがって半導体集積回路装置を製造する際に加わる９
００℃以上の熱処理によってもチタンシリサイド膜の比
抵抗は低くかつ安定であるため素子特性ばらつきの少な
い高速の半導体集積回路装置が得られるという効果もあ
る。
００℃以上の熱処理によってもチタンシリサイド膜の比
抵抗は低くかつ安定であるため素子特性ばらつきの少な
い高速の半導体集積回路装置が得られるという効果もあ
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例である半導体集積回路装
置の拡散層部分の縦断面図である。ｌＯはＰ型Ｓｉ基板
、１１は素子分離用のシリコン酸化膜、１２はＮ＋拡散
層、１３はチタンシリサイド膜、１４はタングステンシ
リサイド膜、１５はシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜
、１６はチタンタングステン膜、１７はシリコン含有ア
ルミ膜である。
置の拡散層部分の縦断面図である。ｌＯはＰ型Ｓｉ基板
、１１は素子分離用のシリコン酸化膜、１２はＮ＋拡散
層、１３はチタンシリサイド膜、１４はタングステンシ
リサイド膜、１５はシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜
、１６はチタンタングステン膜、１７はシリコン含有ア
ルミ膜である。
このように構成された半導体集積回路装置においては、
層間絶縁膜１５の一部にコンタクト穴を形成後、タング
ステンシリサイド膜１４上に残るシリコン酸化膜を除去
するために、フッ酸処理を行なってもタングステンシリ
サイド膜１４は除去されないため、チタンタングステン
１６とタングステンシリサイド１４とは良好なコンタク
トがとれ、素子特性の良好な半導体集積回路装置が得ら
れる。
層間絶縁膜１５の一部にコンタクト穴を形成後、タング
ステンシリサイド膜１４上に残るシリコン酸化膜を除去
するために、フッ酸処理を行なってもタングステンシリ
サイド膜１４は除去されないため、チタンタングステン
１６とタングステンシリサイド１４とは良好なコンタク
トがとれ、素子特性の良好な半導体集積回路装置が得ら
れる。
また、この半導体集積回路装置の製造の際に加わる９０
０℃の熱処理によってもチタンシリサイド膜１３の比抵
抗値のばらつきはなく、素子特性のばらつきの少ない半
導体集積回路装置が得られる。
０℃の熱処理によってもチタンシリサイド膜１３の比抵
抗値のばらつきはなく、素子特性のばらつきの少ない半
導体集積回路装置が得られる。
次に、本発明の半導体集積回路装置の第１の実施例を実
現する製造方法について説明する。第２図（ａ）〜（ｈ
）は本発明の第１の実施例を実現する半導体集積回路装
置の製造方法を説明するための工程図である。
現する製造方法について説明する。第２図（ａ）〜（ｈ
）は本発明の第１の実施例を実現する半導体集積回路装
置の製造方法を説明するための工程図である。
まず第２図（ａ）に示すように、選択酸化法等により、
素子分離用シリコン酸化膜１１がＰ型Ｓｉ基板１０上に
形成される。次に拡散層形成領域の自然酸化膜がフッ酸
液により除去された後、チタン膜が半導体基板全面にス
パッタ法により６００〜８００人の膜厚に形成され、続
いて窒素雰囲気中での熱処理（ランプアニール）により
６００℃〜７００℃の温度で熱処理されて、拡散層形成
領域にはチタンシリサイド膜１３．素子分離用シリコン
酸化膜１１上には未反応チタンが形成される。
素子分離用シリコン酸化膜１１がＰ型Ｓｉ基板１０上に
形成される。次に拡散層形成領域の自然酸化膜がフッ酸
液により除去された後、チタン膜が半導体基板全面にス
パッタ法により６００〜８００人の膜厚に形成され、続
いて窒素雰囲気中での熱処理（ランプアニール）により
６００℃〜７００℃の温度で熱処理されて、拡散層形成
領域にはチタンシリサイド膜１３．素子分離用シリコン
酸化膜１１上には未反応チタンが形成される。
次に、この未反応チタンを除去するためにアンモニア水
と過酸化水素水と水との混合液により処理が行なわれ、
第２図（ｂ）に示すように、拡散層を形成する領域にの
みチタンシリサイド膜１３が形成される。この段階で、
チタンシリサイド膜１３の層抵抗は６〜１０Ω／口の値
を有し、更に層抵抗を下げるために７５０〜８００℃の
熱処理をランプアニール装置により行ない、２〜３Ω／
口の層抵抗値が最終的に得られる。
と過酸化水素水と水との混合液により処理が行なわれ、
第２図（ｂ）に示すように、拡散層を形成する領域にの
みチタンシリサイド膜１３が形成される。この段階で、
チタンシリサイド膜１３の層抵抗は６〜１０Ω／口の値
を有し、更に層抵抗を下げるために７５０〜８００℃の
熱処理をランプアニール装置により行ない、２〜３Ω／
口の層抵抗値が最終的に得られる。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、スパッタ法によりタ
ングステン膜２０が３００〜４００人の膜厚に形成され
る。
ングステン膜２０が３００〜４００人の膜厚に形成され
る。
次に、タングステン膜２０とチタンシリサイド膜１３と
の界面に飛程がくるようにＡ３イオンを７０〜１００Ｋ
ｅｖの加速電圧、５×１０１Ｓ〜ｌ×１０ ”ａｍ−”
のドーズ量でタングステン膜２ｏに打ち込む。その後、
水素雰囲気中での熱処理（ランプアニール）により６０
０℃〜８００’Ｃの温度で熱処理され、チタンシリサイ
ド膜１３上にのみタングステンシリサイド膜１４が形成
され、その後、アンモニア水と過酸化水素水と水との混
合液により未反応タングステンが除去され、第２図（ｄ
）に示すようにチタンシリサイド膜１３を被覆するタン
グステンシリサイド膜１４が形成される。
の界面に飛程がくるようにＡ３イオンを７０〜１００Ｋ
ｅｖの加速電圧、５×１０１Ｓ〜ｌ×１０ ”ａｍ−”
のドーズ量でタングステン膜２ｏに打ち込む。その後、
水素雰囲気中での熱処理（ランプアニール）により６０
０℃〜８００’Ｃの温度で熱処理され、チタンシリサイ
ド膜１３上にのみタングステンシリサイド膜１４が形成
され、その後、アンモニア水と過酸化水素水と水との混
合液により未反応タングステンが除去され、第２図（ｄ
）に示すようにチタンシリサイド膜１３を被覆するタン
グステンシリサイド膜１４が形成される。
次に、第２図（ｅ）に示す様に、Ｎ＋拡散層を形成する
ためのＡ８イオンが加速電圧７０〜１５０ＫｅＶ。
ためのＡ８イオンが加速電圧７０〜１５０ＫｅＶ。
ドーズ量１０ ”ｃｍ−”の条件で半導体基板に打ち込
まれる。
まれる。
次に、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１５がＣＶＤ
法により７０００人の膜厚に形成され、その後、先に打
ち込まれたＡ８原子を活性化するために９００〜９５０
℃の温度で熱処理が加えられ、拡散層１２が形成されて
、第２図（「）に示すようになる。
法により７０００人の膜厚に形成され、その後、先に打
ち込まれたＡ８原子を活性化するために９００〜９５０
℃の温度で熱処理が加えられ、拡散層１２が形成されて
、第２図（「）に示すようになる。
次に、第２図（ｇ）に示す様に、タングステンシリサイ
ド膜１４と金属配線との接続をとるために、コンタクト
穴２２がフォトエツチング法により形成される。
ド膜１４と金属配線との接続をとるために、コンタクト
穴２２がフォトエツチング法により形成される。
次に、金属配線とタングステンシリサイド膜１４との良
好な接続をとるために、コンタクト穴２２の部分に露出
したタングステンシリサイド膜１４上に残るシリコン酸
化膜がフッ酸液により除去された後、チタンタングステ
ン膜１６及びシリコン含有アルミニウム膜１７がそれぞ
れスパッタ法により１０００人の膜厚及び５０００人の
膜厚に形成され、その後フォトレジストによりパターニ
ングされＲＩＥ法により加工されて、第２図（ｈ）に示
すような、金属配線が形成される。このようにして、第
１図に示すような半導体集積回路装置が得られる。
好な接続をとるために、コンタクト穴２２の部分に露出
したタングステンシリサイド膜１４上に残るシリコン酸
化膜がフッ酸液により除去された後、チタンタングステ
ン膜１６及びシリコン含有アルミニウム膜１７がそれぞ
れスパッタ法により１０００人の膜厚及び５０００人の
膜厚に形成され、その後フォトレジストによりパターニ
ングされＲＩＥ法により加工されて、第２図（ｈ）に示
すような、金属配線が形成される。このようにして、第
１図に示すような半導体集積回路装置が得られる。
第３図は本発明の第２の実施例である半導体集積回路装
置の拡散層部分の縦断面図である。１００はＰ型Ｓｉ基
板、１０１は素子分離用シリコン酸（ｔＪ、１０２はＮ
＋拡散層、１０３はチタンシリサイド膜、１０４はタン
グステンシリサイド膜、１０５はシリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜、１０６はシラン還元法のＣＶＤを用いて
選択成長されたタングステン膜、１０７はシリコン含有
アルミニウム膜である。
置の拡散層部分の縦断面図である。１００はＰ型Ｓｉ基
板、１０１は素子分離用シリコン酸（ｔＪ、１０２はＮ
＋拡散層、１０３はチタンシリサイド膜、１０４はタン
グステンシリサイド膜、１０５はシリコン酸化膜からな
る層間絶縁膜、１０６はシラン還元法のＣＶＤを用いて
選択成長されたタングステン膜、１０７はシリコン含有
アルミニウム膜である。
この実施例では、コンタクト穴をシラン還元法のＣＶＤ
を用いて、タングステンシリサイド膜１０４上に選択成
長されたタングステン膜１０６により埋め込んでいるた
め、スパッタ法で金属なｊｌこむことのできないアスペ
クト比の大きい微細コンタクトを有する半導体集積回路
装置が実現できるという利点がある。
を用いて、タングステンシリサイド膜１０４上に選択成
長されたタングステン膜１０６により埋め込んでいるた
め、スパッタ法で金属なｊｌこむことのできないアスペ
クト比の大きい微細コンタクトを有する半導体集積回路
装置が実現できるという利点がある。
次に本発明の半導体集積回路装置の第２の実施例を実現
する製造方法について説明する。第４図（ａ）〜（ｂ）
は本発明の第２の実施例による半導体集積回路装置の製
造方法を説明するための工程図である。
する製造方法について説明する。第４図（ａ）〜（ｂ）
は本発明の第２の実施例による半導体集積回路装置の製
造方法を説明するための工程図である。
第４図（ａ）は第１の実施例の製造方法を説明するため
の工程図の第２図（ｆ）に示す構造が得られた後、・第
１の実施例で用いたフンタクトよりも微細なコンタクト
穴（１１０）がフォトレジストによるパターニングおよ
びＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔ ｉｖｅ ｌ ｏｎＥｔｃｈ
ｉｎｇ）によるエツチングにより形成された後の構造を
示している。
の工程図の第２図（ｆ）に示す構造が得られた後、・第
１の実施例で用いたフンタクトよりも微細なコンタクト
穴（１１０）がフォトレジストによるパターニングおよ
びＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔ ｉｖｅ ｌ ｏｎＥｔｃｈ
ｉｎｇ）によるエツチングにより形成された後の構造を
示している。
次に第４図（ｂ）に示す様に、コンタクト穴１１０が形
成された後、タングステンシリサイド膜１０４上に残る
シリコン酸化膜がフッ酸液により除去さり、ｂた後、Ｓ
ｉＨ＊ガスとＷＦａガスとを用いたシラン還元ＣＶＤ法
によりタングステンシリサイド膜１０４上に、選択的に
タングステン膜１０６が形成され、コンタクト穴１１０
を埋め込む。
成された後、タングステンシリサイド膜１０４上に残る
シリコン酸化膜がフッ酸液により除去さり、ｂた後、Ｓ
ｉＨ＊ガスとＷＦａガスとを用いたシラン還元ＣＶＤ法
によりタングステンシリサイド膜１０４上に、選択的に
タングステン膜１０６が形成され、コンタクト穴１１０
を埋め込む。
次に第４図（Ｃ）に示す様に、シリコン含有アルミニウ
ム膜１０７がスパッタ法により５０００人の膜厚に半導
体基板全面に形成され、フォトレジストによりバターニ
ングされた後、ＲＩＥにより加工されて、金属配線が形
成される。このようにして本発明の第２の実施例の半導
体集積回路装置が得られる。
ム膜１０７がスパッタ法により５０００人の膜厚に半導
体基板全面に形成され、フォトレジストによりバターニ
ングされた後、ＲＩＥにより加工されて、金属配線が形
成される。このようにして本発明の第２の実施例の半導
体集積回路装置が得られる。
以上説明したように本発明は、ゲートポリシリコン電極
又はポリシリコン配線又は拡散層表面に形成されている
チタンシリサイド膜表面に、耐フツ酸性があるタングス
テンシリサイド膜、又はモリブデンシリサイド膜又はコ
バルトシリサイド膜が形成されることにより、このチタ
ンシリサイド膜を被覆するシリコン酸化膜からなる層間
絶縁膜にコンタクト穴を形成し、配線金属とのフンタク
トをとる場合、コンタクト部分のチタンシリサイド膜を
残して、コンタクトがとれる。
又はポリシリコン配線又は拡散層表面に形成されている
チタンシリサイド膜表面に、耐フツ酸性があるタングス
テンシリサイド膜、又はモリブデンシリサイド膜又はコ
バルトシリサイド膜が形成されることにより、このチタ
ンシリサイド膜を被覆するシリコン酸化膜からなる層間
絶縁膜にコンタクト穴を形成し、配線金属とのフンタク
トをとる場合、コンタクト部分のチタンシリサイド膜を
残して、コンタクトがとれる。
したがって、低抵抗のコンタクトが形成可能となるため
素子特性の良好な半導体集積回路装置が得られるという
効果がある。
素子特性の良好な半導体集積回路装置が得られるという
効果がある。
また、本発明の発明者が見出したところによると、チタ
ンシリサイド膜は、タングステンシリサイド膜又はモリ
ブデンシリサイド膜又はコバルトシリサイド膜で被覆さ
れることにより、９００℃以上の熱処理が加わった時に
見られていた、チタンシリサイド膜の比抵抗値不均一化
は見られず、熱的に安定したシリサイド膜が得られる。
ンシリサイド膜は、タングステンシリサイド膜又はモリ
ブデンシリサイド膜又はコバルトシリサイド膜で被覆さ
れることにより、９００℃以上の熱処理が加わった時に
見られていた、チタンシリサイド膜の比抵抗値不均一化
は見られず、熱的に安定したシリサイド膜が得られる。
したがって、半導体集積回路装置を製造する際に加わる
９００℃以上の熱処理によってもチタンシリサイド膜の
比抵抗は安定で、素子特性のばらつきの少ない半導体集
積回路装置が得られるという効果もある。
９００℃以上の熱処理によってもチタンシリサイド膜の
比抵抗は安定で、素子特性のばらつきの少ない半導体集
積回路装置が得られるという効果もある。
第１図は本発明の第１の実施例の半導体集積回路装置の
縦断面図、第２図（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施
例の半導体集積回路装置の製造方法を説明するための工
程図、第３図は本発明の第２の実施例の半導体集積回路
装置の縦断面図、第４図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２
の実施例の半導体集積回路装置の製造方法を説明するた
めの工程図、第５図は従来技術の問題点を説明するため
の半導体集積回路装置の縦断面図である。 １０・・・・・・Ｐ型Ｓｉ基板、１１・・・・・・素子
分離用のシリコン酸化膜、１２・・・・・・Ｎ＋拡散層
、１３・・・・・・チタンシリサイド膜、１４・・・・
・・タングステンシリサイド膜、１５・・・・・・シリ
コン酸化膜からなる層間絶縁膜、１６・・・・・・チタ
ンシリサイド膜、１７・・・・・・シリコン含有アルミ
膜、２０・・・・・・タングステン膜、２１・・・・・
・Ａ、イオン、２２・・・・・・コンタクト穴、１００
・・・・・・Ｐ型Ｓｉ基板、１０１・・・・・・素子分
離用のシリコン酸化膜、１０２・・・・・・Ｎ＋拡散層
、１０３・・・・・・チタンシリサイド膜、１０４・・
・・・・タングステンシリサイド膜、１０５・・・・・
・シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜、１０６・・・・
・・シラン還元ＣＶＤにより成長されたタングステン膜
、１０７・・・・・・シリコン含有アルミ膜、１１０・
・・・・・コンタクト穴、２００・・・・・・Ｐ型Ｓｉ
基板、２０１・・・・・・Ｎ＋拡散層、２０２・・・・
・・チタンシリサイド膜、２０３・・・・・・シリコン
酸化膜からなる層間絶縁膜、２０４・・・・・・コンタ
クト穴。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１ 図 ／７ Ｐ型δｊ゛幕仮 素各イト価（４）用ラ シリコ、＞哲埼づｌ＼Ｎ＋伏」
処盾 ケタシレソ丈イドル員 Ｌ＝ ＋夕しり↓ヅステ、／膜 ／７．５リフ、／＠七アルぐ二？７ら状Ｐ層Ｓ硅鳩不反 夕習善イ〉孕萌虻η可ミ７ソコ〕筒ビ耳や（Ｎ′？才仁
肩し會 今タレシソツづド用（ 舛り玄ケ↓シップイド耳更 シリ１．＞ｌ内ａ凶［内ゞら７ｊる）を間４色（１２男
５（ｌθ７゜ シソゴ；含南ア）歇二クム脱
縦断面図、第２図（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施
例の半導体集積回路装置の製造方法を説明するための工
程図、第３図は本発明の第２の実施例の半導体集積回路
装置の縦断面図、第４図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２
の実施例の半導体集積回路装置の製造方法を説明するた
めの工程図、第５図は従来技術の問題点を説明するため
の半導体集積回路装置の縦断面図である。 １０・・・・・・Ｐ型Ｓｉ基板、１１・・・・・・素子
分離用のシリコン酸化膜、１２・・・・・・Ｎ＋拡散層
、１３・・・・・・チタンシリサイド膜、１４・・・・
・・タングステンシリサイド膜、１５・・・・・・シリ
コン酸化膜からなる層間絶縁膜、１６・・・・・・チタ
ンシリサイド膜、１７・・・・・・シリコン含有アルミ
膜、２０・・・・・・タングステン膜、２１・・・・・
・Ａ、イオン、２２・・・・・・コンタクト穴、１００
・・・・・・Ｐ型Ｓｉ基板、１０１・・・・・・素子分
離用のシリコン酸化膜、１０２・・・・・・Ｎ＋拡散層
、１０３・・・・・・チタンシリサイド膜、１０４・・
・・・・タングステンシリサイド膜、１０５・・・・・
・シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜、１０６・・・・
・・シラン還元ＣＶＤにより成長されたタングステン膜
、１０７・・・・・・シリコン含有アルミ膜、１１０・
・・・・・コンタクト穴、２００・・・・・・Ｐ型Ｓｉ
基板、２０１・・・・・・Ｎ＋拡散層、２０２・・・・
・・チタンシリサイド膜、２０３・・・・・・シリコン
酸化膜からなる層間絶縁膜、２０４・・・・・・コンタ
クト穴。 代理人 弁理士 内 原 晋 第１ 図 ／７ Ｐ型δｊ゛幕仮 素各イト価（４）用ラ シリコ、＞哲埼づｌ＼Ｎ＋伏」
処盾 ケタシレソ丈イドル員 Ｌ＝ ＋夕しり↓ヅステ、／膜 ／７．５リフ、／＠七アルぐ二？７ら状Ｐ層Ｓ硅鳩不反 夕習善イ〉孕萌虻η可ミ７ソコ〕筒ビ耳や（Ｎ′？才仁
肩し會 今タレシソツづド用（ 舛り玄ケ↓シップイド耳更 シリ１．＞ｌ内ａ凶［内ゞら７ｊる）を間４色（１２男
５（ｌθ７゜ シソゴ；含南ア）歇二クム脱
Claims (3)
- （１）不純物拡散層表面又は多結晶シリコンから成る電
極配線表面に少くともチタンシリサイド膜が設けられた
半導体装置において、前記チタンシリサイド膜の表面が
タングステンシリサイド膜、モリブデンシリサイド膜又
はコバルトシリサイド膜で被覆されていることを特徴と
する半導体集積回路装置 - （２）不純物拡散層表面上又は多結晶シリコン層表面上
にチタンシリサイド膜を形成する工程と、前記チタンシ
リサイド膜表面にタングステン膜、モリブデン膜又は、
コバルト膜を形成する工程と、チタン原子より重いイオ
ンが前記タングステン膜、モリブデン膜又はコバルト膜
と前記チタンシリサイド膜との界面に飛程がくる様に打
ち込まれる工程と、前記タングステン膜、モリブデン膜
又はコバルト膜を熱処理して前記チタンシリサイド膜表
面にタングステンシリサイド膜、モリブデンシリサイド
膜又はコバルトシリサイド膜を形成する工程とを少なく
とも備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の
製造方法 - （３）前記タングステン膜又はモリブデン膜又はコバル
ト膜に打ち込まれるイオンがＡｓイオン又はＢＦ＿２イ
オンであることを特徴とする請求項２記載の半導体集積
回路装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26181788A JPH0756866B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26181788A JPH0756866B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106971A true JPH02106971A (ja) | 1990-04-19 |
| JPH0756866B2 JPH0756866B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=17367135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26181788A Expired - Lifetime JPH0756866B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756866B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04233726A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Yamaha Corp | 半導体装置の電極形成法 |
| JPH05152450A (ja) * | 1990-12-19 | 1993-06-18 | Philips Gloeilampenfab:Nv | シリコン半導体装置に導電領域を形成する方法および導電領域を有するシリコン半導体装置 |
| JPH08116054A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nec Corp | コバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法 |
| JP2013084844A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Showa Denko Kk | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP26181788A patent/JPH0756866B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152450A (ja) * | 1990-12-19 | 1993-06-18 | Philips Gloeilampenfab:Nv | シリコン半導体装置に導電領域を形成する方法および導電領域を有するシリコン半導体装置 |
| US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
| JPH04233726A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Yamaha Corp | 半導体装置の電極形成法 |
| JPH08116054A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nec Corp | コバルトシリサイド膜より成る半導体装置及び該装置の製造方法 |
| JP2013084844A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Showa Denko Kk | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0756866B2 (ja) | 1995-06-14 |
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