JPH03163832A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置に係わり、特にバイポーラトラン
ジスタのエミッタ引き出し電極部の改良をはかった半導
体装置に関する。

（従来の技術） 近年、電子計算機，光通信，各種アナログ同路等の様々
な応用分野で、バイポーラトランジスタの高性能化が要
求されている。そして最近、ベース領域とエミッタ領域
の自己整合技術がいくつか提案され、試作されたバイポ
ーラ１一ランジスタの遮断周波数は３０ＧＨｚに達しよ
うとしている。（例えば、■ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．　
ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅ，　Ｖｏｌ．Ｅ
Ｄ−３３，　Ａｐｒ．１９８６，　ｐ．５２６，■特開
昭５４−１５５７７８号公報、■ＩＥＤＭ’　８６，　
１９８６，　ｐ．　４２０）以下に、代表的な従来技術
を説明し、その問題点を明らかにする。

第３図（ａ）〜（ｄ）は、従来の高性能バイポーラトラ
ンジスタの製造工程を示す断面図である。ｐ型シリコン
基板１０１上にｎ十型埋め込み層１０２を介してｎ型エ
ピタキシャル層１０３を形成したウェハを用いている。

このウェハの素子分離領域にはチャネル・ストツパとな
るｐ型層１０４が形成され、また選択酸化による酸化膜
１０５が形成される。　このウェハの素子領域表面に薄
い酸化膜１０６を形成した後、全面に耐酸化性マスクと
なる窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４３一 膜）１０７を堆積し、続いて第１の多結晶シリコン膜１
０８を堆積する。この第１の多結晶シリコン膜１０８の
うち素子分離領域上の不要な部分は熱酸化により熱酸化
膜１０９に変える。次いで、第１の多結晶シリコン膜１
０８にボロンをイオン注入して添加し、ホトエッチング
によりエミッタ形成領域上の第１の多結晶シリコン膜１
０８をエッチングして開口を設ける。（第３図（ａ））
。

次いで、酸化性雰囲気中で熱処理して多結品シリコン膜
１０８の表面に熱酸化膜１１０を形成し、この酸化膜１
１０をマスクとして開口部の窒化膜１０７を加熱リン酸
水溶液でエッチング除去する。そして、露出した熱酸化
膜１０６をＮ０４Ｆ水溶液で除去してウェハ面を露出さ
せる。このとき、開口部の窒化膜１０７のエッチングを
意図的にオーバー・エッチングすることによって、オー
バーハング部１１１　を形成し、第１の多結晶シリコン
膜１０８の一部を露出させる（第３図（ｂ））。

次いで、オーバーハング部１Ｈの下の空胴部を理め込む
ために第２の多結品シリコン膜１１２を全４− 面に堆積した後、その第２の多結晶シリコン膜１１２を
エッチングして酸化膜１０９及び開口部のウェハ面を露
出させる（第３図（Ｃ））。

次いで、露出させたウェハ表面及び多結晶シリコン膜１
１２の側面に熱酸化による酸化膜１１３を形成する。　
このとき、第１の多結晶シリコン膜１０８に予めドープ
しておいたボロンを、前記オーバーハング部１１１の第
２の多結晶シリコン膜１１２を介してウェハ面に拡散さ
せ、　ｐ型の外部ベース層１１４を形成する。この後、
ボロンのイオン注入によりｐ型の内部ベース層１１５を
形成する。次いで、ＣｖＤ絶縁膜１１６と第３の多結晶
シリコン膜１１７を堆積し、反応性イオンエッチングに
よりこれらをエッチングして開口部側壁にのみこれらを
残し、第３の多結晶シリコン膜１１７をマスクとして開
口部のウェハ表面の熱酸化膜を除去する。そして、高濃
度に砒素をイオン注入した第４の多結品シリコン膜１１
８を堆積し、熱処理により砒素を拡散させてｎ型エミッ
タ層１１９を形成する（第３図（ｄ））。

次いで、多結晶シリコン膜１１８にパターン形成を施し
、電極配線加工を行い、次いで全面にアルミニウム１２
０を被着し、電極配線加工を行い完成する（第３図（ｅ
））。なお、第１，第２の多結晶シリコン膜１０８，　
１１２はベース電極として用いられ、第４の多結晶シリ
コン膜１１８はエミッタ電極として用いられる。

上述の従来技術によると、ベースとエミッタが自己整合
で形成され、しかもエミッタ拡散窓が幅０．３５ｇｎと
いう微細構造が可能になる。これにより、高速動作のバ
イポーラトランジスタが得られる。

しかしながら、この種の方法によって作成されたバイポ
ーラトランジスタでは、次のような問題があった。即ち
、第３図（ｅ）に示すようにエミッタ形成領域上の開口
部にはエミッタボリシリコンが均一に被着するため、開
口部の中央にはポリシリコンの溝が形成されている。こ
のような段差構造の上にアルミニウムをスパッタリング
すると、基板表面では厚く開口部底部では薄く被着され
段差構造はさらに増大する。そして、段差構造の上に層
間絶縁膜を厚く被着すると開口部周辺にはストレスが集
中し、そのため電極配線形成における熱工程により、エ
ミッタポリシリコンとアルミニウムの相互拡散が容易に
誘発され、ｐｎ接合が破壊されることになる。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来の高性能バイポーラトランジスタにあ
っては、層間絶緑膜又は表面保護絶縁膜を被着する前に
下地の段差構造、特にエミッタ形成領域直上の電極配線
材の溝による段差形状が生じ、この段差によりエミッタ
ポリシリコンと配線アルミニウムの相互拡散が起こり、
ｐｎ接合が容易に破壊される問題があった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、エミッタポリシリコンとアルミニウ
ム配線との相互拡散を抑制することができ、ｐｎ接合破
壊の低減をはかり得る半導体装置を提供することにある
。

〔発明の構威〕

（課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、エミッタボリシリコンとア−７ー ルミニウム配線との相互拡散を抑制するために、エミッ
タ形成領域直上の電極配線材の溝による段差形状を低減
することにある。

即ち本発明は、半導体基板の表面部に、第１導電型コレ
クタ層、第２導電型内部ベース層及び第工導電型エミッ
タ層を積層形成し、且つ内部ペース層及びエミッタ層の
外周部に外部ベース層を形成してなるバイポーラトラン
ジスタ領域と、前記外部ベース層に接するように前記基
板上に形成された第１の多結晶シリコン膜と、前記基板
上に堆積され且つエミッタ層上に開口部が設けられた絶
縁膜と、この絶縁膜上及び開口部内に設けられた第２の
多結晶シリコン膜と、この第２の多結晶シリコン膜上に
堆積された配線用金属膜とを備えた半導体装置において
、前記第２の多結晶シリコン膜と配線用金属膜との間に
ＣＶＤ法による高融点金属膜を設け、この金属膜により
第２の多結晶シリコン膜の段差凹部を埋め込むようにし
たものである。

また本発明は、上記高融点金属膜を第２の多結−８− 晶シリコン膜の段差四部のみに設けるようにしたもので
ある。さらに本発明は、高融点金属膜の上に絶縁膜を設
け、高融点金属膜と配線用金属膜との接続をエミッタ開
口以外の領域で行うようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、配線用金属層（例えばアルミニウム）
を被着する前にエミッタ形成領域上の段差部を高融点金
属（例えばタングステン）又は酸化膜により埋め込むこ
とにより、エミッタ形成領域上の段差構造を平滑化する
ことができる。従って、従来のようなエミッタ引出し電
極の溝による段差構造によるストレスは低減し、高融点
金属はエミッタポリシリコンとアルミニウムの相互拡散
に耐し障壁となり、ポリシリコンエミッタにより形成さ
れた浅い接合がポリシリコンとアルミニウムの相互拡散
により破壊されることはない。

（実施例） 以下、この発明の詳細を図示の実施例によって説明する
。

第１図は本発明の一実施例に係わるバイポーラトランジ
スタの製造工程を示す断面図である。

まず、第１図（ａ）に示す如く、ｐ型シリコン基板１０
に高濃度不純物層１１を形成し、さらにｎ型の比較的低
濃度層（〜Ｉ　Ｘ　１０’Ｆ′ｃｍ−３）のエビタキシ
ャル層１２を気層成長法で形成する。バイポーラトラン
ジスタの素子分離としては、トレンチ技術及び選択酸化
技術を用いて、素子間分離としてトレンチ領域１３及び
ペースエミッタ領域とコレクタコンタクト部を分離する
電極間分離領域１４に絶縁酸化膜１５を形戒する。また
、ｎ型の高濃度不純物層１１はコレクタコンタクトに接
続されており（図示せず）、従って低濃度エビタキシャ
ル層からなるエビタキシャル層ｌ２はコレクタの一部を
形成している。次いで、基板上の全面に熱酸化により厚
さ５００　Ａ程度の熱酸化膜２ｌを形成し、　さらにそ
の上に１−レンチ領域及び分離用絶縁膜の領域を含めて
全面に耐酸化或絶縁膜としてシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ
．膜）２２を１０００人堆積する。その後、全面に第１
の導電体として多結品シリコン膜２３を厚さ４０００人
程度或長させる。

次いで、多結晶シリコン膜２３にボロン５０ＫｅＶ　，
Ｉ　ＸＩＯ”ｃｍ−３の条件でイオン注入する。次いで
，第１図（ｂ）に示す如く、全面に第２の絶縁膜として
ＣＶＤシリコン酸化膜２４を３０００λ程度積層して被
着する。続いて、後にエミッタ拡散領域に対応していく
領域上の酸化膜２４と多結晶シリコン膜２３を下地のシ
リコン窒化膜２２が露出するまで写真蝕刻法及びエッチ
ング法により除去し、開口幅１μｍの開口部２５を形成
する。

次いで、第１図（ｃ）に示す如く、９５０℃ウエット酸
化を行い、多結晶シリコン膜２３の側面に熱酸化膜２６
を２０００人程度形成する。次いで、この熱酸化膜２６
をマスクに開口部のシリコン窒化膜２２を加熱リン酸に
より下地の第１の酸化膜２ｌが露出するまで除去する。

このエッチングは下地の酸化膜２１が露出した後も意図
的にオーバーエッチングを行い、シリコン窒化膜２２を
３０００人程度サイドエッチングし、多結晶シリコン直
下に空洞２７を形戒する。その後、露出した第１の熱酸
化膜２１をＮＨ．Ｆ溶液等で１１ー エッチング除去する。

次いで、第上図（ｄ）に示す如く、第２の導電体として
多結晶シリコン膜２８を全面に３０００人程度被着し、
オーバーハング部に露出している多結晶シリコン直下の
空洞２７を完全に埋め込み、多結晶シリコン膜２８をオ
ーバーハング部に残したまま酸化膜２６及びシリコン基
板表面が露出するまで除去する。

次いで、第１−図（ｅ）に示す如く、露出したシリコン
基板表面と多結晶シリコンの側壁部に７００人程度の熱
酸化膜２９を形成する。このとき、予め第１の導電性材
料に添加しておいたボロンをオーバーハング部の多結晶
シリコンを通じて下地のシリコン基板に拡散しｐ型の外
部ベース拡散領域ｌ６を形成する。次いで、ボロンを２
００ｅＶ，　２　ＸＩＯ１３ｃｍ−”の条件でイオン注
入し、ｐ型の内部ベース領域１７をシリコン基板に形成
する。続いて、前記開口部に形成した熱酸化膜２９を方
向性エッチングにより除去し、シリコン基板表面を露出
させ、エミッタ開口を形成する。

１２− その後、第３の導電体として多結晶シリコン膜３１をＬ
ＰＣＶＤ法により厚さ２０００　Ａ程度全面に被着し、
砒素を５０ｋｅＶ，　Ｉ　ＸＩＯ”ｃｍ−”の条件でイ
オン注入し、さらに所望の熱処理を施して第３の導電体
となる多結晶シリコンに添加した砒素をシリコン基板に
拡散して、ｎ型エミッタ領域１８を形成すると同時に最
終的な外部ベース領域と内部ベース領域とを形成する。

ＬＰＣＶＤ法にょり被着したポリシリコンはステップカ
バーレッジが良く段差コーナ一部にも均一な厚さで被着
されるため、この段階で開口部２５における溝幅は４０
００λ程度になる。

次いで、第１図（ｆ）に示す如く、高融点金属としてタ
ングステン膜３２をＣＶＤ法により全面に２０００人程
度被着する。ＣＶＤ法により被着されるタングステンは
ステップカバーレッジが良く、段差コーナ一部にも均一
に被着されるため、この段階で開口部２５の溝は埋め込
まれる。その後、第１の配線金属なるアルミニウム膜３
３を基板表面に４０００Ａ程度被着する。これにより、
エミッタ形成領域」二で電極配線材と層間絶縁膜の接触
面は平坦になる。これ以降は、写真蝕刻法及びエッチン
グ法を用いて電極配線等を形成することによりバイポー
ラトランジスタが完威される。

かくして本実施例によれば、多結晶シリコン膜３ｌの上
にタングステン膜３２をＣＶＤ法で形成しているので、
多結晶シリコン膜３１の開口部２５における段差凹部が
タングステン膜３２で埋め込まれることになり、アルミ
ニウム膜３３の下地が平坦となる。

このため、エミッタ形成領域上でアルミニウム膜３３等
の電極配線材とその上に形成する層間絶縁膜の接触面も
平坦になる。従って、従来のような電極配線材の溝によ
る段差構造の上に層間絶縁膜を厚く被着したことによる
ストレスは低減し、さらにタングステンのバリア効果に
よりエミッタボリシリコンとアルミニウムの相互拡散は
抑えられ、ポリシリコンエミッタにより形成された浅い
接合が破壊されることはない。

尚、タングステン膜３２のがわりにチタン膜とチタンナ
イトライト膜の積層膜をスパッタにより各々２００入，
７００λ程度披着してもよい。

また、第１図（ｇ）に示す様に、チタン膜３６とチタン
ナイトライド膜３７被着後、多結晶シリコン膜３８をＬ
ＰＣＶＤ法によりｚｏｏｏ人程度被着し、これを開口部
２５にのみ残置し、チタンナイトライト膜３７を露出し
、その後配線金属なるアルミニウム膜３３を基板表面に
被着してもよい。

次に、本発明の他の実施例について、第２図を参照して
説明する。

先に説明した実施例では、開口部２５の幅が比較的狭く
これを高融点金属で十分に埋め込むことが可能であった
が、開口部２５０幅が広く高融点金属だけでは段差形状
を埋め込むことが困難な場合がある。この場合は、第２
図（ａ）のようにすればよい。開口部２５の開口幅が２
μｍの場合はタングステンをＣＶＤ法で堆積した段階で
開口部２５は開口幅１Ｉｎｎで残っている。この段階で
、第２図（ａ）に示す如く、酸化膜３４を５０００λ程
度被着し開口部２５を埋め込む。この酸化膜３４はステ
ップ力バレージが良く段差コーナ一部にも均一に被着さ
れることが−１５ 必要で、例えばＬｉｑｕｉｄ−Ｐｈａｓｅ−Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ　（以下ＬＰＤと略す）による酸化膜が有効
である。ＬＰＤによる酸化膜の或膜方法について以下に
具体的に説明する。

室温状態のケイフッ化水素酸（Ｈ２　ＳｉＦ６）水溶液
にシリカ（ＳｉＯｚ　）が飽和していると、次の平衡式
が或り立つ。

？１■ＳｉＦＧ＋　２Ｈ．Ｏ　　　Ｓｉｎ２＋　６ＨＦ
　　　　　　・・・　■この式の平衡を右にずらすため
にケイフッ化水素酸水溶液にアルミニウムを添加し、シ
リコン基板上に酸化膜を成長させる。この時は式の■式
に示す反応を利用する。

２ＡＱ　＋　６｝ＩＦ→２ＡＱＦ３＋３Ｈ２　　　　　
　　・・・　■ＬＰＤでは、一時的にケイフッ化水素酸
より弗酸が発生するためタングステン上に直接戒長させ
ることは好ましくないので、まずＩＯＯＯＡ程度の常圧
ＣＤＶによる酸化膜を予め被着しておく方がよい。その
後、酸化膜３４にコンタクトホールを形成１６ー し、第１の配線金属なるアルミニウム膜３３を４０００
人程度被着し、写真蝕刻法及びエッチング法を用いて電
極配線を形成してバイポーラトランジスタを形成する。

なお、高融点金属を被着せず、第４の導電体を被着した
後に酸化膜３４を被着し開口部を埋め込み、コンタクト
ホールを形成した場合でも（図示せず）エミッタ領域上
の段差構造は低減され、即ちストレスは低減されエミッ
タボリシリコントとアルミニウムの相互拡散の抑制に対
し効果がある。

また、上記実施例ではタングステンをＣＶＤ法により全
面被着していたが、第２図（ｂ）に示す如く、段差構造
を低減するためにタングステンをエッチバックして多結
晶シリコン膜３１の上面を露出させ、溝部にのみタング
ステン膜３２を残置してバイポーラトランジスタを形成
することもできる。

また、上記実施例では酸化膜３４をＬＰＤ法により形成
したステップ力バレージが良く段差コーナ部にも均一に
被着可能であれば他の方法を用いることも可能で、例え
ばプラズマＣ．ＶＤ法やＬＰＧＶＤ法による酸化膜を用
いることもできる。さらに、実施例では内部ベース層の
形成は、シリコン窒化膜２２及びシリコン酸化膜２１を
エッチング除去し、改めて薄い熱酸化膜を形成した状態
で行ったが，シリコン窒化膜２２を除去した後、或いは
シリコン酸化膜２ｌを除去した後にイオン注入して形成
することもできる。

エミッタ耐圧改善等を目的として外部ベース層拡散領域
とエミッタ層拡散領域の大きさの関係を制御したい場合
、またエミッタ接合容量をより小さくするため、或いは
エミッタ・クラウンディング効果をより小さくするため
にエミッタ拡散幅を小さくする場合には次のようにすれ
ばよい。即ち、第２図（Ｑ）に示すように内部ベース層
１７を形成した後、前記開口部２５の側壁に多結晶シリ
コン膜３５を選択的に残置させて開口を狭める。この状
態は、内部ベース層１７を形成するイオン注入を行った
後、所定の厚みの多結晶シリコン膜を堆積し、これを反
応性イオンエッチングにより全面エッチングすることに
より得られる。これにより狭いエミッタ拡散用開口部が
得られる。また、開口部側壁に残置する材料に比誘電率
の小さい材料を選択することによって、エミッタベース
間の寄生容量を小さくすることもできる。さらに、この
側壁残し技術と第２図（ａ）とを組み合わせて、第２図
（ｄ）に示すように構或にしてもよい。

また、エミッタボリシリコンの溝を高融点金屈で埋め込
む代わりに、アルミニウム配線で埋め込むことも可能で
ある。第２図（ｅ）に示す如く、エミッタボリシリコン
からエミッタ拡散領域を形成した後、Ｔｉを２０ＯＡ　
，　ＴｉＮを７００λ順次スパッタしてバッファ層３５
を形成した後、基板を５ｏｏ℃程度に加熱しながらアル
ミニウムを約８０００λスパッタする。この場合、アル
ミニウムが流動しなから被着されるので、エミッタポリ
シリコン上のｖ字型の溝は平坦化される。なお、アルミ
ニウムの融点は６６０℃である。　この場合、エミッタ
ポリシリコン上の溝が埋め込まれ、ストレスの集中がな
くなり、アルミニウムとエミッタポリシリコンとの反応
が抑えられる。また、高温アルミスパッタの場−　１９ 合、アルミのグレインが戒長し、エレクトロマイグレー
ション耐性が上がる。

なお、本発明は−Ｌ連した各実胞例に眼定されるもので
はない。実施例では高融点金属としてＣＶＤ法によるタ
ングステンを用いたが、第３の導電体なるエミッタボリ
シリコン３１の段差形状を埋め込むことが可能で、且つ
アルミニウムとポリシリコンの反応温度（約２００℃）
より融点が高い金属であれば他の物質を用いることが可
能である。例えば、ＣＶＤ法によるタングステンシリサ
イド，タングステンナイトライド，チタンシリサイド，
チタン，チタンナイトライド、スパッタによるタングス
テン，タングステンシリサイド，タングステンナイ１−
ライド，チタンタングステン，チタン，チタンナイトラ
イド，チタンシリサイド等を用いることができる。また
、」二記の物質による複合膜を用いることも可能である
。

また、実施例ではエミッタ層を第３の導電体である多結
晶シリコン膜３１からの固相拡散により形成したが、直
接イオン注入により形成することもー２０− できる。その場合、内部ベース層形戊の際にイオン注入
のバッファ層として用いた７００人程度のシリコン酸化
膜をそのまま用いて、この酸化膜を通してエミッタ層形
成のイオン注入を行ってもよいし、この酸化膜を除去し
てイオン注入を行ってもよい。さらに、イオン注入の加
速電圧を調整して、エミッタ形成用の第３の導電体なる
多結晶シリコン膜、を通してイオン注入を行ってもよい
。

また、実施例では、第１，第２及び第３の導電体として
全て多結晶シリコン膜を用いたが、これらは不純物の固
相拡散源として用いるのでなければ、他の材料を用いる
ことができる。但し実施例の構造では、第１及び第２の
導電体は熱酸化膜が形成できるものであることが必要で
、例えばモリブデンシリサイド、タングステンシリサイ
ド等の高融点金属シリサイドが有用である。その他、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施例す
ることができる。

〔発明の効果〕

以上詳述したように本発明によれば、エミッ夕引出し電
極材の段差形状を高融点金属又は酸化膜により埋め込み
平滑化しているので、エミッタ形成領域上の段差構造に
よるストレスより誘発されるエミッタボリシリコンとア
ルミニウムとの相互拡散は抑えられ、ポリシリコンエミ
ッタにより形成された浅い接合が破壊されることはない
。従って、接合耐圧や遮断周波数等の諸特性に優れた、
高性能かつ高信頼性のバイポーラトランジスタが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わるバイポーラ１一ラン
ジスタの製造工程を示す断面図、第２図は本発明の他の
実施例を説明するための断面図、第３図は従来のバイポ
ーラトランジスタの製造工程を示す断面図である。 １０・・・ｐ型シリコン基板、 １１・・・ｎ型高濃度不純物層、 １２・・・エビタキシャル層、ｌ５・・・酸化膜、１６
・・・外部ベース領域、　１７・・内部ベース領域、ｌ
８・・エミッタ領域、　　２１，　２６．　２９・・熱
酸化膜２２・・・シリコン窒化膜、 ２３，　２８．　３１・・・多結晶シリコン膜、２４・
・・ＣＶＤ酸化膜、　　２５・・開口部、２７・・空洞
、 ３２・・・タングステン膜（高融点金属）、３３・・・
アルミニウム膜（金ノρ【配線）、３４・・・酸化膜、
　　　　　３５・・・多結晶シリコン膜、３６・・・チ
タン膜、 ３７・・・チタンナイトライド膜、 ３８・・・多結晶シリコン膜。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板の表面部に、第１導電型コレクタ層、
   第２導電型内部ベース層及び第１導電型エミッタ層を積
   層形成し、且つ内部ベース層及びエミッタ層の外周部に
   外部ベース層を形成してなるバイポーラトランジスタ領
   域と、前記外部ベース層に接するように前記基板上に形
   成された第１の多結晶シリコン膜と、前記基板上に堆積
   され且つエミッタ層上に開口部が設けられた絶縁膜と、
   この絶縁膜上及び開口部内に設けられた第２の多結晶シ
   リコン膜と、この第２の多結晶シリコン膜上にＣＶＤ法
   で設けられ該シリコン膜の段差凹部を埋め込む高融点金
   属膜と、この高融点金属膜上に堆積された配線用金属膜
   とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
2. （２）半導体基板の表面部に、第１導電型コレクタ層、
   第２導電型内部ベース層及び第１導電型エミッタ層を積
   層形成し、且つ内部ベース層及びエミッタ層の外周部に
   外部ベース層を形成してなるバイポーラトランジスタ領
   域と、前記外部ベース層に接するように前記基板上に形
   成された第１の多結晶シリコン膜と、前記基板上に堆積
   され且つエミッタ層上に開口部が設けられた絶縁膜と、
   この絶縁膜上及び開口部内に設けられた第２の多結晶シ
   リコン膜と、この第２の多結晶シリコン膜上に設けられ
   た高融点金属膜と、この高融点金属膜上に堆積され前記
   開口部以外の位置に開口が設けられた絶縁膜と、この絶
   縁膜上及び該絶縁膜の開口部内に設けられた配線用金属
   膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。