JP2842075B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に利
用する。本発明は、高速動作を目的とするバイポーラト
ランジスタを含む半導体装置の製造方法に関する。
用する。本発明は、高速動作を目的とするバイポーラト
ランジスタを含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のバイポーラトランジスタの製造方
法には、例えばＳＳＴ（Super Self-aligned Process T
echnology）法（Sakai et al IEEE Trans、Electron De
vicePP188 〜193 、1986) がある。このＳＳＴ法による
製造方法について図６〜図９を参照して説明する。
法には、例えばＳＳＴ（Super Self-aligned Process T
echnology）法（Sakai et al IEEE Trans、Electron De
vicePP188 〜193 、1986) がある。このＳＳＴ法による
製造方法について図６〜図９を参照して説明する。
【０００３】面方位（１１１）のＰ- 型シリコン半導体
基板２０１の表面にヒ素を選択的に導入しｎ+ 埋め込み
層２０２を形成し、さらに、全面にｎ- エピタキシャル
層２０３を形成する。続いてシリコン窒化膜２０６をマ
スクして選択的に酸化処理を行いシリコン酸化膜２０４
を形成し素子分離を行う。次にシリコン酸化膜２０５を
例えば熱酸化により形成する。続いてシリコン窒化膜２
０６およびＰ+ 多結晶シリコン膜２０７を形成する。さ
らに多Ｐ+ 結晶シリコン膜２０７にボロンをイオン注入
しＰ型化する。その後、ホトレジストをマスクしてエミ
ッタ領域形成予定部分のＰ+ 多結晶シリコン膜２０７を
エッチング除去し開口部を形成する。図６はここまでの
工程を示す断面図である。
基板２０１の表面にヒ素を選択的に導入しｎ+ 埋め込み
層２０２を形成し、さらに、全面にｎ- エピタキシャル
層２０３を形成する。続いてシリコン窒化膜２０６をマ
スクして選択的に酸化処理を行いシリコン酸化膜２０４
を形成し素子分離を行う。次にシリコン酸化膜２０５を
例えば熱酸化により形成する。続いてシリコン窒化膜２
０６およびＰ+ 多結晶シリコン膜２０７を形成する。さ
らに多Ｐ+ 結晶シリコン膜２０７にボロンをイオン注入
しＰ型化する。その後、ホトレジストをマスクしてエミ
ッタ領域形成予定部分のＰ+ 多結晶シリコン膜２０７を
エッチング除去し開口部を形成する。図６はここまでの
工程を示す断面図である。
【０００４】次に、酸化処理を行いＰ+ 多結晶シリコン
膜２０７上にシリコン酸化膜２０８を形成し、シリコン
酸化膜２０８に覆われていない部分のシリコン窒化膜２
０６をＰ+ 多結晶シリコン膜２０７が露出するまでエッ
チングして除去する。続いて、シリコン酸化膜２０５の
露出部をエッチング除去する。図７はここまでの工程を
示す断面図である。
膜２０７上にシリコン酸化膜２０８を形成し、シリコン
酸化膜２０８に覆われていない部分のシリコン窒化膜２
０６をＰ+ 多結晶シリコン膜２０７が露出するまでエッ
チングして除去する。続いて、シリコン酸化膜２０５の
露出部をエッチング除去する。図７はここまでの工程を
示す断面図である。
【０００５】次いで、多結晶シリコン膜２１２を形成し
て熱処理を行う。これにより多結晶シリコン膜２１２の
Ｐ+ 多結晶シリコン膜２０７と接する部分にボロンが拡
散される。またｎ- エピタキシャル層２０３にも拡散さ
れ、Ｐ+ 単結晶シリコン２０９を形成する。続いて、水
酸化カリウムの水溶液によりエッチングを行う。水酸化
カリウム水溶液は高濃度にボロンを含んだシリコンおよ
びＰ+ 単結晶シリコン２０９の（１１１）面に対してエ
ッチング速度が低いため、多結晶シリコン膜２１２はＰ
+ 多結晶シリコン膜２０７と接する部分を除いて除去さ
れる。図８はここまでの工程を示す断面図である。
て熱処理を行う。これにより多結晶シリコン膜２１２の
Ｐ+ 多結晶シリコン膜２０７と接する部分にボロンが拡
散される。またｎ- エピタキシャル層２０３にも拡散さ
れ、Ｐ+ 単結晶シリコン２０９を形成する。続いて、水
酸化カリウムの水溶液によりエッチングを行う。水酸化
カリウム水溶液は高濃度にボロンを含んだシリコンおよ
びＰ+ 単結晶シリコン２０９の（１１１）面に対してエ
ッチング速度が低いため、多結晶シリコン膜２１２はＰ
+ 多結晶シリコン膜２０７と接する部分を除いて除去さ
れる。図８はここまでの工程を示す断面図である。
【０００６】ボロンをイオン注入してベース領域２１０
を形成し、次にＣＶＤ法（化学的気相成長法）によりシ
リコン酸化膜２１１を形成し、次に多結晶シリコン膜２
１２を形成する。さらに、異方性エッチングにより多結
晶シリコン膜２１２およびシリコン酸化膜２１１を開口
部側壁を除き除去する。そして、ｎ+ 多結晶シリコン膜
２１３を形成し、ヒ素をイオン注入して多結晶シリコン
膜２１２およびｎ+ 多結晶シリコン膜２１３をｎ型化す
る。最後に、多結晶シリコン膜２１２をパターニングし
て熱処理することにより、エミッタ領域２１４を形成す
る。図９はここまでの工程を示す断面図である。
を形成し、次にＣＶＤ法（化学的気相成長法）によりシ
リコン酸化膜２１１を形成し、次に多結晶シリコン膜２
１２を形成する。さらに、異方性エッチングにより多結
晶シリコン膜２１２およびシリコン酸化膜２１１を開口
部側壁を除き除去する。そして、ｎ+ 多結晶シリコン膜
２１３を形成し、ヒ素をイオン注入して多結晶シリコン
膜２１２およびｎ+ 多結晶シリコン膜２１３をｎ型化す
る。最後に、多結晶シリコン膜２１２をパターニングし
て熱処理することにより、エミッタ領域２１４を形成す
る。図９はここまでの工程を示す断面図である。
【０００７】 （従来文献）（１）IEEE Trans on Electron Device Ap
r 、1986 PP526〜531 （２）SSDM 1990 、PP665 〜668 Aoyama et al
r 、1986 PP526〜531 （２）SSDM 1990 、PP665 〜668 Aoyama et al
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の製造方法では、水酸化カリウム水溶液によるエ
ッチング工程の際に、ｎ- エピタキシャル層の（１１
１）面がエッチングされにくい性質を利用して自己整合
を行っていたため、シリコン半導体基板は（１１１）面
を上面に有するもの以外は使用できず、ＭＯＳ型半導体
素子を同じシリコン半導体基板の（１１１）面上に形成
した場合、（１００）面のシリコン半導体基板を使用し
たものに比べ、ＭＯＳ型半導体素子の性能が低下する問
題があった。
体装置の製造方法では、水酸化カリウム水溶液によるエ
ッチング工程の際に、ｎ- エピタキシャル層の（１１
１）面がエッチングされにくい性質を利用して自己整合
を行っていたため、シリコン半導体基板は（１１１）面
を上面に有するもの以外は使用できず、ＭＯＳ型半導体
素子を同じシリコン半導体基板の（１１１）面上に形成
した場合、（１００）面のシリコン半導体基板を使用し
たものに比べ、ＭＯＳ型半導体素子の性能が低下する問
題があった。
【０００９】本発明はこのような問題を解決するもの
で、ＭＯＳ型半導体素子を同じシリコン半導体基板の
（１１１）面上に形成することができ、かつその性能を
低下させない半導体を製造することができる方法を提供
することを目的とする。
で、ＭＯＳ型半導体素子を同じシリコン半導体基板の
（１１１）面上に形成することができ、かつその性能を
低下させない半導体を製造することができる方法を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一の導電型
不純物を含有する第一の半導体領域上に、第一の絶縁体
膜、第二の導電型不純物を含有する第一の導電体膜、お
よび第二の絶縁体膜を順に積層する工程と、エミッタ形
成予定領域の前記第二の絶縁体膜および前記第一の導電
体膜をエッチング除去して開口部を形成する工程と、第
三の絶縁体膜を全面に形成する工程と、異方性エッチン
グにより前記開口部側壁に接する領域以外の前記第三の
絶縁体膜を除去する工程と、前記第一の絶縁体膜をエッ
チングし前記第一導電体膜の下部が露出する横方向の溝
を形成する工程と、酸化処理により前記第一の半導体領
域の表面を酸化し第一のシリコン酸化膜を形成する工程
と、全面に耐酸化性膜を形成する工程と、前記横方向の
内面を覆う領域以外の前記耐酸化性膜を異方性エッチン
グにより除去して前記第一のシリコン酸化膜を露出され
る工程と、酸化処理により前記第一のシリコン酸化膜を
通して前記第一の半導体領域を酸化し第二のシリコン酸
化膜を形成する工程と、前記耐酸化性膜をエッチング除
去する工程と、前記第二のシリコン酸化膜の一部を残し
かつ前記第一のシリコン酸化膜を除去する条件で酸化膜
をエッチングする工程と、この酸化膜のエッチッグによ
り露出した前記第一の半導体領域および前記第一の導電
体膜上に選択的に第二の導電体膜を形成し前記第一の半
導体領域と前記第一の導電体膜との間をシリコンにより
充填する工程と、熱処理により前記第一の導電体膜中の
第二の導電型の不純物を前記第二の導電体膜を介して前
記第一の半導体領域に導入し第二導電型不純物を含有す
る第二の半導体領域を形成する工程と、この第二の半導
体領域に囲まれる第一の半導体領域上部に第二の導電型
不純物を導入して第三の半導体領域を形成する工程と、
絶縁膜形成および異方性エッチングにより前記第二の導
電体膜表面および前記開口側壁を第三の絶縁膜で覆う工
程と、前記開口を介して前記第三の半導体領域上面に第
一導電型不純物を導入し第四の半導体領域を形成する工
程とを含むことを特徴とする。
不純物を含有する第一の半導体領域上に、第一の絶縁体
膜、第二の導電型不純物を含有する第一の導電体膜、お
よび第二の絶縁体膜を順に積層する工程と、エミッタ形
成予定領域の前記第二の絶縁体膜および前記第一の導電
体膜をエッチング除去して開口部を形成する工程と、第
三の絶縁体膜を全面に形成する工程と、異方性エッチン
グにより前記開口部側壁に接する領域以外の前記第三の
絶縁体膜を除去する工程と、前記第一の絶縁体膜をエッ
チングし前記第一導電体膜の下部が露出する横方向の溝
を形成する工程と、酸化処理により前記第一の半導体領
域の表面を酸化し第一のシリコン酸化膜を形成する工程
と、全面に耐酸化性膜を形成する工程と、前記横方向の
内面を覆う領域以外の前記耐酸化性膜を異方性エッチン
グにより除去して前記第一のシリコン酸化膜を露出され
る工程と、酸化処理により前記第一のシリコン酸化膜を
通して前記第一の半導体領域を酸化し第二のシリコン酸
化膜を形成する工程と、前記耐酸化性膜をエッチング除
去する工程と、前記第二のシリコン酸化膜の一部を残し
かつ前記第一のシリコン酸化膜を除去する条件で酸化膜
をエッチングする工程と、この酸化膜のエッチッグによ
り露出した前記第一の半導体領域および前記第一の導電
体膜上に選択的に第二の導電体膜を形成し前記第一の半
導体領域と前記第一の導電体膜との間をシリコンにより
充填する工程と、熱処理により前記第一の導電体膜中の
第二の導電型の不純物を前記第二の導電体膜を介して前
記第一の半導体領域に導入し第二導電型不純物を含有す
る第二の半導体領域を形成する工程と、この第二の半導
体領域に囲まれる第一の半導体領域上部に第二の導電型
不純物を導入して第三の半導体領域を形成する工程と、
絶縁膜形成および異方性エッチングにより前記第二の導
電体膜表面および前記開口側壁を第三の絶縁膜で覆う工
程と、前記開口を介して前記第三の半導体領域上面に第
一導電型不純物を導入し第四の半導体領域を形成する工
程とを含むことを特徴とする。
【００１１】前記第二導電型の第三の半導体領域形成工
程にはイオン注入法を使用し、前記第二導電型の第三の
半導体領域の形成を前記第二導電型不純物を含むガラス
膜より熱拡散することにより行うことができる。
程にはイオン注入法を使用し、前記第二導電型の第三の
半導体領域の形成を前記第二導電型不純物を含むガラス
膜より熱拡散することにより行うことができる。
【００１２】
【作用】半導体基板上の下層絶縁膜、多結晶シリコンの
導電体膜、および上層絶縁膜にエミッタ開口部を形成す
る。このとき下層絶縁膜の開口を他の２層より広くし、
導電体膜下に横方向の溝をもつようにして上部２層の開
口部直下のみにシリコン酸化膜を形成し、シリコンの露
出した領域に選択的にシリコンを成長させ、導電体膜と
半導体基板とを電気的に接続する。
導電体膜、および上層絶縁膜にエミッタ開口部を形成す
る。このとき下層絶縁膜の開口を他の２層より広くし、
導電体膜下に横方向の溝をもつようにして上部２層の開
口部直下のみにシリコン酸化膜を形成し、シリコンの露
出した領域に選択的にシリコンを成長させ、導電体膜と
半導体基板とを電気的に接続する。
【００１３】これにより、エミッタとベースとを自己整
合的に形成することができ、バイポーラトランジスタを
任意の面方位半導体基板上に製造することができる。
合的に形成することができ、バイポーラトランジスタを
任意の面方位半導体基板上に製造することができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
【００１５】（第一実施例）図１、図２、図３、および
図４は、本発明第一実施例における製造工程を説明する
断面図である。
図４は、本発明第一実施例における製造工程を説明する
断面図である。
【００１６】まず、図１に示すように、Ｐ- 型シリコン
半導体基板１０１（結晶方位はいずれのものでもよい）
の表面にヒ素を選択的に導入してｎ+ 埋め込み層１０２
を形成し、厚さ１．０μｍのｎ- エピタキシャル層１０
３をウェハ全面に形成する。次に、シリコン窒化膜１０
７をマスクして酸化処理を行い厚さ１．２μｍの素子分
離のためのシリコン酸化膜１０４を形成し、シリコン窒
化膜除去後にＣＶＤ法により厚さ０．２μｍのシリコン
酸化膜１０５を形成し、さらに、厚さ０．２μｍの多結
晶シリコンを形成してこれにボロンをイオン注入してＰ
+ 多結晶シリコン膜１０６を形成し（このＰ+ 多結晶シ
リコン膜１０６の代わりにアモルファスシリコン膜でも
よい）、厚さ０．２μｍのシリコン窒化膜１０７を形成
する。
半導体基板１０１（結晶方位はいずれのものでもよい）
の表面にヒ素を選択的に導入してｎ+ 埋め込み層１０２
を形成し、厚さ１．０μｍのｎ- エピタキシャル層１０
３をウェハ全面に形成する。次に、シリコン窒化膜１０
７をマスクして酸化処理を行い厚さ１．２μｍの素子分
離のためのシリコン酸化膜１０４を形成し、シリコン窒
化膜除去後にＣＶＤ法により厚さ０．２μｍのシリコン
酸化膜１０５を形成し、さらに、厚さ０．２μｍの多結
晶シリコンを形成してこれにボロンをイオン注入してＰ
+ 多結晶シリコン膜１０６を形成し（このＰ+ 多結晶シ
リコン膜１０６の代わりにアモルファスシリコン膜でも
よい）、厚さ０．２μｍのシリコン窒化膜１０７を形成
する。
【００１７】次に、図２に示すように、エミッタ領域形
成予定部分のシリコン窒化膜１０７およびＰ+ 多結晶シ
リコン膜１０６をホトレジストマスクによりエッチング
除去しエミッタ開口部を形成する。次いで、シリコン窒
化膜１０８を成長させ、異方性エッチングによりエミッ
タ開口部の側壁部のみを残してエッチングする。さら
に、希フッ酸液によりシリコン酸化膜１０５をＰ+ 多結
晶シリコン膜１０６の下面が露出するまでサイドエッチ
ングしオーバーハングを形成する。
成予定部分のシリコン窒化膜１０７およびＰ+ 多結晶シ
リコン膜１０６をホトレジストマスクによりエッチング
除去しエミッタ開口部を形成する。次いで、シリコン窒
化膜１０８を成長させ、異方性エッチングによりエミッ
タ開口部の側壁部のみを残してエッチングする。さら
に、希フッ酸液によりシリコン酸化膜１０５をＰ+ 多結
晶シリコン膜１０６の下面が露出するまでサイドエッチ
ングしオーバーハングを形成する。
【００１８】続いて、酸化処理を行いｎ- エピタキシャ
ル層１０３の露出した部分を酸化させ５０Åのシリコン
酸化膜１０９を形成する。このときＰ+ 多結晶シリコン
膜１０６下面には１００Åのシリコン酸化膜が形成され
る。次に、シリコン窒化膜１１０を１００Åの厚さで形
成し、異方性エッチングによりシリコン窒化膜１１０を
エッチングする。このときシリコン窒化膜１０８の下に
あたる部分のシリコン窒化膜１１０はエッチングされず
に残る。
ル層１０３の露出した部分を酸化させ５０Åのシリコン
酸化膜１０９を形成する。このときＰ+ 多結晶シリコン
膜１０６下面には１００Åのシリコン酸化膜が形成され
る。次に、シリコン窒化膜１１０を１００Åの厚さで形
成し、異方性エッチングによりシリコン窒化膜１１０を
エッチングする。このときシリコン窒化膜１０８の下に
あたる部分のシリコン窒化膜１１０はエッチングされず
に残る。
【００１９】さらに、図３に示すように、シリコン窒化
膜１１０に覆われていない部分のｎ- エピタキシャル層
１０３を酸化してシリコン酸化膜１０９と合わせて４０
０Åのシリコン酸化膜１１１を形成し、シリコン窒化膜
１１０をエッチング除去する。次に、希フッ酸によりシ
リコン酸化膜１０９がエッチング終了するまでエッチン
グを行う。このときシリコン酸化膜１１１は約３００Å
の厚さを有する。続いて、シリコン上にのみ多結晶シリ
コンを選択的に成長させる。この条件は８００℃、３０
Ｔｏｒｒ、ガスはＳｉＨ2 Ｃｌ2 ３００である。本条件
の詳細はＳＳＤＭ１９９０、ＰＰ６６５〜６６８ Ａｏ
ｙａｍａ ＳＣＣＭ ｅｔ ａｌに示されている。これ
によりｎ- エピタキシャル層１０３およびＰ+ 多結晶シ
リコン膜１０６の双方の露出部分に多結晶シリコン膜１
１２が成長し最終的には両方の多結晶シリコン膜が接合
する。その後、熱処理を行い多結晶シリコン膜１０６中
のボロンを多結晶シリコン膜１１３中に拡散し、さらに
ｎ- エピタキシャル層１０３の一部にもボロンを導入し
Ｐ+ 単結晶シリコン１１３を形成し、ボロンを３０Ｋｅ
ｖ３Ｅ１３ｃｍ-2でイオン注入してベース領域１１４を
形成する。
膜１１０に覆われていない部分のｎ- エピタキシャル層
１０３を酸化してシリコン酸化膜１０９と合わせて４０
０Åのシリコン酸化膜１１１を形成し、シリコン窒化膜
１１０をエッチング除去する。次に、希フッ酸によりシ
リコン酸化膜１０９がエッチング終了するまでエッチン
グを行う。このときシリコン酸化膜１１１は約３００Å
の厚さを有する。続いて、シリコン上にのみ多結晶シリ
コンを選択的に成長させる。この条件は８００℃、３０
Ｔｏｒｒ、ガスはＳｉＨ2 Ｃｌ2 ３００である。本条件
の詳細はＳＳＤＭ１９９０、ＰＰ６６５〜６６８ Ａｏ
ｙａｍａ ＳＣＣＭ ｅｔ ａｌに示されている。これ
によりｎ- エピタキシャル層１０３およびＰ+ 多結晶シ
リコン膜１０６の双方の露出部分に多結晶シリコン膜１
１２が成長し最終的には両方の多結晶シリコン膜が接合
する。その後、熱処理を行い多結晶シリコン膜１０６中
のボロンを多結晶シリコン膜１１３中に拡散し、さらに
ｎ- エピタキシャル層１０３の一部にもボロンを導入し
Ｐ+ 単結晶シリコン１１３を形成し、ボロンを３０Ｋｅ
ｖ３Ｅ１３ｃｍ-2でイオン注入してベース領域１１４を
形成する。
【００２０】次に、図４に示すように、２０００Åのシ
リコン窒化膜１１５を形成し、異方性エッチングで開口
部側壁のみを残し、希フッ酸でシリコン酸化膜１１１を
エッチングしてベース領域１１４を露出させる。続い
て、２０００Åの多結晶シリコン膜を形成し、ヒ素をエ
ネルギ８０Ｋｅｖドーズ量２Ｅ１６ｃｍ-2でイオン注入
し、ホトレジストをマスクにパターニングを行い、ｎ+
多結晶シリコン膜１１６を形成する。次いで、１０００
℃２５秒のＲＴＡ（ラピッドサーマルアニール）により
ｎ+ 多結晶シリコン膜１１６中のヒ素をベース領域１１
４に導入して一部をｎ型化しエミッタ領域１１７を形成
する。
リコン窒化膜１１５を形成し、異方性エッチングで開口
部側壁のみを残し、希フッ酸でシリコン酸化膜１１１を
エッチングしてベース領域１１４を露出させる。続い
て、２０００Åの多結晶シリコン膜を形成し、ヒ素をエ
ネルギ８０Ｋｅｖドーズ量２Ｅ１６ｃｍ-2でイオン注入
し、ホトレジストをマスクにパターニングを行い、ｎ+
多結晶シリコン膜１１６を形成する。次いで、１０００
℃２５秒のＲＴＡ（ラピッドサーマルアニール）により
ｎ+ 多結晶シリコン膜１１６中のヒ素をベース領域１１
４に導入して一部をｎ型化しエミッタ領域１１７を形成
する。
【００２１】（第二実施例）図５は本発明第二実施例に
おいて製造された半導体装置の構成を示す断面図であ
る。
おいて製造された半導体装置の構成を示す断面図であ
る。
【００２２】本第二実施例では、第一実施例において多
結晶シリコン膜１１２を成長させているときに、図５に
示すようにジボランを他のガスと同時に使用し、多結晶
シリコン膜１１２にボロンを導入する。次に、ボロンを
３０Ｋｅｖ３Ｅ１３ｃｍ-2でイオン注入しベース領域１
１４を形成する。続いて２０００Åのシリコン窒化膜１
１５を形成し、異方性エッチングで開口部側壁のみを残
し、希フッ酸でシリコン酸化膜１１１をエッチングして
ベース領域１１４を露出させる。さらに、２０００Åの
多結晶シリコン膜を形成し、ヒ素をエネルギ８０Ｋｅｖ
ドーズ量２Ｅ１６ｃｍ-2でイオン注入し、ホトレジスト
をマスクにパターニングを行いｎ+ 多結晶シリコン膜１
１６を形成する。次いで１０００℃２５秒のＲＴＡ（ラ
ピッドサーマルアニール）によりｎ+ 多結晶シリコン膜
１１６中のヒ素をベース領域１１４に導入して一部をｎ
型化しエミッタ領域１１７を形成する。これと同時に多
結晶シリコン膜中のボロンがｎ- エピタキシャル層１０
３に導入されＰ+ 単結晶シリコン１１３を形成する。
結晶シリコン膜１１２を成長させているときに、図５に
示すようにジボランを他のガスと同時に使用し、多結晶
シリコン膜１１２にボロンを導入する。次に、ボロンを
３０Ｋｅｖ３Ｅ１３ｃｍ-2でイオン注入しベース領域１
１４を形成する。続いて２０００Åのシリコン窒化膜１
１５を形成し、異方性エッチングで開口部側壁のみを残
し、希フッ酸でシリコン酸化膜１１１をエッチングして
ベース領域１１４を露出させる。さらに、２０００Åの
多結晶シリコン膜を形成し、ヒ素をエネルギ８０Ｋｅｖ
ドーズ量２Ｅ１６ｃｍ-2でイオン注入し、ホトレジスト
をマスクにパターニングを行いｎ+ 多結晶シリコン膜１
１６を形成する。次いで１０００℃２５秒のＲＴＡ（ラ
ピッドサーマルアニール）によりｎ+ 多結晶シリコン膜
１１６中のヒ素をベース領域１１４に導入して一部をｎ
型化しエミッタ領域１１７を形成する。これと同時に多
結晶シリコン膜中のボロンがｎ- エピタキシャル層１０
３に導入されＰ+ 単結晶シリコン１１３を形成する。
【００２３】本第二実施例では、Ｐ+ 単結晶シリコン１
１３は深さ、幅ともに狭いために、ベース領域１１４と
多結晶シリコン膜１１２の距離を縮小し微細化してベー
ス引き出しおよび寄生容量を低減することが可能とな
る。
１３は深さ、幅ともに狭いために、ベース領域１１４と
多結晶シリコン膜１１２の距離を縮小し微細化してベー
ス引き出しおよび寄生容量を低減することが可能とな
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコン半導体基板の面方位が（１１１）面に限らず（１
００）面などであっても、ベース・エミッタ部が自己整
合するバイポーラトランジスタを製造することができ、
そのために（１１１）面よりも高性能な（１００）面上
のＭＯＳトランジスタを同一基板上に有するバイポーラ
ＣＭＯＳデバイスを製造することができる効果がある。
リコン半導体基板の面方位が（１１１）面に限らず（１
００）面などであっても、ベース・エミッタ部が自己整
合するバイポーラトランジスタを製造することができ、
そのために（１１１）面よりも高性能な（１００）面上
のＭＯＳトランジスタを同一基板上に有するバイポーラ
ＣＭＯＳデバイスを製造することができる効果がある。
【図１】本発明第一実施例における製造工程を説明する
断面図。
断面図。
【図２】本発明第一実施例における製造工程を説明する
断面図。
断面図。
【図３】本発明第一実施例における製造工程を説明する
断面図。
断面図。
【図４】本発明第一実施例における製造工程を説明する
断面図。
断面図。
【図５】本発明第二実施例における製造された半導体装
置の構成を示す断面図。
置の構成を示す断面図。
【図６】従来例における製造工程を説明する断面図。
【図７】従来例における製造工程を説明する断面図。
【図８】従来例における製造工程を説明する断面図。
【図９】従来例における製造工程を説明する断面図。
１０１、２０１ Ｐ- 型シリコン半導体基板 １０２、２０２ ｎ+ 埋め込み層 １０３、２０３ ｎ- エピタキシャル層 １０４、１０５、１０９、１１１、 ２０４、２０５、２０８、２１１ シリコン酸化膜 １０６、２０７ Ｐ+ 多結晶シリコン膜 １０７、１０８、１１０、１１５、２０６ シリコン窒
化膜 １１２、２１２ 多結晶シリコン膜 １１３、２０９ Ｐ+ 単結晶シリコン １１４、２１０ ベース領域 １１６、２１３ ｎ+ 多結晶シリコン膜 １１７ ２１４ エミッタ領域
化膜 １１２、２１２ 多結晶シリコン膜 １１３、２０９ Ｐ+ 単結晶シリコン １１４、２１０ ベース領域 １１６、２１３ ｎ+ 多結晶シリコン膜 １１７ ２１４ エミッタ領域
Claims (3)
- 【請求項１】 第一の導電型不純物を含有する第一の半
導体領域上に、第一の絶縁体膜、第二の導電型不純物を
含有する第一の導電体膜、および第二の絶縁体膜を順に
積層する工程と、 エミッタ形成予定領域の前記第二の絶縁体膜および前記
第一の導電体膜をエッチング除去して開口部を形成する
工程と、 第三の絶縁体膜を全面に形成する工程と、 異方性エッチングにより前記開口部側壁に接する領域以
外の前記第三の絶縁体膜を除去する工程と、 前記第一の絶縁体膜をエッチングし前記第一導電体膜の
下部が露出する横方向の溝を形成する工程と、 酸化処理により前記第一の半導体領域の表面を酸化し第
一のシリコン酸化膜を形成する工程と、 全面に耐酸化性膜を形成する工程と、 前記横方向の内面を覆う領域以外の前記耐酸化性膜を異
方性エッチングにより除去して前記第一のシリコン酸化
膜を露出される工程と、 酸化処理により前記第一のシリコン酸化膜を通して前記
第一の半導体領域を酸化し第二のシリコン酸化膜を形成
する工程と、 前記耐酸化性膜をエッチング除去する工程と、 前記第二のシリコン酸化膜の一部を残しかつ前記第一の
シリコン酸化膜を除去する条件で酸化膜をエッチングす
る工程と、 この酸化膜のエッチッグにより露出した前記第一の半導
体領域および前記第一の導電体膜上に選択的に第二の導
電体膜を形成し前記第一の半導体領域と前記第一の導電
体膜との間をシリコンにより充填する工程と、 熱処理により前記第一の導電体膜中の第二の導電型の不
純物を前記第二の導電体膜を介して前記第一の半導体領
域に導入し第二導電型不純物を含有する第二の半導体領
域を形成する工程と、 この第二の半導体領域に囲まれる第一の半導体領域上部
に第二の導電型不純物を導入して第三の半導体領域を形
成する工程と、 絶縁膜形成および異方性エッチングにより前記第二の導
電体膜表面および前記開口側壁を第三の絶縁膜で覆う工
程と、 前記開口を介して前記第三の半導体領域上面に第一導電
型不純物を導入し第四の半導体領域を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第二導電型の第三の半導体領域形成
工程にはイオン注入法を使用する請求項１記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第二導電型の第三の半導体領域の形
成を前記第二導電型不純物を含むガラス膜より熱拡散す
ることにより行う請求項１記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23979992A JP2842075B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23979992A JP2842075B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689901A JPH0689901A (ja) | 1994-03-29 |
| JP2842075B2 true JP2842075B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17050041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23979992A Expired - Lifetime JP2842075B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2842075B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016216084B8 (de) * | 2016-08-26 | 2021-12-23 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP23979992A patent/JP2842075B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0689901A (ja) | 1994-03-29 |
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