JPH08139090A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH08139090A JPH08139090A JP30018094A JP30018094A JPH08139090A JP H08139090 A JPH08139090 A JP H08139090A JP 30018094 A JP30018094 A JP 30018094A JP 30018094 A JP30018094 A JP 30018094A JP H08139090 A JPH08139090 A JP H08139090A
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Abstract
置において、Cu層の付着力を向上させて容易に剥離す
ることのないようにする。 【構成】 シリコン基板21の表面に拡散層22を形成
し、基板表面を拡散層22上に開口を有するシリコン酸
化膜23により被覆する。この半導体基板上にTiW、
TiN等からなる拡散防止膜24を形成し、その上に、
Al、Ti等からなる付着層25、配線層の主体となる
Cu層26およびTiW、TiN等からなる酸化防止膜
27を形成する。
Description
関し、特にCuを主体とする配線層を有する半導体集積
回路装置に関するものである。
にはAlあるいはAl合金が用いられてきた。しかし、
今後微細化が一層進行した場合にはAlあるいはAl合
金では抵抗値の高さによる信号伝達速度の遅れが問題と
なり、また、マイグレーション耐性が低いため信頼性の
低下が深刻化する。そこで、比抵抗がAlの2/3と低
くかつマイグレーション耐性の高いCuがAlに代わる
配線材料として期待されている。
の半導体装置の断面図である。同図に示されるように、
シリコン基板31の表面領域には拡散層32が形成され
ており、シリコン基板31の表面はこの拡散層へのコン
タクトホールが開孔されたシリコン酸化膜33により被
覆されている。そして、拡散層31から引き出される配
線は、TiW等からなる拡散防止膜34とその上に形成
されたCu層36とによって構成されている。
層が直接シリコンと接触している場合にはCu原子がシ
リコン基板内に拡散してデバイスの特性を劣化させる。
したがって、配線層をCu系の材料により形成する場合
には、Cu層の下層に拡散防止膜を設けることが必要と
なる。
造では、Cu層は拡散防止膜との間に高い付着力が得ら
れていないので、その後のエッチング工程や熱処理によ
り簡単に剥離してしまうという問題点があり、このこと
が実用化の障壁となっている。特に、拡散防止膜の成膜
後Cu層を成膜する前に大気に触れる機会がある場合に
は拡散防止膜表面に薄い酸化膜が形成されるため、この
酸化膜により付着力は一段と低下する。
する拡散防止能力があり、かつ、Cuが強く付着するこ
とのできる材料を見いだすことであった。而して、付着
力は界面での分子の結合エネルギーと界面構造に強く依
存するが、Cuと拡散防止膜との界面における結合は多
くの場合分子間力であり、現在までのところ実用的に十
分な高い付着力を持つ材料は見つかっていない。
って、その目的は、Cuを主体とする材料を用いた低抵
抗の配線において、基板中へのCu原子の拡散を防止し
つつCuを主体とする材料層の付着力を向上させること
である。
め、本発明によれば、半導体基板上に直接または絶縁膜
を介して形成された、Cuに対する拡散防止能力の高い
材料からなる拡散防止膜と、該拡散防止膜およびCuに
対する付着力が高い材料からなる付着層と、該付着層上
に形成されたCuを主体とする材料からなる低抵抗金属
層と、を有する配線を備えたことを特徴とする半導体集
積回路装置、が提供される。
Cuと500℃以下で相互に拡散しあい、かつ酸素と結
合して不動態皮膜を形成しうる材料、すなわち、Fe、
Co、Cr、Ti、Nb、Ta、Alの中のいずれかの
材料を用いて形成される。
膜の間に付着力の強い材料を挿入した構造となってい
る。付着力は界面での分子の結合エネルギーと界面構造
に強く依存するところ、Cu層と付着層との界面では、
分子間の結合エネルギーが高くかつ両者が相互に拡散し
あっているため、高い結合力が得られる。このCuと付
着層材料との相互拡散は、通常、配線材料成膜後の半導
体製造プロセスにおいて実施される熱処理工程(例え
ば、層間絶縁膜のリフロー工程等)において実現される
ものである。
ても、Cuと拡散防止膜との界面と異なって高い分子間
結合力が得られる。そして、付着層が酸素との結合力の
強い不動態形成材料により形成されているため、たとえ
拡散防止膜上に酸化膜が形成されていても酸素を介して
拡散防止膜と強く結合されるため、高い付着力を維持す
ることができる。なお、Cu原子は付着層内を拡散する
が、付着層を拡散したCu原子は拡散防止膜で止まるた
めシリコン基板がCu原子によって汚染されることはな
い。
て説明する。図1は、本発明の第1の実施例を示す断面
図である。同図に示されるように、シリコン基板11の
表面領域内には拡散層12が形成され、シリコン基板1
1の表面は、拡散層12の一部の表面を露出させるシリ
コン酸化膜13により被覆されている。
00〜1000Åの膜厚が好ましいTiWを300Åの
膜厚に堆積して拡散防止膜14を形成した。次に、同じ
く、スパッタ法により、10〜500Åの膜厚が好まし
いAlを100Åの膜厚に堆積して付着層15を形成
し、続いて、スパッタ法により、1000〜5000Å
の膜厚が好ましいCuを3000Åの膜厚に堆積してC
u層16を形成した。
熱処理を400〜800℃で10分〜1時間行い、付着
層(Al)とCu層との間に相互拡散を生じさせて両者
間の付着力を増大させるとともに付着層(Al)と拡散
防止膜(TiW)との間の結合を強化させた。その後、
フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を適用
して所望の配線形状にパターニングした。以上により、
付着力が強くかつシリコン基板を汚染させる恐れのない
LSI用の配線構造を得ることができる。
図である。同図に示されるように、シリコン基板21の
表面領域内には拡散層22が形成され、その表面には拡
散層22上に開口を有するシリコン酸化膜23が形成さ
れている。
り、100〜1000Åの膜厚が好ましいTiNを40
0Åの膜厚に堆積して拡散防止膜24を形成した。次い
で、スパッタ法により、10〜500Åの膜厚が好まし
いTiを100Åの膜厚に堆積して付着層25を形成
し、続いて、同じくスパッタ法により、1000〜50
00Åの膜厚が好ましいCuを4000Åの膜厚に堆積
してCu層26を形成した。そして、さらにその上に反
応性スパッタ法により100〜1000Åの膜厚が好ま
しいTiNを300Åの膜厚に堆積してCuの酸化を防
止するための酸化防止膜27を形成した。
熱処理を400〜800℃で10分〜1時間行い、付着
層(Ti)とCu層との間に相互拡散を生じさせて両者
間の付着力を増大させるとともに付着層(Ti)と拡散
防止膜(TiN)との間の結合を強化させた。その後、
フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を適用
して所望の配線形状にパターニングした。以上により、
付着力が強く、シリコン基板を拡散によって汚染させる
ことがなくかつ耐酸化性の高いLSI用の配線構造を得
ることができる。
なるCu層は、純度の高いCuばかりでなく、CuにA
l、Mg、Ni、Fe、Zn、Si等の金属類が1種ま
たは複数種微量に添加されたものであってもよい。ま
た、実施例では配線層はシリコン基板と接触するものと
して示されたが、本発明による配線はそのような場合に
限定されるものではなく、ポリシリコン膜や他の配線層
と接触するものであってもよい。
TaIrのような他の高融点金属間合金や、TiWN、
TaIrSi、MoSi、WSi等の高融点金属の窒化
物または珪化物であってもよい。また、付着層として
は、AlやTiに代え、Fe、Ni、Co、Cr、N
b、Ta等の他の500℃以下でCuと相互拡散しかつ
酸素と結合して不動態皮膜を形成しうる材料を用いても
同様の効果が得られる。
ではなく、W、Ta、Nbなどの高融点金属、TiW、
TaIr等の高融点金属間合金、あるいはTiWN、T
aIrSi、MoSi、WSi等の高融点金属の窒化物
または珪化物等を用いることができる。また、これらの
拡散防止膜、付着層、Cu層、酸化防止膜は、スパッタ
法に代え、CVD法や蒸着法などを用いて成膜するよう
にすることができる。
の主体となるCu層とCu原子の拡散を防止する拡散防
止膜との間に両者に対し強い結合力を持つ付着層を介在
させるものであるので、本発明によれば、剥離すること
がなくかつ高い拡散防止能力をもつ低抵抗の配線を備え
た半導体集積回路装置を提供することができる。
図。
図。
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体基板上に直接または絶縁膜を介し
て形成された、Cuに対する拡散防止能力の高い材料か
らなる拡散防止膜と、該拡散防止膜およびCuに対する
付着力の高い材料からなる付着層と、該付着層上に形成
されたCuを主体とする材料からなる低抵抗金属層と、
を有する配線を備えたことを特徴とする半導体集積回路
装置。 - 【請求項2】 前記付着層がCuと500℃以下で相互
拡散し、かつ酸素とと結合して不動態皮膜を形成しうる
材料であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積
回路装置。 - 【請求項3】 前記拡散防止膜が、高融点金属の窒化
物、高融点金属の珪化物または高融点金属同士の合金の
中のいずれかの材料で形成されていることを特徴とする
請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項4】 前記低抵抗金属層上に酸化防止膜が形成
されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積
回路装置。 - 【請求項5】 前記酸化防止膜の材料が、高融点金属、
高融点金属の窒化物、高融点金属の珪化物または高融点
金属同士の合金のいずれかであることを特徴とする請求
項4記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6300180A JP2757796B2 (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6300180A JP2757796B2 (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08139090A true JPH08139090A (ja) | 1996-05-31 |
JP2757796B2 JP2757796B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17881709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6300180A Expired - Lifetime JP2757796B2 (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2757796B2 (ja) |
Cited By (6)
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-
1994
- 1994-11-10 JP JP6300180A patent/JP2757796B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2757796B2 (ja) | 1998-05-25 |
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