JPH03165037A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03165037A JPH03165037A JP30550689A JP30550689A JPH03165037A JP H03165037 A JPH03165037 A JP H03165037A JP 30550689 A JP30550689 A JP 30550689A JP 30550689 A JP30550689 A JP 30550689A JP H03165037 A JPH03165037 A JP H03165037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- metal wiring
- metal
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野Ｊ
本発明は、半導体装置に係わり、特に配線が多層化され
た半導体装置に関するものである。
た半導体装置に関するものである。
［従来の技術］
近年、半導体装置に高集積化にあたり、金属配線の多層
化が進んでいる。
化が進んでいる。
従来の、金属層を多層化して配線として用いた場合の構
造を第２図に示す、第２図（ａ）はその平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′における断面図である。
造を第２図に示す、第２図（ａ）はその平面図であり、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′における断面図である。
半導体基板１上に、絶縁膜２を介して金属配線３を選択
形成し、次に絶縁膜４を介して金属配線５を選択形成し
、さらに絶縁膜６を介して金属配線７を選択形成するも
のである。
形成し、次に絶縁膜４を介して金属配線５を選択形成し
、さらに絶縁膜６を介して金属配線７を選択形成するも
のである。
［発明が解決しようとする課題］
近年、半導体装置の微細化に伴い、金属配線の配線抵抗
の増大や許容電流値の減少等による信頼性面や回路性能
面への影響が深刻化している。
の増大や許容電流値の減少等による信頼性面や回路性能
面への影響が深刻化している。
しかしながら、第２図に示すような従来の構造では、前
述の課題を克服するためには金属配線の形状寸法を幅方
向に拡大させることが必要であり、結果として、半導体
装置の金属配線領域が占める割合の増大など、半導体装
置の高集積化に対する大きな問題となっていた。
述の課題を克服するためには金属配線の形状寸法を幅方
向に拡大させることが必要であり、結果として、半導体
装置の金属配線領域が占める割合の増大など、半導体装
置の高集積化に対する大きな問題となっていた。
そこで本発明は、このような問題点を解決することを目
的とする。
的とする。
半導体基板上に絶縁膜を介して選択形成された第１の配
線と、前記第１の配線の上部に絶縁膜を介して選択形成
された第２の配線とを備える半導体装置において、前記
第１の配線と第２の配線とを、電気的に接続した複層配
線として使用することを特徴とする。
線と、前記第１の配線の上部に絶縁膜を介して選択形成
された第２の配線とを備える半導体装置において、前記
第１の配線と第２の配線とを、電気的に接続した複層配
線として使用することを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
まず、第１図において、（ａ）は本発明の半導体装置の
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′での断面図である。
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′での断面図である。
半導体基板１上に、絶１ｔ１２を介してＡｌ１等の第１
の金属配線３を選択形成し、その上部に絶縁！１ｉＩ４
を介してＡｌ１等の第２の金属２１１５を選択形成する
。ここで、第１の金属配線３と第２の金属２！１ｉ１５
は、絶縁膜４に設けられた開口部８を通じて電気的に接
続されている。そこでさらに絶縁膜６を介してＡβ等の
第３の金属配線７を選択形成するものである。
の金属配線３を選択形成し、その上部に絶縁！１ｉＩ４
を介してＡｌ１等の第２の金属２１１５を選択形成する
。ここで、第１の金属配線３と第２の金属２！１ｉ１５
は、絶縁膜４に設けられた開口部８を通じて電気的に接
続されている。そこでさらに絶縁膜６を介してＡβ等の
第３の金属配線７を選択形成するものである。
次に、第３図は本発明の他の実施例であり、（ａ）はそ
の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’での断面図である
。
の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’での断面図である
。
半導体基板ｌ上に絶縁膜２を介して第１の金属２１９３
を選択形成し、次に絶縁膜４を介して第２の金属配線５
を選択形成し、さらに第２の金属配線５の上部に絶縁膜
６を介して第３の金属配線７を選択形成するものである
。ここで、第２の金属配線５と第３の金属配線７は、絶
縁膜６に設けられた開口部８を通じて電気的に接続され
ている。
を選択形成し、次に絶縁膜４を介して第２の金属配線５
を選択形成し、さらに第２の金属配線５の上部に絶縁膜
６を介して第３の金属配線７を選択形成するものである
。ここで、第２の金属配線５と第３の金属配線７は、絶
縁膜６に設けられた開口部８を通じて電気的に接続され
ている。
なお、第３図に示されるように、複層化した金属配線は
、特に第１および第２の金属配線に限定されるものでは
ない、また、複層化については用途に応じ、暦数を３層
以上とすることが可能である。また、金属配線はＡβに
限定されることなく、種々の金属が適用できる。更に、
本発明は。
、特に第１および第２の金属配線に限定されるものでは
ない、また、複層化については用途に応じ、暦数を３層
以上とすることが可能である。また、金属配線はＡβに
限定されることなく、種々の金属が適用できる。更に、
本発明は。
金属配線だけでなく多結晶シリコン配線にも適用できる
。
。
〔発明の効果１
以上説明したように１本発明によると、配線層を複層化
することによって、配線抵抗の減少や許容電流値の増大
が容易に実現できるため、配線の形状寸法を幅方向に拡
大する従来の方法に比べ、配線の占有面積を著しく削減
でき、半導体装置の高集積化に大いに有効である。
することによって、配線抵抗の減少や許容電流値の増大
が容易に実現できるため、配線の形状寸法を幅方向に拡
大する従来の方法に比べ、配線の占有面積を著しく削減
でき、半導体装置の高集積化に大いに有効である。
第１図（ａ）（ｂ）は、本発明の半導体装置の一実施例
であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
’での断面図である。第２図（ａ）（ｂ）は従来の半導
体装置であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ’での断面図である。第３図（ａ）（ｂ）は本発
明の半導体装置の他の実施例であり、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’ での断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ・第１の金属配線 ・絶縁膜 ・第２の金属配線 ・絶縁膜 ・第３の金属配線 ・開口部
であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
’での断面図である。第２図（ａ）（ｂ）は従来の半導
体装置であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ’での断面図である。第３図（ａ）（ｂ）は本発
明の半導体装置の他の実施例であり、（ａ）はその平面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’ での断面図である。 １・・・半導体基板 ２・・・絶縁膜 ・第１の金属配線 ・絶縁膜 ・第２の金属配線 ・絶縁膜 ・第３の金属配線 ・開口部
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して選択形成された第１の配
線と、前記第１の配線の上部に絶縁膜を介して選択形成
された第２の配線とを備える半導体装置において、前記
第１の配線と第２の配線とを、電気的に接続した複層配
線として使用することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30550689A JPH03165037A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30550689A JPH03165037A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165037A true JPH03165037A (ja) | 1991-07-17 |
Family
ID=17945977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30550689A Pending JPH03165037A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03165037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479053A (en) * | 1992-05-22 | 1995-12-26 | Nec Corporation | Semiconductor device with conductor clad insulator wiring |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP30550689A patent/JPH03165037A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479053A (en) * | 1992-05-22 | 1995-12-26 | Nec Corporation | Semiconductor device with conductor clad insulator wiring |
| US5592023A (en) * | 1992-05-22 | 1997-01-07 | Nec Corporation | Semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03165037A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02183536A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2738145B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02161755A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2873696B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0661288A (ja) | 半導体集積回路の配線方法 | |
| JPH04188753A (ja) | 多層配線半導体装置 | |
| JPH0719778B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2000164696A (ja) | 多層配線構造 | |
| JP2697345B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS62104052A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62104138A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6043845A (ja) | 多層配線部材の製造方法 | |
| JPS59117236A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02102535A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH02192145A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0521426A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0693455B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH06112407A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0922910A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS594051A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH0467656A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5986245A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60111442A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0555392A (ja) | 半導体装置 |