JPS60111442A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60111442A JPS60111442A JP21995783A JP21995783A JPS60111442A JP S60111442 A JPS60111442 A JP S60111442A JP 21995783 A JP21995783 A JP 21995783A JP 21995783 A JP21995783 A JP 21995783A JP S60111442 A JPS60111442 A JP S60111442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer wiring
- wiring
- insulating film
- lower layer
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、特に多層配線が施された半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
一般に、半導体装置、特に高集積度の集積回路において
は、配線電極金属の半導体チップの表面積に占める面積
比率を小さくシ、更に複雑な配線の交差、接続、絶縁の
設計を簡単にする為に多層配線技術が利用されている。
は、配線電極金属の半導体チップの表面積に占める面積
比率を小さくシ、更に複雑な配線の交差、接続、絶縁の
設計を簡単にする為に多層配線技術が利用されている。
半導体装置で容易に利用できる電極材料はアルミニウム
や金であるが、一般的にこれら電極材料は機械的にやわ
らかく、又通常、電極配線は数μｍ〜数十μｍと微細で
ある為に、半導体チップを取り扱う際にキズを付けやす
く、配線の断線や隣接する配線間のショートをまねき易
い。この不都合を避ける為、配線電極の上部に配線保護
を目的として電極保護膜を設けることが通常である。
や金であるが、一般的にこれら電極材料は機械的にやわ
らかく、又通常、電極配線は数μｍ〜数十μｍと微細で
ある為に、半導体チップを取り扱う際にキズを付けやす
く、配線の断線や隣接する配線間のショートをまねき易
い。この不都合を避ける為、配線電極の上部に配線保護
を目的として電極保護膜を設けることが通常である。
第１図および第２図に従来の多層配線構造を示す。下層
配線１が設けられた後に、上層配線２と下層配線１とを
電気的機械的に接続する目的で配線分離膜４に開孔３を
下層配線１の直上に設け、しかる後に上層配線２を公知
の蒸着法やスバ、ター法と、ホトリソグラフィー技術を
用いて作る。
配線１が設けられた後に、上層配線２と下層配線１とを
電気的機械的に接続する目的で配線分離膜４に開孔３を
下層配線１の直上に設け、しかる後に上層配線２を公知
の蒸着法やスバ、ター法と、ホトリソグラフィー技術を
用いて作る。
下層配線１は半導体基板６の上に設けられた酸化膜等の
絶縁膜５上に形成される。多層配線間の絶縁の為に、配
線層間絶縁膜４が設けられ、前述のように下層配線１の
直上の配線層間絶縁膜４に開孔し、上層配線２を作シ、
前記開孔部位で下層配線１と上層配線２が接続されてい
る。そして、電極保護膜７が形成されている。
絶縁膜５上に形成される。多層配線間の絶縁の為に、配
線層間絶縁膜４が設けられ、前述のように下層配線１の
直上の配線層間絶縁膜４に開孔し、上層配線２を作シ、
前記開孔部位で下層配線１と上層配線２が接続されてい
る。そして、電極保護膜７が形成されている。
このような構成では、保護膜７と配線層間絶縁膜４およ
び半導体基板６との熱膨張係数の差異により、下層配線
１と上層配線２が半導体装置生産工程の熱処理の為に剥
離したす、電気接続抵抗が増大するという不都合があっ
た。又、従来技術では下層配線１と上層配線２は下層配
線１の一主面のみで接続されている為に接続の機械的強
度が弱く電気接続抵抗が大きいという不都合があった。
び半導体基板６との熱膨張係数の差異により、下層配線
１と上層配線２が半導体装置生産工程の熱処理の為に剥
離したす、電気接続抵抗が増大するという不都合があっ
た。又、従来技術では下層配線１と上層配線２は下層配
線１の一主面のみで接続されている為に接続の機械的強
度が弱く電気接続抵抗が大きいという不都合があった。
本発明は何ら製造工程を増加させることなく、各配線間
の接続強度の増大と電気接続抵抗の減少化、安定化を目
的とするものである。
の接続強度の増大と電気接続抵抗の減少化、安定化を目
的とするものである。
本発明は、下層配線層の上面および側面の双方の一部が
露出するように開孔を設けたことを特徴とする。以下、
実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
露出するように開孔を設けたことを特徴とする。以下、
実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
第３図、第４図は本発明の一実施例の平面図である。基
板６上の絶縁膜５上に下層配線１を設けた後に、配線間
絶縁膜４が形成される。この後、上層配線２と下層配線
１とを接続する為のコンタクト開孔であって下層配線１
の側面および表面の一部が露出するように下層配線１の
巾よりも広い幅を有するコンタクト開孔３が配線分離膜
４に形成される。然る後に、上層配線２を通常の蒸着法
やスバ、り法で設ける。− 上記の様にすることにより、上層配線２は、コンタクト
穴３によって下層配線１の二側面と一主面で接続される
。よって、接続面積が増大して接続強度が増大し、さら
に電気接続抵抗が減少する。
板６上の絶縁膜５上に下層配線１を設けた後に、配線間
絶縁膜４が形成される。この後、上層配線２と下層配線
１とを接続する為のコンタクト開孔であって下層配線１
の側面および表面の一部が露出するように下層配線１の
巾よりも広い幅を有するコンタクト開孔３が配線分離膜
４に形成される。然る後に、上層配線２を通常の蒸着法
やスバ、り法で設ける。− 上記の様にすることにより、上層配線２は、コンタクト
穴３によって下層配線１の二側面と一主面で接続される
。よって、接続面積が増大して接続強度が増大し、さら
に電気接続抵抗が減少する。
更にまた、下層配線１の側面と主面の稜線部は蒸着法や
スパッタ法で上層配線２を作る時の配線材料の付着核と
なり強固な接続が得られる部分となる。この為、接続面
積の増加による接続強度の増大値以上の効果が得られる
。更に下層配線１の側面を囲む様に上層配線２が設けら
れている為、電極保護膜７と配線層間絶縁膜４および半
導体基板６との熱膨張係数の差異により半導体装置製造
工程での熱処理の為に各層配線が剥離したり電気接続抵
抗が増大するといった不都合が解決される。
スパッタ法で上層配線２を作る時の配線材料の付着核と
なり強固な接続が得られる部分となる。この為、接続面
積の増加による接続強度の増大値以上の効果が得られる
。更に下層配線１の側面を囲む様に上層配線２が設けら
れている為、電極保護膜７と配線層間絶縁膜４および半
導体基板６との熱膨張係数の差異により半導体装置製造
工程での熱処理の為に各層配線が剥離したり電気接続抵
抗が増大するといった不都合が解決される。
第３図、第４図で示した実施例では下層配線１と上層配
線２が直交する場合であった。
線２が直交する場合であった。
第５図に各層配線が並行する場合の実施例を示す。下層
配線１を設けた後、配線層間絶縁膜に下層配線１の巾よ
り大きく開孔３を設け、少くとも開孔３の部位では下層
配線１の側面を囲む様に上層配線２を設ける。第２の実
施例でも第１の実施例で説明した効果が得られることは
明らかである。
配線１を設けた後、配線層間絶縁膜に下層配線１の巾よ
り大きく開孔３を設け、少くとも開孔３の部位では下層
配線１の側面を囲む様に上層配線２を設ける。第２の実
施例でも第１の実施例で説明した効果が得られることは
明らかである。
第３の実施例を第６図に示す。下層配線１を設けた後、
配線層間絶縁膜に開孔３を下層配線１の少くとも一側面
が露出する様に設けた後、上層配線２を設ける。本実施
例でも第１の実施例で説明した効果が得られることは明
らかである。
配線層間絶縁膜に開孔３を下層配線１の少くとも一側面
が露出する様に設けた後、上層配線２を設ける。本実施
例でも第１の実施例で説明した効果が得られることは明
らかである。
説明は２層を例として行なったが、３層以上の多層配線
でも本発明の範囲を逸脱するものではない０
でも本発明の範囲を逸脱するものではない０
第１図は従来装置の一例を示す概略平面図、第２図はそ
の横断面図、第３図は本発明の好ましい一実施例を示す
概略平面図、第４図はその横断面図、第５図および第６
図は夫々本発明の好ましい他の実施例を示す平面図であ
る。 ＝ ５− １・・・・・・下層配線、２・・・・・・上層配線、３
・・・・・・開孔、４・・・・・・配線層間絶縁膜、訃
・・・・・絶縁膜、６・・・・・・半導体基板、７・・
・・・・配線保護膜。 ６−
の横断面図、第３図は本発明の好ましい一実施例を示す
概略平面図、第４図はその横断面図、第５図および第６
図は夫々本発明の好ましい他の実施例を示す平面図であ
る。 ＝ ５− １・・・・・・下層配線、２・・・・・・上層配線、３
・・・・・・開孔、４・・・・・・配線層間絶縁膜、訃
・・・・・絶縁膜、６・・・・・・半導体基板、７・・
・・・・配線保護膜。 ６−
Claims (1)
- 多層配線が施された半導体装置において、上層配線は下
層配線の上面および側面それぞれの一部と接続されてい
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21995783A JPS60111442A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21995783A JPS60111442A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111442A true JPS60111442A (ja) | 1985-06-17 |
Family
ID=16743684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21995783A Pending JPS60111442A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354637A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線の接続構造及び配線の接続部の形成方法 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP21995783A patent/JPS60111442A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354637A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線の接続構造及び配線の接続部の形成方法 |
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