JPS59169154A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59169154A JPS59169154A JP4489383A JP4489383A JPS59169154A JP S59169154 A JPS59169154 A JP S59169154A JP 4489383 A JP4489383 A JP 4489383A JP 4489383 A JP4489383 A JP 4489383A JP S59169154 A JPS59169154 A JP S59169154A
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- Japan
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- aluminum
- wiring
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- windows
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ＋ 発明の技術分野
本発明は半導体装置のうち、特に接続電極の構造に関す
る。
る。
（ｂ） 従来技術と問題点
周知のように半導体装置は高密度化されて、半導体集積
回路（ＩＣ）はＬＳＩ、ＶＬＳＩと益々高度に集積化さ
れてきた。従って、半導体素子間の電極配線は多層化さ
れ、また素子を多層に槓み上げる立体構造の集積回路も
検討されている。
回路（ＩＣ）はＬＳＩ、ＶＬＳＩと益々高度に集積化さ
れてきた。従って、半導体素子間の電極配線は多層化さ
れ、また素子を多層に槓み上げる立体構造の集積回路も
検討されている。
このような半導体装置において、電極配線は信頼性上欠
くことのできない問題で、断線や短絡の生しない形成法
が必要である。古くより絶縁膜に電極窓を開ける場合、
エツチングなどに方策を加えて窓側面を滑らかにし、そ
の上に配線を形成して電極配線の断線を防く方法が採ら
れてきた。しかし、最近の微細なパターンではこのよう
な方策が困難になっており、また一方では微細化した電
極窓に十分ステソプカハレージの良い電極膜が被着でき
るようになったため断線の心配も少なくなって、現在は
電極を窓あけした後そのまま電極を被着する方法が採ら
れている。
くことのできない問題で、断線や短絡の生しない形成法
が必要である。古くより絶縁膜に電極窓を開ける場合、
エツチングなどに方策を加えて窓側面を滑らかにし、そ
の上に配線を形成して電極配線の断線を防く方法が採ら
れてきた。しかし、最近の微細なパターンではこのよう
な方策が困難になっており、また一方では微細化した電
極窓に十分ステソプカハレージの良い電極膜が被着でき
るようになったため断線の心配も少なくなって、現在は
電極を窓あけした後そのまま電極を被着する方法が採ら
れている。
第１図はこのような電極配線構造の一例を示す断面図で
、Ｐ型半導体基板１上のＮ型領域２に第１層のアルミニ
ウム電極３を形成し、燐シリケートガラス（ＰＳＧ）膜
４を被着し電極接続窓５を窓あけして、その上に第２層
のアルミニウム配線６が形成されている。
、Ｐ型半導体基板１上のＮ型領域２に第１層のアルミニ
ウム電極３を形成し、燐シリケートガラス（ＰＳＧ）膜
４を被着し電極接続窓５を窓あけして、その上に第２層
のアルミニウム配線６が形成されている。
その寸法は、例えば第１層のアルミニウム電極は６μｍ
角、電極窓の直径は２．５μｍ、アルミニウム膜の膜厚
は約１μｍ、ＰＳＧ膜の膜厚は約数１０００人程度であ
る。しかし、第２層のアルミニウム配線６をスパッタ法
で被着する際に電極窓の側面Ｓ底部から不連続線りが生
じ、動作中にその部分に亀裂が現れて断線に至る事故を
起こす場合がある。これを防止するには、アルミニウム
配線５を形成した後に高温メルトすれば良いが、高温度
に熔融すれば電極窓の側面Ｓ上部でアルミニウム配線の
厚さが薄くなって、その位置でまた断線の心配があるか
ら迂閏に高温メルトはできない。
角、電極窓の直径は２．５μｍ、アルミニウム膜の膜厚
は約１μｍ、ＰＳＧ膜の膜厚は約数１０００人程度であ
る。しかし、第２層のアルミニウム配線６をスパッタ法
で被着する際に電極窓の側面Ｓ底部から不連続線りが生
じ、動作中にその部分に亀裂が現れて断線に至る事故を
起こす場合がある。これを防止するには、アルミニウム
配線５を形成した後に高温メルトすれば良いが、高温度
に熔融すれば電極窓の側面Ｓ上部でアルミニウム配線の
厚さが薄くなって、その位置でまた断線の心配があるか
ら迂閏に高温メルトはできない。
従って、信頼性の高い電極配線の形成に問題がある。
（Ｃ） 発明の目的
本発明は、かような問題点を解消して、高信頼化した電
極配線層を有する半導体装置を提案するものである。
極配線層を有する半導体装置を提案するものである。
（ｄｌ 発明の構成
その目的は、第１の配線層と第２の配線層と、両者を絶
縁する絶縁層とを有し、該第２の配線層はその膜厚の２
倍またはそれ以下の直径をもった複数個の接続孔を介し
て該第１の配線層と接続されている半導体装置によって
達成される。
縁する絶縁層とを有し、該第２の配線層はその膜厚の２
倍またはそれ以下の直径をもった複数個の接続孔を介し
て該第１の配線層と接続されている半導体装置によって
達成される。
ｔｅｌ 発明の実施例
以下５図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明にがかる一実施例の断面図で、電極接続
窓７が２個図示されている。実際は、第３図の平面図（
第２図は第３図のＡＡ断面図）に示すように４個の電極
接続窓７が設けである。
窓７が２個図示されている。実際は、第３図の平面図（
第２図は第３図のＡＡ断面図）に示すように４個の電極
接続窓７が設けである。
ところで、第１図で説明した従来例の電極接続窓５の直
径は２．５μｍで、その面積はπ×（２，５／ ２ ）
平方μｍ＝４．９平方μｍである。今、電極接続窓７の
直径を１．３μｍにすれば１個の電極接続窓７の面積は
πＸ （１，３／２）平方μｍ−１，３２平方μｍとな
り、４個の電極接続窓７の合計面頂は１．３２Ｘ４平方
μｍ＝５．３平方μｍとなって上記第１図の電極接続窓
５の面積に匹敵する。
径は２．５μｍで、その面積はπ×（２，５／ ２ ）
平方μｍ＝４．９平方μｍである。今、電極接続窓７の
直径を１．３μｍにすれば１個の電極接続窓７の面積は
πＸ （１，３／２）平方μｍ−１，３２平方μｍとな
り、４個の電極接続窓７の合計面頂は１．３２Ｘ４平方
μｍ＝５．３平方μｍとなって上記第１図の電極接続窓
５の面積に匹敵する。
そうすれば配線６の電流容量は変わらず、本発明はこの
ように電流容量を変えずに１個の電極接続窓と同面積の
複数の電極接続窓を設けるものである。このような構造
にすると、アルミニウム配線を被着する時、例えば膜厚
１μｍのアルミニウムをステンプカハレージの良い被着
法で被着すれば電極接続窓７は完全に埋められて窓内に
凹部分がなくなる。第４図は被着工程の途中図であるが
、図示のようにアルミニウム６Ａは電極接続窓の底部だ
けでなく、側面Ｓからもアルミニウム膜が堆積するから
、電極接続窓の半径がアルミニウム膜厚と同じか、又は
それ以下なれば電極接続窓は埋没される。
ように電流容量を変えずに１個の電極接続窓と同面積の
複数の電極接続窓を設けるものである。このような構造
にすると、アルミニウム配線を被着する時、例えば膜厚
１μｍのアルミニウムをステンプカハレージの良い被着
法で被着すれば電極接続窓７は完全に埋められて窓内に
凹部分がなくなる。第４図は被着工程の途中図であるが
、図示のようにアルミニウム６Ａは電極接続窓の底部だ
けでなく、側面Ｓからもアルミニウム膜が堆積するから
、電極接続窓の半径がアルミニウム膜厚と同じか、又は
それ以下なれば電極接続窓は埋没される。
従って、４００〜５００°Ｃの高温度でメルトしても電
極接続窓の側面上部で断線する心配がなくなり、高温メ
ルトによりアルミニウム膜の不連続線をなくすることが
できる。更に、上面の凹凸も少な（なって平坦化される
利点もある。
極接続窓の側面上部で断線する心配がなくなり、高温メ
ルトによりアルミニウム膜の不連続線をなくすることが
できる。更に、上面の凹凸も少な（なって平坦化される
利点もある。
上記は４個の電極接続窓を設けた実施例であるが、電極
接続窓の半径がアルミニウム膜厚と同しか、又はそれ以
下、換言すれば電極接続窓の直径がアルミニウム膜厚の
２倍またはそれ以下であれば電極接続窓を埋めることが
できる。本発明は上記のように窓の数量を配線膜厚と窓
面積から計算して決めるものである。
接続窓の半径がアルミニウム膜厚と同しか、又はそれ以
下、換言すれば電極接続窓の直径がアルミニウム膜厚の
２倍またはそれ以下であれば電極接続窓を埋めることが
できる。本発明は上記のように窓の数量を配線膜厚と窓
面積から計算して決めるものである。
（［１発明の効果
−以上の説明から判るように、本発明は動作中に断線の
怨れのない電極配線構造をもった半導体装置であるから
、ＩＣの信頼性向上に大きく寄与することができる。
怨れのない電極配線構造をもった半導体装置であるから
、ＩＣの信頼性向上に大きく寄与することができる。
第１図は従来の電極配線の断面図、第２図は本発明にか
かる電極配線の断面図、第３図はその平面図、第４図は
本発明の工程途中図である。 図中、■は半導体基板、３は第１層のアルミニウム電極
、４はＰＳＧ膜、５は従来の電極接続窓。 ６は第２層のアルミニウム配線、７は本発明の電極接続
窓を示している。
かる電極配線の断面図、第３図はその平面図、第４図は
本発明の工程途中図である。 図中、■は半導体基板、３は第１層のアルミニウム電極
、４はＰＳＧ膜、５は従来の電極接続窓。 ６は第２層のアルミニウム配線、７は本発明の電極接続
窓を示している。
Claims (1)
- 第１の配線層と第２の配線層と、両者を絶縁する絶縁層
とを有し、該第２の配線層はその膜厚の２倍またはそれ
以下の直径をもった複数個の接続孔を介して該第１の配
線層と接続されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4489383A JPS59169154A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4489383A JPS59169154A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169154A true JPS59169154A (ja) | 1984-09-25 |
| JPH0578180B2 JPH0578180B2 (ja) | 1993-10-28 |
Family
ID=12704158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4489383A Granted JPS59169154A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169154A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62501112A (ja) * | 1984-11-30 | 1987-04-30 | ロ−ベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 金属化被覆を有する半導体装置 |
| JPS63283042A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子 |
| JPH02187051A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH05267470A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2006229212A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| US10090352B2 (en) | 2012-05-31 | 2018-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105991A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Mamufacture of semiconductor device |
| JPS5567153A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-21 | Nec Corp | Preparation of semiconductor device |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP4489383A patent/JPS59169154A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53105991A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Mamufacture of semiconductor device |
| JPS5567153A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-21 | Nec Corp | Preparation of semiconductor device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62501112A (ja) * | 1984-11-30 | 1987-04-30 | ロ−ベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 金属化被覆を有する半導体装置 |
| JPS63283042A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子 |
| JPH02187051A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH05267470A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 集積回路装置およびその製造方法 |
| JP2006229212A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| US10090352B2 (en) | 2012-05-31 | 2018-10-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578180B2 (ja) | 1993-10-28 |
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