JPH08162531A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JPH08162531A JPH08162531A JP30053794A JP30053794A JPH08162531A JP H08162531 A JPH08162531 A JP H08162531A JP 30053794 A JP30053794 A JP 30053794A JP 30053794 A JP30053794 A JP 30053794A JP H08162531 A JPH08162531 A JP H08162531A
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- refractory metal
- layer
- sputtering
- metal nitride
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部応力が低減されたＴｉＮ等の高融点金属
窒化物層を、反応性スパッタリングにより形成する配線
形成方法を提供する。 【構成】 反応性スパッタリング中に、Ｎ2 等のＮ系ガ
スを段階的に増加する。形成される高融点金属窒化物層
５は、メタリックモードの第１の高融点金属窒化物層５
ａと、ナイトライドモードの第２の高融点金属窒化物層
５ｂが積層された構造を有する。Ｎ系ガスは連続的に増
加してもよい。 【効果】 圧縮応力を持つ第１の高融点金属窒化物層５
ａと、引張り応力を持つ第２の高融点金属窒化物層５ｂ
の応力が相殺しあい、高融点金属窒化物層５の実質的な
膜応力はゼロとなる。このためクラックや剥離のない、
信頼性の高い配線形成方法が実現される。
窒化物層を、反応性スパッタリングにより形成する配線
形成方法を提供する。 【構成】 反応性スパッタリング中に、Ｎ2 等のＮ系ガ
スを段階的に増加する。形成される高融点金属窒化物層
５は、メタリックモードの第１の高融点金属窒化物層５
ａと、ナイトライドモードの第２の高融点金属窒化物層
５ｂが積層された構造を有する。Ｎ系ガスは連続的に増
加してもよい。 【効果】 圧縮応力を持つ第１の高融点金属窒化物層５
ａと、引張り応力を持つ第２の高融点金属窒化物層５ｂ
の応力が相殺しあい、高融点金属窒化物層５の実質的な
膜応力はゼロとなる。このためクラックや剥離のない、
信頼性の高い配線形成方法が実現される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造分野
で適用される配線形成方法に関し、更に詳しくは、Ｔｉ
Ｎ等の高融点金属窒化物層を反応性スパッタリングによ
り形成する工程を有する配線形成方法に関する。
で適用される配線形成方法に関し、更に詳しくは、Ｔｉ
Ｎ等の高融点金属窒化物層を反応性スパッタリングによ
り形成する工程を有する配線形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置の高集積度化、高
性能化が進展するに伴い、半導体チップ上では配線部分
が占有する面積の割合が増加する傾向にある。これによ
る半導体チップ面積の増大を避けるためには、コンタク
ト電極による層間接続を用いた多層配線が必須のプロセ
スとなっている。すなわち、半導体基板や下層配線上の
層間絶縁膜に接続孔を開口し、ここに上層配線を形成し
て上下各配線層間のオーミックコンタクトを得る方法で
ある。層間接続の構造や形成方法は、半導体装置のデザ
インルールの微細化に伴い、信頼性確保の観点から複雑
なものとなりつつある。
性能化が進展するに伴い、半導体チップ上では配線部分
が占有する面積の割合が増加する傾向にある。これによ
る半導体チップ面積の増大を避けるためには、コンタク
ト電極による層間接続を用いた多層配線が必須のプロセ
スとなっている。すなわち、半導体基板や下層配線上の
層間絶縁膜に接続孔を開口し、ここに上層配線を形成し
て上下各配線層間のオーミックコンタクトを得る方法で
ある。層間接続の構造や形成方法は、半導体装置のデザ
インルールの微細化に伴い、信頼性確保の観点から複雑
なものとなりつつある。
【０００３】その一例として、半導体基板や多結晶シリ
コン配線上に形成する、上層配線としてのＡｌ系金属配
線である。とりわけＳｉ等の半導体基板は、能動層とし
ての不純物拡散層が薄くなる傾向にあり、半導体基板へ
のＡｌの拡散によるアロイピットによるリークが問題と
なる。このため、Ａｌ系金属配線の下部にＴｉＮ層やＴ
ｉ／ＴｉＮ積層等によるバリアメタル層を形成する必要
がある。この場合、Ｔｉ層が下層、ＴｉＮ層が上層であ
る。また上層配線の微細化により、エレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションによる断線が発生
した場合を補償する、冗長層としての機能を、バリアメ
タル層が担っている。
コン配線上に形成する、上層配線としてのＡｌ系金属配
線である。とりわけＳｉ等の半導体基板は、能動層とし
ての不純物拡散層が薄くなる傾向にあり、半導体基板へ
のＡｌの拡散によるアロイピットによるリークが問題と
なる。このため、Ａｌ系金属配線の下部にＴｉＮ層やＴ
ｉ／ＴｉＮ積層等によるバリアメタル層を形成する必要
がある。この場合、Ｔｉ層が下層、ＴｉＮ層が上層であ
る。また上層配線の微細化により、エレクトロマイグレ
ーションやストレスマイグレーションによる断線が発生
した場合を補償する、冗長層としての機能を、バリアメ
タル層が担っている。
【０００４】他の例として、上層配線としてブランケッ
トＣＶＤ等によるＷ金属を採用する場合でる。これは接
続孔の微細化、高アスペクト比化に対処するため、ステ
ップカバレッジに優れたブランケットＣＶＤによりＷ等
を接続孔内に埋め込むものである。しかしブランケット
ＣＶＤによるＷ層は膜の内部応力が大きく、下地の層間
絶縁膜や下層配線との密着性に乏しい。このため、やは
りＴｉ／ＴｉＮ積層等による密着層を高融点金属層の下
部に形成しておく方法が採用される。
トＣＶＤ等によるＷ金属を採用する場合でる。これは接
続孔の微細化、高アスペクト比化に対処するため、ステ
ップカバレッジに優れたブランケットＣＶＤによりＷ等
を接続孔内に埋め込むものである。しかしブランケット
ＣＶＤによるＷ層は膜の内部応力が大きく、下地の層間
絶縁膜や下層配線との密着性に乏しい。このため、やは
りＴｉ／ＴｉＮ積層等による密着層を高融点金属層の下
部に形成しておく方法が採用される。
【０００５】通常、Ｔｉ層やＴｉＮ層を形成するには、
Ｔｉ金属をターゲット材料としたスパッタリングや、反
応性スパッタリングが行われる。中でもスパッタリング
粒子の垂直入射成分を高めたコリメーション・スパッタ
リングが注目されている。この方法の概略を図４および
図５（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
Ｔｉ金属をターゲット材料としたスパッタリングや、反
応性スパッタリングが行われる。中でもスパッタリング
粒子の垂直入射成分を高めたコリメーション・スパッタ
リングが注目されている。この方法の概略を図４および
図５（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【０００６】図４はコリメーション・スパッタリング装
置の一構成例を示す概略断面図である。スパッタリング
チャンバ１４内の基板ステージ１２上に載置された被処
理基板１１に対向して、Ｔｉ金属材料からなるターゲッ
ト１３を配置し、ガス導入孔（図示せず）からＡｒやＮ
2 等のガスを導入し、スパッタリングチャンバ１４内を
所定の減圧雰囲気にした後、被処理基板１１とターゲッ
ト１３の間にＤＣやＲＦのスパッタリング電力を印加す
る。ターゲットからスパッタされたＴｉは、被処理基板
１１とターゲット１３の中間位置に配設されたコリメー
タ１５を通過してそのままＴｉ金属として、あるいはＮ
2 と反応してＴｉＮとなり被処理基板１１上に堆積す
る。ターゲット１３の背面に回転磁界を発生する磁石を
配設し、マグネトロンスパッタリング装置としてもよ
い。コリメータ１５は、被処理基板１１の表面に対し垂
直の方向に、多数の微細貫通孔が高開口率に開口した構
造を有する多孔板であり、被処理基板への垂直入射粒子
成分を増大する、セラミクスや金属からなる部材であ
る。なお同図では、真空ポンプや基板加熱機構等の細部
は図示を省略する。
置の一構成例を示す概略断面図である。スパッタリング
チャンバ１４内の基板ステージ１２上に載置された被処
理基板１１に対向して、Ｔｉ金属材料からなるターゲッ
ト１３を配置し、ガス導入孔（図示せず）からＡｒやＮ
2 等のガスを導入し、スパッタリングチャンバ１４内を
所定の減圧雰囲気にした後、被処理基板１１とターゲッ
ト１３の間にＤＣやＲＦのスパッタリング電力を印加す
る。ターゲットからスパッタされたＴｉは、被処理基板
１１とターゲット１３の中間位置に配設されたコリメー
タ１５を通過してそのままＴｉ金属として、あるいはＮ
2 と反応してＴｉＮとなり被処理基板１１上に堆積す
る。ターゲット１３の背面に回転磁界を発生する磁石を
配設し、マグネトロンスパッタリング装置としてもよ
い。コリメータ１５は、被処理基板１１の表面に対し垂
直の方向に、多数の微細貫通孔が高開口率に開口した構
造を有する多孔板であり、被処理基板への垂直入射粒子
成分を増大する、セラミクスや金属からなる部材であ
る。なお同図では、真空ポンプや基板加熱機構等の細部
は図示を省略する。
【０００７】このコリメーション・スパッタリング装置
を用いて、接続孔が形成された被処理基板上にＴｉ層お
よびＴｉＮ層を形成するプロセスを図６（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。まず、不純物拡散層（図示せず）
等の能動素子が形成されたＳｉ等の半導体基板１上にＳ
ｉＯ2 等からなる１μｍの厚さの層間絶縁膜２を形成
し、不純物拡散層に臨む０．３５μｍ径の接続孔３を開
口する。次にこの被処理基板を１５０℃に加熱した基板
ステージ１１上に載置し、Ａｒを４０ｓｃｃｍ、チャン
バ内圧力０．６７Ｐａ、ＤＣスパッタリング電力１０ｋ
ｗのスパッタリング条件で高融点金属層４を２０ｎｍ形
成して図６（ｂ）に示す状態とする。つぎにＮ2 を５０
ｓｃｃｍ追加して導入した他は同じスパッタリング条件
で、高融点金属窒化物層５を５０ｎｍ形成する。この状
態を図６（ｃ）に示す。なお同図において、破線に囲ま
れた部分を図５（ｄ）に示す。高融点金属窒化物層５は
その膜厚方向に均一な組成を有する。高融点金属窒化物
層５は内部応力が可及的に小さい状態に形成することが
好ましいが、反応性スパッタリングにおいてこの要求を
満たすプロセスウィンドウは狭く、実際には膜応力が蓄
積された状態で成膜される。この問題は後に図３を参照
して詳しく説明する。
を用いて、接続孔が形成された被処理基板上にＴｉ層お
よびＴｉＮ層を形成するプロセスを図６（ａ）〜（ｄ）
を参照して説明する。まず、不純物拡散層（図示せず）
等の能動素子が形成されたＳｉ等の半導体基板１上にＳ
ｉＯ2 等からなる１μｍの厚さの層間絶縁膜２を形成
し、不純物拡散層に臨む０．３５μｍ径の接続孔３を開
口する。次にこの被処理基板を１５０℃に加熱した基板
ステージ１１上に載置し、Ａｒを４０ｓｃｃｍ、チャン
バ内圧力０．６７Ｐａ、ＤＣスパッタリング電力１０ｋ
ｗのスパッタリング条件で高融点金属層４を２０ｎｍ形
成して図６（ｂ）に示す状態とする。つぎにＮ2 を５０
ｓｃｃｍ追加して導入した他は同じスパッタリング条件
で、高融点金属窒化物層５を５０ｎｍ形成する。この状
態を図６（ｃ）に示す。なお同図において、破線に囲ま
れた部分を図５（ｄ）に示す。高融点金属窒化物層５は
その膜厚方向に均一な組成を有する。高融点金属窒化物
層５は内部応力が可及的に小さい状態に形成することが
好ましいが、反応性スパッタリングにおいてこの要求を
満たすプロセスウィンドウは狭く、実際には膜応力が蓄
積された状態で成膜される。この問題は後に図３を参照
して詳しく説明する。
【０００８】この後被処理基板をＣＶＤチャンバに搬送
し、ブランケットＣＶＤによりＷ層６を全面に形成して
図５（ｄ）の状態とする。Ｗ層６、高融点金属窒化物層
５および高融点金属層を所望の形状にパターニングして
上層配線を完成する。なおＷ層６に替えてＡｌ系金属層
を高温スパッタリング等により全面に形成してもよい。
し、ブランケットＣＶＤによりＷ層６を全面に形成して
図５（ｄ）の状態とする。Ｗ層６、高融点金属窒化物層
５および高融点金属層を所望の形状にパターニングして
上層配線を完成する。なおＷ層６に替えてＡｌ系金属層
を高温スパッタリング等により全面に形成してもよい。
【０００９】ステップカバレッジに優れたコリメーショ
ン・スパッタリングにおいても、実プロセスにおいては
スパッタリングのバッチ回数を重ねると、コリメータに
スパッタリング粒子が付着し、付着層の厚さが増大して
くる。このためコリメータの開口率が低下し、成膜速度
の低下や、膜剥がれによるパーティクル汚染の問題があ
る。本願出願人は先に出願した特開平５−３２６４２６
号公報において、コリメータの開口形状やコリメータへ
のＲＦバイアス印加等の手段によりこれらの問題を解決
する方法を開示した。
ン・スパッタリングにおいても、実プロセスにおいては
スパッタリングのバッチ回数を重ねると、コリメータに
スパッタリング粒子が付着し、付着層の厚さが増大して
くる。このためコリメータの開口率が低下し、成膜速度
の低下や、膜剥がれによるパーティクル汚染の問題があ
る。本願出願人は先に出願した特開平５−３２６４２６
号公報において、コリメータの開口形状やコリメータへ
のＲＦバイアス印加等の手段によりこれらの問題を解決
する方法を開示した。
【００１０】この他にも成膜速度の低下を補うため、Ａ
ｒ＋Ｎ2 混合ガスにより高融点金属窒化物層を反応性ス
パッタリングする際にＮ2 の流量または流量比を小さく
し、成膜速度を向上させる試みがある。この方法はメタ
リックモードと呼称され、高融点金属窒化物層中の金属
成分が多く、当然シート抵抗も小さい上に対酸化性にも
優れる。しかしながら、この方法により得られる膜は圧
縮応力が大きく、クラックの発生や下地層との密着性の
低下という別の問題がある。またコリメータに付着する
問題の解決手段とはならない。
ｒ＋Ｎ2 混合ガスにより高融点金属窒化物層を反応性ス
パッタリングする際にＮ2 の流量または流量比を小さく
し、成膜速度を向上させる試みがある。この方法はメタ
リックモードと呼称され、高融点金属窒化物層中の金属
成分が多く、当然シート抵抗も小さい上に対酸化性にも
優れる。しかしながら、この方法により得られる膜は圧
縮応力が大きく、クラックの発生や下地層との密着性の
低下という別の問題がある。またコリメータに付着する
問題の解決手段とはならない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した諸問
題点を解決するために提案するものであり、反応性スパ
ッタリングにより高融点金属窒化物層を含む配線を形成
するにあたり、この高融点金属窒化物層の内部応力を低
減し、クラックや膜剥離がなく、低抵抗でオーミック性
に優れた配線形成方法を提供することを課題とする。
題点を解決するために提案するものであり、反応性スパ
ッタリングにより高融点金属窒化物層を含む配線を形成
するにあたり、この高融点金属窒化物層の内部応力を低
減し、クラックや膜剥離がなく、低抵抗でオーミック性
に優れた配線形成方法を提供することを課題とする。
【００１２】また本発明の別の課題は、成膜速度を低下
することなく上述した課題を達成し、スループットに優
れた配線形成方法を提供することである。本発明の上記
以外の課題は、本願明細書および添付図面の説明により
明らかにされる。
することなく上述した課題を達成し、スループットに優
れた配線形成方法を提供することである。本発明の上記
以外の課題は、本願明細書および添付図面の説明により
明らかにされる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の配線形成方法
は、上述の課題を解決するために発案したものであり、
Ｎ系ガスと希ガスを含む混合ガスを用い、反応性スパッ
タリングにより高融点金属窒化物層を形成する工程を含
む配線形成方法であって、この反応性スパッタリング工
程中に、Ｎ系ガスの流量を段階的に増加することを特徴
とするものである。
は、上述の課題を解決するために発案したものであり、
Ｎ系ガスと希ガスを含む混合ガスを用い、反応性スパッ
タリングにより高融点金属窒化物層を形成する工程を含
む配線形成方法であって、この反応性スパッタリング工
程中に、Ｎ系ガスの流量を段階的に増加することを特徴
とするものである。
【００１４】また本発明の配線形成方法は、Ｎ系ガスと
希ガスを含む混合ガスを用い、反応性スパッタリングに
より高融点金属窒化物層を形成する工程を含む配線形成
方法であって、この反応性スパッタリング工程中に、Ｎ
系ガスの流量を連続的に増加することを特徴とするもの
である。
希ガスを含む混合ガスを用い、反応性スパッタリングに
より高融点金属窒化物層を形成する工程を含む配線形成
方法であって、この反応性スパッタリング工程中に、Ｎ
系ガスの流量を連続的に増加することを特徴とするもの
である。
【００１５】これらいずれの配線形成方法においても、
反応性スパッタリング工程中に、スパッタリング投入電
力を段階的または連続的に増加することが望ましい。
反応性スパッタリング工程中に、スパッタリング投入電
力を段階的または連続的に増加することが望ましい。
【００１６】さらに反応性スパッタリングにより高融点
金属窒化物層を形成する工程の前に、希ガスを用いたス
パッタリングにより高融点金属層を形成することが望ま
しい。
金属窒化物層を形成する工程の前に、希ガスを用いたス
パッタリングにより高融点金属層を形成することが望ま
しい。
【００１７】Ｎ系ガスとしては、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ
4 およびＣＨ3 ＮＨ2 のようなアルキルアミンのうちの
いずれかを用いることができる。
4 およびＣＨ3 ＮＨ2 のようなアルキルアミンのうちの
いずれかを用いることができる。
【００１８】また高融点金属窒化物としては、ＴｉＮ、
ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、Ｍｏ
ＮおよびＷＮのうちのいずれかを例示することができ
る。
ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、Ｍｏ
ＮおよびＷＮのうちのいずれかを例示することができ
る。
【００１９】
【作用】本発明の骨子は、Ｎ系ガスと希ガスの混合ガス
による反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層
を形成する際に、Ｎ系ガスと希ガスの流量比を増加させ
つつスパッタリングすることにより、形成される高融点
金属窒化物層の内部応力を実質的にゼロとする点にあ
る。
による反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層
を形成する際に、Ｎ系ガスと希ガスの流量比を増加させ
つつスパッタリングすることにより、形成される高融点
金属窒化物層の内部応力を実質的にゼロとする点にあ
る。
【００２０】前述したように、反応性スパッタリングに
より高融点金属窒化物層を形成する際に、スパッタリン
グ混合ガス中のＮ系ガスの流量比を小さくすれば成膜速
度が向上することが知られている。この方法により得ら
れるメタリックモードの高融点金属窒化物膜は、ストイ
キオメトリ組成より金属成分が多い。このためシート抵
抗が小さく、緻密で耐酸化性に優れる反面、膜面内の圧
縮応力が大きい。これに対しＮ系ガスの流量比を大きく
すると、ナイトライドモードと称される窒素成分の多い
高融点金属窒化物が形成される。ナイトライドモードの
膜は、膜の緻密性は劣るものの、メタリックモードとは
逆の引張り応力を有する。この関係を定性的に説明する
のが図３である。
より高融点金属窒化物層を形成する際に、スパッタリン
グ混合ガス中のＮ系ガスの流量比を小さくすれば成膜速
度が向上することが知られている。この方法により得ら
れるメタリックモードの高融点金属窒化物膜は、ストイ
キオメトリ組成より金属成分が多い。このためシート抵
抗が小さく、緻密で耐酸化性に優れる反面、膜面内の圧
縮応力が大きい。これに対しＮ系ガスの流量比を大きく
すると、ナイトライドモードと称される窒素成分の多い
高融点金属窒化物が形成される。ナイトライドモードの
膜は、膜の緻密性は劣るものの、メタリックモードとは
逆の引張り応力を有する。この関係を定性的に説明する
のが図３である。
【００２１】したがって、メタリックモードの膜上にナ
イトライドモードの膜を連続して成膜すれば、両者の膜
面内応力は打ち消しあい、高融点金属窒化物層の実質的
な膜面内応力をゼロとすることが可能である。スパッタ
リング混合ガス中のＮ系ガスの流量比は段階的、例えば
２段階や３段階に変化してもよく、連続的にスムーズに
変化してもよい。この場合には高融点金属窒化物層中の
窒素濃度もスムーズに変化することになる。
イトライドモードの膜を連続して成膜すれば、両者の膜
面内応力は打ち消しあい、高融点金属窒化物層の実質的
な膜面内応力をゼロとすることが可能である。スパッタ
リング混合ガス中のＮ系ガスの流量比は段階的、例えば
２段階や３段階に変化してもよく、連続的にスムーズに
変化してもよい。この場合には高融点金属窒化物層中の
窒素濃度もスムーズに変化することになる。
【００２２】またＮ系ガスの流量比を大きくすることに
より高融点金属窒化物層の成膜速度が低下するが、Ｎ系
ガスの流量比を大きくした際のスパッタリング投入電力
を、Ｎ系ガスの流量比を大きくする前のスパッタリング
投入電力より増加すればこの問題を回避することが可能
である。スパッタリング投入電力の増加は、Ｎ系ガスの
流量比の増加に合わせ、段階的あるいは連続的に増加す
ればよい。
より高融点金属窒化物層の成膜速度が低下するが、Ｎ系
ガスの流量比を大きくした際のスパッタリング投入電力
を、Ｎ系ガスの流量比を大きくする前のスパッタリング
投入電力より増加すればこの問題を回避することが可能
である。スパッタリング投入電力の増加は、Ｎ系ガスの
流量比の増加に合わせ、段階的あるいは連続的に増加す
ればよい。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例につき、図１
（ａ）〜（ｅ）および図３を参照して説明する。なお図
１（ａ）〜（ｅ）においては、従来例の説明に用いた図
５（ａ）〜（ｅ）と同じ構成部分には同様の参照符号を
付すものとする。また実施例で用いたスパッタリング装
置は、従来例の説明で用いた装置と基本的構成は同じで
あるが、スパッタリングガス導入系にはＮ系ガスおよび
希ガスの流量をそれぞれ独立して制御するためのマスフ
ローコントローラ（図示せず）を設けてある。ガス流量
制御はマニュアルでも可能であるが、ガスフロープログ
ラムを予めインプットしたコンピュータによるプログラ
ム制御を採用すれば精度の高い制御が可能である。
（ａ）〜（ｅ）および図３を参照して説明する。なお図
１（ａ）〜（ｅ）においては、従来例の説明に用いた図
５（ａ）〜（ｅ）と同じ構成部分には同様の参照符号を
付すものとする。また実施例で用いたスパッタリング装
置は、従来例の説明で用いた装置と基本的構成は同じで
あるが、スパッタリングガス導入系にはＮ系ガスおよび
希ガスの流量をそれぞれ独立して制御するためのマスフ
ローコントローラ（図示せず）を設けてある。ガス流量
制御はマニュアルでも可能であるが、ガスフロープログ
ラムを予めインプットしたコンピュータによるプログラ
ム制御を採用すれば精度の高い制御が可能である。
【００２４】実施例１ 本実施例は、ブランケットＣＶＤによるＷプラグの密着
層として本発明を適用し、反応性スパッタリングにおけ
るＮ系ガスの流量を段階的に変化した例である。本実施
例で採用した図１（ａ）に示す被処理基板は、従来例の
説明で用いた図５（ａ）と同じである。この被処理基板
１１を図３に示すコリメーション・スパッタリング装置
の基板ステージ１２上に載置し、下記条件によりＴｉか
らなる高融点金属層４を２０ｎｍの厚さにスパッタリン
グする。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ このスパッタリング条件は従来例の条件と同じである。
層として本発明を適用し、反応性スパッタリングにおけ
るＮ系ガスの流量を段階的に変化した例である。本実施
例で採用した図１（ａ）に示す被処理基板は、従来例の
説明で用いた図５（ａ）と同じである。この被処理基板
１１を図３に示すコリメーション・スパッタリング装置
の基板ステージ１２上に載置し、下記条件によりＴｉか
らなる高融点金属層４を２０ｎｍの厚さにスパッタリン
グする。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ このスパッタリング条件は従来例の条件と同じである。
【００２５】つぎに本実施例の特徴部分である高融点金
属窒化物層の反応性スパッタリング工程に入る。まず一
例として下記反応性スパッタリング条件により、第１の
高融点金属窒化物層５ａを２５ｎｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ スパッタリング時間 ２５ 秒 第１の高融点金属窒化物層５ａはＴｉＮの当量組成より
Ｔｉリッチの膜であり、圧縮応力を有する。
属窒化物層の反応性スパッタリング工程に入る。まず一
例として下記反応性スパッタリング条件により、第１の
高融点金属窒化物層５ａを２５ｎｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ スパッタリング時間 ２５ 秒 第１の高融点金属窒化物層５ａはＴｉＮの当量組成より
Ｔｉリッチの膜であり、圧縮応力を有する。
【００２６】続けてＮ2 流量を増加し、下記反応性スパ
ッタリング条件により、第２の高融点金属窒化物層５ｂ
を２５ｎｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ７０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ スパッタリング時間 ６５ 秒 第２の高融点金属窒化物層５ｂはＴｉＮの当量組成より
Ｎリッチの膜であり、引張り応力を有する。第１の高融
点金属窒化物層５ａおよび第２の高融点金属窒化物層５
ｂは合わせて高融点金属窒化物層５を構成する。この状
態を図１（ｃ）に示す。なお図１（ｃ）に示す高融点金
属窒化物層５の一部拡大図を図１（ｄ）に示す。
ッタリング条件により、第２の高融点金属窒化物層５ｂ
を２５ｎｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ７０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ スパッタリング時間 ６５ 秒 第２の高融点金属窒化物層５ｂはＴｉＮの当量組成より
Ｎリッチの膜であり、引張り応力を有する。第１の高融
点金属窒化物層５ａおよび第２の高融点金属窒化物層５
ｂは合わせて高融点金属窒化物層５を構成する。この状
態を図１（ｃ）に示す。なお図１（ｃ）に示す高融点金
属窒化物層５の一部拡大図を図１（ｄ）に示す。
【００２７】さらに被処理基板をブランケットＷのＣＶ
Ｄ装置に搬送し、ブランケットＷ層を一例として下記条
件により堆積する。まず、 ＷＦ6 ２５ ｓｃｃｍ ＳｉＨ4 １０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．１×１０4 Ｐａ 基板温度 ４７５ ℃ の条件で２０秒間、Ｗの核形成を行った後、 ＷＦ6 ６０ ｓｃｃｍ Ｈ2 ３６０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．１×１０4 Ｐａ 基板温度 ４７５ ℃ の条件に切り替えて堆積する。なお、高融点金属窒化物
層５上のブランケットＷ層６の厚さは、例えば平坦部で
０．３μｍである。この状態を図１（ｅ）に示す。この
後は常法によりブランケットＷ層６、高融点金属窒化物
層５および高融点金属層４を順次エッチバックしてＷの
コンタクトプラグ（図示せず）を形成する。
Ｄ装置に搬送し、ブランケットＷ層を一例として下記条
件により堆積する。まず、 ＷＦ6 ２５ ｓｃｃｍ ＳｉＨ4 １０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．１×１０4 Ｐａ 基板温度 ４７５ ℃ の条件で２０秒間、Ｗの核形成を行った後、 ＷＦ6 ６０ ｓｃｃｍ Ｈ2 ３６０ ｓｃｃｍ ガス圧力 １．１×１０4 Ｐａ 基板温度 ４７５ ℃ の条件に切り替えて堆積する。なお、高融点金属窒化物
層５上のブランケットＷ層６の厚さは、例えば平坦部で
０．３μｍである。この状態を図１（ｅ）に示す。この
後は常法によりブランケットＷ層６、高融点金属窒化物
層５および高融点金属層４を順次エッチバックしてＷの
コンタクトプラグ（図示せず）を形成する。
【００２８】本実施例によればＮ系ガスの流量を２段階
に切り替えた反応性スパッタリングにより、膜の面内応
力が実質的に打ち消された高融点金属窒化物層５が形成
される。
に切り替えた反応性スパッタリングにより、膜の面内応
力が実質的に打ち消された高融点金属窒化物層５が形成
される。
【００２９】実施例２ 本実施例もブランケットＣＶＤによるＷプラグの密着層
として本発明を適用し、反応性スパッタリングにおける
Ｎ系ガスの流量を連続的に変化した例であり、これを図
１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。本実施例で採用
した図２（ａ）に示す被処理基板および図２（ｂ）に示
す高融点金属層４の形成工程までは、前実施例と同じで
あるので重複する説明を省略する。
として本発明を適用し、反応性スパッタリングにおける
Ｎ系ガスの流量を連続的に変化した例であり、これを図
１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。本実施例で採用
した図２（ａ）に示す被処理基板および図２（ｂ）に示
す高融点金属層４の形成工程までは、前実施例と同じで
あるので重複する説明を省略する。
【００３０】つぎに本実施例の特徴部分である高融点金
属窒化物層の反応性スパッタリング工程に入る。まず一
例として下記反応性スパッタリング条件により、高融点
金属窒化物層の反応性スパッタリングを開始する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ 本実施例では、反応性スパッタリング開始直後からＮ系
ガスの流量比を連続的に増加し、高融点金属窒化物層５
の膜厚が５０ｎｍとなる約９０秒後には下記反応性スパ
ッタリング条件とする。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ７０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ 反応性スパッタリング終了後の状態を図２（ｃ）に示
す。
属窒化物層の反応性スパッタリング工程に入る。まず一
例として下記反応性スパッタリング条件により、高融点
金属窒化物層の反応性スパッタリングを開始する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ 本実施例では、反応性スパッタリング開始直後からＮ系
ガスの流量比を連続的に増加し、高融点金属窒化物層５
の膜厚が５０ｎｍとなる約９０秒後には下記反応性スパ
ッタリング条件とする。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ７０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ 反応性スパッタリング終了後の状態を図２（ｃ）に示
す。
【００３１】図２（ｃ）に示す高融点金属窒化物層５の
一部拡大図を図２（ｄ）に示す。高融点金属窒化物層５
は、高融点金属層４側はＴｉＮの当量組成よりＴｉリッ
チの膜で圧縮応力を有し、高融点金属窒化物層５の表面
側はＴｉＮの当量組成よりＮリッチの膜で引張り応力を
有する。また高融点金属窒化物層５中のＮの含有量比率
は、その膜厚方向に連続的に傾斜している。
一部拡大図を図２（ｄ）に示す。高融点金属窒化物層５
は、高融点金属層４側はＴｉＮの当量組成よりＴｉリッ
チの膜で圧縮応力を有し、高融点金属窒化物層５の表面
側はＴｉＮの当量組成よりＮリッチの膜で引張り応力を
有する。また高融点金属窒化物層５中のＮの含有量比率
は、その膜厚方向に連続的に傾斜している。
【００３２】この後のブランケットＷ層６の堆積工程は
実施例１と同じであるので重複する説明を省略する。本
実施例によればＮ系ガスの流量を連続的に増加してゆく
反応性スパッタリングにより、膜の面内応力が実質的に
打ち消された高融点金属窒化物層５が形成される。また
高融点金属窒化物層５は組成的に連続であるので、面内
応力の低減効果は実施例１よりさらに優れていた。
実施例１と同じであるので重複する説明を省略する。本
実施例によればＮ系ガスの流量を連続的に増加してゆく
反応性スパッタリングにより、膜の面内応力が実質的に
打ち消された高融点金属窒化物層５が形成される。また
高融点金属窒化物層５は組成的に連続であるので、面内
応力の低減効果は実施例１よりさらに優れていた。
【００３３】実施例３ 本実施例もブランケットＣＶＤによるＷプラグの密着層
として本発明を適用し、反応性スパッタリングにおける
Ｎ系ガスの流量を段階的に変化するとともに、スパッタ
リング投入電力も段階的に変化させた例である。これを
再び図１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。ただし図
１（ｂ）に示す高融点金属層４のスパッタリング工程ま
では実施例１と同じであるので重複する説明を省略す
る。
として本発明を適用し、反応性スパッタリングにおける
Ｎ系ガスの流量を段階的に変化するとともに、スパッタ
リング投入電力も段階的に変化させた例である。これを
再び図１（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。ただし図
１（ｂ）に示す高融点金属層４のスパッタリング工程ま
では実施例１と同じであるので重複する説明を省略す
る。
【００３４】つぎに一例として下記反応性スパッタリン
グ条件により、第１の高融点金属窒化物層５ａを２５ｎ
ｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ スパッタリング時間 ２５ 秒 第１の高融点金属窒化物層５ａはＴｉＮの当量組成より
Ｔｉリッチの膜であり、圧縮応力を有する。
グ条件により、第１の高融点金属窒化物層５ａを２５ｎ
ｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ２０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １０ ｋＷ スパッタリング時間 ２５ 秒 第１の高融点金属窒化物層５ａはＴｉＮの当量組成より
Ｔｉリッチの膜であり、圧縮応力を有する。
【００３５】続けてＮ2 流量とスパッタリング電力をと
もに増加し、下記反応性スパッタリング条件により、第
２の高融点金属窒化物層５ｂを２５ｎｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ７０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １５ ｋＷ スパッタリング時間 ３５ 秒 第２の高融点金属窒化物層５ｂはＴｉＮの当量組成より
Ｎリッチの膜であり、引張り応力を有する。第１の高融
点金属窒化物層５ａおよび第２の高融点金属窒化物層５
ｂは合わせて高融点金属窒化物層５を構成する。この状
態を図１（ｃ）に示す。なお図１（ｄ）は高融点金属窒
化物層５の一部拡大図である。
もに増加し、下記反応性スパッタリング条件により、第
２の高融点金属窒化物層５ｂを２５ｎｍ形成する。 Ａｒ ４０ ｓｃｃｍ Ｎ2 ７０ ｓｃｃｍ ガス圧力 ０．６７ Ｐａ 基板温度 １５０ ℃ ＤＣスパッタリング電力 １５ ｋＷ スパッタリング時間 ３５ 秒 第２の高融点金属窒化物層５ｂはＴｉＮの当量組成より
Ｎリッチの膜であり、引張り応力を有する。第１の高融
点金属窒化物層５ａおよび第２の高融点金属窒化物層５
ｂは合わせて高融点金属窒化物層５を構成する。この状
態を図１（ｃ）に示す。なお図１（ｄ）は高融点金属窒
化物層５の一部拡大図である。
【００３６】この後のブランケットＷ層６の堆積工程は
実施例１と同じであるので重複する説明を省略する。本
実施例によればＮ系ガスの流量を段階的に増加するとと
もにスパッタリング電力も段階的に増速してゆく反応性
スパッタリングにより、膜の面内応力が実質的に打ち消
された高融点金属窒化物層５が形成される。また２段階
目の反応性スパッタリング工程は、Ｎ系ガス流量を増加
することにより堆積速度が低下するものであるが、これ
をスパッタリング電力の増加により抑制したので実施例
１より成膜所要時間が短縮され、スループットの高い配
線形成プロセスが可能である。
実施例１と同じであるので重複する説明を省略する。本
実施例によればＮ系ガスの流量を段階的に増加するとと
もにスパッタリング電力も段階的に増速してゆく反応性
スパッタリングにより、膜の面内応力が実質的に打ち消
された高融点金属窒化物層５が形成される。また２段階
目の反応性スパッタリング工程は、Ｎ系ガス流量を増加
することにより堆積速度が低下するものであるが、これ
をスパッタリング電力の増加により抑制したので実施例
１より成膜所要時間が短縮され、スループットの高い配
線形成プロセスが可能である。
【００３７】以上、本発明を３例の実施例により説明し
たが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものでは
ない。
たが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものでは
ない。
【００３８】例えば、実施例中ではブランケットＣＶＤ
による接続孔内へのＷの埋め込みによるコンタクトプラ
グの形成プロセスを例にとって説明したが、下層配線上
の層間絶縁膜に形成したヴァイアホール内への埋め込み
プロセスに応用してもよい。またＷの形成は選択ＣＶＤ
でも可能であるがこの場合には層間絶縁膜上の高融点金
属層や高融点金属窒化物層は予め除去ないしは絶縁膜で
カバーしておく必要がある。
による接続孔内へのＷの埋め込みによるコンタクトプラ
グの形成プロセスを例にとって説明したが、下層配線上
の層間絶縁膜に形成したヴァイアホール内への埋め込み
プロセスに応用してもよい。またＷの形成は選択ＣＶＤ
でも可能であるがこの場合には層間絶縁膜上の高融点金
属層や高融点金属窒化物層は予め除去ないしは絶縁膜で
カバーしておく必要がある。
【００３９】接続孔内への埋め込み材料は、Ｗの他にＭ
ｏやＴａであってもよい。Ａｌ系金属を用いる場合には
公知の高温スパッタリング等により堆積すればよい。
ｏやＴａであってもよい。Ａｌ系金属を用いる場合には
公知の高温スパッタリング等により堆積すればよい。
【００４０】密着層あるいはバリアメタル層としＴｉ／
ＴｉＮを例示したが、ＴｉＳｉ2 ／Ｔｉ／ＴｉＮやＴｉ
／ＴｉＮ／Ｔｉ、あるいはＴｉＯＮ層を挿入する構造
等、各種の層構成における高融点金属窒化物層に適用で
きる。
ＴｉＮを例示したが、ＴｉＳｉ2 ／Ｔｉ／ＴｉＮやＴｉ
／ＴｉＮ／Ｔｉ、あるいはＴｉＯＮ層を挿入する構造
等、各種の層構成における高融点金属窒化物層に適用で
きる。
【００４１】さらに、使用するスパッタリング装置、被
処理基板の構成等は適宜変更可能であることは言うまで
もない。
処理基板の構成等は適宜変更可能であることは言うまで
もない。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層
を含む配線を形成するにあたり、この高融点金属窒化物
層の実質的な内部応力を低減し、クラックや膜剥離がな
く、低抵抗でオーミック性に優れた配線を形成すること
が可能となる。
によれば応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層
を含む配線を形成するにあたり、この高融点金属窒化物
層の実質的な内部応力を低減し、クラックや膜剥離がな
く、低抵抗でオーミック性に優れた配線を形成すること
が可能となる。
【００４３】また本発明によれば、成膜速度を低下する
ことなく上述した課題を達成し、スループットに優れた
配線形成方法を提供することが可能となる。
ことなく上述した課題を達成し、スループットに優れた
配線形成方法を提供することが可能となる。
【図１】本発明の配線形成方法を適用した実施例１およ
び３を、その工程順に説明する概略断面図であり、
（ａ）は半導体基板上の層間絶縁膜に接続孔を形成した
状態であり、（ｂ）は高融点金属層を形成した状態、
（ｃ）は反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物
層を形成した状態、（ｄ）は高融点金属窒化物層の一部
を拡大して示した状態、（ｄ）はブランケットＣＶＤに
よりＷ層を形成した状態である。
び３を、その工程順に説明する概略断面図であり、
（ａ）は半導体基板上の層間絶縁膜に接続孔を形成した
状態であり、（ｂ）は高融点金属層を形成した状態、
（ｃ）は反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物
層を形成した状態、（ｄ）は高融点金属窒化物層の一部
を拡大して示した状態、（ｄ）はブランケットＣＶＤに
よりＷ層を形成した状態である。
【図２】本発明の配線形成方法をを適用した実施例２
を、その工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）は
半導体基板上の層間絶縁膜に接続孔を形成した状態であ
り、（ｂ）は高融点金属層を形成した状態、（ｃ）は反
応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層を形成し
た状態、（ｄ）は高融点金属窒化物層の一部を拡大して
示した状態、（ｄ）はブランケットＣＶＤによりＷ層を
形成した状態である。
を、その工程順に説明する概略断面図であり、（ａ）は
半導体基板上の層間絶縁膜に接続孔を形成した状態であ
り、（ｂ）は高融点金属層を形成した状態、（ｃ）は反
応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層を形成し
た状態、（ｄ）は高融点金属窒化物層の一部を拡大して
示した状態、（ｄ）はブランケットＣＶＤによりＷ層を
形成した状態である。
【図３】反応性スパッタリングにおけるＮ系ガスの流量
比と、高融点金属窒化物層の膜応力の関係を定性的に示
す図である。
比と、高融点金属窒化物層の膜応力の関係を定性的に示
す図である。
【図４】コリメーション・スパッタリング装置の一構成
例を示す概略断面図である。
例を示す概略断面図である。
【図５】従来の配線形成方法を、その工程順に説明する
概略断面図であり、（ａ）は半導体基板上の層間絶縁膜
に接続孔を形成した状態であり、（ｂ）は高融点金属層
を形成した状態、（ｃ）は反応性スパッタリングにより
高融点金属窒化物層を形成した状態、（ｄ）は高融点金
属窒化物層の一部を拡大して示した状態、（ｄ）はブラ
ンケットＣＶＤによりＷ層を形成した状態である。
概略断面図であり、（ａ）は半導体基板上の層間絶縁膜
に接続孔を形成した状態であり、（ｂ）は高融点金属層
を形成した状態、（ｃ）は反応性スパッタリングにより
高融点金属窒化物層を形成した状態、（ｄ）は高融点金
属窒化物層の一部を拡大して示した状態、（ｄ）はブラ
ンケットＣＶＤによりＷ層を形成した状態である。
１ 半導体基板 ２ 拡散層 ３ 層間絶縁膜 ４ 高融点金属層 ５ 高融点金属窒化物層 ６ Ｗ層 １１ 被処理基板 １２ 基板ステージ １３ ターゲット １４ スパッタリングチャンバ １５ コリメータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｓ ３０１ Ｒ
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｎ系ガスと希ガスを含む混合ガスを用
い、反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層を
形成する工程を含む配線形成方法であって、 前記反応性スパッタリング工程中に、該Ｎ系ガスの流量
を段階的に増加することを特徴とする、配線形成方法。 - 【請求項２】 Ｎ系ガスと希ガスを含む混合ガスを用
い、反応性スパッタリングにより高融点金属窒化物層を
形成する工程を含む配線形成方法であって、 前記反応性スパッタリング工程中に、該Ｎ系ガスの流量
を連続的に増加することを特徴とする、配線形成方法。 - 【請求項３】 反応性スパッタリング工程中に、スパッ
タリング投入電力を段階的に増加することを特徴とす
る、請求項１または２記載の配線形成方法。 - 【請求項４】 反応性スパッタリング工程中に、スパッ
タリング投入電力を連続的に増加することを特徴とす
る、請求項１または２記載の配線形成方法。 - 【請求項５】 反応性スパッタリングにより高融点金属
窒化物層を形成する工程の前に、希ガスを用いたスパッ
タリングにより高融点金属層を形成する工程を有するこ
とを特徴とする、請求項１または２記載の配線形成方
法。 - 【請求項６】 Ｎ系ガスは、Ｎ2 、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 お
よびアルキルアミンのうちのいずれかであることを特徴
とする、請求項１または２記載の配線形成方法。 - 【請求項７】 高融点金属窒化物は、ＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＨｆＮ、ＶＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＭｏＮおよび
ＷＮのうちのいずれかであることを特徴とする、請求項
１または２記載の配線形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30053794A JPH08162531A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30053794A JPH08162531A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162531A true JPH08162531A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17886024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30053794A Pending JPH08162531A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162531A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0939437A2 (en) * | 1998-02-27 | 1999-09-01 | Nec Corporation | Planarization of wiring layers |
| JP2007005423A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2009057635A (ja) * | 2008-09-25 | 2009-03-19 | Toto Ltd | 複合構造物およびその作製方法 |
| JP2009071342A (ja) * | 2009-01-08 | 2009-04-02 | Eudyna Devices Inc | 半導体装置 |
| WO2013190765A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社アルバック | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
| CN112281116A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器 |
| CN116377407A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-07-04 | 之江实验室 | 一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP30053794A patent/JPH08162531A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0939437A3 (en) * | 1998-02-27 | 2003-03-05 | Nec Corporation | Planarization of wiring layers |
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| JPWO2013190765A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-02-08 | 株式会社アルバック | ハードマスク及びハードマスクの製造方法 |
| CN112281116A (zh) * | 2020-09-24 | 2021-01-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器 |
| CN112281116B (zh) * | 2020-09-24 | 2023-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 薄膜电极制造方法、薄膜电极及存储器 |
| CN116377407A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-07-04 | 之江实验室 | 一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用 |
| CN116377407B (zh) * | 2023-04-03 | 2023-08-29 | 之江实验室 | 一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用 |
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