JP3003610B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化学気相成長法
（ＣＶＤ法）を用いてコンタクト用チタン膜を形成する
工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年における半導体装置の微細化に伴
い、Ｓｉ基板上に形成された素子と配線とを接続する際
のコンタクト抵抗の上昇が問題となってきた。これに対
し、配線層と不純物層との接続部にシリサイド層を形成
することによりコンタクト抵抗の低減が図られている。
シリサイド用の材料としては主にチタンが使用され、接
続孔底部のＳｉ上にチタンを堆積させた後、熱処理を行
ない基板のＳｉとチタンを反応させチタンシリサイド
（ＴｉＳｉ₂）層を形成する方法が一般的に行われてい
る（例えば、ダイジェスト・オブ・テクニカルペーパー
ズ・オブ・シンポジウム・オン・ブイエルエスアイテク
ノロジー（Dig.Technical Papers Symp. on VLSI Techo
nol.）１９８５年、５０〜５１頁に記載）。具体的に
は、まずチタン（Ｔｉ）ターゲットとアルゴン（Ａｒ）
ガスを用いたスパッタ法により接続孔底部にチタン薄膜
を堆積した後、不活性ガス中で基板を加熱し、接続孔底
部にチタンシリサイド層を形成するという方法が行われ
てきた。

【０００３】しかしながら、半導体装置の微細化に伴
い、接続孔の直径が０．５ミクロン以下となり、かつ接
続孔の直径に対する深さの比（アスペクト比）が大きく
なってきた結果、従来のスパッタ法による接続孔へのチ
タンの埋め込み形状の質の劣化が問題となってきてい
る。

【０００４】埋め込み形状の質の劣化とは、接続孔底部
のチタン膜厚が薄くなることをいう。すなわち、チタン
が主に接続孔上部に堆積し、本来シリサイド層を形成す
る必要がある接続孔底部のＳｉが露出した場所にはほと
んど堆積しなくなることをいう。このような質の劣化
は、スパッタ法における堆積種の反応性が高いため、一
度表面に飛来吸着した堆積種はその場所でチタンの堆積
に寄与すること、およびターゲットからスパッタされた
粒子の方向性が一様ではないことによって生じる。埋め
込み形状の質が劣化すると、接続孔底部でシリサイドが
形成されず、その結果、接触抵抗が高くなり良好な電極
が形成できなくなるという問題が生じる。埋め込み形状
に起因する上記問題を回避することを目的として、スパ
ッタ粒子の方向性を制御したコリメートスパッタ法（例
えば、マグロウヒル社が発行しているユーエルエスアイ
・テクノロジイ（ＵＬＳＩ Ｔｅｃｎｏｌｏｇｙ：ＴＨ
ＥＭｃＧＲＯＷ−ＨＩＬＬ Ｃｏｎｐａｎｉｅｓ，ＩＮ
Ｃ）３８５〜３８６頁記載）やロングスロースパッタ法
等が開発されているが、半導体装置がより微細化された
場合には、従来のスパッタ法と同様に、埋め込み形状の
質が劣化し前述の問題が生じる可能性がある。

【０００５】この問題を解決するため、プラズマを用い
たＣＶＤ法によるチタン薄膜堆積技術が盛んに研究され
ている。これは、プラズマの物理的、化学的作用を利用
し、加熱された基板表面ならびに気相中での化学反応を
利用してチタンを成膜する方法である。プラズマＣＶＤ
法においては、成膜条件を最適化することによりアスペ
クト比の大きい接続孔においても底部のＳｉが露出した
部分にチタンを堆積させることができるため、埋め込み
形状の質に起因する先の問題を回避することができる。
プラズマＣＶＤ法においては、チタンの原料ガスとして
ＴｉＣｌ₄が広く用いられている（例えば、スミトモ・
サーチ（Ｔｈｅ Ｓｕｍｉｔｏｍｏ Ｓｅａｒｃｈ）１
９９２年、Ｎｏ４９、８３〜９２頁記載）。さらに、成
膜時のチタン表面に存在するＣｌを還元離脱させ最終的
にチタンを堆積させるため、Ｈ₂ガスが用いられてい
る。また、安定にプラズマを維持するため、Ａｒガス
が同時に供給される場合が多い。これらの混合ガスをプ
ラズマにより分解し反応性の高い分子（原子）あるいは
イオンを生成させ、さらに加熱した基板上での熱分解や
還元反応を利用してチタン膜を堆積させる。この時、Ｓ
ｉとチタンがシリサイド反応を生じ得るまで基板温度を
上昇させると、Ｓｉ表面に堆積したチタンは直ちに基板
Ｓｉと反応し、後の熱処理なくしてチタンシリサイド層
が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、良好な膜質お
よび良好な埋め込み形状が比較的容易に得られる従来の
ＴｉＣｌ₄／Ｈ₂／Ａｒガス系を用いたプラズマＣＶＤ法
によりチタン成膜を行うと、接続孔底部において露出し
ているＳｉ基板が成膜の初期に大量にエッチングされる
という問題がある。Ｓｉがエッチングされるのは、原料
ガスＴｉＣｌ₄がプラズマ中で分解し生成される反応性
が高いエッチング種Ｃｌが気相中に多く存在するためで
ある。すなわち、ＣｌがＳｉ表面に到達すると、プラズ
マＣＶＤを行う通常の温度領域（５００℃程度）におい
ても、Ｓｉが容易にエッチングされるためである。半導
体装置が微細化し接続孔底部のＳｉ基板に形成されてい
る不純物（拡散）層が薄くなってきているため、Ｓｉが
エッチングされると、薄い拡散層が除去されることとな
り、半導体素子の特性が劣化、例えば、リーク電流の増
大などの問題を引き起こす原因となる。本発明の目的
は、接続孔底部におけるＳｉ基板のエッチングを抑制し
つつ、良好な埋め込み形状および良好な膜質を有するチ
タン膜を形成する方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前述のように、ＴｉＣｌ
₄をチタンの原料ガスとして使用したプラズマＣＶＤ法
においては、チタン薄膜の成膜初期に接続孔底部に露出
しているＳｉ基板をエッチングされ、半導体装置の特性
が劣化する問題が生じる。

【０００８】成膜の初期に最もＳｉ基板がエッチングさ
れるのは以下の理由による。プラズマＣＶＤ法において
はチタンの堆積反応とチタンのエッチング反応の両方が
同時に進行し、実際のチタン成膜速度はこれらの反応の
差によって表される。ここで、成膜の初期においては、
基板表面はシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）等、チタン以外
の材料で覆われている。このような表面にエッチング種
Ｃｌが飛来しても、エッチング反応が生じないためＣｌ
が消費されず、接続孔底部にまで多くのＣｌが供給され
ることとなる。その結果、接続孔底部においてはエッチ
ング反応が堆積反応と比較して優勢となり、Ｓｉのエッ
チングが生じるのである。

【０００９】これに対し、ＴｉＣＶＤ法を開始してしば
らく時間の経過した定常状態においては、シリコン酸化
膜の上にもチタンが堆積している。すなわち、基板表面
はチタンで覆われている。この時、先のエッチング種Ｃ
ｌは、表面において効率良くエッチング反応に消費され
るため、接続孔底部にまで飛来到達できるＣｌの数は大
きく減少する。この結果、接続孔底部において成膜反応
が優勢となりＳｉ基板のエッチングが抑制される。

【００１０】以上の考察を踏まえ、本発明においては以
下の手段を用いることにより課題の解決を図っている。
すなわち、本発明においてはチタンのプラズマＣＶＤに
先立ち、基板表面にチタンを予めスパッタ法により堆積
させておく。これにより、プラズマＣＶＤ法によるチタ
ン成膜の初期においても、反応性の高いエッチング種で
あるＣｌのほとんどが、予め表面に形成されたチタン層
のエッチングに消費され、接続孔底部に到達するＣｌの
数を著しく減少させることができる。その結果、成膜初
期におけるＳｉ基板（不純物層）のエッチングが抑制さ
れ、エッチングに起因する先の問題が解決される。

【００１１】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、シリコン基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上の所
定の位置に該シリコン基板に達する接続孔を形成する工
程と、該シリコン基板に達することなく該絶縁膜上の所
定の部分にスパッタ法を用いてチタン膜を成膜する工程
と、ＣＶＤ法により該接続孔にチタンを堆積する工程と
を有することを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明は、シリコン基板上にスパ
ッタ法を用いてチタン膜を成膜する工程を含む。スパッ
タ条件は特に限定されず、通常用いられる条件で成膜さ
れる。例えば、マグネトロンスパッタ装置を用い、チタ
ンをターゲットとしてアルゴンプラズマによりチタン膜
を堆積させることができる。このときの条件の一例とし
て、アルゴン流量２０ｓｃｃｍ、高周波電力１．５ｋ
ｗ、ガス圧力３．６Ｐａ、基板温度１００℃、スパッタ
堆積速度約１００ｎｍ／ｍｉｎとすることができる。

【００１３】チタン膜の厚さは、チタン膜形成後の次の
工程であるプラズマＣＶＤ法によるチタン成膜の条件に
より変化させる必要があり、成膜初期に存在するＣｌを
十分に消費できるだけの膜厚があれば良い。したがっ
て、チタン膜の厚さは特に限定されるものではないが、
作業効率等を考慮し、通常の場合は５０ｎｍ以上５００
ｎｍ以下とするのが妥当である。

【００１４】本発明は、ＣＶＤ法により接続孔にチタン
を堆積する工程を含む。ここで、ＣＶＤ法として減圧Ｃ
ＶＤ法もしくはプラズマＣＶＤ法が用いられるが、特に
プラズマＣＶＤ法が好ましい。また、プラズマＣＶＤ法
のプラズマ源としては、ＥＣＲプラズマの他、平行平
板、ヘリコン、ＩＣＰ等が用いられる。ＣＶＤ法の原料
ガスとしては、ハロゲン化チタンが好適に用いられる
が、特にＴｉＣｌ₄が好ましい。

【００１５】接続孔の形成後、チタン膜の成膜前に接続
孔底部を逆スパッタする工程を含めても良い。逆スパッ
タとは基板をカソードとし、基板表面をスパッタするこ
とをいう。これにより、接続孔底部のシリコン表面の自
然酸化膜を除去することができる。逆スパッタの条件は
上記目的を達成するように適宜決定されるが、例えば、
アルゴン流量２０ｓｃｃｍ、高周波電力１．５ｋｗ、ガ
ス圧力３．６Ｐａ、スパッタ時間を約３０秒とすれば、
基板表面を良好にスパッタすることができる。逆スパッ
タに用いられるガスとしては、水素および希ガスを含む
ガスが好適に用いられるが、特にアルゴンおよび水素を
含むガスが好ましい。

【００１６】

【実施例】

（実施例１）次に、本発明について図面を参照して説明
する。図１は本発明の第１の実施例を説明するためのチ
タン薄膜形成装置を示す模式図である。装置は、五つの
チャンバーから構成されている。第１チャンバー１１
は、基板を装置内部に導入するためのロードロック室で
ある。第２チヤンバー１２は、基板をそれぞれのチャン
バーに搬送するためのロボット１３を有する。本ロボッ
ト１３を用いてチャンバー１２を介して、基板は大気に
さらされることなく各チャンバーに搬送される。第３チ
ャンバー１４は、チタンターゲットとＡｒガスによるチ
タンのスパッタ用である。第四のチャンバー１５は、Ｔ
ｉＣｌ₄／Ｈ₂／Ａｒガス系を用いたプラズマＣＶＤ用で
ある。第五のチャンバー１６は、成膜が終了した基板を
取り出すためのアンロード室である。

【００１７】本実施例において使用した基板の構造の一
部を図２に示す。露光、現像、イオン打ち込み、拡散、
熱酸化など通常ＬＳＩを作成するプロセスにより、Ｓｉ
基板２１にｎ型ＭＯＳトランジスタを形成した。その
後、シリコン酸化膜２をＣＶＤ法により堆積させ、レジ
スト塗布、露光、酸化膜エッチング、アッングにより、
接続孔２ならびに拡散層２を形成した。これらプロセス
はすべて当業者には容易に実行できる方法である。ここ
で、接続孔の直径は０．５ミクロン、深さは２ミクロン
（アスペクト比４）とした。

【００１８】図２に示す基板２１をロードロック室１１
（第１チャンバー）内部にセットした後、チャンバー内
部をターボポンプにより排気した。十分にチャンバー内
部が排気された後、第２チャンバー１２を経由して搬送
ロボット１３により、第３チャンバー１４内に基板２１
を搬送した。

【００１９】第３チャンバーは、マグネトロンスパッタ
装置である。ＣＶＤ法による成膜に先立ち、本チャンバ
ー内で、アルゴンプラズマによりチタンターゲットをス
パッタし、基板上にチタンを１０ｎｍ堆積させた。この
時、基板の加熱は行わなかった。スパッタ成膜後に得ら
れたチタン膜の形状は図４（ａ）に示したように、接続
孔上部に主にチタンが堆積し、接続孔底部にはほとんど
チタンは堆積していない。本実施例においては、スパッ
タ堆積させたチタンの膜厚は１０ｎｍとしたが、成膜初
期に存在するＣｌを十分に消費できるだけの膜厚があれ
ば良く、具体的には次のＴｉプラズマＣＶＤ法における
チタン成膜条件に依存し変化させる必要がある。

【００２０】スパッタ法により表面にチタンを堆積させ
た基板を第四のチャンバー１５に、第２チャンバー１２
を経由して搬送ロボット１３により搬送した。プラズマ
ＣＶＤ法装置の概略を図３に示す。本装置は、ＥＣＲプ
ラズマを利用した成膜装置である。チタンの原料ガスと
しては、ＴｉＣｌ₄を使用した。また、還元ガスとして
Ｈ₂の他にＡｒガスを使用した。チャンバー３０１は、
基板３０２、サセプタ３０３、マイクロ波電源３０４、
電磁石３０５、Ｈ₂ガスを供給するためのバルブ３０６
およびマスフローコントローラ３０７、Ａｒガスを供給
するためのバルブ３０８およびマスフローコントロラー
３０９、ＴｉＣｌ₄を供給するためのバルブ３１０およ
びマスフローコントローラ３１１、排気用ポンプ３１
２、成長中の圧力を制御するバルブ３１３、基板を加熱
するための加熱機構３１４、シャッター３１５から構成
されている。室温においてはＴｉＣｌ₄の蒸気圧力が低
いため、ＴｉＣｌ₄供給ラインおよびチャンバーはそれ
ぞれ約８０℃ならびに１００℃に加熱した状態でチタン
成膜を行った。搬送した基板３０２を裏面の基板過熱機
構３１４により所定の成膜温度まで加熱した後、Ｈ₂お
よびＡｒガスのみをバルブ３０６、３０８およびマスフ
ローコントローラー３０７、３０９を介して供給し、チ
ャンバー３０１内部の圧力を排気ポンプ３１２と圧力調
整バルブ３１３により所定の値にした。その後、マイク
ロ波電源３０４よりマイクロ波電力を供給し、チャンバ
ー３０１内部にプラズマを生成した。プラズマが安定し
た後、バルブ３１０およびマスフローコントローラー３
１１を介してＴｉＣｌ₄を供給し、プラズマが再び安定
した時点でシャッター３１５を開けて成膜を開始した。
代表的な成膜条件としては、基板温度５５０℃、圧力１
０ｍＴｏｒｒ、ＴｉＣｌ₄／Ｈ₂／Ａｒ流量はそれぞれ５
ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ、である。所定
の成膜時間後、シャッター３１５を閉じ、プラズマ電力
の供給、各種ガスの供給を停止した。その後、基板を第
四のチャンバー１５に搬送し、基板を装置から取り出し
た。得られた基板をＳＥＭ観察し、電極孔底部でのＳｉ
基板のエッチングの様子を調べた。

【００２１】予めチタンを堆積しない基板に直接プラズ
マＣＶＤ法によりチタンを堆積させた場合には、図４の
（ｂ）に示すように電極孔底部のＳｉ基板が約１０ｎｍ
エッチングされた。これに対し、スパッタによりチタン
を表面に予め堆積させた基板を用いた場合、成膜の初期
においてＳｉ基板のエッチングはほとんど生じなかった
（図４（ａ））。

【００２２】本実施例においては、プラズマ源としてＥ
ＣＲプラズマを使用したが、他のプラズマ源、例えば、
平行平板、ヘリコン、ＩＣＰ等を使用しても同様な効果
が得られる。それぞれのプラズマ源およびＴｉＣＶＤ法
条件において、成膜の初期に生じる接続孔底部のＳｉが
エッチングされるのを抑制できるだけのチタンを予め基
板表面に堆積させておけば良い。

【００２３】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
を図面を参照して説明する。装置構成に関しては、実施
例１と同じである。また、本実施例において使用した基
板は、実施例１に使用した図２の構造を有する。本実施
例においては、チタンのスパッタのために第３チャンバ
ーに搬送した後、接続孔底部のクリーニングを目的とし
て、チタンのスパッタに先立ち、逆スパッタを行った。
逆スパッタのガスとしては、Ｈ₂とＡｒの比が１対５の
組成の混合ガスを用いた。約２分間逆スパッタした後、
実施例１と同様にチタンを基板表面にスパッタ堆積させ
た。逆スパッタの時間等、逆スパッタの条件は、接続孔
底部のＳｉ表面の自然酸化膜等が十分に除去されるよう
に決定される。その後、第２チャンバー１２を経由して
搬送ロボット１３を用いて、基板を第四のチャンバー１
５に搬送した。搬送した基板を基板過熱機構を用いて所
定の成膜温度まで加熱した後、Ｈ₂およびＡｒガスのみ
を供給し、チャンバー内部の圧力を排気ポンプと圧カ調
整バルブにより所定の値にした。その後、マイクロ波電
力を供給してプラズマを生成した。プラズマが安定した
後、ＴｉＣｌ₄を供給し、プラズマが再び安定した時点
でシャッター３１５を開けてチタンの成膜を開始した。
所定の時間後、シャッターを閉じ、プラズマ電力の供
給、各種ガスの供給を停止した。その後、第４のチャン
バー１５に搬送し、基板を取り出した。上記のチタン堆
積プロセスに続き、ＴｉＮをＣＶＤ法により堆積させ、
さらにはＡｌの埋め込みならびに配線形成し完成した半
導体装置の特性を調ベたところ、スパッタに先立ち、接
続孔底部を逆スパッタして作成した半導体装置の特性
は、そうでない半導体装置と比較し良好であった。

【００２４】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
を図面を参照して説明する。本実施例における装置構成
としては、実施例１および２と異なり、通常使用されて
いるスパッタ装置およびＣＶＤ法によるチタン薄膜堆積
装置を用いた。また、図２に示す構造を有す基板を使用
した。スパッタ装置は、マグネトロンを用いた構造を有
し、Ａｒガスを装置内部に導入し、Ａｒプラズマを発生
させた。発生させたプラズマによりチタンターゲットを
スパッタし、基板表面にチタンをスパッタ堆積させた。
この時、チタン膜の厚さは、２０ｎｍとなるように条件
を設定した。その後、スパッタ装置から取り出し、チタ
ンのＣＶＤ法装置に搬送した。ＣＶＤ法装置の基本的な
構造は、図２における装置と同様である。ただし、ＣＶ
Ｄ法室に搬送する前に、ロードロック室を専用で有して
おり、一度ロードロック室に基板を保持し中を真空排気
した後、成長室内のサセプタ上に基板を搬送した。その
後、基板を基板過熱機構を用いて所定の成膜温度まで加
熱した後、Ｈ₂およびＡｒガスのみを供給し、チャンバ
ー内部の圧力を排気ポンプと圧力調整バルブにより所定
の値にした。その後、マイクロ波電力を供給してプラズ
マを生成した。基板においてＳｉ自然酸化膜が露出した
部分ならびに先にスパッタ堆積させたチタン上の酸化膜
層をＡｒ／Ｈ₂プラズマにより除去した後、ＴｉＣｌ₄を
供給し、成膜を開始した。代表的な成膜条件としては、
基板温度５５０℃、圧力１０ｍＴｏｒｒ、ＴｉＣｌ ₄／
Ｈ₂／Ａｒ流量はそれぞれ５ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ／
５０ｓｃｃｍ、である。所定の成膜時間後、各ガスの供
給および高周波電力の供給を停止した。その後、基板を
装置から取り出し、バリアメタルの堆積、Ｗの埋め込み
などの工程を行いコンタクトを形成した。本実施例にお
いては、チタンのスパッタによる堆積およびチタンのＣ
ＶＤ法による堆積を異なる装置を用いて行っているが、
チタンのＣＶＤ法を行う直前のプラズマ処理により、良
好なコンタクトが形成できた。

【００２５】

【発明の効果】本発明によれば、ＴｉＣｌ₄を原料ガス
として用いたプラズマＣＶＤ法によりＴｉ薄膜を堆積さ
せる際、予めスパッタ法により基板表面にチタンを堆積
させておくことにより、成膜初期に生じる接続孔底部に
おけるＳｉのエッチングを抑制し、良好な半導体装置を
実現することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法を実施するため
の装置の概略図である。

【図２】本発明の実施例を説明するための基板構造の一
部を示す模式図である。

【図３】プラズマＣＶＤ法装置の概略図である。

【図４】予め堆積させたチタンがプラズマＣＶＤ法の初
期において接続孔底部のＳｉのエッチングを抑制するこ
とを説明するための図である。

【符号の説明】

１１ 第１チャンバー（基板を装置内部に導入するた
めのロードロック室） １２ 第２チャンバー １３ 基板をそれぞれのチャンバーに搬送するための
ロボット １４ 第３チャンバー（ＴｉターゲットとＡｒガスに
よるＴｉのスパッタ用チヤンバー） １５ 第４チャンバー（ＴｉＣｌ₄／Ｈ₂／Ａｒガスを
用いたプラズマＣＶＤ用チヤンバー） １６ 第５チャンバー（アンロード室） １７ シリコン基板 ２１ シリコン基板 ２２ シリコン酸化膜 ２３ 接続孔 ２４ 拡散層 ３０１ チャンバー ３０２ 基板 ３０３ サセプタ ３０４ マイクロ波電源 ３０５ 電磁石 ３０６ Ｈ₂ガスを供給するためのバルブおよびマス
フローコントローラ ３０７ Ｈ₂ガスを供給するためのバルブおよびマス
フローコントローラ ３０８ Ａｒガスを供給するためのバルブおよびマス
フローコントローラ ３０９ Ａｒガスを供給するためのバルブおよびマス
フローコントローラ ３１０ ＴｉＣｌ₄を供給するためのバルブおよびマ
スフローコントローラ ３１１ ＴｉＣｌ₄を供給するためのバルブおよびマ
スフローコントローラ ３１２ 排気用ポンプ ３１３ 成長中の圧力を制御するバルブ ３１４ 基板を加熱するための加熱機構 ３１５ シャッター ３１６ マッチングボックス ４１ スパッタＴｉ層 ４２ 接続孔 ４３ シリコン酸化膜 ４４ ＣＶＤＴｉ層 ４５ エッチングされたＳｉの領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/28

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シリコン基板上に絶縁膜を形成し、該絶
   縁膜上の所定の位置に該シリコン基板に達する接続孔を
   形成する工程と、該シリコン基板に達することなく該絶
   縁膜上の所定の部分にスパッタ法を用いてチタン膜を成
   膜する工程と、ＣＶＤ法により該接続孔にチタンを堆積
   する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記ＣＶＤ法の原料ガスとしてＴｉＣｌ
   ₄を用いる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記ＣＶＤ法がプラズマＣＶＤ法である
   請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記接続孔を形成する工程の後、前記接
   続孔底部を逆スパッタする工程を含む請求項１乃至３い
   ずれかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 アルゴンまたは水素を含むガスを用いた
   高周波放電により前記逆スパッタを行う請求項４に記載
   の半導体装置の製造方法。