JP2011258871A - 回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、Cuを含む導電性材料の配線構造体を形成し、配線構造体の表面に、Cu−N結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成した後、拡散防止膜が形成された配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する。
【選択図】図1
Description
また、実施形態の他の観点によれば、基板上に、Cuを含む導電性材料により形成された配線構造体を形成する工程と、前記配線構造体の表面に、Cu−N結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成する工程と、前記拡散防止膜が形成された前記配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する工程とを有する回路基板の製造方法が提供される。
拡散防止膜は、配線構造体の表面に形成されたCu−N結合を有する絶縁性の変成層により形成されている。変成層は、配線構造体の表面のCuと結合してCu−N結合が形成されていればよく、単原子層ないしは数原子層程度でよい。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
下部電極を形成した6インチのSiウェーハを準備した。
下部電極を形成した6インチのSiウェーハを準備した。
下部電極を形成した6インチのSiウェーハを準備した。
6インチのSiウェーハを準備した。
絶縁膜と、
前記絶縁膜内に埋め込まれ、Cuを含む導電性材料により形成された配線構造体と、
前記絶縁膜と前記配線構造体との間に形成され、Cu−N結合を有する絶縁性の拡散防止膜と
を有することを特徴とする回路基板。
付記1記載の回路基板において、
前記配線構造体は、複数の配線層と、前記複数の配線層間を接続する複数のビア導体とを含む
ことを特徴とする回路基板。
基板上に、Cuを含む導電性材料により形成された配線構造体を形成する工程と、
前記配線構造体の表面に、Cu−N結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜が形成された前記配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
付記3記載の回路基板の製造方法において、
前記拡散防止膜を形成する工程では、前記配線構造体を、窒素結合を含む物質を含む溶液又は雰囲気に暴露することにより、前記拡散防止膜を形成する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
付記4記載の回路基板の製造方法において、
前記拡散防止膜を形成する工程では、エネルギー線を照射しながら前記溶液又は前記雰囲気に暴露することにより、前記拡散防止膜の形成を促進する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
付記4又は5記載の回路基板の製造方法において、
前記窒素結合を含む物質は、アンモニア、ピリジン又はベンゾトリアゾールである
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
付記3記載の回路基板の製造方法において、
前記拡散防止膜を形成する工程では、前記配線構造体を、窒素を含む物質を含むプラズマに暴露することにより、前記拡散防止膜を形成する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
付記7記載の回路基板の製造方法において、
前記窒素を含む物質は、窒素、アンモニア、ピリジン又はベンゾトリアゾールである
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
付記3乃至8のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、
前記配線構造体を形成する工程は、
前記基板上に、シード層を形成する工程と、
前記シード層上に、前記配線構造体の形成予定領域に開口部を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして、電界めっきにより、前記開口部内に前記配線構造体を成長する工程と、
前記レジストで覆われていた部分の前記めっきシード層を選択的に除去する工程とを有する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
12…下部電極
14,28,52…導電性密着層
16,30,54…めっきシード層
18,32,42…フォトレジスト
20,34,36,44…開口部
22,46,56,60…ビア導体
24、48,64…拡散防止膜
26,50,62…絶縁膜
38…ランド
40,58…配線
Claims (6)
- 絶縁膜と、
前記絶縁膜内に埋め込まれ、Cuを含む導電性材料により形成された配線構造体と、
前記絶縁膜と前記配線構造体との間に形成され、Cu−N結合を有する絶縁性の拡散防止膜と
を有することを特徴とする回路基板。 - 基板上に、Cuを含む導電性材料により形成された配線構造体を形成する工程と、
前記配線構造体の表面に、Cu−N結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成する工程と、
前記拡散防止膜が形成された前記配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項2記載の回路基板の製造方法において、
前記拡散防止膜を形成する工程では、前記配線構造体を、窒素結合を含む物質を含む溶液又は雰囲気に暴露することにより、前記拡散防止膜を形成する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項3記載の回路基板の製造方法において、
前記拡散防止膜を形成する工程では、エネルギー線を照射しながら前記溶液又は前記雰囲気に暴露することにより、前記拡散防止膜の形成を促進する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項2記載の回路基板の製造方法において、
前記拡散防止膜を形成する工程では、前記配線構造体を、窒素を含む物質を含むプラズマに暴露することにより、前記拡散防止膜を形成する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 請求項2乃至5のいずれか1項に記載の回路基板の製造方法において、
前記配線構造体を形成する工程は、
前記基板上に、シード層を形成する工程と、
前記シード層上に、前記配線構造体の形成予定領域に開口部を有するレジストを形成する工程と、
前記レジストをマスクとして、電界めっきにより、前記開口部内に前記配線構造体を成長する工程と、
前記レジストで覆われていた部分の前記めっきシード層を選択的に除去する工程とを有する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
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