JP2020194815A - 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記配線基板に搭載された半導体チップを有することを特徴とする半導体装置である。
第2無機絶縁膜層膜で被覆された第3配線層(ビア接続配線パターンと配線パターン)
と第2シード層と第1絶縁層上面を第2絶縁層で埋設する工程と、前記第3配線層上部面と、前記第3配線層上部面と同一平面の第2絶縁層の表面を露出する切削・研磨工程と、第3シード層を形成する工程と、前記第3シード層上で、前記第2配線層に接続する前記第3配線層を一部直下に持つ部分が開口となるように選択的に第4レジストを塗布する工程と、前記第4レジストの開口部に、第4配線層を形成する工程と、前記第4レジストを除去する工程と、露出する第3シード層を除去する工程と、前記第4配線層の側面と上面と、前記第4配線層下の第3シード層以外の第2絶縁層の上面に、第3無機絶縁膜層を形成する工程と、第3無機絶縁膜層膜で被覆された第4配線層と第3シード層と第2絶縁層上面を第3絶縁層で埋設する工程と、前記第4配線層上部面と、前記第4配線層上部面と同一平面の第3絶縁層の表面を露出する切削・研磨工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法である。
し、以下に説明する各図において相互に対応する部分については同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。
第1ビア42Vの上面を一部含む面と、第1ビア42Vの上面以外の第1絶縁層11の上面一部に形成された第2シード層52と第2シード層52上に形成された第3配線層43と、第3配線層43と第2シード層52の側面表面と、第2シード層52以外の第1絶縁層11上面に、形成された第2無機絶縁膜層62と、第2無機絶縁膜層62を埋設する第2絶縁層12と、
第3配線層43一部パターンの上面一部に形成された第3シード層53と、第3シード層53上に形成された第4配線層からなる第2ビア44Vと、第2ビア44Vと第3シード層53の側面表面と、第3シード層53以外の第2絶縁層43上面に、形成された第3無機絶縁膜層63と、第3無機絶縁膜層63を埋設する第3絶縁層13と、
第2ビア44Vの上面を一部含む面と、第2ビア44Vの上面以外の第3絶縁層13の上面一部に形成された第4シード層54と第4シード層54上に形成された第5配線層45と、第5配線層45と第4シード層54の側面表面と、第4シード層54以外の第3絶縁層13上面に、形成された第4無機絶縁膜層64と、第4無機絶縁膜層64を埋設する第4絶縁層14と、
第5配線層45一部パターンの上面一部に形成された第5シード層55と、第5シード層55上に形成された第5配線層からなる第3ビア46Vと、第3ビア46Vと第5シード層55の側面表面と、第5シード層55以外の第4絶縁層14上面に、形成された第5無機絶縁膜層65と、第5無機絶縁膜層65を埋設する第5絶縁層15と、
第3ビア46Vの上面を含む面に形成された第6シード層56と第6シード層56上に形成された第7配線層47と、第7配線層47と第6シード層56の側面表面と、第7配線層47の上面一部を以外の上面を、埋設するソルダーレジスト層16と、
ソルダーレジスト層16の開口された第7配線層47の上面一部に形成された表面処理層19を有している。
埋め込まれている。
もよい。高速伝送の用途においては、ビアの径はΦ5〜Φ30umの間であることが望ましい。
前記の通り、配線基板(インターポーザ)3の厚みは薄く、そのままの状態ではFC−BGA用配線基板1に実装するのが困難であるため、配線基板(インターポーザ)3には剛直性が求められる。また、2μm程度の幅と高さを有する配線を形成するには、平坦な支持体が必要となり、配線基板(インターポーザ)3は、剛直で平坦な支持体5上に剥離層6と配線保護層7などを介して形成される。なお、支持体上には剥離層、配線保護以外の層を設けてもよい。
図3は本発明の一実施形態に係る配線基板(インターポーザ)に支持体とはんだ層が付いた状態を示す模式的断面図である。
の下部以外のシード層51をエッチングし除去する。なお、シード層51は後述する剥離層6を剥離後に実施してもよい。
Polishing、化学機械研磨)あるいは機械研磨によりビア接続配線パターン43Rと、配線パターン43Lと無機絶縁膜層62を露出させる。
Polishing、化学機械研磨)あるいは機械研磨によりビア44Vと、無機絶縁膜層63を露出させる。
図13(a)に示すように、支持体・はんだ層付き配線基板(インターポーザ)90の端子、つまり、はんだバンプ20の位置に合わせて設計、製造したFC−BGA用配線基板1にフリップチップにより支持体・はんだ層付き配線基板(インターポーザ)90を配置し、図13(b)に示すように、支持体5付きインターポーザ3とFC−BGA用配線基板1を接合後、アンダーフィル2で固め位置を固定する。
図6(a)から(e)と、図7(f)から(j)と、図8(k)から(m)と、図9(n)から(p)と、図10(q)から(s)と、図11(t)から(v)と、図12(w)までの手順に従い、図12(w)で示す配線基板を製作した。
上記と同様なプロセスで、図12(w)で示す配線基板を製作した。
図6(a)から(e)と、図7(f)から(j)と、図8(k)から(m)と、図9(n)から(p)と、図10(q)から(s)と、図11(t)から(v)と、図12(w)までの手順において、無機絶縁膜層は形成せずに、図12(w)で示される配線基板において、無機絶縁膜層61、62、63、64、65がないものを製作した。シード層51、52、53、54、55はチタン(Ti)/銅(Cu)の層構成とした。
図6(a)から(e)と、図7(f)から(j)と、図8(k)から(m)と、図9(n)から(p)と、図10(q)から(s)と、図11(t)から(v)と、図12(w)までの手順において、図12(w)で示される配線基板を製作した。
実施例1と2、比較例1と2で得られたそれぞれの配線基板を用いて、以下の方法で図12(w)の43L(ライン/スペース(L/S)は2μm/2μm)にて線間の絶縁信頼性を評価し、図12(w)の43L/45L間(層間厚2.5μm)にて層間の絶縁信頼性を評価した。結果を表1に記す。
バイアスHASTの試験を以下の条件にのっとって実施した。
・温度:130℃
・湿度:85%RH
・電圧:3.3V
○:抵抗値が106Ω以上が96時間保持される。
表1に示す結果から、図12(w)で示される配線基板において、実施例において無機絶縁層膜がシリコンナイトライドかシリコンオキサイドであり、シード層がチタン(Ti)/銅(Cu)の層構成であれば、高い線間絶縁信頼性と、層間絶縁信頼性が得られていることが確かめられた。
2・・・アンダーフィル
3・・・配線基板(インターポーザ)
4・・・半導体チップ
5・・・支持体
6・・・剥離層
7・・・配線保護層
11、12、13、14、15・・・絶縁層(樹脂層)
16・・・ソルダーレジスト層
16a・・・ソルダーレジスト層開口部
19・・・表面処理層
20・・・はんだ層
24・・・金バンプ接合部
26・・・レーザ光
31・・・銅ピラー
32・・・アンダーフィル
41、42、43、44、45、46、47・・・配線層
41P、47P・・・ビア接続配線パターン
42V、44V、46V・・・ビア
43R、45R・・・ビア接続配線パターン
43L、45L・・・配線パターン
51、52、53、54、55、56・・・シード層
61、62、63、64、65・・・無機絶縁膜層
71、72、73、74・・・レジスト
71a、72a、73a、74a・・・レジスト開口部
73b、73c・・・レジスト開口部
90・・・支持体・はんだ層付き配線基板(インターポーザ)
100・・・配線基板
1000・・・半導体装置
A・・・側
B・・・支持体・はんだ付き配線基板3(インターポーザ)の一部
Claims (6)
- ビアと、
前記ビア下部に接続された配線層であるビア接続配線パターンと、前記ビア接続配線パターンと同一層内に配線パターンと、
を有し、
前記ビアの側面と、前記ビア接続配線パターンの側面と、前記ビア接続配線パターンの上面内で前記ビアとの接続部以外の上面と、前記配線パターンの側面と上面に、形成された無機絶縁膜層を有することを特徴とする配線基板。 - 第1配線層からなるビア接続配線パターンと、
前記ビア接続配線パターンの上面一部に接続された第2配線層からなる第1ビアと、
前記ビア接続配線パターンの側面と前記第1ビアに接続されている以外の前記ビア接続配線パターンの上面と前記第1ビアの側面表面に、形成された第1無機絶縁膜層と、
前記第1無機絶縁膜層の表面を埋設し、前記ビア接続配線パターン下面が露出される第1絶縁層と、
前記第1ビアの上面を一部含む面と、前記第1ビアの上面以外の前記第1絶縁層の上面一部に形成された第2シード層と、
前記第2シード層上に形成されたビア接続配線パターンと配線パターンからなる第3配線層と、
前記第3配線層(ビア接続配線パターンと配線パターン)と前記第2シード層の側面表面と、前記第2シード層以外の第1絶縁層上面に、形成された第2無機絶縁膜層と、
前記第2無機絶縁膜層を埋設する第2絶縁層と、
前記第3配線層一部パターンの上面一部に形成された第3シード層と、
前記第3シード層上に形成された第4配線層からなる第2ビアと、
前記第2ビアと前記第3シード層の側面表面と、前記第3シード層以外の第2絶縁層上面に、形成された第3無機絶縁膜層と、
前記第3無機絶縁膜層を埋設する第3絶縁層と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記配線層は銅層であり、
前記無機絶縁膜層はシリコンナイトライド、シリコンオキサイド、タンタルオキサイド、酸化アルミニウム、窒化タンタルの中で少なくとも1種類以上の膜であり、
前記シード層は、チタン(Ti)/銅(Cu)、クロム(Cr)/銅(Cu)、ニッケルクロム(NiCr)/銅(Cu)、ニッケル(Ni)/銅(Cu)の中でいずれかの層構成であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記無機絶縁膜層は、真空中で形成されることを特徴とする請求項1から請求項3にいずれかに記載の配線基板。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップを有することを特徴とする半導体装置。
- 支持体上面に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上面に配線保護層を形成する工程と、
前記配線保護層上面に、第1シード層を形成する工程と、
前記第1シード層上に選択的に第1レジストを塗布する工程と、
前記第1レジストの開口部に、第1配線層を形成する工程と、
前記第1レジスト除去工程と、
前記第1配線層上面一部が開口となるように選択的に第2レジストを塗布する工程と、
前記第2レジストの開口部に、第2配線層を形成する工程と、
前記第2レジストを除去する工程と、
露出する第1シード層を除去する工程と、
前記第1配線層の側面と、前記第2配線層に接続されている以外の前記第1配線層の上面と、前記第2配線層の側面と上面と、前記第1配線層下の第1シード層以外の前記配線保護層上面に第1無機絶縁膜層を形成する工程と、
第1無機絶縁膜層膜で被覆された第1配線層と第2配線層と第1シード層と前記配線保護層上面を第1絶縁層で埋設する工程と、
前記第2配線層上部面と、前記第2配線層上部面と同一平面の第1絶縁層の表面を露出する切削・研磨工程と、
第2シード層を形成する工程と、
前記第2シード層上で、前記第2配線層上面を一部直下に持つ部分と、前記第2配線層上面を直下にない一部の部分が開口となるように選択的に第3レジストを塗布する工程と、
前記第3レジストの開口部に、ビア接続配線パターンと配線パターンからなる第3配線層を形成する工程と、
前記第3レジストを除去する工程と、
露出する第2シード層を除去する工程と、
前記第3配線層(ビア接続配線パターンと配線パターン)の側面と上面と、前記第3配線層下の第2シード層以外の第1絶縁層の上面に、第2無機絶縁膜層を形成する工程と、
第2無機絶縁膜層膜で被覆された第3配線層(ビア接続配線パターンと配線パターン)と第2シード層と第1絶縁層上面を第2絶縁層で埋設する工程と、
前記第3配線層上部面と、前記第3配線層上部面と同一平面の第2絶縁層の表面を露出する切削・研磨工程と、
第3シード層を形成する工程と、
前記第3シード層上で、前記第2配線層に接続する前記第3配線層を一部直下に持つ部分が開口となるように選択的に第4レジストを塗布する工程と、
前記第4レジストの開口部に、第4配線層を形成する工程と、
前記第4レジストを除去する工程と、
露出する第3シード層を除去する工程と、
前記第4配線層の側面と上面と、前記第4配線層下の第3シード層以外の第2絶縁層の上面に、第3無機絶縁膜層を形成する工程と、
第3無機絶縁膜層膜で被覆された第4配線層と第3シード層と第2絶縁層上面を第3絶縁層で埋設する工程と、
前記第4配線層上部面と、前記第4配線層上部面と同一平面の第3絶縁層の表面を露出する切削・研磨工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
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