JP2000340696A

JP2000340696A - 半導体パッケージの製造方法

Info

Publication number: JP2000340696A
Application number: JP11150886A
Authority: JP
Inventors: Satoru Ogawa; 悟小川
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 1999-05-31
Filing date: 1999-05-31
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体素子の端子部１２が表面に形成された
半導体ウエハー１０の表面に、絶縁樹脂を供給して、底
面に半導体素子の端子部１２が露出する経由穴１８を備
えた絶縁層１６を形成した後、その経由穴１８の壁面及
び絶縁層１６の表面に導体皮膜２０を形成して製造する
半導体パッケージの製造方法であって、半導体チップの
端子部１２と電極２４ａ間の導通不良が発生しにくいと
共に、高密度配線に対応可能な半導体パッケージの製造
方法を提供する。【解決手段】絶縁層１６の表面を粗面化すると共に、
経由穴１８の底部に残留する樹脂残りを除去した後、経
由穴１８の壁面及び絶縁層１６の表面に導体２２を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップと同
サイズの半導体パッケージを製造する方法に関するもの
である。更に、半導体ウエハーレベルで半導体パッケー
ジを製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子部品として、母基板（半導体パッケ
ージを実装するプリント配線板）に実装するための針状
の端子やボール状の端子を有する半導体パッケージが汎
用されている。

【０００３】近年の電子機器の軽薄短小化、高性能化に
伴い、使用される電子部品は、小型化、高機能化のもの
が要求されており、この流れに呼応し、半導体チップと
同サイズの半導体パッケージ（チップサイズパッケー
ジ）が開発されている。この半導体チップと同サイズの
半導体パッケージを実装するための端子としては、半導
体ウエハー上に絶縁層を介して導体回路を設けることに
より、半導体パッケージの下面全面に電極の群を配置
し、その電極に端子を設けることが検討されている。

【０００４】この下面全面に電極群を配置した半導体パ
ッケージの製造方法としては、例えば特開平１０−９２
８６５号や特開平１０−３０３３２７号に記載されてい
るように、半導体素子が形成された半導体ウエハーの表
面に、絶縁樹脂を供給して絶縁層を形成した後、レーザ
ーを照射したり、フォトプロセスを用いて樹脂エッチン
グする方法により、半導体素子の端子部が底面に露出す
る経由穴を絶縁層に形成し、次いで、蒸着やメッキ等を
行って、絶縁層の表面及び経由穴の壁面に導体の皮膜を
形成し、次いでこの導体皮膜の所定の部分を除去して導
体回路を形成する方法が検討されている。

【０００５】なお、これらの方法で得られた半導体パッ
ケージは、絶縁層と導体回路との密着性が低く、微細な
回路は形成しにくいという問題があった。なお、絶縁層
と導体回路との密着性を確保するために、酸素プラズマ
により樹脂表面を粗面化処理する方法が、特開平１０−
０９２８６５号に示されている。しかし、この方法は、
大がかりな設備が必要となり、生産性が低いという問題
があった。また、レーザーを照射して経由穴を絶縁層に
形成した場合、穴開けをしたときの樹脂残りによって、
経由穴の壁面に導体皮膜が形成されにくく、半導体チッ
プの端子部と電極間の導通不良が発生しやすいという問
題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、半導体素子の端子部が表面に形成された半導体ウ
エハーの表面に、絶縁樹脂を供給して、底面に半導体素
子の端子部が露出する経由穴を備えた、絶縁層を形成し
た後、その経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導体皮膜を
形成し、次いで半導体ウエハーを半導体個片に切断して
製造する半導体パッケージの製造方法であって、半導体
チップの端子部と電極間の導通不良が発生しにくいと共
に、高密度配線に対応可能な半導体パッケージの製造方
法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体パッ
ケージの製造方法は、半導体素子の端子部が表面に形成
された半導体ウエハーの表面に、絶縁樹脂を供給して、
底面に半導体素子の端子部が露出する経由穴を備えた、
絶縁層を形成した後、その経由穴の壁面及び絶縁層の表
面に導体皮膜を形成し、次いで半導体ウエハーを半導体
個片に切断して製造する半導体パッケージの製造方法に
おいて、経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導体皮膜を形
成する方法が、絶縁層の表面を粗面化すると共に、経由
穴の底部に残留する樹脂残りを除去した後、経由穴の壁
面及び絶縁層の表面に導体皮膜を形成する方法であるこ
とを特徴とする。

【０００８】上記経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導体
皮膜を形成する方法は、無電解メッキを行ってセミアデ
ィティブ法により形成する方法であると好ましい。ま
た、上記半導体ウエハーの表面に絶縁樹脂を供給する方
法は、液状の絶縁樹脂を半導体ウエハーの表面に塗工す
る方法、又は、フィルム状に成形された絶縁樹脂を半導
体ウエハーの表面に熱圧着する方法であると好ましく、
また、上記半導体ウエハーの表面に絶縁樹脂を供給する
方法は、半導体ウエハーの表面にカップリング処理を行
った後、その半導体ウエハーの表面に絶縁樹脂を供給す
る方法であると好ましい。

【０００９】また、上記半導体ウエハーの表面に供給す
る絶縁樹脂は、エポキシ樹脂であると好ましく、また、
上記経由穴を備えた絶縁層を形成する方法は、半導体ウ
エハーの表面に絶縁層を形成した後、ＵＶ−ＹＡＧレー
ザー又はエキシマレーザーを照射することにより、絶縁
層の所定の部分を除去して形成する方法であると好まし
く、また、上記絶縁層の表面を粗面化すると共に、経由
穴の底部に残留する樹脂残りを除去する方法は、絶縁層
の表面及び経由穴の底部に残留する樹脂残りに、過マン
ガン酸塩を含有するデスミア液を接触させる方法である
と好ましい。

【００１０】また、上記絶縁層の表面に導体皮膜を形成
する方法は、絶縁層の表面を研磨して平坦化した後、導
体皮膜を形成する方法であると好ましく、また、上記絶
縁層の表面を粗面化すると共に、経由穴の底部に残留す
る樹脂残りを除去する際の絶縁層は、半硬化状態の絶縁
樹脂より成り、経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導体皮
膜を形成した後、完全硬化させると好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージの
製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、本発明に
係る半導体パッケージの製造方法の一実施の形態の、工
程を説明する断面図である。

【００１２】本発明に係る半導体パッケージの製造方法
の一実施の形態は、図１（ａ）に示すような半導体ウエ
ハー１０を用いる。この半導体ウエハー１０には、複数
の半導体素子が形成されており、その半導体素子の端子
部１２が、半導体ウエハー１０の表面に露出するように
配設されている。この端子部１２としては、導電性のも
のであれば、特に限定するものではなく、アルミニウム
等により形成されている。

【００１３】なお、後工程で、端子部１２の表面にレー
ザーを照射して経由穴１８を形成する場合には、端子部
１２の表面にバリアメタル層を形成しておくと、レーザ
ー加工に対する耐久性が向上して好ましい。このバリア
メタル層としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｕ、
Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｖからなる少なくとも１つの金属、又
はこれらの合金の皮膜が挙げられる。

【００１４】また、半導体ウエハー１０の表面のうち、
端子部１２が形成されていない部分は、パッシベーショ
ン膜１４が形成されている。このパッシベーション膜と
しては、一般的には、二酸化ケイ素、リンケイ酸塩ガラ
ス（ＰＳＧ）、窒化ケイ素系等の無機系のものや、ポリ
イミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の有機系のも
のが使用される。なお、このパッシベーション膜１４は
形成していなくても良いが、形成してあると、得られる
半導体パッケージの信頼性が向上して好ましい。このパ
ッシベーション膜１４としては、特に限定されないが、
ＰＳＧ、二酸化ケイ素、窒化ケイ素系等の無機系のもの
が好ましい

【００１５】次いで、図１（ｂ）に示すように、半導体
ウエハー１０の表面に、絶縁樹脂を供給して、絶縁層１
６を形成する。この絶縁層１６の形成に使用される絶縁
樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の公知
のものが使用でき、特に種類は限定されないが、コスト
及び信頼性の面から、エポキシ樹脂が好ましい。そし
て、絶縁樹脂が液状の絶縁樹脂の場合には、スピンコー
ト、ダイコート等の方法により、液状の絶縁樹脂を半導
体ウエハー１０の表面に塗工した後、乾燥して絶縁樹脂
を硬化させることにより形成する。また、絶縁樹脂がフ
ィルム状に成形された絶縁樹脂の場合には、真空ラミネ
ーター等により、熱圧着した後、絶縁樹脂を硬化させる
ことにより形成する。

【００１６】この絶縁層１６の厚みとしては、特に限定
されないが、２０〜７０μｍ、より好ましくは、３０〜
５０μｍとする。

【００１７】なお、後工程で形成する導体皮膜２０と絶
縁層１６との密着性を確保するためには、絶縁樹脂を完
全に硬化させずに半硬化状態に止めておき、絶縁層１６
の表面に導体皮膜２０を形成した後、完全硬化させると
好ましい。

【００１８】また、半導体ウエハー１０の表面にカップ
リング処理を行った後、その半導体ウエハー１０の表面
に絶縁樹脂を供給すると、半導体ウエハー１０と絶縁層
１６との密着性が向上して好ましい。このカップリング
処理の方法としては、例えば、水又はアルコール等の溶
剤に、カップリング剤を０．１〜２重量％の濃度で溶か
した溶液を、半導体ウエハー１０の表面に塗布した後、
乾燥して行う。この塗布方法としては、浸漬、スプレー
等の方法が使用できる。また、使用するカップリング剤
としては、例えば、ビニルメトキシシラン、ビニルフェ
ニルトリメトキシシラン、３−メタクリロオキシプロピ
ルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、４−グリシジルブチルトリメトキシシ
ラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２
−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、Ｎ−２−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）
−３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、Ｎ−
３−（４−（３−アミノプロポキシ）ブトキシ）プロピ
ル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラ
ン、トリアジンシラン等のシラン系カップリング剤が挙
げられる。

【００１９】また、半導体ウエハー１０の表面にパッシ
ベーション膜１４を形成したものについては、パッシベ
ーション膜１４の表面を粗面化した後、その半導体ウエ
ハー１０の表面に絶縁樹脂を供給すると、半導体ウエハ
ー１０と絶縁層１６との密着性が向上して好ましい。こ
の粗面化の方法としては、ブラスト処理等の方法が挙げ
られる。なお、粗面化処理とカップリング処理等を併用
しても構わない。

【００２０】次いで、図１（ｃ）に示すように、絶縁層
１６の所定の部分にレーザーを照射して、絶縁層１６の
所定の部分を除去することにより、底面に半導体素子の
端子部１２が露出する経由穴１８を形成する。このレー
ザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザ
ー、エキシマレーザー等の公知のものを使用することが
できるが、ＵＶ−ＹＡＧレーザー又はエキシマレーザー
を用いると、特に微小な経由穴１８を形成することがで
き好ましい。

【００２１】なお、半導体ウエハー１０の表面に、感光
性の絶縁樹脂を供給して絶縁層１６を形成した場合に
は、フォトプロセスを使用して、露光しなかった部分の
絶縁樹脂を薬液等で除去する方法により、経由穴１８を
形成しても良い。もちろん、感光性の絶縁樹脂を用いた
場合でも、レーザーを用いて、経由穴１８を形成しても
構わない。

【００２２】また、経由穴１８を形成する前又は後に、
絶縁層１６の表面を研磨して平坦化すると、後工程で、
導体回路２４の形成が容易になり好ましい。この方法と
しては、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等
が挙げられる。

【００２３】次いで、絶縁層１６の表面を粗面化すると
共に、経由穴１８の底部に残留する樹脂残りを除去す
る。なお、絶縁層１６の表面の粗面化と、経由穴１８の
底部に残留する樹脂残りの除去は、個別に行っても良
く、同時に行っても良いが、同時に行うのが好ましい。

【００２４】この方法としては、ブラスト処理等の機械
的な方法、または、薬液処理により行う化学的方法が挙
げられる。生産性の面から、一度に多量の処理が行える
化学的方法が好ましく、例えば、有機溶媒等を接触させ
ることにより絶縁層１６の表面及び経由穴１８の底部に
残留する樹脂残りの膨潤処理を行った後、過マンガン酸
塩、あるいは、クロム酸塩を主成分とするデスミア処理
液を、絶縁層１６の表面及び経由穴１８の底部に残留す
る樹脂残りに接触させて行う。なお、過マンガン酸塩を
含有するデスミア液を用いると、特に生産性が優れ好ま
しい。

【００２５】次いで、図１（ｄ）に示すように、給電用
の導体皮膜２０を、絶縁層１６の表面や、経由穴１８の
壁面や、経由穴１８の底面に露出する半導体素子の端子
部１２の表面に形成する。この導体皮膜２０の形成方法
としては、無電解メッキ法、あるいは、スパッタ、蒸着
等の気相法により形成する。なお、無電解メッキにより
形成すると、レーザー加工で形成した経由穴１８の壁面
へ、導体皮膜２０を容易に形成することができ好まし
い。この導体皮膜２０を形成する導体としては、Ｃｕ、
Ｎｉ等が挙げられるが、導体抵抗の低さ、エッチングの
しやすさから、Ｃｕが好ましい。また、この導体皮膜２
０の膜厚としては、０．２〜２．０μｍ、より好ましく
は、０．５〜１μｍとする。

【００２６】次いで、図１（ｅ）に示すように、導体皮
膜２０の表面に、メッキレジスト層２２を形成した後、
電気メッキを行い、メッキレジスト層２２を形成してい
ない部分の導体皮膜２０の表面に電気メッキ金属を析出
させて、導体皮膜２０の厚みを厚くする。なお、このと
き形成するメッキレジスト層２２は、後工程で形成しよ
うとする導体回路２４のパターン形状と逆パターンの形
状とする。

【００２７】このメッキレジスト層２２を形成する方法
としては、公知のドライフィルムレジストをラミネート
後、露光、現像を行い形成する。なお、必要であれば、
無電解メッキ等で形成した厚みの薄い導体皮膜２０の表
面に、電気メッキを多少行って導体皮膜２０の厚みを厚
くした後、メッキレジスト層２２を形成しても構わな
い。また、電気メッキの方法としては、公知の電気メッ
キ液を用いて行い、形成する電気メッキ金属としては、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの内、少なくとも、一つが好ましい。

【００２８】次いで、図１（ｆ）に示すように、メッキ
レジスト層２２を除去した後、メッキレジスト層２２を
除去した部分の表面に露出する、厚みの薄い給電用の導
体皮膜２０をソフトエッチングして除去し、導体回路２
４を形成する。このソフトエッチングに用いるソフトエ
ッチング液としては、過硫酸塩−硫酸系、過酸化水素−
硫酸系、塩銅系等の公知のエッチング液が使用できる。

【００２９】なお、必要に応じて、図１（ｂ）に示す絶
縁層１６を形成する工程から、図１（ｆ）に示す導体回
路２４を形成する工程を、複数回繰り返すことにより、
複数層の導体回路２４を積み上げて形成しても良い。

【００３０】次いで、図１（ｇ）に示すように、導体回
路２４の表面のうち、外部端子２８を接続する電極部２
４ａ以外の部分と、絶縁層１６が露出する部分の表面
に、カバーコート２６を形成する。この形成方法として
は、公知のソルダーレジストを塗布後、露光、現像、硬
化させることにより形成する方法が好ましいが、絶縁樹
脂を半導体ウエハー１０の表面のほぼ全体に塗工、硬化
させた後、レーザーで電極部２４ａを露出させる方法に
より、形成しても構わない。

【００３１】次いで、半導体ウエハー１０を半導体素子
個片に切断した後、電極部２４ａに、ハンダボール等の
外部端子２８を接続することにより、半導体パッケージ
を製造する。なお、切断する前に、必要に応じて、電極
部２４ａの表面にＮｉ、Ａｕメッキ層を形成しても構わ
ない。また、電極部２４ａに外部端子２８を接続した
後、半導体素子個片に切断しても構わない。

【００３２】このようにして得られた半導体パッケージ
は、経由穴１８の底部に残留する樹脂残りが除去された
後、経由穴１８の壁面に導体皮膜２０が形成されている
ため、半導体チップの端子部１２と電極部２４ａ間の導
通不良が発生しにくくなっている。更に、絶縁層１６の
表面を粗面化した後、絶縁層１６の表面に導体皮膜２０
が形成されているため、絶縁層１６と導体皮膜２０の密
着性が向上して、高密度な導体回路２４を形成すること
が可能になっており、半導体チップの端子部１２と電極
部２４ａ間の導通不良が発生しにくいと共に、高密度配
線に対応可能な半導体パッケージとなっている。

【００３３】なお、上記の実施の形態は、導体回路２４
を形成する方法として、（ア）全面に給電層となる厚み
の薄い導体皮膜２０を形成した後、形成しようとする導
体回路２４の逆パターンのメッキレジスト層２２を形成
し、次いで電気メッキを行い、メッキレジスト層２２を
剥離した後、露出した給電層を除去する、いわゆるセミ
アディティブ法により形成する方法を説明したが、
（イ）全面に給電層となる導体皮膜２０を形成した後、
電気メッキを行って導体皮膜２０全体の厚みを厚くし、
次いでメッキレジスト層２２を形成した後、エッチング
加工により、導体回路２４を形成する方法でも良く、
（ウ）厚みの薄い導体皮膜２０を形成した後、メッキレ
ジスト層２２を形成し、次いでエッチングにより回路パ
ターンを形成した後、無電解メッキを行って回路パター
ンの部分の厚みを厚くして形成する方法でも良い。

【００３４】なかでも、（ア）のセミアディティブ法に
より形成する方法を用いると、高密度配線がしやすく好
ましい。（イ）の方法の場合、エッチングの際、厚み方
向に厚くエッチングする必要があるため、サイドエッチ
ングの量が増えてしまい、微細回路の形成が困難とな
る。また、（ウ）の方法の場合、エッチング形成した導
体皮膜２０の上に無電解メッキを行って皮膜の厚みを厚
くする際に、サイド方向にもメッキ金属が形成されてし
まい、微細回路を形成した場合には、短絡する危険性が
高くなる。

【００３５】

【実施例】（実施例１）複数のテスト用半導体素子が形
成された半導体ウエハーを用意した。この半導体素子の
端子部以外は、ＰＳＧのパッシベーション膜が形成され
ており、また、端子部は、アルミニウム配線上に、Ｐｄ
／Ｎｉ系のバリアメタル層が形成されたものを用いた。
なお、端子部の大きさは、１００μｍ角とした。

【００３６】そして、半導体ウエハーの表面に、カップ
リング処理を行った。その方法としては、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシランの２重量％濃度水溶液に、半
導体ウエハーを約１分間浸漬し、ついで１００〜１５０
℃で３０〜６０分乾燥することにより行った。

【００３７】次いで、このカップリング処理を行った半
導体ウエハーの表面に、市販の液状のエポキシ樹脂をダ
イコータを用いて塗工した後、１１０℃で乾燥してタッ
クフリー状態にし、次いで、１３０〜１５０℃で５０〜
９０分加熱することにより、供給した絶縁樹脂を半硬化
状態とした。このとき、樹脂膜厚を測定したところ、約
６０μｍであった。次いで、樹脂表面をＣＭＰ研磨装置
を使って研磨することにより、絶縁層の表面を平坦化し
た。研磨後、樹脂膜厚を測定したところ、約５０μｍで
あった。

【００３８】次いで、絶縁層の表面にＵＶ−ＹＡＧレー
ザーを照射することにより、絶縁層の所定の部分を除去
して、底面に半導体素子の端子部が露出する約５０μｍ
φの経由穴を形成した。

【００３９】次いで、経由穴を形成した半導体ウエハー
を、有機溶媒で膨潤処理した後、過マンガン酸塩を主成
分とするデスミア処理液を用いて処理し、絶縁層の表面
の粗面化と、経由穴の底部に残留する樹脂残りの除去
を、同時に行った。その方法としては、シプレー社製の
ＭＬＢシステムの処理液を用いて行い、絶縁層の表面及
び経由穴の底部に残留する樹脂残りに、デスミア処理液
を接触させる方法により行った。その後、シプレー社製
の無電解銅メッキ処理液を用いて全面に無電解銅メッキ
を行って、約０．３〜１μｍの給電用の導体被膜を形成
した。

【００４０】次いで、市販のドライフィルムレジスト
（日本合成化学社製、品名ＮＩＴ２２５）をラミネー
ト、露光、現像し、形成しようとする導体回路の逆パタ
ーンのメッキレジスト層を形成した。

【００４１】次いで、公知の硫酸銅メッキ液を用い、メ
ッキレジスト層の開口部に電気メッキ層を形成した後、
ドライフィルム層を剥離し、次いで、露出した無電解銅
メッキで形成した導体被膜を、過酸化水素−硫酸系のソ
フトエッチング液で除去して、導体回路を形成した後、
１７０℃で加熱してエポキシ樹脂を完全硬化させた。こ
のときの導体回路の厚みは、約１０〜１５μｍであっ
た。

【００４２】次いで、導体回路の表面のうち、外部端子
を接続する電極部以外の部分と、絶縁層が露出する部分
の表面に、カバーコートを２０〜３０μｍ形成した。そ
の方法としては、市販のソルダーレジストを用いてスク
リーン印刷により、全面にソルダーレジストを塗布した
後、乾燥し、次いで、露光、現像処理を行って形成し
た。

【００４３】次いで、市販の無電解Ｎｉ、Ａｕメッキ液
を用い、電極部の表面にＮｉ、Ａｕ層を形成した後、外
部端子としてハンダボールを搭載し、次いで半導体個片
に切断して半導体パッケージを得た。

【００４４】そして、得られた半導体パッケージの、温
度サイクル試験、及びＰＣＴ試験を行い、接続抵抗の変
化と、外観の異常の有無を評価した。温度サイクル試験
は、得られた半導体パッケージを、−５５℃３０分及び
１２５℃３０分の処理を１サイクルとし、１０００サイ
クル処理して評価した。また、ＰＣＴ試験は、２気圧１
２１℃１００％ＲＨのＰＣＴ（プレッシャークッカーテ
スト）処理を２００時間行って評価した。

【００４５】その結果は、半導体ウエハーと絶縁層との
間の界面剥離や、絶縁層と導体回路との間の剥離は全く
観察されず、また、導通抵抗の変化は１０％以下であっ
た。

【００４６】（実施例２）絶縁層の表面の粗面化を、ブ
ラスト処理で行ったこと以外は実施例１と同様にして半
導体パッケージを得た。そして、同様に評価した結果、
半導体ウエハーと絶縁層との間の界面剥離や、絶縁層と
導体回路との間の剥離は全く観察されず、また、導通抵
抗の変化は１０％以下であった。

【００４７】（実施例３）絶縁層の表面の粗面化を、ブ
ラスト処理で行ったこと、及び、給電用の導体被膜を、
銅のスパッタ法により、約０．５〜１μｍ形成したこと
以外は実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。
そして、同様に評価した結果、半導体ウエハーと絶縁層
との間の界面剥離や、絶縁層と導体回路との間の剥離は
全く観察されず、また、導通抵抗の変化は１０％以下で
あった。

【００４８】（実施例４）フィルム状に成形された絶縁
樹脂を半導体ウエハーの表面に熱圧着する方法により、
半導体ウエハーの表面に樹脂層を形成したこと以外は実
施例１と同様にして半導体パッケージを得た。その樹脂
層の形成方法としては、真空ラミネータを用いて、９０
〜１２０℃で２〜３ｋｇ／ｃｍ２、送り速度２０〜３０
ｃｍ／分の条件で、半導体ウエハーの表面に市販のエポ
キシ樹脂フィルムを熱圧着した後、１５０℃で加熱し
て、絶縁樹脂を半硬化状態とした。そして、同様に評価
した結果、半導体ウエハーと絶縁層との間の界面剥離
や、絶縁層と導体回路との間の剥離は全く観察されず、
また、導通抵抗の変化は１０％以下であった。

【００４９】（実施例５）半導体ウエハーの表面にカッ
プリング処理を行わずに、絶縁層を形成したこと以外は
実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。そし
て、同様に評価した結果、絶縁層と導体回路との間の剥
離は見られなかったが、半導体ウエハーと絶縁層との間
の界面での若干の剥離が観察された。しかし、その程度
は、実用上問題ないレベルであった。また、導通抵抗の
変化は１０％以下であった。

【００５０】（比較例１）半導体ウエハーの表面にカッ
プリング処理を行わずに絶縁層を形成したこと、及び、
デスミア処理液を用いた絶縁層の表面の粗面化と経由穴
の底部に残留する樹脂残りの除去を行わなかったこと、
及び、給電用の導体被膜を、銅のスパッタ法により約
０．５〜１μｍ形成したこと以外は実施例１と同様にし
て半導体パッケージを得た。

【００５１】そして、同様に評価した結果、半導体ウエ
ハーと絶縁層との間の界面での若干の剥離が観察された
ものの、その程度は実用上問題ないレベルであったが、
絶縁層と導体回路との間に、実用上問題有るレベルの剥
離が観測された。また、導通抵抗は、断線が多発してい
た。

【００５２】（比較例２）比較例１において、給電用の
導体被膜の形成を無電解銅メッキにより形成しようとし
たが、無電解銅メッキ膜がメッキ液中に剥離してしま
い、導体被膜が形成できず、半導体パッケージの作成が
できなかった。理由は、アンカー効果が不足したため密
着せず、メッキ膜が剥離したと考えられる。

【００５３】（結果のまとめ）温度サイクル試験及びＰ
ＣＴ試験の評価結果より、絶縁層の表面の粗面化と経由
穴の底部に残留する樹脂残りの除去を行った実施例で得
られた半導体パッケージは、比較例で得られた半導体パ
ッケージと比べて、半導体チップの端子部と電極間の導
通不良が発生しにくいと共に、高密度配線に対応可能で
あることが確認された。また、半導体ウエハーの表面に
カップリング処理を行った、実施例１〜４で得られた半
導体パッケージは、実施例５で得られた半導体パッケー
ジと比較して、半導体ウエハーと絶縁層との間の界面で
の剥離が発生しにくく、半導体ウエハーと絶縁層との密
着性が優れた半導体パッケージであることが確認され
た。

【００５４】

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造方
法は、絶縁層の表面を粗面化すると共に、経由穴の底部
に残留する樹脂残りを除去した後、経由穴の壁面及び絶
縁層の表面に導体皮膜を形成して製造するため、半導体
チップの端子部と電極間の導通不良が発生しにくいと共
に、高密度配線に対応可能な半導体パッケージを得るこ
とが可能になる。

【００５５】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
の製造方法は、上記の効果に加え、半導体ウエハーと絶
縁層との密着性が優れた半導体パッケージを得ることが
可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の一
実施の形態の、工程を説明する断面図である。

【符号の説明】

１０半導体ウエハー１２端子部１４パッシベーション膜１６絶縁層１８経由穴２０導体皮膜２２メッキレジスト層２４導体回路２４ａ電極部２６カバーコート２８外部端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の端子部が表面に形成された
半導体ウエハーの表面に、絶縁樹脂を供給して、底面に
半導体素子の端子部が露出する経由穴を備えた、絶縁層
を形成した後、その経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導
体皮膜を形成し、次いで半導体ウエハーを半導体個片に
切断して製造する半導体パッケージの製造方法におい
て、経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導体皮膜を形成す
る方法が、絶縁層の表面を粗面化すると共に、経由穴の
底部に残留する樹脂残りを除去した後、経由穴の壁面及
び絶縁層の表面に導体皮膜を形成する方法であることを
特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】経由穴の壁面及び絶縁層の表面に導体皮
膜を形成する方法が、無電解メッキを行ってセミアディ
ティブ法により形成する方法であることを特徴とする請
求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】半導体ウエハーの表面に絶縁樹脂を供給
する方法が、液状の絶縁樹脂を半導体ウエハーの表面に
塗工する方法、又は、フィルム状に成形された絶縁樹脂
を半導体ウエハーの表面に熱圧着する方法であることを
特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体パッケー
ジの製造方法。
【請求項４】半導体ウエハーの表面に絶縁樹脂を供給
する方法が、半導体ウエハーの表面にカップリング処理
を行った後、その半導体ウエハーの表面に絶縁樹脂を供
給する方法であることを特徴とする請求項１から請求項
３のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】半導体ウエハーの表面に供給する絶縁樹
脂が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１か
ら請求項４のいずれかに記載の半導体パッケージの製造
方法。
【請求項６】経由穴を備えた絶縁層を形成する方法
が、半導体ウエハーの表面に絶縁層を形成した後、ＵＶ
−ＹＡＧレーザー又はエキシマレーザーを照射すること
により、絶縁層の所定の部分を除去して形成する方法で
あることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか
に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】絶縁層の表面を粗面化すると共に、経由
穴の底部に残留する樹脂残りを除去する方法が、絶縁層
の表面及び経由穴の底部に残留する樹脂残りに、過マン
ガン酸塩を含有するデスミア液を接触させる方法である
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記
載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】絶縁層の表面に導体皮膜を形成する方法
が、絶縁層の表面を研磨して平坦化した後、導体皮膜を
形成する方法であることを特徴とする請求項１から請求
項７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】絶縁層の表面を粗面化すると共に経由穴
の底部に残留する樹脂残りを除去する際の絶縁層が、半
硬化状態の絶縁樹脂より成り、経由穴の壁面及び絶縁層
の表面に導体皮膜を形成した後、完全硬化させることを
特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の半
導体パッケージの製造方法。