JPH1010554A - 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に形成される銅多層膜からなる金属電
極の製造時において、エッチングむらを抑制し、基板と
密着性がよく、精度のよい金属電極を形成する。 【解決手段】 表面に金属電極を構成する密着層である
ニッケル−モリブデン合金層と、その上に主導電層であ
る銅層を成膜したガラス基板２を駆動モータ２２が連結
された基板ホルダー２１上に固定し、上方に配置したノ
ズル３０からエッチング液である塩化第２鉄水溶液２３
をガラス基板２の全面に散布すると共に、駆動モータ２
２の起動により散布された塩化第２鉄水溶液２３がガラ
ス基板２上から速やかに脱離するような回転数でガラス
基板２を回転させながらエッチングすることにより、ガ
ラス基板２の端部と中央部でのエッチングむらが生じる
ことなく、ガラス基板２と密着性がよく、精度のよい金
属電極が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に電極を形
成した配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を
備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＴＮ（Twisted Nematic ）やＳＴＮ（Su
per Twisted Nematic ）型等の液晶素子では、従来よ
り、ガラス基板上に形成される透明電極にはＩＴＯ（In
dium TinOxide）などが一般に用いられている。

【０００３】上述した従来の透明電極（ＩＴＯ）は抵抗
率が大きいため、最近のように表示面積の大型化、高精
細化に伴い、印加される電圧波形の遅延が問題になって
きた。特に、強誘電性液晶を用いた液晶素子では基板ギ
ャップ（液晶層の厚さ）がより狭いため（例えば、１．
０〜２．０μｍ程度）、電圧波形の遅延が顕著であっ
た。また、抵抗低減のために透明電極の膜厚を厚く形成
することも考えられるが、膜厚を厚くするとガラス基板
への密着性が悪くなって成膜にも長時間を要し、且つコ
ストも高くなる等の問題点があった。

【０００４】このため、このような問題点を解決するた
めに、アルミニウム等からなる低抵抗の金属電極をガラ
ス基板上に形成し、その上にＩＴＯ等の透明電極を電気
的に接するようにして形成した配線基板を備えた液晶素
子が提案されている。また、近年、液晶素子の高開口率
化や高速応答性等の要求によりさらに低抵抗の金属電極
の材料が望まれている。

【０００５】このため、アルミニウムより抵抗率の小さ
い銅を金属電極として用いた場合には、高開口率化や高
速応答性等は向上するが、ガラス基板と金属電極を構成
する銅層との密着力や、銅の耐食性が問題になってく
る。この解決策として、従来、図９に示す配線基板のよ
うに、例えばガラス基板１００上に密着層１０１として
クロム層を形成して、その上に主導電層１０２として銅
層を形成し、その後、還元雰囲気中で焼成しクロム−銅
の合金層１０３を形成して、ガラス基板１００との密着
力を強化していた。尚、密着層１０１と主導電層１０２
は、クロム層と銅層をそれぞれスパッタリング法でガラ
ス基板１００上に形成した後、所定の配線パターンにエ
ッチング処理することによって形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】一般に、通常のプリン
ト基板などでは、銅のエッチングは塩化鉄溶液や塩化銅
溶液、又は硝酸・リン酸を主とした混酸液をエッチング
液として用い、このエッチング液の槽にエッチングパタ
ーンを形成した基板を浸すか、エッチング液をシャワー
状に基板に吹き付けることで所望のパターンに銅層をエ
ッチングしている。

【０００７】しかしながら、図９に示した従来の配線基
板では、ガラス基板１００と金属電極の主導電層（銅
層）１０２との密着力を高めるために形成した密着層
（クロム層）１０１の多層膜のウェットエッチングで
は、このクロム層と銅層を一回の工程でエッチングでき
ない。つまり、このクロム層と銅層の両方にエッチング
効果のある上述したエッチング液を用いると、エッチン
グ液を介してクロム層と銅層の間で電池の効果が発生す
る。この結果、密着層を形成するクロム、モリブデン、
チタンなどの金属よりイオン化傾向の小さい銅が選択的
にエッチングされることにより、異常なアンダーカット
を生じる。このアンダーカットは、通常のプリント基板
に用いるｍｍオーダーの配線寸法では加工誤差の許容範
囲であるが、液晶素子の配線基板に用いる１０μｍ程度
の配線寸法では大きな問題となる。即ち、銅のアンダー
カットが大き過ぎて配線パターンに剥離が生じてしま
う。

【０００８】このため、密着層の金属のみに反応するエ
ッチング液と、銅のみに反応するエッチング液を用い
て、電気化学反応が生じない条件で各金属層毎にエッチ
ング液を変えて繰り返しエッチングを行う必要があり、
密着層にクロムを用いた場合、クロムと銅をそれぞれ選
択的に反応するエッチング液で多段階に分けてエッチン
グすることは可能であるが、環境保護を考慮すると、ク
ロムをエッチングした廃液の処理という問題が新たに発
生する。

【０００９】また、密着層にモリブデン、チタン等を用
いた場合、これらの金属と反応するエッチング液はほと
んど銅に対しても反応性を持っており、この場合もアン
ダーカットの問題が生じる。この際、フェリシアン化カ
リウム溶液を用いるとモリブデンのみのエッチングが可
能であるが、これはモリブデンをエッチングすると同時
に銅表面に安定な酸化膜を成長させる。この酸化膜は、
銅だけを選択的にエッチングする塩化銅に対して不動態
であり、銅のエッチングができなくなってしまう。ま
た、硝酸等を含む酸の中ではこの酸化膜をエッチングで
きるが、この場合も、イオン化傾向に起因するアンダー
カットの問題が発生する。

【００１０】一方、反応性イオンエッチング等のドライ
プロセスによるエッチングでは、上述したイオン化傾向
の差に起因する問題等は回避できるが、エッチング速度
が小さ過ぎて実用には適さない。

【００１１】また、エッチングプロセスを使用しない銅
薄膜のパターンニング方法としては、密着用のクロムや
モリブデン層等をガラス基板表面にスパッタリング法で
形成し、配線パターンにエッチングした後、この密着層
の上にのみ銅層をメッキ法などにより形成することが提
案されている。そして、銅層を形成後、この銅表面に保
護層をメッキ法等で形成すれば、銅電極を実用化する上
での問題点は解消できるが、メッキ法では、液晶素子の
配線基板に用いられるμｍオーダーの精度での膜形成は
難しい。また、密着用のスパッタ層はガラス基板との密
着力は大きいが、銅のメッキ層との密着性が悪く、密着
層と銅層の間にさらに別の密着力向上用の層を形成する
必要が生じる。

【００１２】以上のことから、液晶素子の配線基板に電
極を形成する場合には、基板上に密着層−銅層を順に形
成し、その後、配線パターン形状にエッチングする工程
が不可欠である。そして、銅を用いた電極を実用化に供
するためには、一回のエッチング工程で密着層と銅の両
方を同時にエッチングしなければならない。

【００１３】そこで、本発明は、電極を構成する密着層
の金属と主導電層の銅を一回のエッチング工程で、容易
に精度よく配線パターンできるようにした配線基板、該
配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び
該液晶素子の製造方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、基板上に電極を形成してなる
配線基板において、前記電極を、前記基板上に形成され
たニッケル合金層又はニッケル単体層からなる密着層
と、該密着層上に形成された銅層からなる主導電層とで
構成したことを特徴としている。

【００１５】また、基板上にニッケル合金層又はニッケ
ル単体層からなる密着層と、該密着層上に銅層からなる
主導電層とで構成される電極を形成してなる配線基板の
製造方法において、前記電極は、前記基板上に前記密着
層であるニッケル合金層又はニッケル単体層と、その上
に前記主導電層である銅層を成膜した後、前記基板の上
方からエッチング液を前記基板全面に散布すると共に、
散布された前記エッチング液が前記基板上から速やかに
脱離するような回転数で前記基板を回転させながらエッ
チングを行って形成されることを特徴としている。

【００１６】また、互いに対向するように配置され電極
群を形成した一対の配線基板間に液晶を挟持してなる液
晶素子において、前記電極は、基板上に形成されたニッ
ケル合金層又はニッケル単体層からなる密着層と、該密
着層上に形成された銅層からなる主導電層とで構成され
ていることを特徴としている。

【００１７】また、互いに対向するように配置され電極
群を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記
電極が、基板上に形成されたニッケル合金層又はニッケ
ル単体層からなる密着層と、該密着層上に形成された銅
層からなる主導電層とで構成されている液晶素子の製造
方法において、前記電極は、前記基板上に前記密着層で
あるニッケル合金層又はニッケル単体層と、その上に前
記主導電層である銅層を成膜した後、前記基板の上方か
らエッチング液を前記基板全面に散布すると共に、散布
された前記エッチング液が前記基板上から速やかに脱離
するような回転数で前記基板を回転させながらエッチン
グを行って形成されることを特徴としている。

【００１８】（作用）本発明では、電極を構成する主導
電層の銅層とガラス基板との密着力を増加させるため
に、銅層とガラス基板の間に密着層としてニッケル単体
又はニッケル主成分中にモリブデン、アルミニウム、シ
リコン、スズのいずれかを添加したニッケル合金を用い
る。ニッケル合金を用いるのは、ニッケルは磁性体であ
るために成膜時にＤＣマグネトロンスパッタ法を有効に
利用できないためである。このため、ニッケル中に一定
以上のモリブデン、アルミニウム、シリコン、スズのい
ずれかを添加し合金化することで、このニッケル合金は
非磁性体に近い磁性となり、マグネトロン放電が可能と
なる。この結果、成膜速度を著しく向上させることがで
きる。

【００１９】また、本発明では、エッチング処理に用い
るエッチング液として、塩化鉄溶液を用いる。ニッケル
（又はニッケル合金）は、高濃度（３０％程度）の塩化
鉄溶液中では実用上差し支えないエッチング速度が得ら
れるが、エッチングむらが生じやすい。一方、低濃度
（１０％以下）の塩化鉄溶液中ではエッチング速度は小
さく、実用上適さなかったが、本願発明者らは、銅とニ
ッケル（又はニッケル合金）を多層膜化した場合、低濃
度（１０％以下）の塩化鉄溶液中でも実用に適したエッ
チング速度が得られることを実験結果により見出した。
更に、銅についても同様にエッチング速度の増加が確認
された。以下に示す表１は、この実験結果における低濃
度（９％）の塩化第２鉄溶液による銅、ニッケル単体、
ニッケル合金（ニッケル＋モリブデン，ニッケル＋アル
ミニウム，ニッケル＋シリコン，ニッケル＋スズ）、及
び３層膜（ニッケル合金（モリブデン８％）＋銅＋ニッ
ケル合金（モリブデン８％））のエッチング速度（Å／
ｓｅｃ）である。

【００２０】

【表１】 尚、３層膜の場合、膜厚構成比の差など単体膜と同一比
較できない要素が存在するため、膜全体のエッチングに
要する時間で膜全体の厚さを割りエッチング速度とし
た。このように、銅多層膜のエッチングは以上の層構成
とエッチング液との組み合わせで行うことができる。

【００２１】また、銅層膜は、エッチング液中で常に基
板端部から基板中央部に向かいエッチングが進行するこ
とが知られているが、本願発明者らは、銅多層膜をエッ
チングしたところ、被エッチング基板中央部と端部では
エッチング量に極端な差が発生することを実験結果によ
り見出した。この実験に用いた２０ｍｍ角基板の端部で
は、オーバーエッチングのためニッケルと銅が共に消滅
しているのに中央部では未だほとんどエッチングが進ん
でいない、といった極端なエッチングむらが生じた。

【００２２】このため、本発明では、このようなエッチ
ングむらを改善するために、被エッチング基板を高速回
転（２００〜１０００ｒｐｍ）させ、回転している被エ
ッチング基板表面全体に塩化鉄溶液からなるエッチング
液をシャワー状に均一に吹き付けるようにした。そし
て、被エッチング基板上に吹き付けられたエッチング液
を、基板の高速回転による遠心力で速やかに被エッチン
グ基板上から脱離させる。これにより、エッチング液は
微粒子として被エッチング基板表面に到達して、エッチ
ング反応を生じるが、エッチング液は直に遠心力で基板
から脱離してエッチングが停止することになる。そし
て、基板表面全体に均一にエッチング液が散布される
と、基板表面各部で独立したエッチングが進行すること
になり、基板端部と中央部のエッチング量の差がなくな
る。

【００２３】このように、本発明では以上の多層膜形成
とエッチングにより、従来不可能とされてきた３００×
３４０ｍｍという大型の基板においてもμｍオーダーの
ニッケル（又はニッケル主成分中にモリブデン、アルミ
ニウム、シリコン、スズのいずれかを添加したニッケル
合金）と銅の多層構造からなる金属電極の形成が可能に
なった。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。

【００２５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る配線基板の一例を示す概略断面図
である。図１に示す本発明の配線基板１において、２は
ガラス基板、３は所定の配線パターンに形成された金属
電極、４は金属電極３を埋め込んだＵＶ（紫外線）硬化
樹脂である。

【００２６】金属電極３は、図２に示すように、ガラス
基板２側から密着層５と、主導電層６である銅層と、保
護層７が積層されて構成されており、密着層５と保護層
７はニッケル−モリブデン合金（モリブデン１０％）で
それぞれ形成されている。金属電極３の密着層５の厚み
は例えば３０ｎｍ、主導電層６の厚みは例えば１μｍ、
保護層７の厚みは例えば１５ｎｍである。

【００２７】このように、金属電極３の密着層５と保護
層７を、ニッケル−モリブデン合金（モリブデン１０
％）で形成したことによって、ガラス基板２と密着性の
悪い銅層からなる主導電層６を密着層５を介してガラス
基板２に良好に密着させることができる。また、密着層
５と保護層７を、ニッケル−モリブデン合金（モリブデ
ン１０％）で形成したことによって、その飽和磁束は１
０００Ｇ以下となり、製造時のスパッタリング工程にお
いて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を有効に利用するこ
とができる。

【００２８】次に、上述した配線基板１の製造方法を、
図３乃至図６を参照して説明する。先ず、３００×３４
０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板２の表面にＤＣマ
グネットスパッタリング法により、金属電極を構成する
密着層であるニッケル−モリブデン合金層（モリブデン
１０％）８を３０ｎｍの厚みで成膜した後、その上に主
導電層である銅層９を１μｍの厚みで成膜し、更にその
上に保護層であるニッケル−モリブデン合金層（モリブ
デン１０％）１０を１５ｎｍの厚みで成膜する（図３
（ａ）参照）。この時の各層の成膜条件は以下の通りで
あり、スパッタリング装置として、（株）シンクロ社
製；商品名：ＢＳＣ−７００を使用した。 密着層であるニッケル−モリブデン合金層（モリブデン
１０％）８の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……６０ｓｅｃ 主導電層である銅層９の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……２８ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……７５０ｓｅｃ 保護層であるニッケル−モリブデン合金（モリブデン１
０％）１０の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……３０ｓｅｃ 次に、ニッケル−モリブデン合金層（モリブデン１０
％）８，１０、銅層９を成膜したガラス基板２上にフォ
トレジスト（例えば、東京応化工業（株）社製；商品
名：ＯＦＰＲ−８００）１１をスピンコート法により２
μｍの厚みで塗布し、配線パターンが描かれているのフ
ォトマスク１２を通して露光した後、このフォトレジス
ト１１を現像、ポストベークしてエッチングパターン１
３を形成する（図３（ｂ），（ｃ）参照）。

【００２９】次に、ガラス基板２上に積層されたニッケ
ル−モリブデン合金層８，１０、銅層９のエッチング処
理を、図４に示すエッチング装置２０で行った。

【００３０】先ず、このガラス基板２を回転自在な基板
ホルダー２１上に固定し、基板ホルダー２１に連結され
た駆動モータ２２を起動して、基板ホルダー２１と一体
にこのガラス基板２を２００〜１０００ｒｐｍ程度の高
速回転、好ましくは４００〜５００ｒｐｍの回転数で回
転させる。尚、この時の基板回転数は５００ｒｐｍ以上
でもよいが、エッチング装置２０の耐久性等を考慮した
場合、４００〜５００ｒｐｍが好ましい。

【００３１】次に、エッチング液である塩化第２鉄水溶
液２３を溜めた圧力容器２４内に、圧力調整バルブ２５
で圧力を調整した窒素ガス２６を配管２７を通して供給
し、この窒素ガス２６の圧力により、圧力容器２４内の
塩化第２鉄水溶液２３を、配管２８に設けた三方弁２９
を通して基板ホルダー２１の上方に配置したノズル３０
から回転しているガラス基板２上に散布する。ノズル３
０には不図示の揺動装置が取り付けられており、この揺
動装置によりノズル３０を基板回転中心を通る軸（直径
方向）に沿って直線往復運動（矢印方向）させて、ノズ
ル３０から散布される塩化第２鉄水溶液２３をシャワー
状に拡がるようにしてガラス基板２上の全面に均一に吹
き付ける。この時、ニッケル−モリブデン合金層（モリ
ブデン１０％）８，１０、銅層９の３層膜のエッチング
は、上述した表１に示したように実用に適したエッチン
グ速度で行われる。

【００３２】そして、所定のエッチング時間が経過した
ら、三方弁２９の切り替えにより塩化第２鉄水溶液２３
の供給を停止して、配管３１を通してリンス液（純水）
３２をノズル３０からガラス基板２上に吹き付けてエッ
チングを停止し、ガラス基板２をリンス液（純水）３２
で十分に洗浄した後、リンス液（純水）３２の供給を停
止し、しばらくガラス基板２の回転を維持してリンス液
（純水）３２の水切りを行い、エッチング処理を終え
る。この時のエッチングの各条件は以下の通りである。

【００３３】 ニッケル−モリブデン合金層８，１０、銅層９のエッチング条件 エッチング液 ……塩化第２鉄水溶液（９．５％） 窒素ガス圧力 ……１．２Ｋｇ／ｃｍ² リンス液 ……純水 基板回転数 ……４００ｒｐｍ エッチング液温度 ……２５℃ エッチング時間 ……２０ｓｅｃ リンス時間 ……６０ｓｅｃ 水切り時間 ……３０ｓｅｃ エッチング液散布拡がり角 ……５０ｄｅｇ ノズル揺動幅 ……６０ｄｅｇ ノズル揺動回数 ……１００ｒｐｍ 次に、前記エッチングパターン１３を剥離して、ガラス
基板２上に密着層（ニッケル−モリブデン合金、層（モ
リブデン１０％））５と、主導電層（銅層）６と、保護
層（ニッケル−モリブデン合金層（モリブデン１０
％））７からなる多層膜構造の金属電極３を形成した
（図５参照）。この金属電極３は、例えば幅２０μｍで
ピッチ３２０μｍのストライプ状に形成されている。

【００３４】次に、平滑板３３の表面上に、ＵＶ硬化樹
脂４をディスペンサー３４で所定量滴下し（図６（ａ）
参照）、ＵＶ硬化樹脂４が滴下された平滑板３３に対し
て、上述したガラス基板２の配線パターンされた金属電
極３側を接触させてＵＶ硬化樹脂４を挟む（図６（ｂ）
参照）。

【００３５】次に、平滑板３３とガラス基板２とでＵＶ
硬化樹脂４を挟んだ一対物をプレス機の上・下プレス板
３４ａ，３４ｂ内に入れて、プレス圧力Ｐにより平滑板
３３とガラス基板２とを密着させる（図６（ｃ）参
照）。この時、ＵＶ硬化樹脂４を金属電極３の表面上か
ら排除するか、又は極薄く樹脂が残る程度になるよう
に、平滑板３３とガラス基板２とを強く、しかも基板全
面に均一に密着させるようにする。

【００３６】次に、このＵＶ硬化樹脂４を硬化させるた
めに、平滑板３３とガラス基板２の一対物を上・下プレ
ス板３４ａ，３４ｂ内から取り出し、ガラス基板２側か
らＵＶ光３５を照射してＵＶ硬化樹脂４を硬化させる
（図６（ｄ）参照）。次に、離型治具（図示省略）によ
り平滑板３３からガラス基板２を剥離することにより
（図６（ｅ）参照）、図１に示した金属電極３をＵＶ硬
化樹脂４内に埋め込んだ配線基板１を得た。

【００３７】このように、本発明では、配線基板１の製
造時のエッチング工程において、金属電極３を構成する
ニッケル−モリブデン合金層（モリブデン１０％）８，
１０、銅層９を形成したガラス基板２を高速回転（２０
０〜１０００ｒｐｍ程度）させて、上方から吹き付ける
エッチング液である塩化第２鉄水溶液２３を、ガラス基
板２上から遠心力で速やかに脱離させることにより、基
板端部と中央部でのエッチングむらが生じることなく、
基板全面が均一にエッチングされることにより、ガラス
基板２と密着性がよく、精度のよい配線パターンを有す
る金属電極３を形成することができるので、μｍオーダ
ーの精度が要求される液晶素子の配線基板として用いる
ことができる。

【００３８】また、上述したエッチング工程において、
ガラス基板２を５０〜２００ｒｐｍの低速回転で同様に
エッチングを行ったところ、ガラス基板２上に吹き付け
られた塩化第２鉄水溶液２３がガラス基板２表面から速
やかに脱離させることができず、エッチングむらが生じ
て精度のよい金属電極を形成することができなかった。
また、上述した配線基板１は、金属電極３をＵＶ硬化
樹脂４内に埋め込んだ構成であったが、金属電極３をＵ
Ｖ硬化樹脂等の樹脂内に埋め込まない構成も可能であ
る。

【００３９】（第２の実施の形態）本実施の形態では、
図１に示した配線基板１の金属電極３の密着層５と主導
電層６を保護する保護層７に、第１の実施の形態と同様
に飽和磁束が１０００Ｇ以下となるようにニッケルとア
ルミニウムの合金を用いた構成であり、他の構成は第１
の実施の形態と同様である。

【００４０】本実施の形態では、第１の実施の形態と同
様にガラス基板の表面にＤＣマグネットスパッタリング
法により、密着層であるニッケル−アルミニウム合金層
（アルミニウム２０％）を３０ｎｍの厚みで成膜した
後、その上に主導電層である銅層を１μｍの厚みで成膜
し、更にその上に保護層であるニッケル−アルミニウム
合金層（アルミニウム２０％）を１５ｎｍの厚みで成膜
する。この時の各層の成膜条件は以下の通りである。ス
パッタリング装置は第１の実施の形態と同じものを用い
た。

【００４１】密着層であるニッケル−アルミニウム合金
層（アルミニウム２０％）の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……５０ｓｅｃ 主導電層である銅層の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……２８ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……７５０ｓｅｃ 保護層であるニッケル−アルミニウム合金層（アルミニ
ウム２０％）の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……２５ｓｅｃ 次に、このニッケル−アルミニウム合金層、銅層のエッ
チング処理を第１の実施の形態と同様、図４に示すエッ
チング装置２０で行った。この時のエッチングの各条件
は以下の通りである。

【００４２】 ニッケル−アルミニウム合金層、銅層のエッチング条件 エッチング液 ……塩化第２鉄水溶液（９．５％） 窒素ガス圧力 ……１．２Ｋｇ／ｃｍ² リンス液 ……純水 基板回転数 ……４００ｒｐｍ エッチング液温度 ……２５℃ エッチング時間 ……１８ｓｅｃ リンス時間 ……６０ｓｅｃ 水切り時間 ……３０ｓｅｃ エッチング液散布拡がり角 ……５０ｄｅｇ ノズル揺動幅 ……６０ｄｅｇ ノズル揺動回数 ……１００ｒｐｍ エッチング後は、第１の実施の形態と同様にして金属電
極をＵＶ硬化樹脂内に埋め込んだ配線基板を作製した。

【００４３】このように、本実施の形態においても、基
板端部と中央部でのエッチングむらが生じることなく、
基板全面が均一にエッチングされることにより、ガラス
基板と密着性がよく、精度のよい配線パターンを有する
金属電極を形成することができる。

【００４４】（第３の実施の形態）本実施の形態では、
図１に示した配線基板１の金属電極３の密着層５と主導
電層６を保護する保護層７に、第１の実施の形態と同様
に飽和磁束が１０００Ｇ以下となるようにニッケルとシ
リコンの合金を用いた構成であり、他の構成は第１の実
施の形態と同様である。

【００４５】本実施の形態では、第１の実施の形態と同
様にガラス基板の表面にＤＣマグネットスパッタリング
法により、密着層であるニッケル−シリコン合金層（シ
リコン１５％）を３０ｎｍの厚みで成膜した後、その上
に主導電層である銅層を１μｍの厚みで成膜し、更にそ
の上に保護層であるニッケル−シリコン合金層（シリコ
ン１５％）を１５ｎｍの厚みで成膜する。この時の各層
の成膜条件は以下の通りである。スパッタリング装置は
第１の実施の形態と同じものを用いた。

【００４６】密着層であるニッケル−シリコン合金層
（シリコン１５％）の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……６０ｓｅｃ 主導電層である銅層の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……２８ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……７５０ｓｅｃ 保護層であるニッケル−シリコン合金（シリコン１５
％）の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……３０ｓｅｃ 次に、このニッケル−シリコン合金層、銅層のエッチン
グ処理を第１の実施の形態と同様、図４に示すエッチン
グ装置２０で行った。この時のエッチングの各条件は以
下の通りである。

【００４７】 ニッケル−シリコン合金層、銅層のエッチング条件 エッチング液 ……塩化第２鉄水溶液（９．５％） 窒素ガス圧力 ……１．２Ｋｇ／ｃｍ² リンス液 ……純水 基板回転数 ……４００ｒｐｍ エッチング液温度 ……２５℃ エッチング時間 ……４０ｓｅｃ リンス時間 ……６０ｓｅｃ 水切り時間 ……３０ｓｅｃ エッチング液散布拡がり角 ……５０ｄｅｇ ノズル揺動幅 ……６０ｄｅｇ ノズル揺動回数 ……１００ｒｐｍ エッチング後は、第１の実施の形態と同様にして金属電
極をＵＶ硬化樹脂内に埋め込んだ配線基板を作製した。

【００４８】このように、本実施の形態においても、基
板端部と中央部でのエッチングむらが生じることなく、
基板全面が均一にエッチングされることにより、ガラス
基板と密着性がよく、精度のよい配線パターンを有する
金属電極を形成することができる。

【００４９】（第４の実施の形態）本実施の形態では、
図１に示した配線基板１の金属電極３の密着層５と主導
電層６を保護する保護層７に、第１の実施の形態と同様
に飽和磁束が１０００Ｇ以下となるようにニッケルとス
ズの合金を用いた構成であり、他の構成は第１の実施の
形態と同様である。

【００５０】本実施の形態では、第１の実施の形態と同
様にガラス基板の表面にＤＣマグネットスパッタリング
法により、密着層であるニッケル−スズ合金層（スズ２
０％）を３０ｎｍの厚みで成膜した後、その上に主導電
層である銅層を１μｍの厚みで成膜し、更にその上に保
護層であるニッケル−スズ合金層（スズ２０％）を１５
ｎｍの厚みで成膜する。この時の各層の成膜条件は以下
の通りである。スパッタリング装置は第１の実施の形態
と同じものを用いた。

【００５１】密着層であるニッケル−スズ合金層（スズ
２０％）の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……５０ｓｅｃ 主導電層である銅層の成膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……２８ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……７５０ｓｅｃ 保護層であるニッケル−スズ合金層（スズ２０％）の成
膜条件 成膜圧力 ……５Ｅ−３ｔｏｒｒ 基板温度 ……２００℃ Ａｒガス流量 ……１００ｓｃｃｍ ターゲットパワー ……１３ｗ／ｃｍ² 成膜時間 ……２５ｓｅｃ 次に、このニッケル−スズ合金層、銅層のエッチング処
理を第１の実施の形態と同様、図４に示すエッチング装
置２０で行った。この時のエッチングの各条件は以下の
通りである。

【００５２】 ニッケル−スズ合金層、銅層のエッチング条件 エッチング液 ……塩化第２鉄水溶液（９．５％） 窒素ガス圧力 ……１．２Ｋｇ／ｃｍ² リンス液 ……純水 基板回転数 ……４００ｒｐｍ エッチング液温度 ……２５℃ エッチング時間 ……１５ｓｅｃ リンス時間 ……６０ｓｅｃ 水切り時間 ……３０ｓｅｃ エッチング液散布拡がり角 ……５０ｄｅｇ ノズル揺動幅 ……６０ｄｅｇ ノズル揺動回数 ……１００ｒｐｍ エッチング後の工程は、第１の実施の形態と同様にして
金属電極をＵＶ硬化樹脂内に埋め込んだ配線基板を作製
した。

【００５３】このように、本実施の形態においても、基
板端部と中央部でのエッチングむらが生じることなく、
基板全面が均一にエッチングされることにより、ガラス
基板と密着性がよく、精度のよい配線パターンを有する
金属電極を形成することができる。

【００５４】また、上述した各実施の形態では、金属電
極３の密着層５と保護層７をニッケル合金（ニッケル−
モリブデン合金、ニッケル−アルミニウム合金、ニッケ
ル−シリコン合金、ニッケル−スズ合金）で形成した
が、ニッケル単体で形成することもできる。この場合
は、製造時のニッケル層と銅層を成膜するスパッタ工程
で、ＤＣマグネットスパッタ法以外でスパッタリングを
行う必要がある。

【００５５】図７は、上述した配線基板を備えた本発明
に係る液晶素子の一例を示す概略断面図である。

【００５６】この液晶素子４０は、偏光板４１ａ，４１
ｂの間に対向して配置された一対の配線基板１ａ，１ｂ
を備えており、配線基板１ａ，１ｂは球状のスペーサビ
ーズ４２により所定の基板ギャップ（例えば、１．５μ
ｍ）で保持され、この基板ギャップ間にカイラルスメク
チック液晶４３が挟持されている。

【００５７】配線基板１ａ，１ｂは、図１に示した配線
基板１と同様の構成を有しており、ガラス基板２ａ，２
ｂ上には金属電極３ａ，３ｂがそれぞれ配線パターンさ
れ、平坦層であるＵＶ硬化樹脂４内に平坦化されて埋め
込まれている。金属電極３ａ，３ｂは、図１に示した配
線基板１と同様、密着層５ａ，５ｂ、主導電層６ａ，６
ｂ、保護層７ａ，７ｂの３層構造からなり、密着層５
ａ，５ｂと保護層７ａ，７ｂはニッケル−モリブデン合
金（モリブデン１０％）、主導電層６ａ，６ｂは銅でそ
れぞれ形成されている。

【００５８】金属電極３ａ，３ｂの密着層５ａ，５ｂの
厚みは例えば３０ｎｍ、主導電層６ａ，６ｂの厚みは例
えば１μｍ、保護層７ａ，７ｂの厚みは例えば１５ｎｍ
である。また、保護層７ａ，７ｂとＵＶ硬化樹脂４の表
面上には、金属電極３ａ，３ｂと電気的に接するように
してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極４４
ａ，４４ｂが形成され、更にその上に配向膜４５ａ，４
５ｂが形成されており、透明電極４４ａ，４４ｂは金属
電極３ａ，３ｂに合わせてストライプ状にそれぞれ形成
され、互いに９０°の角度で交差したマトリクス電極が
構成されている。

【００５９】このように、本発明に係る液晶素子４０
は、金属電極３ａ，３ｂの密着層５ａ，５ｂと保護層７
ａ，７ｂを、ニッケル−モリブデン合金（モリブデン１
０％）で形成したことによって、ガラス基板２と密着性
の悪い銅層からなる主導電層６ａ，６ｂを密着層５ａ，
５ｂを介してガラス基板２に良好に密着させることがで
きる。

【００６０】また、透明電極４４ａ，４４ｂの下に低抵
抗の金属配線３ａ，３ｂを併設した構成により、電圧波
形の遅延を抑制してカイラルスメクチック液晶４３を安
定して駆動することができるので、表示品位の向上を図
ることができる。

【００６１】更に、金属電極３ａ，３ｂの保護層７ａ，
７ｂはその厚みが薄いので、その電気抵抗値はほとんど
無視することができ、更に、金属電極３ａ，３ｂと透明
電極４４ａ，４４ｂ間の平坦性も良好に保持することが
できる。

【００６２】次に、上述した液晶素子４０の製造方法
を、図８（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。

【００６３】ガラス基板２ａ，２ｂ上に密着層５ａ，５
ｂ、主導電層６ａ，６ｂ、保護層７ａ，７ｂからなる金
属電極３ａ，３ｂをＵＶ硬化樹脂４ａ，４ｂ内に埋め込
むまでの工程は、図３乃至図６に示した配線基板１の製
造方法と同様であり、ここでは省略する。

【００６４】次に、平坦化された金属電極３ａの保護層
７ａとＵＶ硬化樹脂４ａ上に透明電極を構成するＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）層５０を、スパッタリング法によ
り７００Å程度の厚みで形成する（図８（ａ）参照）。

【００６５】次に、このＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層
５０上にフォトレジスト５１をスピンコート法により２
μｍの厚みで塗布し、配線パターンが描かれているのフ
ォトマスク５２を通して露光した後、フォトレジスト５
１を現像、ポストベークしてエッチングパターン５３を
形成する（図８（ｂ），（ｃ）参照）。

【００６６】次に、エッチングパターン５３が形成され
たガラス基板２ａをエッチング液であるヨウ化水素酸に
浸して、エッチングパターン５３で覆われていない部分
のＩＴＯ層５０をエッチングし、その後エッチングパタ
ーン５３を剥離して透明電極４４ａを配線パターンニン
グする（図８（ｄ）参照）。

【００６７】次に、透明電極４４ａ上に、スパッタリン
グ法により９００Å程度の厚みでＴａ₂ Ｏ₅ 等により絶
縁層（図示省略）を形成した後、この絶縁層上にポリア
ミド酸（例えば、日立化成（株）社製；商品名：ＬＱ１
８００）をＮＭＰ／ｎＢＣ＝１／１液で１．５ｗｔ％に
希釈した溶液をスピンコートで２０００ｒｐｍ、２０ｓ
ｅｃの条件で塗布し、その後２７０℃で約１時間加熱焼
成処理を施して、厚さ２００Å程度の配向膜４５ａを形
成した（図８（ｅ）参照）。そして、この配向膜４５ａ
に対してラビンブ処理を施した。尚、ガラス基板２ｂ側
の透明電極４４ｂ、配向膜４５ｂも同様にして形成され
る。

【００６８】次に、一方のガラス基板２ａ（又は２ｂ）
の表面に球状のスペーサビーズ４２を配置して、他方の
ガラス基板２ｂ（又は２ａ）の表面周縁にエポキシ樹脂
等のシール材（図示省略）をフレキソ印刷法により塗布
し、配向膜４５ａ，４５ｂのラビング方向が平行、且つ
同方向になるようにしてガラス基板２ａ，２ｂを所定の
基板ギャップ（例えば、１．５μｍ）で貼り合わせ、ガ
ラス基板２ａ，２ｂ間にカイラルスメクチック液晶４３
を注入することにより、図７に示した液晶素子４０を得
た。

【００６９】このように、金属電極３ａ，３ｂの主導電
層（銅層）６ａ，６ｂ上に保護層（ニッケル−モリブデ
ン合金層）７ａ，７ｂを形成することにより、金属電極
３ａ，３ｂ上に透明電極４４ａ，４４ｂを形成するエッ
チング工程で、金属電極３ａ，３ｂの主導電層（銅層）
６ａ，６ｂが透明電極４４ａ，４４ｂを形成するエッチ
ング液に浸されて腐食することが防止されることによ
り、安定した金属電極３ａ，３ｂを有する液晶素子４０
を製造することができる。

【００７０】また、上述した液晶素子４０では、金属電
極３ａ，３ｂの密着層５ａ，５ｂと保護層７ａ，７ｂを
ニッケル−モリブデン合金（モリブデン１０％）で形成
したが、これ以外に、ニッケル−アルミニウム合金、ニ
ッケル−シリコン合金、ニッケル−スズ合金、又はニッ
ケル単体で形成することもできる。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る配線
基板は、基板上に形成する電極を、ニッケル合金層又は
ニッケル単体層からなる密着層と銅層からなる主導電層
の多層構造にしたことにより、基板と密着性が悪い銅層
からなる主導電層を、密着層を介して基板に良好に密着
させることができる。

【００７２】また、本発明に係る配線基板の製造方法に
よれば、基板に形成する電極は、基板上に密着層である
ニッケル合金層又はニッケル単体層と、その上に主導電
層である銅層を成膜した後、基板の上方からエッチング
液を基板全面に散布すると共に、散布されたエッチング
液が基板上から速やかに脱離するような回転数で基板を
回転させながらエッチングを行って形成されることによ
り、基板端部と中央部でのエッチングむらが生じること
なく、基板全面が均一にエッチングされることによっ
て、基板と密着性がよく、精度のよい電極を形成するこ
とができる。

【００７３】また、本発明に係る配線基板を備えた液晶
素子は、基板上に形成する電極を、ニッケル合金層又は
ニッケル単体層からなる密着層と銅層からなる主導電層
の多層構造にしたことにより、基板と密着性が悪い銅層
からなる主導電層を、密着層を介して基板に良好に密着
させることができるので、電圧波形の遅延や鈍りを防止
することができる。

【００７４】また、本発明に係る液晶素子の製造方法に
よれば、基板に形成する電極は、基板上に密着層である
ニッケル合金層又はニッケル単体層と、その上に主導電
層である銅層を成膜した後、基板の上方からエッチング
液を基板全面に散布すると共に、散布されたエッチング
液が基板上から速やかに脱離するような回転数で基板を
回転させらがらエッチングを行って形成されることによ
り、基板端部と中央部でのエッチングむらが生じること
なく、基板全面が均一にエッチングされることによっ
て、基板と密着性がよく、精度のよい電極を形成するこ
とができるので、電圧波形の遅延や鈍りのない液晶素子
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る配線基板を示す概略断面図。

【図２】本発明に係る配線基板の金属電極を示す拡大断
面図。

【図３】本発明に係る配線基板の製造方法を説明するた
めの図で、（ａ）はニッケル−モリブデン合金層、銅
層、ニッケル−モリブデン合金層の成膜工程を示す図、
（ｂ）はフォトレジストへの露光工程を示す図、（ｃ）
は金属電極のエッチングパターンの形成工程を示す図。

【図４】エッチング装置を示す図。

【図５】エッチングされて形成された金属電極を示す
図。

【図６】本発明に係る配線基板の製造方法を説明するた
めの図で、（ａ）は平滑板にＵＶ硬化樹脂を滴下した状
態を示す図、（ｂ）は金属電極を形成した配線基板とＵ
Ｖ硬化樹脂が滴下された平滑板を接触させた状態を示す
図、（ｃ）はガラス基板の金属電極間にＵＶ硬化樹脂を
プレス圧で埋め込んでいる状態を示す図、（ｄ）はＵＶ
光でＵＶ硬化樹脂を硬化している状態を示す図、（ｅ）
は平滑板をＵＶ硬化樹脂内に埋め込んだ金属電極上から
剥した状態を示す図。

【図７】本発明に係る配線基板を備えた液晶素子を示す
概略断面図。

【図８】本発明に係る液晶素子の製造工程を示す図で、
（ａ）は金属電極とＵＶ硬化樹脂上にＩＴＯ層を成膜す
る工程を示す図、（ｂ）はフォトレジストへの露光工程
を示す図、（ｃ）は透明電極のエッチングパターンの形
成工程を示す図、（ｄ）はエッチングされた透明電極を
示す図、（ｅ）は配向膜の形成工程を示す図。

【図９】従来例に係る配線基板の金属電極を示す図。

【符号の説明】

１、１ａ，１ｂ 配線基板 ２、２ａ，２ｂ ガラス基板（基板） ３、３ａ，３ｂ 金属電極（電極） ４ ＵＶ硬化樹脂（高分子材料） ５、５ａ，５ｂ 密着層 ６、６ａ，６ｂ 主導電層 ７、７ａ，７ｂ 保護層 ８ ニッケル−モリブデン合金層 ９ 銅層 １０ ニッケル−モリブデン合金層 ２０ エッチング装置 ４４ａ，４４ｂ 透明電極 ２３ 塩化第２鉄水溶液（エッチング液） ３０ ノズル ３２ リンス液 ３３ 平滑板 ４０ 液晶素子 ４３ 液晶（カイラルスメクチック液晶） ４５ａ，４５ｂ 配向膜

Claims (38)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に電極を形成してなる配線基板に
   おいて、 前記電極を、前記基板上に形成されたニッケル合金層又
   はニッケル単体層からなる密着層と、該密着層上に形成
   された銅層からなる主導電層とで構成した、 ことを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 前記主導電層上にニッケル合金層又はニ
   ッケル単体層からなる保護層を形成した、 請求項１記載の配線基板。
3. 【請求項３】 前記ニッケル合金は、ニッケル主成分中
   にモリブデン、又はアルミニウム、又はシリコン、又は
   スズが添加されている、 請求項１又は２記載の配線基板。
4. 【請求項４】 前記ニッケル合金は略非磁性体となって
   いる、 請求項１、２又は３のいずれか１項記載の配線基板。
5. 【請求項５】 前記電極は、高分子材料により前記電極
   の上面が露出するようにして埋め込まれている、 請求項１記載の配線基板。
6. 【請求項６】 前記高分子材料は、紫外線の照射により
   硬化されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項５項記載の配線基板。
7. 【請求項７】 前記基板はガラス基板である、 請求項１記載の配線基板。
8. 【請求項８】 基板上にニッケル合金層又はニッケル単
   体層からなる密着層と、該密着層上に銅層からなる主導
   電層とで構成される電極を形成してなる配線基板の製造
   方法において、 前記電極は、前記基板上に前記密着層であるニッケル合
   金層又はニッケル単体層と、その上に前記主導電層であ
   る銅層を成膜した後、前記基板の上方からエッチング液
   を前記基板全面に散布すると共に、散布された前記エッ
   チング液が前記基板上から速やかに脱離するような回転
   数で前記基板を回転させながらエッチングを行って形成
   される、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記銅層上に保護層であるニッケル合金
   層又はニッケル単体層を成膜する、 請求項７項記載の配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記ニッケル合金層又はニッケル単体
    層と前記銅層はスパッタリング法によって成膜される、 請求項８又は９記載の配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記ニッケル合金は、ニッケル主成分
    中にモリブデン、又はアルミニウム、又はシリコン、又
    はスズが添加されている、 請求項８、９又は１０のいずれか１項記載の配線基板の
    製造方法。
12. 【請求項１２】 前記ニッケル合金は略非磁性体となっ
    ている、 請求項８、９、１０又は１１のいずれか１項記載の配線
    基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記エッチング液は塩化鉄水溶液であ
    る、 請求項８項記載の配線基板の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記基板の回転数は２００〜１０００
    ｒｐｍである、 請求項８項記載の配線基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記電極を、高分子材料により前記電
    極の上面が露出するようにして埋め込む、 請求項８項記載の配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記高分子材料は、紫外線の照射によ
    り硬化されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項１５項記載の配線基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記基板はガラス基板である、 請求項８記載の配線基板の製造方法。
18. 【請求項１８】 互いに対向するように配置され電極群
    を形成した一対の配線基板間に液晶を挟持してなる液晶
    素子において、 前記電極は、基板上に形成されたニッケル合金層又はニ
    ッケル単体層からなる密着層と、該密着層上に形成され
    た銅層からなる主導電層とで構成されている、ことを特
    徴とする液晶素子。
19. 【請求項１９】 前記主導電層上にニッケル合金層又は
    ニッケル単体層からなる保護層を形成した、 請求項１８記載の液晶素子。
20. 【請求項２０】 前記ニッケル合金は、ニッケル主成分
    中にモリブデン、又はアルミニウム、又はシリコン、又
    はスズが添加されている、 請求項１８又は１９記載の液晶素子。
21. 【請求項２１】 前記ニッケル合金は略非磁性体となっ
    ている、 請求項１８、１９、又は２０のいずれか１項記載の液晶
    素子。
22. 【請求項２２】 前記電極は、高分子材料により前記電
    極の上面が露出するようにして埋め込まれている、 請求項１８記載の液晶素子。
23. 【請求項２３】 前記高分子材料は、紫外線の照射によ
    り硬化されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項２３項記載の液晶素子。
24. 【請求項２４】 前記電極上に電気的に接するようにし
    て透明電極が形成され、更にその上に配向膜が形成され
    ている、 請求項１８記載の液晶素子。
25. 【請求項２５】 前記液晶はカイラルスメクチック液晶
    である、 請求項１８記載の液晶素子。
26. 【請求項２６】 前記基板はガラス基板である、 請求項１８記載の液晶素子。
27. 【請求項２７】 互いに対向するように配置され電極群
    を形成した一対の配線基板間に液晶が挟持され、前記電
    極が、基板上に形成されたニッケル合金層又はニッケル
    単体層からなる密着層と、該密着層上に形成された銅層
    からなる主導電層とで構成されている液晶素子の製造方
    法において、 前記電極は、前記基板上に前記密着層であるニッケル合
    金層又はニッケル単体層と、その上に前記主導電層であ
    る銅層を成膜した後、前記基板の上方からエッチング液
    を前記基板全面に散布すると共に、散布された前記エッ
    チング液が前記基板上から速やかに脱離するような回転
    数で前記基板を回転させながらエッチングを行って形成
    される、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
28. 【請求項２８】 前記銅層上に保護層であるニッケル合
    金層又はニッケル単体層を成膜する、 請求項２７項記載の液晶素子の製造方法。
29. 【請求項２９】 前記ニッケル合金層又はニッケル単体
    層と前記銅層はスパッタリング法によって成膜される、 請求項２７又は２８記載の液晶素子の製造方法。
30. 【請求項３０】 前記ニッケル合金は、ニッケル主成分
    中にモリブデン、又はアルミニウム、又はシリコン、又
    はスズが添加されている、 請求項２７、２８又は２９のいずれか１項記載の液晶素
    子の製造方法。
31. 【請求項３１】 前記ニッケル合金は略非磁性体となっ
    ている、 請求項２７、２８、２９又は３０のいずれか１項記載の
    液晶素子の製造方法。
32. 【請求項３２】 前記エッチング液は塩化鉄水溶液であ
    る、 請求項２７項記載の液晶素子の製造方法。
33. 【請求項３３】 前記基板の回転数は２００〜１０００
    ｒｐｍである、請求項２７項記載の液晶素子の製造方
    法。
34. 【請求項３４】 前記電極を、高分子材料により前記電
    極の上面が露出するようにして埋め込む、 請求項２７項記載の液晶素子の製造方法。
35. 【請求項３５】 前記高分子材料は、紫外線の照射によ
    り硬化されるＵＶ硬化樹脂である、 請求項３４項記載の液晶素子の製造方法。
36. 【請求項３６】 前記電極上に電気的に接するようにし
    て透明電極を形成し、更にその上に配向膜を形成する、 請求項２７記載の液晶素子の製造方法。
37. 【請求項３７】 前記液晶はカイラルスメクチック液晶
    である、 請求項２７記載の液晶素子の製造方法。
38. 【請求項３８】 前記基板はガラス基板である、 請求項２７記載の液晶素子の製造方法。