JP2004134818A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス基板206上に、Ni、Moを主成分とする合金材料から成る密着層210a及び酸化防止層210cのうちの少なくとも酸化防止層210cを有した電極210を形成する際、密着層210a及び酸化防止層210cのMo比率を10at%〜70at%とすることにより、Ni−Moのバリ状の欠陥のない電極を得ることができる。
【選択図】 図7
Description
Cuを含む層からなる多層金属層を用いた例としては、液晶パネルに用いられる金属電極が挙げられる。
a.CuやCu合金(以下、“Cu系の金属”とする)の層と、ガラス基板に接するように配置された密着層との積層構造としたもの(特許文献1参照)
b.Cu系の金属層と、該金属層を覆うように配置された酸化防止層との積層構造としたもの(特許文献2参照)、
が提案されている。
上述のような多層金属層をエッチングする方法としては、ドライ方式とウェット方式とが考えられるが、ドライ方式の場合、装置が大がかりとなって設備費がかかりすぎ、また、ガラス基板を高温に維持しなければならないことからガラス基板が変形してしまうおそれもあり、さらに、基板に石英ガラス基板を用いて熱変形を回避することも考えられるが、Cuのエッチングレートが低すぎるため実用的ではないという問題がある。したがって、上述の多層金属層のエッチングには、一般にウェット方式が採用されている。
まず、本発明の参考の形態について図4を参照して説明する。
次に、本発明の第1の実施の形態について図5を参照して説明する。
以下、本発明の第2の実施の形態を図6及び図7を用いて説明する。
本参考例においては、300Åの膜厚のNi(第1層31)、104Åの膜厚のCu(第2層32)、及び700Åの膜厚のNi(第3層33)からなる3層の金属層をガラス基板1に成膜し、これをエッチングした。
成膜前基板温度・・・・・200℃
Ar流量・・・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・・・13W/cm2
成膜時間・・・・・・・・60sec
第2層32の成膜条件;成膜圧力・・・・・・・・3E−3torr
成膜前基板温度・・・・・200℃
Ar流量・・・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・・・28W/cm2
成膜(ターゲット前通過)時間・・・・・750sec
第3層33の成膜条件;成膜時間は、第1層31の成膜時間の2倍(120s
ec)とし、それ以外の成膜条件は第1層31と同じに
した。
本参考例においては、第1層31及び第3層33には、400Åの膜厚のNi−Mo合金(Moの含有率は10at%)を用い、第2層32には、参考例1の第2層32と同じ材質及び膜厚ものを用いた。
本参考例においては、第1層31及び第3層33の材質、膜厚及び成膜方法(成膜条件、成膜装置)を参考例2と同じにした。
本参考例においては、第1層31及び第3層33の材質、膜厚及び成膜方法(成膜条件、成膜装置)を参考例2と同じにした。
本参考例においては、図5に示す多層金属層3を形成した。すなわち、第1層131及び第3層133に、500Åの膜厚のCu−Mo合金(Moの含有率は20at%)を用い、第2層32に104Åの膜厚のCuを用いた。
成膜前基板温度・・・・・200℃
Ar流量・・・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・・・13W/cm2
成膜時間・・・・・・・・90sec
第2層32の成膜条件 ;成膜圧力・・・・・・・・3E−3torr
成膜前基板温度・・・・・200℃
Ar流量・・・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・・・28W/cm2
成膜(ターゲット前通過)時間・・・750sec
第3層133の成膜条件;第1層131の成膜条件と同じ
本参考例においては、第1層131及び第3層133には、350Åの膜厚のNi−Mo合金(Moの含有率は10at%)を用い、第2層32には、参考例5の第2層32と同じ材質及び膜厚もの(104Åの膜厚のCu)を用いた。
本参考例においては、第1層131及び第3層133には、200Åの膜厚のMoを用い、第2層32には、参考例5の第2層32と同じ材質及び膜厚もの(104Åの膜厚のCu)を用いた。
成膜前基板温度・・・・・200℃
Ar流量・・・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・・・18W/cm2
成膜時間・・・・・・・・60sec
第2層32の成膜条件 ;参考例5の場合と同じ
第3層133の成膜条件;上記第1層131の成膜条件と同じ
本実施例においては、図6及び図7に示す金属電極210を形成した。
成膜圧力・・・・・・3E−3torr
成膜前基板温度・・・200℃
Ar流量・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・13w/cm2
成膜時間・・・・・・60sec
銅膜210bの成膜条件
成膜圧力・・・・・・3E−3torr
成膜前基板湿度・・・200℃
Ar流量・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・28w/cm2
成膜時間・・・・・・750sec
第2Ni合金膜210cの成膜条件
成膜圧力・・・・・・3E−3torr
成膜前基板湿度・・・200℃
Ar流量・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・113w/cm2
成膜時間・・・・・・60sec
次に、密着層を備えていない金属電極210を形成する金属電極210の形成法の実施例2について説明する。
以下に本発明の実施例3を図7を用いて説明する。
Ni−Mo層210a
成膜圧力・・・・・・3E−3torr
成膜前基板温度・・・200℃
Ar流量・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・13w/cm2
成膜時間・・・・・・70sec
Cu層210b
成膜圧力・・・・・・3E−3torr
成膜前基板湿度・・・200℃
Ar流量・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・28w/cm2
成膜時間・・・・・・750sec
Ni−Mo層210c
成膜圧力・・・・・・3E−3torr
成膜前基板温度・・・200℃
Ar流量・・・・・・100sccm
ターゲットパワー・・13w/cm2
成膜時間・・・・・・70sec
3 多層金属層
31 第1層(Niを含む層)
32 第2層(Cuを含む層)
33 第3層(Niを含む層)
131 第1層(Moを含む層)
132 第2層(Cuを含む層)
133 第3層(Moを含む層)
201 液晶素子
202 配線基板
203 液晶
206 ガラス基板
210 金属電極
210a 第1Ni合金膜
210b 銅膜
210c 第2Ni合金膜
Claims (3)
- ガラス基板上に形成されたCuを含む層とNi及びMoを含む層を有する多層金属層を塩化第2鉄を含むエッチング液でエッチングするエッチング方法において、
前記Ni及びMoを含む層のMo比率が10at%〜70at%である、
ことを特徴とするエッチング方法。 - 前記エッチング液がベンゾトリアゾールを有する、請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液がフッ化ナトリウムを有する、
請求項1又は2に記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004023146A JP3970248B2 (ja) | 1997-12-25 | 2004-01-30 | エッチング方法 |
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JP35833897 | 1997-12-25 | ||
JP35825797 | 1997-12-25 | ||
JP21451498 | 1998-07-29 | ||
JP2004023146A JP3970248B2 (ja) | 1997-12-25 | 2004-01-30 | エッチング方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105813839A (zh) * | 2013-12-27 | 2016-07-27 | 三井金属矿业株式会社 | 复合金属箔、带有载体的复合金属箔、用这些金属箔得到的覆金属层压板及印刷线路板 |
WO2018232873A1 (zh) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 韦荣群 | 一种镍的选择性蚀刻液 |
-
2004
- 2004-01-30 JP JP2004023146A patent/JP3970248B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105813839A (zh) * | 2013-12-27 | 2016-07-27 | 三井金属矿业株式会社 | 复合金属箔、带有载体的复合金属箔、用这些金属箔得到的覆金属层压板及印刷线路板 |
WO2018232873A1 (zh) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 韦荣群 | 一种镍的选择性蚀刻液 |
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