JPH10221702A - 配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子 - Google Patents
配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用いた液晶素子Info
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- JPH10221702A JPH10221702A JP2076497A JP2076497A JPH10221702A JP H10221702 A JPH10221702 A JP H10221702A JP 2076497 A JP2076497 A JP 2076497A JP 2076497 A JP2076497 A JP 2076497A JP H10221702 A JPH10221702 A JP H10221702A
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- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
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- H05K3/061—Etching masks
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細な配線パターンを形成することのでき
る配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用い
た液晶素子を提供する。 【解決手段】 透光性基材６の表面に該透光性基材６と
の接着性の良い金属からなる下地層１２を形成する工程
と、下地層１２の表面に低抵抗の金属からなる低抵抗層
１３を形成する工程と、低抵抗層１３の表面に低抵抗層
１３を保護する保護層１４を形成する工程と、補助電極
１０のパターンにエッチングする工程の他に、保護層１
４の表面にエッチング精度向上層１５を形成する工程
と、エッチングの後、エッチング精度向上層１５を除去
する工程とを設けることにより、高精細な配線パターン
を有する補助電極１０を形成するようにする。
る配線基板、配線基板の製造方法及び該配線基板を用い
た液晶素子を提供する。 【解決手段】 透光性基材６の表面に該透光性基材６と
の接着性の良い金属からなる下地層１２を形成する工程
と、下地層１２の表面に低抵抗の金属からなる低抵抗層
１３を形成する工程と、低抵抗層１３の表面に低抵抗層
１３を保護する保護層１４を形成する工程と、補助電極
１０のパターンにエッチングする工程の他に、保護層１
４の表面にエッチング精度向上層１５を形成する工程
と、エッチングの後、エッチング精度向上層１５を除去
する工程とを設けることにより、高精細な配線パターン
を有する補助電極１０を形成するようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶素子に用いら
れる配線基板、配線基板の製造方法、該及び該配線基板
を用いた液晶素子に関し、特に配線基板の補助電極の形
成方法に関するものである。
れる配線基板、配線基板の製造方法、該及び該配線基板
を用いた液晶素子に関し、特に配線基板の補助電極の形
成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）やＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）型等の液晶素子では、透光性基材の一例
であるガラス基板上に形成される透明電極としてＩＴＯ
（Ｉｎｄｉａｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜が一般に用い
られるが、この透明電極を構成するＩＴＯ膜は抵抗値が
高いため、最近のように表示面積の大型化、高精細化に
伴って印加される電圧波形の遅延が問題になってきた。
ｍａｔｉｃ）やＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ）型等の液晶素子では、透光性基材の一例
であるガラス基板上に形成される透明電極としてＩＴＯ
（Ｉｎｄｉａｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜が一般に用い
られるが、この透明電極を構成するＩＴＯ膜は抵抗値が
高いため、最近のように表示面積の大型化、高精細化に
伴って印加される電圧波形の遅延が問題になってきた。
【０００３】特に、強誘電性液晶を用いた液晶素子では
セルギャップが１〜３μｍとより狭いため、電圧波形の
遅延が顕著であった。ここで、この抵抗値を低くするた
めに透明電極を厚く形成することも考えられるが、膜厚
を厚くすると成膜に時間を要し、且つコストもかかり、
更に透明性も悪くなる等の欠点があった。
セルギャップが１〜３μｍとより狭いため、電圧波形の
遅延が顕著であった。ここで、この抵抗値を低くするた
めに透明電極を厚く形成することも考えられるが、膜厚
を厚くすると成膜に時間を要し、且つコストもかかり、
更に透明性も悪くなる等の欠点があった。
【０００４】そこで、このような欠点を解決するため
に、例えば、特開平２−６３０１９号公報に示されるも
ののように、膜厚の薄い透明電極に併設して低抵抗値の
金属配線を形成する構成の配線基板が提案されている。
ここで、この公報に開示されている配線基板は、金属配
線を透明な絶縁物で埋め込み、表面に金属パターンを露
出した金属配線上にＩＴＯ膜等の透明電極を形成したも
のである。
に、例えば、特開平２−６３０１９号公報に示されるも
ののように、膜厚の薄い透明電極に併設して低抵抗値の
金属配線を形成する構成の配線基板が提案されている。
ここで、この公報に開示されている配線基板は、金属配
線を透明な絶縁物で埋め込み、表面に金属パターンを露
出した金属配線上にＩＴＯ膜等の透明電極を形成したも
のである。
【０００５】ところで、上述したような構成の配線基板
を作製する場合、金属配線間を埋めて平坦化する絶縁物
として、例えば特開平６−３４７８１０号公報に示され
るもののように透明な樹脂を用いる構成の配線基板が提
案されている。
を作製する場合、金属配線間を埋めて平坦化する絶縁物
として、例えば特開平６−３４７８１０号公報に示され
るもののように透明な樹脂を用いる構成の配線基板が提
案されている。
【０００６】次に、このような低抵抗率の金属配線を備
えた配線基板を製造する方法の一例を図７を用いて説明
する。
えた配線基板を製造する方法の一例を図７を用いて説明
する。
【０００７】まず、同図（ａ）に示すように透明な平滑
板１０１の表面上に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂１０２を
ディスペンサ等の定量化治具１０８で所定量滴下する。
次に、（ｂ）に示すようにＵＶ硬化樹脂１０２が滴下さ
れた平滑板１０１上に、予め１μｍ程度の膜厚からなる
金属配線１０３が形成されたガラス基板１０４を金属配
線１０３を平滑板１０１に向けてＵＶ硬化樹脂１０２を
挟むように接触させる。なお、この金属配線１０３は、
例えばスパッター法等によってガラス基板１０４上に銅
等の金属膜層を形成した後、フォトリソ法等によってパ
ターンニングして形成されたものである。
板１０１の表面上に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂１０２を
ディスペンサ等の定量化治具１０８で所定量滴下する。
次に、（ｂ）に示すようにＵＶ硬化樹脂１０２が滴下さ
れた平滑板１０１上に、予め１μｍ程度の膜厚からなる
金属配線１０３が形成されたガラス基板１０４を金属配
線１０３を平滑板１０１に向けてＵＶ硬化樹脂１０２を
挟むように接触させる。なお、この金属配線１０３は、
例えばスパッター法等によってガラス基板１０４上に銅
等の金属膜層を形成した後、フォトリソ法等によってパ
ターンニングして形成されたものである。
【０００８】次に、（ｃ）に示すように平滑板１０１と
ガラス基板１０４とでＵＶ硬化樹脂１０２を挟んだ一体
物１００Ａを、（ｄ）に示すようにプレス機１０５内に
入れて平滑板１０１とガラス基板１０４とを密着させ
る。この時、後の工程でＩＴＯ膜等の透明電極と金属配
線１０３とが接して導通性を保つようにするため、ＵＶ
硬化樹脂１０２を金属配線１０３の表面上から除去する
か、又は極薄く樹脂が残るように、（ｅ）に示す矢印方
向にようにプレス機１０５によりさらに圧力を加えて平
滑板１０１とガラス基板１０４とを強く、且つ基板全面
に均一に密着させる。
ガラス基板１０４とでＵＶ硬化樹脂１０２を挟んだ一体
物１００Ａを、（ｄ）に示すようにプレス機１０５内に
入れて平滑板１０１とガラス基板１０４とを密着させ
る。この時、後の工程でＩＴＯ膜等の透明電極と金属配
線１０３とが接して導通性を保つようにするため、ＵＶ
硬化樹脂１０２を金属配線１０３の表面上から除去する
か、又は極薄く樹脂が残るように、（ｅ）に示す矢印方
向にようにプレス機１０５によりさらに圧力を加えて平
滑板１０１とガラス基板１０４とを強く、且つ基板全面
に均一に密着させる。
【０００９】次に、一体物１００Ａをプレス機１０５か
ら取り外し、この後ＵＶ硬化樹脂１０２を硬化させるた
め、（ｆ）に示すように平滑板１０１側からＵＶ（紫外
線）光１０６を照射してＵＶ硬化樹脂１０２を硬化させ
る。
ら取り外し、この後ＵＶ硬化樹脂１０２を硬化させるた
め、（ｆ）に示すように平滑板１０１側からＵＶ（紫外
線）光１０６を照射してＵＶ硬化樹脂１０２を硬化させ
る。
【００１０】次に、離型治具（図示省略）により（ｇ）
の矢印に示すように平滑板１０１から、硬化したＵＶ硬
化樹脂１０２と一体となったガラス基板１０４を剥離す
る。そして、この平滑板１０１からの剥離により、
（ｈ）に示すような状態となったガラス基板１０４のＵ
Ｖ硬化樹脂１０２上に、（ｉ）に示すように金属配線１
０３と電気的に接するようにしてＩＴＯ膜からなる透明
電極１０７を形成し、ＵＶ硬化樹脂１０２を埋め込んだ
配線基板１００を得ていた。
の矢印に示すように平滑板１０１から、硬化したＵＶ硬
化樹脂１０２と一体となったガラス基板１０４を剥離す
る。そして、この平滑板１０１からの剥離により、
（ｈ）に示すような状態となったガラス基板１０４のＵ
Ｖ硬化樹脂１０２上に、（ｉ）に示すように金属配線１
０３と電気的に接するようにしてＩＴＯ膜からなる透明
電極１０７を形成し、ＵＶ硬化樹脂１０２を埋め込んだ
配線基板１００を得ていた。
【００１１】ところで、上述した従来の製造方法によっ
て製造される配線基板１００では、金属配線１０３の金
属として、体積抵抗値が２〜１０×１０-8Ωｍと小さい
Ｃｕ（銅）が一般的に用いられている。そして、銅で形
成した金属配線１０３は、他の金属を用いた場合に較べ
て膜厚を薄く設定でき、且つ材料費が安価なことから最
も経済的である。
て製造される配線基板１００では、金属配線１０３の金
属として、体積抵抗値が２〜１０×１０-8Ωｍと小さい
Ｃｕ（銅）が一般的に用いられている。そして、銅で形
成した金属配線１０３は、他の金属を用いた場合に較べ
て膜厚を薄く設定でき、且つ材料費が安価なことから最
も経済的である。
【００１２】しかしながら、銅を用いた場合、銅で形成
された金属配線１０３はガラス基板１０４との密着力が
小さいために、図７（ｇ）に示した離型工程において、
平滑板１０１からガラス基板１０４を剥離する際、ガラ
ス基板１０４から金属配線１０３が剥離するおそれがあ
り、これにより得られる配線基板１００の歩留りが大幅
に低下するという欠点があった。
された金属配線１０３はガラス基板１０４との密着力が
小さいために、図７（ｇ）に示した離型工程において、
平滑板１０１からガラス基板１０４を剥離する際、ガラ
ス基板１０４から金属配線１０３が剥離するおそれがあ
り、これにより得られる配線基板１００の歩留りが大幅
に低下するという欠点があった。
【００１３】また、銅は酸化しやすい金属であり、図７
（ｉ）に示した工程でＩＴＯ膜等の透明電極１０７を金
属配線１０３上に形成する際、銅の表面酸化により透明
電極１０７と金属配線１０３との安定した電気的導通が
得られなくなるという欠点があった。
（ｉ）に示した工程でＩＴＯ膜等の透明電極１０７を金
属配線１０３上に形成する際、銅の表面酸化により透明
電極１０７と金属配線１０３との安定した電気的導通が
得られなくなるという欠点があった。
【００１４】そこで、このような欠点を解決するため
に、金属配線１０３を、ガラス基板１０４と密着性の良
い金属からなる下地密着層と、この下地密着層上に形成
された低抵抗の金属からなる低抵抗層と、この低抵抗層
上に形成され、低抵抗層の酸化を防止する金属からなる
保護層とを順に形成して多層構造とした配線基板が提案
されている。
に、金属配線１０３を、ガラス基板１０４と密着性の良
い金属からなる下地密着層と、この下地密着層上に形成
された低抵抗の金属からなる低抵抗層と、この低抵抗層
上に形成され、低抵抗層の酸化を防止する金属からなる
保護層とを順に形成して多層構造とした配線基板が提案
されている。
【００１５】図８の（ａ）は、このような構成の配線基
板を示すものであり、多層金属配線１０３Ａを形成する
下地密着層１１０は、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａl 、Ｔ
ａ、Ｎｉ等の基板との密着性の良い金属、あるいはそれ
らの合金で形成されている。また、低抵抗層１１１は、
例えば銅（Ｃｕ）からなる薄膜であり、また保護層１１
２は、例えばＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉあるいはそれ
らの合金からなる酸化防止薄膜からそれぞれ構成されて
いる。なお、図５（ｂ）はカラーフィルタ１１３上に該
多層金属配線が形成された例である。
板を示すものであり、多層金属配線１０３Ａを形成する
下地密着層１１０は、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａl 、Ｔ
ａ、Ｎｉ等の基板との密着性の良い金属、あるいはそれ
らの合金で形成されている。また、低抵抗層１１１は、
例えば銅（Ｃｕ）からなる薄膜であり、また保護層１１
２は、例えばＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉあるいはそれ
らの合金からなる酸化防止薄膜からそれぞれ構成されて
いる。なお、図５（ｂ）はカラーフィルタ１１３上に該
多層金属配線が形成された例である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の配線基板において、液晶素子の高画質、高開口率
化の要求に応えるために、配線幅を狭くし、高精細な配
線パターンを得る目的でフォトエッチング加工を施した
場合、図９に示すように、保護層１１２として低抵抗層
１１１上に形成した薄膜が、ひさし状にバリＢとして残
ってしまい、これによりエッチング加工精度を低下さ
せ、結果的に加工歩留りを低くしてしまうという問題点
があった。
従来の配線基板において、液晶素子の高画質、高開口率
化の要求に応えるために、配線幅を狭くし、高精細な配
線パターンを得る目的でフォトエッチング加工を施した
場合、図９に示すように、保護層１１２として低抵抗層
１１１上に形成した薄膜が、ひさし状にバリＢとして残
ってしまい、これによりエッチング加工精度を低下さ
せ、結果的に加工歩留りを低くしてしまうという問題点
があった。
【００１７】そこで本発明は、このような従来の問題点
を解決するためになされたものであり、高精細な配線パ
ターンを形成することのできる配線基板、配線基板の製
造方法及び該配線基板を用いた液晶素子を提供すること
を目的とするものである。
を解決するためになされたものであり、高精細な配線パ
ターンを形成することのできる配線基板、配線基板の製
造方法及び該配線基板を用いた液晶素子を提供すること
を目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透光性基材の
表面にパターン形成された補助電極と、前記補助電極の
表面に形成された主電極とを有する配線基板において、
前記補助電極は、前記透光性基材の表面に順に該透光性
基材との接着性の良い金属からなる下地層と、低抵抗の
金属からなる低抵抗層と、前記低抵抗層を保護する保護
層と、エッチング精度向上層とを形成した後、エッチン
グ及び前記エッチング精度向上層の除去を行ってパター
ン形成されることを特徴とするものである。
表面にパターン形成された補助電極と、前記補助電極の
表面に形成された主電極とを有する配線基板において、
前記補助電極は、前記透光性基材の表面に順に該透光性
基材との接着性の良い金属からなる下地層と、低抵抗の
金属からなる低抵抗層と、前記低抵抗層を保護する保護
層と、エッチング精度向上層とを形成した後、エッチン
グ及び前記エッチング精度向上層の除去を行ってパター
ン形成されることを特徴とするものである。
【００１９】また本発明は、前記下地層をＭｏ、Ｔｉ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
【００２０】また本発明は、前記保護層をＭｏ、Ｔｉ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
【００２１】また本発明は、前記下地層及び前記保護層
をＮｉＭｏ合金で形成したことを特徴とするものであ
る。
をＮｉＭｏ合金で形成したことを特徴とするものであ
る。
【００２２】また本発明は、前記低抵抗層及びエッチン
グ精度向上層をＣｕあるいはその合金で形成したことを
特徴とするものである。
グ精度向上層をＣｕあるいはその合金で形成したことを
特徴とするものである。
【００２３】また本発明は、前記補助電極相互の間隙に
高分子層を有することを特徴とするものである。
高分子層を有することを特徴とするものである。
【００２４】また本発明は、透光性基材の表面にパター
ン形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成さ
れた主電極とを有する配線基板の製造方法において、前
記透光性基材の表面に該透光性基材との接着性の良い金
属からなる下地層を形成する工程と、前記下地層の表面
に低抵抗の金属からなる低抵抗層を形成する工程と、前
記低抵抗層の表面に該低抵抗層を保護する保護層を形成
する工程と、前記保護層の表面にエッチング精度向上層
を形成する工程と、前記下地層、低抵抗層、保護層及び
エッチング精度向上層を前記補助電極のパターンにエッ
チングする工程と、前記エッチングの後、前記エッチン
グ精度向上層を除去する工程と、により前記補助電極を
形成することを特徴とするものである。
ン形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成さ
れた主電極とを有する配線基板の製造方法において、前
記透光性基材の表面に該透光性基材との接着性の良い金
属からなる下地層を形成する工程と、前記下地層の表面
に低抵抗の金属からなる低抵抗層を形成する工程と、前
記低抵抗層の表面に該低抵抗層を保護する保護層を形成
する工程と、前記保護層の表面にエッチング精度向上層
を形成する工程と、前記下地層、低抵抗層、保護層及び
エッチング精度向上層を前記補助電極のパターンにエッ
チングする工程と、前記エッチングの後、前記エッチン
グ精度向上層を除去する工程と、により前記補助電極を
形成することを特徴とするものである。
【００２５】また本発明は、前記エッチング精度向上層
を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴
とするものである。
を１００Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴
とするものである。
【００２６】また本発明は、前記下地層をＭｏ、Ｔｉ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
【００２７】また本発明は、前記保護層をＭｏ、Ｔｉ、
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれか
で形成したことを特徴とするものである。
【００２８】また本発明は、前記下地層及び前記保護層
をＮｉＭｏ合金で形成したことを特徴とするものであ
る。
をＮｉＭｏ合金で形成したことを特徴とするものであ
る。
【００２９】また本発明は、前記低抵抗層及びエッチン
グ精度向上層をＣｕあるいはその合金で形成したことを
特徴とするものである。
グ精度向上層をＣｕあるいはその合金で形成したことを
特徴とするものである。
【００３０】また本発明は、前記エッチング精度向上層
を除去する工程を、前記補助電極のパターンをパターニ
ングしたエッチングレジストの剥離工程と同時に行うこ
とを特徴とするものである。
を除去する工程を、前記補助電極のパターンをパターニ
ングしたエッチングレジストの剥離工程と同時に行うこ
とを特徴とするものである。
【００３１】また本発明は、前記保護層を形成する工程
と、前記エッチング精度向上層を形成する工程との間
に、該保護層及びエッチング精度向上層を形成する金属
又は合金の混合材料によってミキシング層を形成する工
程を設けたことを特徴とするものである。
と、前記エッチング精度向上層を形成する工程との間
に、該保護層及びエッチング精度向上層を形成する金属
又は合金の混合材料によってミキシング層を形成する工
程を設けたことを特徴とするものである。
【００３２】また本発明は、前記ミキシング層を１００
Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とするも
のである。
Å〜５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とするも
のである。
【００３３】また本発明は、前記補助電極相互の間隙に
高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とするもの
である。
高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とするもの
である。
【００３４】また本発明は、透光性基材の表面にパター
ン形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成さ
れた主電極とを有する一対の配線基板により液晶を挟持
する液晶素子において、前記配線基板の補助電極は、前
記透光性基材の表面に順に該透光性基材との接着性の良
い金属からなる下地層と、低抵抗の金属からなる低抵抗
層と、前記低抵抗層を保護する保護層と、エッチング精
度向上層とを形成した後、エッチング及び前記エッチン
グ精度向上層の除去を行ってパターン形成されることを
特徴とするものである。
ン形成された補助電極と、前記補助電極の表面に形成さ
れた主電極とを有する一対の配線基板により液晶を挟持
する液晶素子において、前記配線基板の補助電極は、前
記透光性基材の表面に順に該透光性基材との接着性の良
い金属からなる下地層と、低抵抗の金属からなる低抵抗
層と、前記低抵抗層を保護する保護層と、エッチング精
度向上層とを形成した後、エッチング及び前記エッチン
グ精度向上層の除去を行ってパターン形成されることを
特徴とするものである。
【００３５】また本発明は、透光性基材と、該透光性基
材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた
第２電極とを有する配線基板において、前記第１電極
は、前記透光性基材側から順に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからな
る第１層、Ｃｕあるいはその合金からなる第２層、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金
のいずれかからなる第３層、及びＣｕあるいはその合金
からなる第４層を有することを特徴とするものである。
材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた
第２電極とを有する配線基板において、前記第１電極
は、前記透光性基材側から順に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからな
る第１層、Ｃｕあるいはその合金からなる第２層、Ｍ
ｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金
のいずれかからなる第３層、及びＣｕあるいはその合金
からなる第４層を有することを特徴とするものである。
【００３６】また本発明は、前記第１電極相互の間隙に
高分子層を有することを特徴とするものである。
高分子層を有することを特徴とするものである。
【００３７】また本発明は、前記第１層及び第３層がＮ
ｉＭｏ合金からなることを特徴とするものである。
ｉＭｏ合金からなることを特徴とするものである。
【００３８】また本発明は、透光性基材と、該透光性基
材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた
第２電極とを有する配線基板において、前記透光性基材
上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれら
の合金のいずれかからなる第１層を形成する工程と、前
記第１層の上にＣｕあるいはその合金からなる第２層を
形成する工程と、前記第２層の上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからな
る第３層を形成する工程と、前記第３層の上にＣｕある
いはその合金からなる第４層を形成する工程と、前記第
１層、第２層、第３層及び第４層を前記第１電極のパタ
ーンにエッチングする工程と、前記エッチングの後、前
記第４層を除去する工程と、により前記第１電極を形成
することを特徴とするものである。
材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた
第２電極とを有する配線基板において、前記透光性基材
上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれら
の合金のいずれかからなる第１層を形成する工程と、前
記第１層の上にＣｕあるいはその合金からなる第２層を
形成する工程と、前記第２層の上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからな
る第３層を形成する工程と、前記第３層の上にＣｕある
いはその合金からなる第４層を形成する工程と、前記第
１層、第２層、第３層及び第４層を前記第１電極のパタ
ーンにエッチングする工程と、前記エッチングの後、前
記第４層を除去する工程と、により前記第１電極を形成
することを特徴とするものである。
【００３９】また本発明は、前記第３層を形成する工程
と、前記第４層を形成する工程との間に、該第３層及び
第４層を形成する金属又は合金の混合材料によってミキ
シング層を形成する工程を設けたことを特徴とするもの
である。
と、前記第４層を形成する工程との間に、該第３層及び
第４層を形成する金属又は合金の混合材料によってミキ
シング層を形成する工程を設けたことを特徴とするもの
である。
【００４０】また本発明は、前記第４層を除去する工程
を、前記第１電極のパターンをパターニングしたエッチ
ングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴とする
ものである。
を、前記第１電極のパターンをパターニングしたエッチ
ングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴とする
ものである。
【００４１】また本発明は、前記補助電極相互の間隙に
高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とするもの
である。
高分子層を形成する工程を設けたことを特徴とするもの
である。
【００４２】また本発明は、透光性基材と、該透光性基
材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた
第２電極とを有する一対の配線基板により液晶を挟持す
る液晶素子において、前記第１電極は、前記透光性基材
側から順に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるい
はそれらの合金のいずれかからなる第１層、Ｃｕあるい
はその合金からなる第２層、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからなる第３
層、及びＣｕあるいはその合金からなる第４層を形成し
た後、エッチング及び前記第４層の除去を行ってパター
ン形成されることを特徴とするものである。
材上に設けられた第１電極と、該第１電極に設けられた
第２電極とを有する一対の配線基板により液晶を挟持す
る液晶素子において、前記第１電極は、前記透光性基材
側から順に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるい
はそれらの合金のいずれかからなる第１層、Ｃｕあるい
はその合金からなる第２層、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかからなる第３
層、及びＣｕあるいはその合金からなる第４層を形成し
た後、エッチング及び前記第４層の除去を行ってパター
ン形成されることを特徴とするものである。
【００４３】また本発明のように、透光性基材の表面に
順に透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層
と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、低抵抗層を保護
する保護層と、エッチング精度向上層とを形成した後、
エッチング及びエッチング精度向上層の除去を行うこと
により、高精細な配線パターンを有する補助電極を形成
するようにする。
順に透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層
と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、低抵抗層を保護
する保護層と、エッチング精度向上層とを形成した後、
エッチング及びエッチング精度向上層の除去を行うこと
により、高精細な配線パターンを有する補助電極を形成
するようにする。
【００４４】また本発明のように、透光性基材の表面に
該透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層を形
成する工程と、下地層の表面に低抵抗の金属からなる低
抵抗層を形成する工程と、低抵抗層の表面に低抵抗層を
保護する保護層を形成する工程と、補助電極のパターン
にエッチングする工程の他に、保護層の表面にエッチン
グ精度向上層を形成する工程と、エッチングの後、エッ
チング精度向上層を除去する工程とを設けることによ
り、高精細な配線パターンを有する補助電極を形成する
ようにする。
該透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層を形
成する工程と、下地層の表面に低抵抗の金属からなる低
抵抗層を形成する工程と、低抵抗層の表面に低抵抗層を
保護する保護層を形成する工程と、補助電極のパターン
にエッチングする工程の他に、保護層の表面にエッチン
グ精度向上層を形成する工程と、エッチングの後、エッ
チング精度向上層を除去する工程とを設けることによ
り、高精細な配線パターンを有する補助電極を形成する
ようにする。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００４６】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
配線基板を用いた液晶素子の構造を示す断面図であり、
同図において、１は液晶素子、２は配線基板、３は液
晶、４はシール材、５はスペーサである。ここで、この
配線基板２は、透光性基材であるガラス基板６と、主電
極（第２電極）である透明電極７と、多層の補助電極
（第１電極）である多層金属電極１０と、高分子材料で
ある紫外線硬化型樹脂で形成され、多層金属電極１０間
を絶縁する絶縁層（高分子層）１１とを有したものであ
る。なお、この配線基板２には絶縁膜８及び配向膜９が
形成されている。
配線基板を用いた液晶素子の構造を示す断面図であり、
同図において、１は液晶素子、２は配線基板、３は液
晶、４はシール材、５はスペーサである。ここで、この
配線基板２は、透光性基材であるガラス基板６と、主電
極（第２電極）である透明電極７と、多層の補助電極
（第１電極）である多層金属電極１０と、高分子材料で
ある紫外線硬化型樹脂で形成され、多層金属電極１０間
を絶縁する絶縁層（高分子層）１１とを有したものであ
る。なお、この配線基板２には絶縁膜８及び配向膜９が
形成されている。
【００４７】ところで、この配線基板２の多層金属電極
１０は、図２に示すように、ガラス基板６上の全面に成
膜されたガラス基板６との密着性のよい、例えばＮｉＭ
ｏ合金よりなる下地層（第１層）１２と、この下地層１
２の上に成膜された低抵抗のＣｕ（銅）よりなる低抵抗
層（第２層）１３と、この低抵抗層１３の上に成膜され
た酸化防止膜として機能する、例えばＮｉＭｏ合金より
なる保護層（第３層）１４とからなるものである。
１０は、図２に示すように、ガラス基板６上の全面に成
膜されたガラス基板６との密着性のよい、例えばＮｉＭ
ｏ合金よりなる下地層（第１層）１２と、この下地層１
２の上に成膜された低抵抗のＣｕ（銅）よりなる低抵抗
層（第２層）１３と、この低抵抗層１３の上に成膜され
た酸化防止膜として機能する、例えばＮｉＭｏ合金より
なる保護層（第３層）１４とからなるものである。
【００４８】次に、このような構成の多層金属電極１０
を備えた配線基板２の製造方法を図３、図４を用いて説
明する。
を備えた配線基板２の製造方法を図３、図４を用いて説
明する。
【００４９】まず、図３の（ａ）に示すように、例えば
寸法３００×３１０mmで厚さ１．１mmの両面研磨された
透明なガラス基板６上の全面に、例えばスパッタ法によ
りガラス基板６との密着性のよい、ＮｉＭｏ（ニッケル
モリブデン合金Ｍｏ含有率８．３ａｔ％）を５００Å程
度の膜厚で成膜して下地層１２を形成する。
寸法３００×３１０mmで厚さ１．１mmの両面研磨された
透明なガラス基板６上の全面に、例えばスパッタ法によ
りガラス基板６との密着性のよい、ＮｉＭｏ（ニッケル
モリブデン合金Ｍｏ含有率８．３ａｔ％）を５００Å程
度の膜厚で成膜して下地層１２を形成する。
【００５０】次に、（ｂ）に示すように、この下地層形
成工程にて形成された下地層１２の上に、例えばスパッ
タ法により低抵抗のＣｕ（銅）を１μm 程度の膜厚で成
膜して低抵抗層１３を形成し、この後、（ｃ）に示すよ
うに、この低抵抗層形成工程にて形成された低抵抗層１
３の上に、例えばスパッタ法により酸化防止膜として機
能するＮｉＭｏ（ニッケルモリブデン合金Ｍｏ含有率
８．３ａｔ％）を５００Å程度の膜厚で成膜して保護層
１４を形成する。
成工程にて形成された下地層１２の上に、例えばスパッ
タ法により低抵抗のＣｕ（銅）を１μm 程度の膜厚で成
膜して低抵抗層１３を形成し、この後、（ｃ）に示すよ
うに、この低抵抗層形成工程にて形成された低抵抗層１
３の上に、例えばスパッタ法により酸化防止膜として機
能するＮｉＭｏ（ニッケルモリブデン合金Ｍｏ含有率
８．３ａｔ％）を５００Å程度の膜厚で成膜して保護層
１４を形成する。
【００５１】ところで、本実施の形態においては、この
後のエッチング工程の前に、配線パターンの高精細化が
可能となるよう（ｄ）に示すように、保護層形成工程に
て形成された保護層１４の上に、例えばスパッタ法によ
り第２層目の低抵抗層１３で用いた金属と同一のＣｕ
（銅）を１００〜５００Åの厚さ範囲でエッチング精度
向上層（第４層）１５を形成するようにしている。
後のエッチング工程の前に、配線パターンの高精細化が
可能となるよう（ｄ）に示すように、保護層形成工程に
て形成された保護層１４の上に、例えばスパッタ法によ
り第２層目の低抵抗層１３で用いた金属と同一のＣｕ
（銅）を１００〜５００Åの厚さ範囲でエッチング精度
向上層（第４層）１５を形成するようにしている。
【００５２】そして、このようにエッチング精度向上層
形成工程にて形成されたエッチング精度向上層１５の上
に、例えばフォトリソグラフィー法及びスピンコート法
によってフォトレジストを１μｍ程度の膜厚で全面塗布
する。
形成工程にて形成されたエッチング精度向上層１５の上
に、例えばフォトリソグラフィー法及びスピンコート法
によってフォトレジストを１μｍ程度の膜厚で全面塗布
する。
【００５３】次に、このようにフォトレジストが塗布さ
れたガラス基板６をプリベータした後、所望パターンの
フォトマスク（図示省略）を用いて露光装置（例えば、
キヤノン（株）社製、商品名；ＭＰＡ−１５００）によ
り露光する。そして、この後、現像液により現像を行っ
た後、ポストベーク工程を経て、図４の（ａ）に示すよ
うにレジストパターン１６を形成する。
れたガラス基板６をプリベータした後、所望パターンの
フォトマスク（図示省略）を用いて露光装置（例えば、
キヤノン（株）社製、商品名；ＭＰＡ−１５００）によ
り露光する。そして、この後、現像液により現像を行っ
た後、ポストベーク工程を経て、図４の（ａ）に示すよ
うにレジストパターン１６を形成する。
【００５４】次に、塩化第２鉄を主成分とする水溶液か
らなるエッチング液によりエッチング処理を施すことに
よりガラス基板６上に、（ｂ）に示すような例えば幅６
μｍでピッチ３２０μｍのストライプ形状の高精細パタ
ーンをパターンニングする。ここで、この時形成された
多層金属配線１０には、保護層１４によるひさし状のバ
リは観測されず、高精度でシャープなパターンが得られ
た。
らなるエッチング液によりエッチング処理を施すことに
よりガラス基板６上に、（ｂ）に示すような例えば幅６
μｍでピッチ３２０μｍのストライプ形状の高精細パタ
ーンをパターンニングする。ここで、この時形成された
多層金属配線１０には、保護層１４によるひさし状のバ
リは観測されず、高精度でシャープなパターンが得られ
た。
【００５５】次に、このエッチング工程の後、レジスト
剥離液（長瀬電子化学社製の商品名：Ｎ−３２０）を用
い液温設定３０°Ｃ、液スプレー圧０．８〜１．０kg／
cm2、基板搬送スピード４５０mm／min 、の条件でスプ
レー剥離する。この工程でレジスト１６及びＣｕ（銅）
からなるエッチング精度向上層１５を同時に除去するこ
とができ、その結果として、（ｃ）に示すようにガラス
基板６上に下地層１２、低抵抗層１３、保護層１４が順
次形成された高精細な３層金属配線パターンが形成され
た配線基板２を得ることができる。
剥離液（長瀬電子化学社製の商品名：Ｎ−３２０）を用
い液温設定３０°Ｃ、液スプレー圧０．８〜１．０kg／
cm2、基板搬送スピード４５０mm／min 、の条件でスプ
レー剥離する。この工程でレジスト１６及びＣｕ（銅）
からなるエッチング精度向上層１５を同時に除去するこ
とができ、その結果として、（ｃ）に示すようにガラス
基板６上に下地層１２、低抵抗層１３、保護層１４が順
次形成された高精細な３層金属配線パターンが形成され
た配線基板２を得ることができる。
【００５６】なお、このようにして形成された配線基板
２を備えた液晶素子の製造方法について次に説明する
と、まず平滑板の表面に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂（例
えばペンタエリスリトールトリファリレート５０重量部
材、ネオベンチルグリコールジアクリレート５０重量
部、１−ヒドロキシンクロヘキシルフェニルケトン２重
量部からなる樹脂）を滴下する（図７の（ａ）参照）。
２を備えた液晶素子の製造方法について次に説明する
と、まず平滑板の表面に、ＵＶ（紫外線）硬化樹脂（例
えばペンタエリスリトールトリファリレート５０重量部
材、ネオベンチルグリコールジアクリレート５０重量
部、１−ヒドロキシンクロヘキシルフェニルケトン２重
量部からなる樹脂）を滴下する（図７の（ａ）参照）。
【００５７】次に、多層金属電極１０が形成された配線
基板２と、ＵＶ硬化樹脂を挟むようにして一体化する
（図７の（ｂ）、（ｃ）参照）。そして、この後、プレ
ス工程、ＵＶ露光工程、離型工程を経て、金属配線間が
ＵＶ硬化樹脂１１で埋め込まれ、全面にわたって平坦な
配線基板２を形成する（図７の（ｈ）参照）。
基板２と、ＵＶ硬化樹脂を挟むようにして一体化する
（図７の（ｂ）、（ｃ）参照）。そして、この後、プレ
ス工程、ＵＶ露光工程、離型工程を経て、金属配線間が
ＵＶ硬化樹脂１１で埋め込まれ、全面にわたって平坦な
配線基板２を形成する（図７の（ｈ）参照）。
【００５８】そして、最後に多層金属配線１０と電気的
に接するように配線パターンに合せて、例えば幅３００
μｍのＩＴＯ膜からなる透明電極７をスパッタ形成して
パターンニングし、図２に示すような配線基板２を形成
する。
に接するように配線パターンに合せて、例えば幅３００
μｍのＩＴＯ膜からなる透明電極７をスパッタ形成して
パターンニングし、図２に示すような配線基板２を形成
する。
【００５９】このように、エッチング工程の前に保護層
１４の上にエッチング精度向上層１５を形成することに
より、配線パターンの高精細化が可能となる。
１４の上にエッチング精度向上層１５を形成することに
より、配線パターンの高精細化が可能となる。
【００６０】なお、本実施の形態においては、下地層１
２として、ＮｉＭｏ合金を用いたが、ガラス基板６との
密着性が強い、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａl 、Ｔａ、Ｎ
ｉ等の金属、あるいはそれらの合金からなる薄膜が好適
に用いられる。また、保護層１４としてＮｉＭｏ合金を
用いたが、例えばＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ等の高融
点金属、あるいはそれらの合金からなる酸化防止膜とし
て機能する薄膜を好適に用いることができる。
２として、ＮｉＭｏ合金を用いたが、ガラス基板６との
密着性が強い、例えばＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａl 、Ｔａ、Ｎ
ｉ等の金属、あるいはそれらの合金からなる薄膜が好適
に用いられる。また、保護層１４としてＮｉＭｏ合金を
用いたが、例えばＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｉ等の高融
点金属、あるいはそれらの合金からなる酸化防止膜とし
て機能する薄膜を好適に用いることができる。
【００６１】さらに、レジスト剥離工程で、レジスト及
びエッチング精度向上層１５を同時に除去したが、レジ
スト剥離工程後に、塩化第２銅水溶液にて、Ｃｕ（銅）
からなるエッチング精度向上層１５を除去してもパター
ンニング精度を損なうことはない。
びエッチング精度向上層１５を同時に除去したが、レジ
スト剥離工程後に、塩化第２銅水溶液にて、Ｃｕ（銅）
からなるエッチング精度向上層１５を除去してもパター
ンニング精度を損なうことはない。
【００６２】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００６３】図５は、本実施の形態に係る配線基板の製
造方法を模式的に示したものである。
造方法を模式的に示したものである。
【００６４】本実施の形態では、まず例えば寸法３００
×３１０mmで厚さ１．１mmの両面研磨された透明なガラ
ス基板６上に、スパッタ法によりガラス基板６との密着
性のよい金属（例えばＮｉＭｏ合金）を５００Å程度の
膜厚で成膜して下地層１２を形成する（図３の（ａ）参
照）。
×３１０mmで厚さ１．１mmの両面研磨された透明なガラ
ス基板６上に、スパッタ法によりガラス基板６との密着
性のよい金属（例えばＮｉＭｏ合金）を５００Å程度の
膜厚で成膜して下地層１２を形成する（図３の（ａ）参
照）。
【００６５】次に、この下地層１２の上に低抵抗なＣｕ
（銅）を１μｍ程度の膜厚で成膜して低抵抗層１３を形
成する（図３の（ｂ）参照）。この後、この低抵抗層１
３の上に酸化防止層として金属（例えばＮｉＭｏ合金）
を５００Å程度の膜厚で保護層１４を形成する（図３の
（ｃ）参照）。
（銅）を１μｍ程度の膜厚で成膜して低抵抗層１３を形
成する（図３の（ｂ）参照）。この後、この低抵抗層１
３の上に酸化防止層として金属（例えばＮｉＭｏ合金）
を５００Å程度の膜厚で保護層１４を形成する（図３の
（ｃ）参照）。
【００６６】そして、この後、本実施の形態において
は、保護層１４の上に、保護層１４の金属（例えばＮｉ
Ｍｏ合金）と、第１の実施の形態において述べたエッチ
ング精度向上層１５の金属（例えばＣｕ）とを、例えば
スパッタ法により同時にスパッタリングを行い、図５の
（ａ）に示すように２００Å程度の膜厚でミキシング層
１８を成膜する。
は、保護層１４の上に、保護層１４の金属（例えばＮｉ
Ｍｏ合金）と、第１の実施の形態において述べたエッチ
ング精度向上層１５の金属（例えばＣｕ）とを、例えば
スパッタ法により同時にスパッタリングを行い、図５の
（ａ）に示すように２００Å程度の膜厚でミキシング層
１８を成膜する。
【００６７】次に、このミキシング層１８上に、例えば
スパッタ法によりエッチング精度向上層として図５の
（ｂ）に示すように低抵抗層１３で用いた金属（例えば
Ｃｕ）を１００〜５００Åの膜厚で成膜し、エッチング
精度向上層１５を形成する。
スパッタ法によりエッチング精度向上層として図５の
（ｂ）に示すように低抵抗層１３で用いた金属（例えば
Ｃｕ）を１００〜５００Åの膜厚で成膜し、エッチング
精度向上層１５を形成する。
【００６８】その後、第１の実施の形態と同様の工程を
経て、図５の（ｃ）に示すように多層金属配線パターン
を形成する。ここで、この多層金属配線１０Ａの表面
は、主として保護層１４の金属（例えばＮｉＭｏ）で形
成されているが、ミキシング層１８を形成した効果によ
り、エッチング精度向上層１５及びミキシング層１８
が、レジスト剥離工程でそれぞれ除去された際に、表面
粗さが２００Å程度に粗化された粗面化表面１９を得る
ことができる。
経て、図５の（ｃ）に示すように多層金属配線パターン
を形成する。ここで、この多層金属配線１０Ａの表面
は、主として保護層１４の金属（例えばＮｉＭｏ）で形
成されているが、ミキシング層１８を形成した効果によ
り、エッチング精度向上層１５及びミキシング層１８
が、レジスト剥離工程でそれぞれ除去された際に、表面
粗さが２００Å程度に粗化された粗面化表面１９を得る
ことができる。
【００６９】なお、図６は、この表面を表面形状測定器
（α−ｓｔｅｐ）で測定した結果を示すものであり、こ
の場合も、第１の実施の形態同様、保護層１４のひさし
状のバリは発生せず高精度な高精細配線パターンを得る
ことができた。
（α−ｓｔｅｐ）で測定した結果を示すものであり、こ
の場合も、第１の実施の形態同様、保護層１４のひさし
状のバリは発生せず高精度な高精細配線パターンを得る
ことができた。
【００７０】次に、第１の実施の形態と同様にして、こ
の多層金属配線１０ＡをＵＶ硬化樹脂１１で埋め込み、
金属配線上に透明電極７を形成して図５の（ｄ）に示す
配線基板２を得た。
の多層金属配線１０ＡをＵＶ硬化樹脂１１で埋め込み、
金属配線上に透明電極７を形成して図５の（ｄ）に示す
配線基板２を得た。
【００７１】このように、本実施の形態では、第１の実
施の形態で得られる効果以外に、金属配線表面１９が２
００Å程度粗面化したことにより、透明電極７との接触
界面の実質的接触面積が増大する。これにより、より安
定な電気的導通性を得られる効果があり、多層金属配線
１０Ａと透明電極７との導通チェック工程での歩留りが
大幅に向上した。
施の形態で得られる効果以外に、金属配線表面１９が２
００Å程度粗面化したことにより、透明電極７との接触
界面の実質的接触面積が増大する。これにより、より安
定な電気的導通性を得られる効果があり、多層金属配線
１０Ａと透明電極７との導通チェック工程での歩留りが
大幅に向上した。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、透
光性基材の表面に順に透光性基材との接着性の良い金属
からなる下地層と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、
低抵抗層を保護する保護層と、エッチング精度向上層と
を形成した後、エッチング及びエッチング精度向上層の
除去を行うことにより、バリのない高精細な配線パター
ンを有する補助電極を形成することができる。これによ
り、高加工歩留りで配線基板を製造することができる。
光性基材の表面に順に透光性基材との接着性の良い金属
からなる下地層と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、
低抵抗層を保護する保護層と、エッチング精度向上層と
を形成した後、エッチング及びエッチング精度向上層の
除去を行うことにより、バリのない高精細な配線パター
ンを有する補助電極を形成することができる。これによ
り、高加工歩留りで配線基板を製造することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る配線基板を用
いた液晶素子の構造を示す断面図。
いた液晶素子の構造を示す断面図。
【図２】上記配線基板の多層金属電極の構造を示す図。
【図３】上記配線基板の製造方法の一部を説明する図。
【図４】上記配線基板の製造方法の他の一部を説明する
図。
図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製
造方法を説明する図。
造方法を説明する図。
【図６】上記第２の実施の形態に係る製造方法にて形成
された配線基板の表面粗さの測定結果を示す図。
された配線基板の表面粗さの測定結果を示す図。
【図７】従来の配線基板の製造方法を説明する図。
【図８】従来の配線基板の多層金属電極の構造を示す
図。
図。
【図９】従来の問題点を説明する図。
１ 液晶素子 ２ 配線基板 ３ 液晶 ６ ガラス基板 ７ 透明電極 １０，１０Ａ 多層金属電極 １２ 下地層 １３，１１１ 低抵抗層 １４．１１２ 保護層 １５ エッチング精度向上層 １８ ミキシング層
Claims (27)
- 【請求項１】 透光性基材の表面にパターン形成された
補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電極と
を有する配線基板において、 前記補助電極は、前記透光性基材の表面に順に該透光性
基材との接着性の良い金属からなる下地層と、低抵抗の
金属からなる低抵抗層と、前記低抵抗層を保護する保護
層と、エッチング精度向上層とを形成した後、エッチン
グ及び前記エッチング精度向上層の除去を行ってパター
ン形成されることを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 前記下地層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したこ
とを特徴とする請求項１記載の配線基板。 - 【請求項３】 前記保護層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。 - 【請求項４】 前記下地層及び前記保護層をＮｉＭｏ合
金で形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載の配線基板。 - 【請求項５】 前記低抵抗層及びエッチング精度向上層
をＣｕあるいはその合金で形成したことを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板。 - 【請求項６】 前記補助電極相互の間隙に高分子層を有
することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
の配線基板。 - 【請求項７】 透光性基材の表面にパターン形成された
補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電極と
を有する配線基板の製造方法において、 前記透光性基材の表面に該透光性基材との接着性の良い
金属からなる下地層を形成する工程と、 前記下地層の表面に低抵抗の金属からなる低抵抗層を形
成する工程と、 前記低抵抗層の表面に該低抵抗層を保護する保護層を形
成する工程と、 前記保護層の表面にエッチング精度向上層を形成する工
程と、 前記下地層、低抵抗層、保護層及びエッチング精度向上
層を前記補助電極のパターンにエッチングする工程と、 前記エッチングの後、前記エッチング精度向上層を除去
する工程と、 により前記補助電極を形成することを特徴とする配線基
板の製造方法。 - 【請求項８】 前記エッチング精度向上層を１００Å〜
５００Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項
７記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記下地層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成したこ
とを特徴とする請求項７又は８記載の配線基板の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記保護層をＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいずれかで形成した
ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の配
線基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記下地層及び前記保護層をＮｉＭｏ
合金で形成したことを特徴とする請求項７乃至１０のい
ずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記低抵抗層及びエッチング精度向上
層をＣｕあるいはその合金で形成したことを特徴とする
請求項７乃至１１のいずれか記載の配線基板の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記エッチング精度向上層を除去する
工程を、前記補助電極のパターンをパターニングしたエ
ッチングレジストの剥離工程と同時に行うことを特徴と
する請求項７乃至１２のいずれか記載の配線基板の製造
方法。 - 【請求項１４】 前記保護層を形成する工程と、前記エ
ッチング精度向上層を形成する工程との間に、該保護層
及びエッチング精度向上層を形成する金属又は合金の混
合材料によってミキシング層を形成する工程を設けたこ
とを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか記載の配線
基板の製造方法。 - 【請求項１５】 前記ミキシング層を１００Å〜５００
Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項１４記
載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１６】 前記補助電極相互の間隙に高分子層を
形成する工程を設けたことを特徴とする請求項７乃至１
３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項１７】 透光性基材の表面にパターン形成され
た補助電極と、前記補助電極の表面に形成された主電極
とを有する一対の配線基板により液晶を挟持する液晶素
子において、 前記配線基板の補助電極は、前記透光性基材の表面に順
に該透光性基材との接着性の良い金属からなる下地層
と、低抵抗の金属からなる低抵抗層と、前記低抵抗層を
保護する保護層と、エッチング精度向上層とを形成した
後、エッチング及び前記エッチング精度向上層の除去を
行ってパターン形成されることを特徴とする液晶素子。 - 【請求項１８】 透光性基材と、該透光性基材上に設け
られた第１電極と、該第１電極に設けられた第２電極と
を有する配線基板において、 前記第１電極は、前記透光性基材側から順に、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいず
れかからなる第１層、Ｃｕあるいはその合金からなる第
２層、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれ
らの合金のいずれかからなる第３層、及びＣｕあるいは
その合金からなる第４層を有することを特徴とする配線
基板。 - 【請求項１９】 前記第１電極相互の間隙に高分子層を
有することを特徴とする請求項１８記載の配線基板。 - 【請求項２０】 前記第１層及び第３層がＮｉＭｏ合金
からなることを特徴とする請求項１８又は１９記載の配
線基板。 - 【請求項２１】 透光性基材と、該透光性基材上に設け
られた第１電極と、該第１電極に設けられた第２電極と
を有する配線基板において、 前記透光性基材上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉ
あるいはそれらの合金のいずれかからなる第１層を形成
する工程と、 前記第１層の上にＣｕあるいはその合金からなる第２層
を形成する工程と、 前記第２層の上にＭｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあ
るいはそれらの合金のいずれかからなる第３層を形成す
る工程と、 前記第３層の上にＣｕあるいはその合金からなる第４層
を形成する工程と、 前記第１層、第２層、第３層及び第４層を前記第１電極
のパターンにエッチングする工程と、 前記エッチングの後、前記第４層を除去する工程と、 により前記第１電極を形成することを特徴とする配線基
板の製造方法。 - 【請求項２２】 前記第４層を１００Å〜５００Åの厚
さ範囲で形成することを特徴とする請求項２１記載の配
線基板の製造方法。 - 【請求項２３】 前記第３層を形成する工程と、前記第
４層を形成する工程との間に、該第３層及び第４層を形
成する金属又は合金の混合材料によってミキシング層を
形成する工程を設けたことを特徴とする請求項２１又は
２２記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項２４】 前記ミキシング層を１００Å〜５００
Åの厚さ範囲で形成することを特徴とする請求項２３記
載の配線基板の製造方法。 - 【請求項２５】 前記第４層を除去する工程を、前記第
１電極のパターンをパターニングしたエッチングレジス
トの剥離工程と同時に行うことを特徴とする請求項２１
乃至２４のいずれか記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項２６】 前記補助電極相互の間隙に高分子層を
形成する工程を設けたことを特徴とする請求項２１乃至
２５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項２７】 透光性基材と、該透光性基材上に設け
られた第１電極と、該第１電極に設けられた第２電極と
を有する一対の配線基板により液晶を挟持する液晶素子
において、 前記第１電極は、前記透光性基材側から順に、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれらの合金のいず
れかからなる第１層、Ｃｕあるいはその合金からなる第
２層、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｉあるいはそれ
らの合金のいずれかからなる第３層、及びＣｕあるいは
その合金からなる第４層を形成した後、エッチング及び
前記第４層の除去を行ってパターン形成されることを特
徴とする液晶素子。
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1997
- 1997-02-03 JP JP02076497A patent/JP4011664B2/ja not_active Expired - Fee Related
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