JP2020074114A - 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】視認性に優れた導電性フィルム、タッチパネルセンサー及びタッチパネルを提供する。【解決手段】導電性フィルム３は、基板３１上に配置され、線幅０．５μｍ以上２μｍ未満の金属細線３８から構成された導電部３２を有する。金属細線は、メッシュパターンを形成しており、金属細線の線幅Ｌμｍと、メッシュパターンの開口率Ａ％とが、式（Ｉ）の関係を満たし、波長５５０ｎｍにおける金属細線の反射率が、８０％以下である。式（Ｉ）：７０≦Ａ＜（１０−Ｌ／１５）２【選択図】図３

Description

本発明は、導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルに関する。

基板上に金属細線からなる導電部が配置された導電性フィルムは、種々の用途に使用されている。例えば、近年、携帯電話または携帯ゲーム機器等へのタッチパネルの搭載率の上昇に伴い、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネルセンサー用として導電性フィルムの需要が急速に拡大している。
上記のような導電性フィルムには、優れた導電性および透明性が求められていることから、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いて作製されたＩＴＯフィルムが広く用いられている。
このような中、電気抵抗が低く、低コストである等の観点から、ＩＴＯフィルムの代替として、金属細線を有する導電性フィルムが注目されている。

上記のような金属細線を有する導電性フィルムとして、例えば、特許文献１には、導電部の線幅（conductor trace width）が０．５〜５μｍであり、開口率（open area fraction）９０．５〜９９．５％のパターンを有することが開示されている（請求項１）。
また、特許文献２には、「一方向に配列された複数の導電パターンを有し、上記導電パターンは金属細線による複数の第１格子と、上記第１格子よりもサイズが大きい金属細線による複数の第２格子とが組み合わされて構成され、上記第２格子で構成された第２格子部が上記一方向に配列され、上記一方向と略直交する方向に配列され、かつ、所定間隔で設けられた、上記第１格子から構成される第１格子部は、上記第２格子部と非接続状態で配置されていることを特徴とする導電シート。」が開示されている（請求項１）。

米国特許８１７９３８１号明細書 特許第５８３９５４１号公報

金属細線が形成された導電性フィルムは、上述の利点がある一方で、タッチパネルに適用した際に金属細線のメッシュパターンが観察者に視認されやすくなる（視認性の低下）。このように、金属細線が観察者に視認されてしまう現象は、「線見え」または「骨見え」と呼ばれることがある。
そのため、金属細線の視認性を向上させるためには、特許文献１および２に記載されている程度にまで金属細線の線幅を小さくする方法が考えられる。
しかしながら、本発明者らが、特許文献１および２に記載されているような線幅の小さい金属細線が形成された導電性フィルムについて検討したところ、金属細線の視認性が十分に改善されず、改良の余地があることを知見した。

そこで、本発明は、視認性に優れた導電性フィルムを提供することを目的とする。また、本発明は、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルを提供することも目的とする。

本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、金属細線の線幅と、金属細線が形成するメッシュパターンの開口率と、が所定の関係を満たし、かつ、金属細線の反射率が所定値以下であることで、視認性に優れた導電性フィルムが得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

［１］
基板上に配置され、線幅０．５μｍ以上２μｍ未満の金属細線から構成された導電部を有する導電性フィルムであって、
上記金属細線は、メッシュパターンを形成しており、
上記金属細線の線幅Ｌμｍと、上記メッシュパターンの開口率Ａ％とが、式（Ｉ）の関係を満たし、
波長５５０ｎｍにおける上記金属細線の反射率が、８０％以下である、導電性フィルム。
式（Ｉ）：７０≦Ａ＜（１０−Ｌ／１５）^２
［２］
上記開口率Ａが９５．０〜９９．６％である、上記［１］に記載の導電性フィルム。
［３］
波長５５０ｎｍにおける上記金属細線の反射率が、２０〜４０％である、上記［１］または［２］に記載の導電性フィルム。
［４］
上記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の導電性フィルムを有する、タッチパネルセンサー。
［５］
上記［４］に記載のタッチパネルセンサーを有する、タッチパネル。

以下に示すように、本発明によれば、視認性に優れた導電性フィルムを提供することができる。また、本発明によれば、タッチパネルセンサー、および、タッチパネルを提供することもできる。

導電性フィルムの断面を示す部分断面図である。 導電性フィルムの導電部を拡大した部分拡大平面図である。 金属細線を拡大した部分拡大断面図である。 第１金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。 レジスト膜形成工程を説明するための概略断面図である。 第２金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。 レジスト膜除去工程を説明するための概略断面図である。 導電部形成工程を説明するための概略断面図である。

以下に、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書中における「活性光線」または「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、およびエキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ：Extreme ultraviolet lithography光）、Ｘ線、ならびに電子線等を意味する。また本明細書において光とは、活性光線および放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、およびエキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ならびにＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線およびイオンビーム等の粒子線による描画も包含する。

［導電性フィルム］
本発明の導電性フィルムについて、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各構成要素（部材）を図面上で認識可能な程度の大きさとするために、構成要素ごとに縮尺を適宜変更している。本発明の導電性フィルムは、これらの図面に記載された、構成要素の数量、形状、および、大きさの比率、ならびに、各構成要素の相対的な位置関係のみに限定されるものではない。

図１は、導電性フィルム３の断面を示す部分断面図である。図１に示すように、導電性フィルム３は、基板３１と、基板上に配置された導電部３２と、を有する。
図１の例では、基板３１の一方の面上に導電部３２が配置されているが、これに限定されず、基板３１の両面上のそれぞれに導電部３２が配置されていてもよい。
また、図１の例では、基板上３１の面上の一部に導電部３２が配置されているが、これに限定されず、基板３１の全面に導電部３２が配置されていてもよい。

基板３１の種類は、特に制限されないが、可撓性を有する基板（好ましくは絶縁基板）が好ましく、樹脂基板がより好ましい。
基板３１としては、可視光（波長４００〜８００ｎｍ）の光を６０％以上透過することが好ましく、８０％以上透過することがより好ましく、９０％以上透過することがさらに好ましく、９５％以上透過することが特に好ましい。
基板３１を構成する材料としては、例えば、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレート等）、ポリカーボネート系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、および、シクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。なかでも、シクロオレフィン系樹脂が好ましい。
基板３１の厚みとしては、特に制限されないが、取り扱い性および薄型化のバランスの点から、０．０５〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１ｍｍがより好ましい。
また、基板３１は複層構造であってもよく、例えば、その１つの層として機能性フィルムを有してもよい。なお、基板３１自体が機能性フィルムであってもよい。
基板３１としては、表示装置に好適である低複屈折を達成できるという観点から、レターデーションが低いフィルムを用いることが好ましく、具体的にはレターデーションが０．１〜２０ｎｍが好ましい。このような基板３１としては、ＡＲＴＯＮフィルム（商品名、ＪＳＲ社製、シクロオレフィン系樹脂フィルム）、ＺＥＯＮＯＲ（商品名、ゼオン社製、シクロオレフィン系樹脂フィルム）が挙げられる。

図２は、導電性フィルム３の導電部３２を拡大した部分拡大平面図である。図２に示すように、導電部３２は、金属細線３８からなるメッシュパターンにより形成されている。具体的には、金属細線３８は、メッシュ状（格子状）に配置されており、メッシュパターンの開口３９は、金属細線３８によって区画されている。
開口３９の一辺の長さＸは、隣接する金属細線３８の配置間隔を表し、本明細書においてピッチサイズＸともいう。ピッチサイズＸは、図２に示すように導電部３２を平面視した際に、向かい合う金属細線３８間に位置する開口３９の最短幅を示す。
図２においては、メッシュパターンの開口３９が、略ひし形の形状を有している。ただし、開口３９の形状は、その他、多角形状（例えば、三角形、四角形、六角形、および、ランダムな多角形）としてもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する２辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する２辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。

図３は、金属細線３８を拡大した部分拡大断面図であり、具体的には図２におけるＡ−Ａ線における断面を部分的に拡大した図である。
図３に示すように、基板３１上には、線幅Ｌを有する金属細線３８がピッチサイズＸの間隔で配置されている。
本発明者らが検討したところ、金属細線の線幅Ｌ（μｍ）とメッシュパターンの開口率Ａ（％）とが下式（Ｉ）の関係を満たし、かつ、波長５５０ｎｍにおける金属細線の反射率が８０％以下であることで、金属細線の視認性が優れたものになる（すなわち、金属細線が観察者から視認しにくくなる）ことを知見している。
式（Ｉ）：７０≦Ａ＜（１０−Ｌ／１５）^２
式（Ｉ）において、Ｌは、０．５以上２未満（すなわち、金属細線３８の線幅Ｌは、０．５μｍ以上２μｍ未満である。）である。

ここで、開口率Ａは、ピッチサイズＸと、線幅Ｌと、から算出される。例えば、開口率Ａを小さくしようとする場合、金属細線３８を密に配置して、ピッチサイズＸを小さくすればよい。このように、開口のピッチサイズＸが小さくなると、視認伝達関数（ＶＴＦ）の影響により、人間の目では密に配置されているはずの金属細線が視認しづらくなるという現象が起こる。したがって、視認性の観点からは、開口率Ａを小さくすることが好ましいといえる。
一方で、線幅Ｌが２μｍ以上になると、モアレ現象が生じて、視認性が低下しやすくなること（すなわち、メッシュパターンが視認しやすくなること）を見出しており、これに基づいて、線幅Ｌを２μｍ未満に設定している。
本発明者らは、上記の知見に基づいて、視認性を向上すべく（すなわち、金属配線を視認しづらくすること）検討したところ、線幅Ｌが２μｍ未満と微細な場合において、開口率Ａと線幅Ｌとを上記式（Ｉ）の関係に設定すれば、金属配線の視認性を向上できることを見出した。
さらに、本発明者らが検討を重ねたところ、波長５５０ｎｍにおける金属細線の反射率が８０％以下であることで、金属細線から反射した反射光の総量が減少して、金属細線の視認性を向上できることを見出した。
このように、式（Ｉ）を満たすことによる効果、および、金属細線の反射率を所定値以下にしたことによる効果、の両方が相乗的に作用して、金属細線の視認性が優れたものになったと考えられる。

金属細線３８の線幅Ｌは、２．０μｍ未満であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。金属細線３８の線幅Ｌの下限値は、０．５μｍ以上である。
金属細線３８の線幅Ｌが２．０μｍ未満であると、導電性フィルムをタッチパネルセンサーに適用した際、タッチパネルの使用者が金属細線３８を視認しにくい。金属細線３８の線幅Ｌが０．５μｍ以上であると、導電性フィルム３の導電性がより向上する。
なお、本発明において金属細線の線幅Ｌとは、金属細線の幅方向の断面（金属細線の延在方向と直交する断面）において、最大の線幅を意図する。
また、金属細線の線幅Ｌは、金属細線を基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ−５５０型）を用いて観察して、測定される線幅を意図する。

金属細線３８の厚みとしては特に制限されないが、一般に、１０〜１００００ｎｍが好ましく、３００〜１１００ｎｍがより好ましい。金属細線３８の厚みが上記範囲内にあると、導電性フィルム３の導電性および視認性が良好になる。
金属細線の厚みは、金属細線を基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ−５５０型）を用いて観察して、測定される金属細線の厚みを意図する。

金属細線３８のアスペクト比（厚み／線幅）としては、０．０１以上であることが好ましく、０．１以上がより好ましく、０．５以上がさらに好ましい。アスペクト比の下限値としては、１０以下が好ましく、２．０以下がより好ましい。
アスペクト比が０．１以上であることで、金属細線３８の細い線幅を維持したまま、体積が大きくなるので、導電性フィルム３を低抵抗化できる。また、１０以下であることで、金属細線の側面からの反射光を抑制することができ、良好な視認性を維持できる。
また、金属細線３８の断面形状としては、一般的に、半円、矩形、テーパー、逆テーパーなどが好ましい。さらに、視認性の観点では、半円もしくは逆テーパーがより好ましい。半円もしくは逆テーパーのような断面形状とすることで、金属細線３８の側面からの反射光を抑制することができ、線見えが抑制され、良好な視認性を確保できる。

開口率Ａは、７０％以上であり、９５％以上が好ましく、９６％以上がより好ましい。開口率Ａが７０％以上であることで、導電性フィルム３を表示装置に適用した際に、表示装置のタッチパネルに必要とされる透過率に設定することが容易になる。
また、開口率Ａの上限値は、上述した式（Ｉ）の右辺の値未満であればよい。
ここで、開口率Ａとは、金属細線３８が基板３１に積層する方向に向かって導電性フィルム３を見たときに、導電部３２がある面積に対する開口３９の面積の比率（％）であり、導電部３２がある面積における金属細線３８の非占有率を示すものである。
また、開口率Ａの算出方法としては、まず、導電性フィルム３の導電部３２がある中央部の縦３５ｍｍ×横３５ｍｍの四角形の領域のうち、その中心部３０ｍｍ×３０ｍｍの領域を１０ｍｍ×１０ｍｍの９つの領域に分割する。次に、分割された各領域における開口率を算出し、それらを算術平均したものをメッシュパターンの開口率Ａ（％）とする。

特に、導電性フィルム３においては、開口率Ａが、９５．０〜９９．６％であることが好ましい。これにより、導電性フィルム３の金属細線３８の視認性がより優れる。

開口３９の一辺の長さＸ（「ピッチサイズＸ」）は、１５０μｍ未満が好ましく、１４０μｍ以下がより好ましく、１３０μｍ以下がさらに好ましい。また、下限値は、一般的に、３０μｍ以上が好ましい。
ピッチサイズＸが１５０μｍ未満であると、視認伝達関数（ＶＴＦ）の影響により、金属細線３８の視認性をより向上できる。

波長５５０ｎｍにおける金属細線３８の反射率は、８０％以下であるが、２０％〜４０％が好ましく、２５〜３５％がより好ましい。
本発明において、金属細線の反射率とは、視認側の表面における反射率を指す。
本発明における反射率は、後述する実施例欄に記載の方法によって測定される。
なお、金属細線の反射率は、例えば、後述する金属細線の材質および金属細線の形成方法によって調整することができる。

金属細線３８の材質として、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛等の金属、ならびに、これらの金属の合金が挙げられる。
なかでも、金属細線３８は、金属細線の反射率をより低減し、かつ、導電性にも優れるという点から、少なくとも視認側の表面において、銅もしくはその合金、または、クロムまたはその合金を有することが好ましい。
金属細線３８は、２以上の層が積層されてなる積層構造体であってもよい。

導電性フィルム３は、種々の用途に用いることができる。例えば、各種電極フィルム、発熱シート、および、プリント配線基板が挙げられる。なかでも、導電性フィルム３は、タッチパネルセンサーに用いられることが好ましく、静電容量方式のタッチパネルセンサーに用いられることがより好ましい。上記導電性フィルム３をタッチパネルセンサーとして含むタッチパネルでは、金属細線が視認しづらい。
なお、タッチパネルの構成としては、例えば、特開２０１５−１９５００４号公報の段落００２０〜００２７に記載のタッチパネルモジュール等が挙げられ、上記内容は本明細書に組み込まれる。

［導電性フィルムの製造方法］
上述した導電性フィルムの製造方法としては、特に制限はなく、公知の形成方法を用いることができる。一般的には、インクジェット法もしくはスクリーン印刷法を用いて導電性インクのパターンを形成する方法、基板に配線パターンの凹凸をパターニング後に導電性インクを塗布する方法、スパッタリング法もしくは蒸着法などの真空成膜により金属膜を成膜後にフォトリソグラフィー法を用いて金属膜をパターニングする方法、自己形成性の透明導電材料を用いる方法、めっき下地層をパターニング後に無電解めっきにより金属細線を形成する方法、および、セミアディティブ法により金属細線を電気めっきにより形成する方法などがある。
セミアディティブ法を用いる場合には、例えば、以下の方法によって製造できる。すなわち、本発明の導電性フィルムの製造方法は、以下の工程を含む。
（１）基板上に、第１金属膜を形成する工程（第１金属膜形成工程）
（２）第１金属膜上に金属細線が形成される領域に開口を備えるレジスト膜を形成する工程（レジスト膜形成工程）
（３）開口内であって、第１金属膜上に、第２金属膜を形成する工程（第２金属膜形成工程）
（４）レジスト膜を除去する工程（レジスト膜除去工程）
（５）第２金属膜をマスクとして、上記第１金属膜の一部を除去して、金属細線から構成される導電部を形成する工程（導電部形成工程）
以下、上記各工程の手順について詳述する。

〔第１金属膜形成工程〕
図４Ａは、第１金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。第１金属膜形成工程を実施することで、第１金属膜１３８ａが基板１３１上に形成される。
第１金属膜１３８ａは、シード層および／または下地金属層（下地密着層）として機能する。
なお、図４Ａの例では、第１金属膜１３８ａが一層である場合を示したが、これに限定されない。例えば、第１金属膜１３８ａは、２以上の層が積層されてなる積層構造体であってもよい。第１金属膜１３８ａが積層構造体である場合、基板１３１側にある下層が下地金属層（下地密着層）として機能することが好ましく、第２金属膜１３８ｂ（後述）側にある上層がシード層として機能することが好ましい。
基板１３１は、上述した基板３１に対応するので、その説明を省略する。
第１金属膜１３８ａの材質としては、上述した金属細線３８で挙げた材質と同様であるので、その説明を省略する。
第１金属膜１３８ａの厚みとしては特に制限されないが、一般に、３０〜３００ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍがより好ましい。
第１金属膜１３８ａの厚みが、３００ｎｍ以下であると、後述する導電部形成工程（特にエッチングプロセス）における製造適性が良化するため、線幅のばらつきの少ない所定の線幅の金属細線が得られやすい。

第１金属膜１３８ａの形成方法としては特に制限されず、公知の形成方法を用いることができる。なかでも、より緻密な構造を有する層を形成し易い点で、スパッタリング法、または、蒸着法が好ましい。

〔レジスト膜形成工程〕
図４Ｂは、レジスト膜形成工程を説明するための概略断面図である。本工程を実施することで、レジスト膜１５０が第１金属膜１３８ａ上に形成される。
レジスト膜１５０は、金属細線が形成される領域に開口１５１を備える。
レジスト膜１５０中における開口１５１の領域は、金属細線を配置したい領域に合わせて適宜調整できる。具体的には、メッシュ状に配置された金属細線を形成しようとする場合、メッシュ状の開口を有するレジスト膜１５０が形成される。なお、通常、開口は、金属細線に合わせて細線状に形成される。
開口１５１の線幅は、２．０μｍ未満であることが好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。開口の線幅を２．０μｍ未満とすることにより、線幅の細い金属細線１３８を得ることができる。特に、開口１５１の線幅が１．５μｍ以下の場合、得られる金属細線１３８の線幅がより細くなり、使用者から金属細線１３８がより視認されにくい。
なお、開口１５１の線幅とは、開口１５１の細線部分の延在方向に直交する方向での細線部の幅を意図する。後述する各工程を経て、開口１５１の線幅に対応した線幅を有する金属細線１３８が形成される。

第１金属膜１３８ａ上にレジスト膜１５０を形成する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜形成方法を用いることができる。例えば、以下の工程を含有する方法が挙げられる。
（ａ）第１金属膜１３８ａ上にレジスト膜形成用組成物を塗布し、レジスト膜形成用組成物層を形成する工程。
（ｂ）パターン状の開口を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物を露光する工程。
（ｃ）露光後のレジスト膜形成用組成物を現像し、レジスト膜１５０を得る工程。
なお、上記工程（ａ）と（ｂ）の間、（ｂ）と（ｃ）の間、および／または、（ｃ）の後には、レジスト膜形成用組成物層、および／または、レジスト膜１５０を加熱する工程をさらに含有してもよい。

・工程（ａ）
上記工程（ａ）において用いることができるレジスト膜形成用組成物としては、公知のポジ型の感放射線性組成物をいずれも用いることができる。

第１金属膜１３８ａ上にレジスト膜形成用組成物を塗布する方法としては特に制限されず、公知の塗布方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、および、浸漬法等が挙げられる。

第１金属膜１３８ａ上にレジスト膜形成用組成物層を形成後、レジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱により、レジスト膜形成用組成物層に残留する不要な溶剤を除去し、レジスト膜形成用組成物層を均一な状態とすることができる。
レジスト膜形成用組成物層を加熱する方法としては特に制限されないが、例えば、基板を加熱する方法が挙げられる。
上記加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。

レジスト膜形成用組成物層の厚みとしては特に制限されないが、乾燥後の厚みとして、一般に、１．０〜５．０μｍが好ましい。

・工程（ｂ）
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては特に制限されず、公知の露光方法を用いることができる。
レジスト膜形成用組成物層を露光する方法としては、例えば、パターン状の開口を備えるフォトマスクを介して、レジスト膜形成用組成物層に、活性光線、または、放射線を照射する方法が挙げられる。露光量としては特に制限されないが、一般に１０〜５０ｍＷ／ｃｍ^２で、１〜１０秒間照射することが好ましい。

工程（ｂ）中で用いられるフォトマスクが備えるパターン状の開口の線幅は、一般に２．０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。

露光後のレジスト膜形成用組成物層を加熱してもよい。加熱の温度としては特に制限されないが、一般に４０〜１６０℃が好ましい。

・工程（ｃ）
露光後のレジスト膜形成用組成物層を現像する方法としては特に制限されず、公知の現像方法を用いることができる。
公知の現像方法としては、例えば、有機溶剤を含有する現像液、または、アルカリ現像液を用いる方法が挙げられる。
現像方法としては、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、および、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。

また、現像後のレジスト膜１５０を、リンス液を用いて洗浄してもよい。リンス液としては特に制限されず、公知のリンス液を用いることができる。リンス液としては、有機溶剤、および、水等が挙げられる。

〔第２金属膜形成工程〕
図４Ｃは、第２金属膜形成工程を説明するための概略断面図である。本工程により、レジスト膜１５０の開口１５１内であって、第１金属膜１３８ａ上に、第２金属膜１３８ｂが形成される。図１Ｆに示すように、第２金属膜１３８ｂは、レジスト膜１５０の開口１５１を埋めるように形成される。

第２金属膜１３８ｂは、めっき法により形成されることが好ましい。
めっき法としては、公知のめっき法を用いることができる。具体的には、電解めっき法および無電解めっき法が挙げられ、生産性の点から、電解めっき法が好ましい。

第２金属膜１３８ｂに含まれる金属としては特に制限されず、公知の金属を用いることができる。
第２金属膜１３８ｂは、例えば、銅、クロム、鉛、ニッケル、金、銀、すず、および、亜鉛等の金属、ならびに、これらの金属の合金を含有していてもよい。
なかでも、第２金属膜１３８ｂは、金属細線３８の導電性がより優れる点で、銅またはその合金を含有することが好ましい。また、金属細線３８の導電性がより優れる点で、第２金属膜１３８ｂの主成分は、銅であることが好ましい。

第２金属膜１３８ｂ中の主成分を構成する金属の含有量としては、特に制限されないが、一般に、５０〜１００質量％が好ましく、９０〜１００質量％がより好ましい。

第２金属膜１３８ｂの線幅は、レジスト膜１５０の開口１５１に対応する線幅を有しており、具体的には、２．０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。第２金属膜１３８ｂの線幅の下限値は、０．５μｍ以上が好ましい。
第２金属膜１３８ｂの線幅とは、第２金属膜１３８ｂの細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。

第２金属膜１３８ｂの厚みとしては特に制限されないが、一般に、３００〜２０００ｎｍが好ましく、３００〜１０００ｎｍがより好ましい。

〔レジスト膜除去工程〕
図４Ｄは、レジスト膜除去工程を説明するための概略断面図である。本工程により、レジスト膜１５０が除去されて、基板１３１、第１金属膜１３８ａおよび第２金属膜１３８ｂがこの順に形成された積層体が得られる。
レジスト膜１５０を除去する方法としては特に制限されず、公知のレジスト膜除去液を用いてレジスト膜１５０を除去する方法が挙げられる。
レジスト膜除去液としては例えば、有機溶剤、および、アルカリ溶液等が挙げられる。
レジスト膜除去液をレジスト膜１５０に接触させる方法としては、特に制限されないが、例えば、ディップ法、パドル法、スプレー法、および、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。

〔導電部形成工程〕
図４Ｅは、導電部形成工程を説明するための概略断面図である。本工程によれば、第２金属膜１３８ｂが形成されていない領域である第１金属膜１３８ａの一部が除去されて、基板１３１上に金属細線１３８が積層されてなる導電性フィルム３００が得られる。なお、金属細線１３８は、上述した図１における導電部３２を構成する。
金属細線１３８は、第１金属膜１３８ａに対応する第１金属層１３８Ａと、第２金属膜１３８ｂに対応する第２金属層１３８Ｂと、を有する。第１金属層１３８Ａと、第２金属層１３８Ｂとは、基板１３１側からこの順に積層されてなる。

第１金属膜１３８ａの一部を除去する方法としては、特に限定されないが、公知のエッチング液を用いることができる。
公知のエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅溶液、アンモニアアルカリ溶液、硫酸−過酸化水素混合液、および、リン酸−過酸化水素混合液等が挙げられる。これらの中から、第１金属膜１３８ａが溶解しやすく、第２金属膜１３８ｂが第１金属膜１３８ａよりも溶解しにくいエッチング液を適宜選択すればよい。
なお、上述したように第１金属膜１３８ａが積層構造体である場合には、層毎にエッチング液を変えて、多段階のエッチングを行ってもよい。

第１金属層１３８Ａの線幅は、２．０μｍ未満が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。第１金属層１３８Ａの線幅の下限値は、０．５μｍ以上が好ましい。
第１金属層１３８Ａの線幅とは、第１金属層１３８Ａの細線部分の延在方向に直交する方向での細線の幅を意図する。

第２金属層１３８Ｂの線幅は、上述した第２金属膜１３８ｂの線幅と同様であるので、その説明を省略する。

金属細線１３８の線幅Ｌは、２．０μｍ未満であり、１．５μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましい。金属細線１３８の線幅Ｌの下限値は、０．５μｍ以上である。
金属細線１３８の線幅Ｌが２．０μｍ未満であると、タッチパネルの使用者が金属細線１３８をより視認しにくい。金属細線１３８の線幅Ｌが０．５μｍ以上であると、導電性フィルム３００の導電性がより向上する。
なお、金属細線１３８の線幅Ｌとは、金属細線１３８の幅方向の断面（金属細線の延在方向と直交する断面）において、第１金属層１３８Ａおよび第２金属層１３８Ｂの線幅のうち最大の線幅を意図する。

金属細線１３８は、メッシュパターンを構成する。上述したように、導電性フィルム３００は、金属細線の線幅Ｌと、メッシュパターンの開口率Ａ％と、の関係が上述した式（Ｉ）を満たすように製造される。
また、金属細線１３８により構成されるメッシュパターンの開口１３９の一辺の長さＸ（ピッチサイズＸ）は、上述した通りである。

上記のように、導電性フィルム３００の製造方法として、金属細線１３８が２以上の積層構造である場合を示したが、これに限定されず、金属細線が一層であってもよい。
金属細線が一層である場合には、上述した第１金属膜１３８ａを公知の方法によりパターニングして、一層構造の金属細線を有する導電性フィルムを得ることができる。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例に制限されない。
また、特に断らない限り、部、および、％は質量基準を意図する。

［実施例１〜４および７、ならびに、比較例１、３、５〜１０および１２〜１４］
実施例１〜４および７、ならびに、比較例１、３、５〜１０および１２〜１４の導電性フィルムは、以下に詳細を示すセミアディティブ法にて作製した。なお、金属細線の線幅Ｌ（μｍ）および開口率Ａ（％）が第１表に記載の通りとなるように、第１表に記載の線幅および開口率を有する四角の格子パターン（メッシュパターン）を有するフォトマスクを使用した以外は、全て同様の方法にて作製した。なお、フォトマスクは、導電性フィルムのメッシュパターンの開口部に対応する位置にクロムマスクを有している。
まず、基板（ＣＯＰフィルム（シクロオレフィンポリマーフィルム）、厚み８０μｍ）上に、スパッタリング装置を用いて、Ｃｒを１０ｎｍの厚みになるよう成膜して、下地金属層を得た。引き続き、下地金属層上にＣｕを５０ｎｍの厚みになるよう成膜して、シード層を得た。以下において、下地金属層およびシード層の積層構造体を「第１金属膜」ともいう。
次にレジスト膜形成用組成物（富士フイルム社製、「ＦＨｉ−６２２ＢＣ」、粘度１１ｍＰａ・ｓ）を、乾燥厚みが１μｍとなるように、スピンコーターの回転数を調整して、第１金属膜上（シード層上）に塗布し、１００℃で１分間乾燥させて、レジスト膜形成用組成物層を得た。
次に、第１表に記載の所定線幅の開口が形成されたフォトマスクを準備して、フォトマスクをレジスト膜形成用組成物層上に配置した。
その後、ポジ型のレジスト膜形成用組成物層に対し、フォトマスクを介し、平行光露光機を用いて２００〜４００ｎｍの波長の光（光源 ハロゲンランプ、露光量 １６ｍＷ／ｃｍ^２）を２秒間照射し、１００℃で１分間加熱（ポストベーク）して、露光後のレジスト膜形成用組成物層を得た。
次に、露光後のレジスト膜形成用組成物層を、０．５Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で現像し、開口の形成されたレジスト膜（膜厚 １μｍ）を得た。なお、レジスト膜の開口は、露光領域に対応する。
上記手順により作製した、基板と、第１金属膜と、開口の形成されたレジスト膜と、をこの順に備える積層体に対して、硫酸銅ハイスロー浴（添加剤としてトップルチナＨＴ−ＡとトップルチナＨＴ−Ｂとを含有する。いずれも奥野製薬工業社製）を用いて、電気めっきを施した。電気めっきの条件としては、電流密度は３Ａ／ｄｍ^２、電圧印加時間は２０秒間とした。電気めっきにより、レジスト膜の開口内であって、第１金属膜上にメッシュパターン状の第２金属膜が形成された。なお、第２金属膜の厚みは、１μｍであった。
次に、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を用いて、レジスト膜を積層体から剥離した。
次に、第２金属膜をエッチングマスクにして、第１金属膜のエッチングを行った。具体的には、第２金属膜をエッチングマスクにして、シード層に対するエッチングレートが２００ｎｍ／ｍｉｎとなるよう濃度を調整したＣｕエッチング液（和光純薬工業社製、「Ｃｕエッチャント」）を用いて、シード層における第２金属膜が形成されていない領域をエッチングした。続いて、第２金属膜およびシード層をエッチングマスクにして、Ｃｒエッチング液（日本化学産業社製、「アルカリ性クロムエッチング液」。なお、下地金属層に対するエッチングレートは１００ｎｍ／ｍｉｎだった。）を用いて、下地金属層における第２金属膜およびシード層の形成されていない領域をエッチングした。このようにして、基板と、基板上に形成された金属細線と、を有する実施例１〜４および７、ならびに、比較例１、３、５〜１０および１２〜１４の導電性フィルムを得た。なお、金属細線は、基板側から、第１金属膜に対応する第１金属層と、第２金属膜に対応する第２金属層と、の順に形成された積層構造体である。

［実施例５］
金属細線の材質を銅に変更した以外は、米国特許第８１７９８３１号明細書の実施例６〜２３と同様の方法にて、実施例５の導電性フィルムを得た。なお、実施例５の導電性フィルムに形成された金属細線は、スパッタ法により銅からなる膜を形成した後、銅からなる膜をエッチングして得られ、メッシュパターンを構成している。

［実施例６］
上記実施例１〜４および７の導電性フィルムと同様の方法にて、線幅０．９μｍのメッシュパターンを形成した後、黒化処理として第２金属層（銅）のパラジウム置換を行った。

［比較例２、４、１１および１５］
金属細線の線幅Ｌ（μｍ）および開口率Ａ（％）が第１表に記載の通りとなるように、第１表に記載の線幅および開口率を有するフォトマスクを使用した以外は、全て同様の方法にて作製した。なお、フォトマスクは、導電性フィルムのメッシュパターンの開口部に対応する位置にクロムマスクを有している。
まず、以下の配合割合になるように、各成分を混合および攪拌して、被めっき層形成用組成物（以下、単に「組成物」ともいう。）を調製した。
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ポリアクリル酸 １．３５質量％
４官能アクリルアミド ０．９質量％
重合開始剤 ０．０４５質量％
フッ素系界面活性剤 ０．０１５質量％
イソプロパノール（有機溶剤） 残量
合計 １００質量％
―――――――――――――――――――――――――――
上記の各成分の詳細は、次の通りである。
・ポリアクリル酸（和光純薬工業（株）製、重量平均分子量８０００〜１２０００）
・４官能アクリルアミド（下記一般式（Ａ）の「Ｒ」が全てメチル基で表されるモノマー。特許第５４８６５３６号公報にしたがって合成。）
・重合開始剤（商品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ１２７」、ＢＡＳＦ社製）
・フッ素系界面活性剤（商品名「Ｗ−ＡＨＥ」（下記構造式（Ｂ）） 富士フイルム社製）

次に、基板（商品名「ルミラーＵ４８」、ポリエチレンテレフタレートフィルム、長尺フィルム、東レ（株）製）上に、フッ素系界面活性剤として「Ｗ−ＡＨＥ」を用いた組成物をロール塗布で６００ｎｍの膜厚となるように成膜し、８０°のオーブンを通して乾燥させることで、基板上に被めっき層形成用層を形成した。このようにして被めっき層形成用層が形成された基板を、被めっき層形成用層を内側にしてロールとして巻き取った。
その後、上記ロールを巻き出して、被めっき層形成用層を真空チャンバー内に載置し、これと四角格子パターンの開口（メッシュパターン）を有するフォトマスク（ハードマスク）と真空状態で密着させた。続いて、真空状態のまま、平行光露光機（光源 ハロゲンランプ）を用いて２００〜４００ｎｍの波長の光を照射量８００ｍＪ/ｃｍ^２で照射して、チャンバー内の被めっき層形成用層の露出部分を重合させた。
その後、炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像を行い、露光部分からなるパターン状被めっき層を形成した。
さらに、パターン状被めっき層付きフィルムを３０℃のＰｄ触媒付与液（Ｒ＆Ｈ社製）に５分浸漬させた。次いで、水洗し、３０℃の金属触媒還元液（Ｒ＆Ｈ社製）に浸漬させた。さらに水洗し、３０℃の銅めっき液（Ｒ＆Ｈ社製）に１５分浸漬させた。
このようにして、パターン状被めっき層の全域が銅メッキによって被覆された金属細線を有する比較例２、４、１１および１５の導電性フィルムが得られた。

［比較例１６］
米国特許第８１７９８３１号明細書の実施例６〜２３と同様の方法にて、比較例１６の導電性フィルムを得た。なお、比較例１６の導電性フィルムに形成された金属細線は、蒸着法により金からなる膜を形成した後、金からなる膜をエッチングして得られ、メッシュパターンを構成している。

［評価試験］
〔金属細線の線幅Ｌ〕
上記の方法により作製した実施例および比較例の導電性フィルムについて、金属細線の線幅を以下の方法により測定した。
まず、導電性フィルムを、基板ごと樹脂に包埋し、幅方向（金属細線の延在方向と直交する方向）で、ウルトラミクロトームを用いて切断し、得られた断面に炭素を蒸着した後、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 Ｓ−５５０型）を用いて観察した。第１金属層および第２金属層のそれぞれの線幅を測定し、最大の線幅を金属細線の線幅Ｌ（μｍ）とした。なお、金属細線が単層である場合には、これの最大の線幅を金属細線の線幅Ｌとした。

〔メッシュパターンのピッチサイズＸ〕
実施例および比較例の各導電性フィルムの中央部（導電部が形成された領域）の縦３５ｍｍ×横３５ｍｍの四角形の領域のうち、その中心部３０ｍｍ×３０ｍｍの領域を１０ｍｍ×１０ｍｍの９つの領域に分割した。次に、分割された各領域におけるメッシュパターンのピッチサイズを測定し、それらを算術平均したものをメッシュパターンのピッチサイズＸ（μｍ）とした。
１０ｍｍ四方部（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ）のエリア内のピッチサイズは、光学顕微鏡で１０ｍｍ四方部全体の金属細線によって形成されたメッシュパターンを撮影し、その画像データから、そのエリアのメッシュパターンのピッチサイズＸ（μｍ）を測定した。

〔メッシュパターンの開口率Ａ〕
実施例および比較例の各導電性フィルムの中央部（導電部が形成された領域）の縦３５ｍｍ×横３５ｍｍの四角形の領域のうち、その中心部３０ｍｍ×３０ｍｍの領域を１０ｍｍ×１０ｍｍの９つの領域に分割した。次に、分割された各領域における開口率を算出し、それらを算術平均したものをメッシュパターンの開口率Ａ（％）とした。
１０ｍｍ四方部（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ）のエリア内の開口率は、光学顕微鏡で１０ｍｍ四方部全体の金属細線によって形成されたメッシュパターンを撮影し、その画像データから、そのエリアのメッシュパターンの開口率Ａ（％）を算出した。

〔金属細線の反射率〕
上述した実施例および比較例の各導電性フィルムの作製と同じ条件にて、べた（パターンなし）のモデル膜を作製し、反射分光膜厚計ＦＥ−３０００（大塚電子株式会社製）を用いてモデル膜の波長５５０ｎｍでの反射率（％）を測定した。なお、入射角度、受光角ともに９０度に設定した（垂直入射）。

〔シート抵抗〕
ＹＯＫＯＧＡＷＡ ７５５５ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｕｌｔｉｍｅｔｅｒ （ ４ ｗｉｒｅ ｏｈｍｓ ｍｏｄｅ）に自作のジグを接続して、上述した実施例および比較例の各導電性フィルムのシート抵抗を測定し、以下の評価基準にしたがって、シート抵抗を評価した。
Ａ：１０Ω／ｓｑ未満
Ｂ：１０Ω／ｓｑ以上、２０Ω／ｓｑ未満
Ｃ：２０Ω／ｓｑ以上

〔視認性〕
上述した実施例および比較例の各導電性フィルムを黒色版上に配置し、サンプル表面に対し斜め４５度から白色光を照射し、上述した実施例および比較例の各導電性フィルムの真上（９０度）から高さ１０ｃｍおよび高さ３０ｃｍ離れた高さの２点で目視にて観察し、以下の評価基準にしたがって、視認性を評価した。
Ａ：高さ１０ｃｍおよび高さ３０ｃｍのいずれでも、全くメッシュパターンの金属細線が観察できない優れたレベル
Ｂ：高さ３０ｃｍからはメッシュパターンの金属細線が観察できないが、高さ１０ｃｍからでは少し線見えが生じるものの問題がないレベル
Ｃ：いずれの高さからでもメッシュパターンの金属細線が少し観察され、問題のあるレベル
Ｄ：いずれの高さからでもメッシュパターンの金属細線が目立ち、問題のあるレベル

［評価結果］
以上の評価試験の結果を下記第１表にまとめて示す。

式（Ｉ）を満たし、線幅２μｍ以下、かつ、反射率が８０％以下であれば視認性良好であるが（実施例１〜７）、反射率２０％以上４０％以下、かつ、線幅１μｍ以下であると、低抵抗かつ視認性良好であり、特に優れた性能を有することが示された（実施例１および３）。
ここで、実施例５においては、スパッタ銅を全面に成膜後、ウェットエッチングにより金属細線を形成している。ウェットエッチングによる金属細線の形成は、フォトレジストパターンにより金属細線の線幅を制御できるセミアディティブ法（実施例１〜４）と異なり、線幅制御が困難であり、特に配線高さが高くなるほど線幅の制御が困難になる傾向にあった。そのため、線幅５μｍ程度以下の金属細線を形成するには、厚み１００ｎｍ程度の金属細線を作製する必要があった（実施例５の金属細線のアスペクト比（厚み／線幅）が０．１１）。したがって、実施例５の導電性フィルムは、金属細線の厚み（配線高さ）が低いことにより、金属細線の体積が小さくなり、実施例１〜４の導電性フィルム（アスペクト比が０．５以上）と比較して、抵抗が高くなったと推測される。
また、実施例６では、反射率を低減するために黒化処理を行ったので、最表面に存在していた銅がパラジウムに置換されて、実施例１〜４の導電性フィルムよりも抵抗が高くなったと推測される。
式（Ｉ）を満たさない場合は、骨見えが顕著で視認性に問題があるレベルであることが示された（比較例５〜１５）。
式（Ｉ）を満たしていても、線幅２μｍ以上のパターンでは骨見えがあり、あまり視認性が良くないことが示された（比較例１〜４）。
式（Ｉ）を満たし、かつ、線幅２μｍ未満であっても、反射率が８０％を超える場合には、骨見えがあり、あまり視認性が良くないことが示された（比較例１６）。

３、３００ 導電性フィルム
３１、１３１ 基板
３２ 導電部
３８、１３８ 金属細線
３９、１３９、１５１ 開口
Ｌ 線幅
Ａ 開口率
Ｘ 一辺の長さ（ピッチサイズ）
１３８ａ 第１金属膜
１３８ｂ 第２金属膜
１３８Ａ 第１金属層
１３８Ｂ 第２金属層
１５０ レジスト膜

Claims (5)

1. 基板上に配置され、線幅０．５μｍ以上２μｍ未満の金属細線から構成された導電部を有する導電性フィルムであって、
   前記金属細線は、メッシュパターンを形成しており、
   前記金属細線の線幅Ｌμｍと、前記メッシュパターンの開口率Ａ％とが、式（Ｉ）の関係を満たし、
   波長５５０ｎｍにおける前記金属細線の反射率が、８０％以下である、導電性フィルム。
   式（Ｉ）：７０≦Ａ＜（１０−Ｌ／１５）^２
2. 前記開口率Ａが９５．０〜９９．６％である、請求項１に記載の導電性フィルム。
3. 波長５５０ｎｍにおける前記金属細線の反射率が、２０〜４０％である、請求項１または２に記載の導電性フィルム。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電性フィルムを有する、タッチパネルセンサー。
5. 請求項４に記載のタッチパネルセンサーを有する、タッチパネル。