CN105278709A - 金属线路微结构的制法 - Google Patents

Abstract

本案涉及一种金属线路微结构的制法，包括步骤：(a)提供基板；(b)形成籽晶层于基板的表面上；(c)形成光致抗蚀剂层于籽晶层的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层中形成沟槽图案，其中沟槽图案具有特定沟槽宽度；(d)以电镀方式将金属导电层填入沟槽图案；以及(e)移除光致抗蚀剂层及移除未为金属导电层接触与连接的籽晶层的部分，以形成金属线路微结构。

Description

金属线路微结构的制法

技术领域

本案涉及一种微结构的制法，特别涉及一种金属线路微结构的制法。

背景技术

目前，触控技术已广泛地应用于各种电子产品的触控显示装置中，以便于使用者利用触控方式操控该电子产品的作动。常用的触控面板为了使其触控区域的电极不易被视认，通常采用氧化铟锡(ITO)来形成透明电极。但随着触控面板的应用逐渐朝大尺寸的方向发展，使用氧化铟锡透明电极的技术存在着电阻较大、触控回应速度较慢，需多道工艺步骤以及制作成本较高等技术问题，因此金属线路(或称金属网格(MetalMesh))于是被发展以取代氧化铟锡透明电极的应用。

相较于使用氧化铟锡透明电极，利用金属线路当作导体的技术具有电阻较小、导电性较佳、反应速度较快以及制作成本较低等优点。现有制作金属线路的方法主要采用印刷工艺，直接在基板上印刷上所需金属线路图案，然而采用印刷工艺制作金属线路的精细度控制不易，且难以制作出具5μm以下线宽的金属线路，如此将使金属线路的性能表现、透光率以及线路不可视率无法进一步地提升。此外，采用印刷工艺需使用到模板，而模板的制备及清洗成本也会增加制作金属线路的成本，且模板经多次印刷操作后会因变形而影响印刷精确度，模板需时常替换也会增加整体成本。再则，如欲制作出具5μm以下线宽的金属线路，其制作成本势必会大幅增加且也会面临精确度控制不易及线路过细所产生的断线等良率问题。更甚者，使用银，铝或铜作为金属线路的材料时也会面临氧化的问题，如欲防止氧化的发生也会增加了工艺的难度与成本。

有鉴于此，实有必要发展一种金属线路微结构的制法，以解决前述现有技术所遭遇的种种问题。

发明内容

本案的目的在于提供一种金属线路微结构的制法，其可以较低成本制备更细微化的金属线路，且于应用于触控面板时可以提升金属线路的透光率及不可视率。

本案的另一目的在于提供一种金属线路微结构的制法，其制作金属线路的精细度较易控制，可制备具5μm以下线宽的金属线路，可以提升产品良率，并可防止金属线路氧化的发生。

本案的另一目的在于提供一种适用于触控面板的金属线路微结构的制法，其可利用同一工艺步骤同时于基板上形成触控面板的可视触控区域及引线区域的金属线路。

为达上述目的，本案的一较佳实施方式为提供一种金属线路微结构的制法，包括步骤：(a)提供基板；(b)形成籽晶层于基板的表面上；(c)形成光致抗蚀剂层于籽晶层的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层中形成沟槽图案，其中沟槽图案具有特定沟槽宽度；(d)以电镀方式将金属导电层填入沟槽图案；以及(e)移除光致抗蚀剂层及移除未为金属导电层接触与连接的籽晶层的部分，以形成金属线路微结构。

在本发明的金属线路微结构的制法的一个实施方式中，该基板为一透明基板、一柔性基板或一柔性透明基板。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，该籽晶层的厚度介于5nm至100nm之间，且该籽晶层为金属或金属合金，其中该金属或金属合金选自铬/金金属膜、钛/金金属膜、钛/铜金属膜、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，该沟槽图案具有一特定沟槽深度，该特定沟槽宽度介于1μm至20μm之间，该特定沟槽深度介于0.1μm至20μm之间。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，该特定沟槽宽度介于1μm至5μm之间，该特定沟槽深度介于0.1μm至2μm之间。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，该特定沟槽宽度为3μm以下。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，于该步骤(c)中，还暴露部分的该籽晶层，且于该步骤(d)中，该金属导电层与暴露的该籽晶层的部分接触与连接。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，该金属导电层的材料选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钼、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。

在本发明的金属线路微结构的制法的另一个实施方式中，该金属导电层的宽度对应于该特定沟槽宽度，且该金属导电层的厚度介于0.1μm至2μm。

为达上述目的，本案的另一较佳实施方式为提供一种金属线路微结构的制法，包括步骤：(a)提供基板；(b)形成籽晶层于基板的表面上；(c)形成光致抗蚀剂层于籽晶层的表面上，且进行曝光与光刻工艺以于光致抗蚀剂层中形成沟槽图案，其中沟槽图案具有特定沟槽宽度；(d)以电镀方式将金属导电层填入沟槽图案；(e)将抗氧化层填入沟槽图案，且抗氧化层形成于金属导电层上；以及(f)移除光致抗蚀剂层及移除未为金属导电层接触与连接的籽晶层的部分，以形成金属线路微结构。

在本发明的金属线路微结构的制法的一个实施方式中，该抗氧化层为一抗氧化金属层，且该抗氧化层包含酚醛树脂、感光化合物、有机有色高分子染料、无机有色染料以及溶剂。

为达上述目的，本案的又一较佳实施方式为提供一种金属线路微结构的制法，包括步骤：(a)提供基板；(b)形成籽晶层于基板的表面上；(c)形成光致抗蚀剂层于籽晶层的表面上，且进行曝光与光刻工艺以于光致抗蚀剂层中形成第一沟槽图案及第二沟槽图案，其中第一沟槽图案具有第一特定沟槽宽度，第二沟槽图案具有第二特定沟槽宽度，第二特定沟槽宽度大于第一特定沟槽宽度；(d)将金属导电层分别填入第一沟槽图案及第二沟槽图案；以及(e)移除光致抗蚀剂层及移除未为金属导电层接触与连接的籽晶层的部分，以形成第一金属线路微结构及第二金属线路微结构。

在本发明的金属线路微结构的制法的一个实施方式中，该第一特定沟槽宽度介于1μm至5μm之间，该第二特定沟槽宽度介于5μm至20μm之间，且该第一金属线路微结构及该第二金属线路微结构的线宽分别对应于该第一特定沟槽宽度及该第二特定沟槽宽度。

本案金属线路微结构的制法，其可以较低成本制备更细微化的金属线路，且于应用于触控面板时可以提升金属线路的透光率及不可视率。此外，本案金属线路微结构的制法，其制作金属线路的精细度较易控制，可制备具5μm以下线宽的金属线路，可以提升产品良率，并可防止金属线路氧化的发生。再则，本案金属线路微结构的制法，其可利用同一工艺步骤同时于基板上形成触控面板的可视触控区域及引线区域的金属线路。

附图说明

图1A至图1E显示本案第一较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图。

图2为本案第一较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。

图3A至图3F显示本案第二较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图。

图4为本案第二较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。

图5A至图5E显示本案第三较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图。

图6为本案第三较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。

图7为本案第三较佳实施例的制法应用于形成一触控面板的金属线路的示意图。

其中，附图标记说明如下：

1：触控面板

11、31：基板

12、32：籽晶层

13、33：光致抗蚀剂层

14：沟槽图案

34、35：第一沟槽图案、第二沟槽图案

15、36、37：金属导电层

17：抗氧化层

16、18：金属线路微结构

W₁：第一特定沟槽宽度

W₂：第二特定沟槽宽度

38：第一金属线路微结构

39：第二金属线路微结构

S20、S21、S22、S23、S24、S40、S41、S42、S43、S44、S45、S60、S61、S62、S63、S64：流程步骤

具体实施方式

体现本案特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本案能够在不同的方式上具有各种的变化，其皆不脱离本案的范围，且其中的说明及附图在本质上当作说明之用，而非用于限制本案。

图1A至图1E显示本案第一较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图；以及图2为本案第一较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。本案的金属线路微结构制法包括下述步骤，首先，如图1A及图2所示，于步骤S20中，提供基板11，其中该基板11为透明基板、柔性基板或柔性透明基板，且基板11的厚度可介于但不限于20μm至800μm之间。

于一些实施例中，基板11的材料可选自聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalatem，PET)、聚醚亚酰胺(Polyetherimide，PEI)、聚苯砜(Polyphenylensulfon，PPSU)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate，PEN)、环烯烃类共聚物(Cyclicolefincopolymer，COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer，LCP)、玻璃或其组合等，且不以此为限。于本实施例中，该基板11以柔性透明基板为较佳，且其材料以聚对苯二甲酸乙二酯为较佳，其具有耐冲击、不易破碎、透光率较高等特性。

接着，如图1B及图2所示，于步骤S21中，形成一籽晶层12(seedlayer)于基板11的一表面。于一些实施例中，可利用沉积法形成金属膜于基板11的表面上以作为籽晶层12，其中沉积法包括但不限于溅镀法或蒸镀法，且以溅镀法为较佳。籽晶层12具有良好的导电性及与基板11的附着性，其可作为连结非金属材质的基板11与后续电镀金属导电层的界面，作为后续电镀步骤的起始层，可提升微结构的强度及导电性。此外，籽晶层12的厚度可介于5nm至100nm之间，但不以此为限，其厚度可视实际应用需求而调整。于一些实施例中，籽晶层12可为金属或金属合金，较佳可选自铬/金金属膜(CrunderAumetalfilm)、钛/金金属膜(TiunderAumetalfilm)、钛/铜金属膜(TiunderCumetalfilm)、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜(Ti-WunderAu)等，但不以此为限。

然后，如图1C及图2所示，于步骤S22中，形成光致抗蚀剂层13于籽晶层12的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层13中形成沟槽图案14并暴露部分的籽晶层12，其中该曝光及光刻工艺将光掩模上的图案转移至光致抗蚀剂层13并形成该沟槽图案14。于本实施例中，光致抗蚀剂层13可为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂，其分别可利用例如涂布方式或贴覆方式将光致抗蚀剂层13形成于籽晶层12的表面上。此外，光致抗蚀剂层13所使用的光致抗蚀剂可包括正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂，其中正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂的应用与原理为现有技术，于此不再赘述。于此步骤中，可利用例如但不限于光掩模图案设计及曝光量、曝光时间等条件的控制，以形成具有特定沟槽宽度及特定沟槽深度的沟槽图案14。于本实施例中，沟槽图案14的特定沟槽宽度可介于1μm至20μm之间，其中该特定沟槽宽度以介于1μm至5μm之间为较佳，且以3μm以下为更佳。此外，沟槽图案14的特定沟槽深度可介于0.1μm至20μm之间，且以介于0.1μm至2μm之间为较佳。

之后，如图1D及图2所示，于步骤S23中，以电镀方式将金属导电层15填入沟槽图案14，其中金属导电层15与暴露于沟槽图案14底部的该籽晶层12的部分接触与连接。于本实施例中，采用电镀方式将金属导电层15填入沟槽图案14具有形成速度较快且较易控制金属导电层15厚度等优点，且对于成形的金属导电层15无需进行后续的处理步骤，有利于工艺步骤的简化。于一些实施例中，金属导电层15的材料可选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钼、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。于一些实施例中，金属导电层15的厚度可介于0.1μm至20μm之间，且以介于0.1μm至2μm之间为较佳，并以介于0.1μm至0.5μm之间为更佳。

然后，如图1E及图2所示，于步骤S24中，移除光致抗蚀剂层13及移除未为该金属导电层15接触与连接的该籽晶层12的部分(即光致抗蚀剂层13原覆盖的该籽晶层12的部分)，以形成金属线路微结构16。于一些实施例中，移除光致抗蚀剂层13的方式可依据光致抗蚀剂层13为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂而分别采用蚀刻方式或剥离方式实现。此外，移除未与金属导电层15接触与连接的籽晶层12的该部分的方式可采用蚀刻方式实现，且不以此为限。于本实施例中，所制作完成的金属线路微结构16其线宽对应于沟槽图案14的该特定沟槽宽度，换言之，金属线路微结构16的线宽也可介于1μm至20μm之间，其中金属线路微结构16的线宽范围以介于1μm至5μm之间为较佳，且以3μm以下为更佳。由于金属线路微结构16的线宽可以通过沟槽图案14的该特定沟槽宽度而控制于1μm至5μm之间，特别是可控制于3μm以下，因此当应用于触控面板的可视触控区域的金属线路(或金属网格)时，可使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率。此外，金属线路微结构16的线宽也可控制介于1μm至20μm之间，例如介于5μm至20μm之间，藉此也可应用于触控面板的非触控区域的金属线路，换言之，可作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，金属线路微结构16的高度也可对应于沟槽图案14的深度而可介于0.1μm至20μm之间，藉此可依据阻抗值的要求而调整金属线路微结构16的高度以控制所形成的金属线路的稳定性。

图3A至图3F显示本案第二较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图；以及图4为本案第二较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。本案的金属线路微结构制法包括下述步骤，首先，如图3A及图4所示，于步骤S40中，提供基板11，其中该基板11为透明基板、柔性基板或柔性透明基板，且基板11的厚度可介于但不限于20μm至800μm之间。

于一些实施例中，基板11的材料可选自聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalatem，PET)、聚醚亚酰胺(Polyetherimide，PEI)、聚苯砜(Polyphenylensulfon，PPSU)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate，PEN)、环烯烃类共聚物(Cyclicolefincopolymer，COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer，LCP)、玻璃或其组合等，且不以此为限。于本实施例中，该基板11以柔性透明基板为较佳，且其材料以聚对苯二甲酸乙二酯为较佳，其具有耐冲击、不易破碎、透光率较高等特性。

接着，如图3B及图4所示，于步骤S41中，形成一籽晶层12(seedlayer)于基板11的一表面。于一些实施例中，可利用沉积法形成金属膜于基板11的表面上以作为籽晶层12，其中沉积法包括但不限于溅镀法或蒸镀法，且以溅镀法为较佳。籽晶层12具有良好的导电性及与基板11的附着性，其可作为连结非金属材质的基板11与后续电镀金属导电层的界面，作为后续电镀步骤的起始层，可提升微结构的强度及导电性。此外，籽晶层12的厚度可介于5nm至100nm之间，但不以此为限，其厚度可视实际应用需求而调整。于一些实施例中，籽晶层12为金属或金属合金，较佳可选自铬/金金属膜(CrunderAumetalfilm)、钛/金金属膜(TiunderAumetalfilm)、钛/铜金属膜(TiunderCumetalfilm)、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜(Ti-WunderAu)等，但不以此为限。

然后，如图3C及图4所示，于步骤S42中，形成光致抗蚀剂层13于籽晶层12的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层13中形成沟槽图案14并暴露部分的籽晶层12，其中该曝光及光刻工艺将光掩模上的图案转移至光致抗蚀剂层13并形成该沟槽图案14。于本实施例中，光致抗蚀剂层13可为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂，其分别可利用例如涂布方式或贴覆方式将光致抗蚀剂层13形成于籽晶层12的表面上。此外，光致抗蚀剂层13所使用的光致抗蚀剂可包括正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂，其中正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂的应用与原理为现有技术，于此不再赘述。于此步骤中，可利用例如但不限于光掩模图案设计及曝光量、曝光时间等条件的控制，以形成具有特定沟槽宽度及特定沟槽深度的沟槽图案14。于本实施例中，沟槽图案14的特定沟槽宽度可介于1μm至20μm之间，其中该特定沟槽宽度以介于1μm至5μm之间为较佳，且以3μm以下为更佳。此外，沟槽图案14的特定沟槽深度可介于0.1μm至20μm之间，且以介于0.1μm至2μm之间为较佳。

之后，如图3D及图4所示，于步骤S43中，以电镀方式将金属导电层15填入沟槽图案14，其中金属导电层15与暴露于沟槽图案14底部的该籽晶层12的部分接触与连接。于本实施例中，采用电镀方式将金属导电层15填入沟槽图案14具有形成速度较快且较易控制金属导电层15厚度等优点，且对于成形的金属导电层15无需进行后续的处理步骤，有利于工艺步骤的简化。于一些实施例中，金属导电层15的材料可选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钼、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。于一些实施例中，金属导电层15的厚度可介于0.1μm至20μm之间，且以介于0.1μm至2μm之间为较佳，并以介于0.1μm至0.5μm之间为更佳。

然后，如图3E及图4所示，于步骤S44中，将抗氧化层17填入沟槽图案14，且该抗氧化层17形成于金属导电层15上。于一些实施例中，抗氧化层17可为抗氧化金属层，且抗氧化层17可包含酚醛树脂、感光化合物、有机有色高分子染料、无机有色染料以及溶剂，但并不以此为限，其中无机有色染料包含金属成分。抗氧化层17可为但不限于黑色，且可用以保护金属导电层、避免金属导电层氧化及改变金属线路的色泽，以使金属线路的不可视率更为提升。

然后，如图3F及图4所示，于步骤S45中，移除光致抗蚀剂层13及移除未为该金属导电层15接触与连接的该籽晶层12的部分(即光致抗蚀剂层13原覆盖的该籽晶层12的部分)，以形成金属线路微结构18。于一些实施例中，移除光致抗蚀剂层13的方式可依据光致抗蚀剂层13为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂而分别采用蚀刻方式或剥离方式实现。此外，移除未与金属导电层15接触与连接的籽晶层12的该部分的方式可采用蚀刻方式实现，且不以此为限。于本实施例中，所制作完成的金属线路微结构18其线宽对应于沟槽图案14的该特定沟槽宽度，换言之，金属线路微结构18的线宽也可介于1μm至20μm之间，其中金属线路微结构18的线宽范围以介于1μm至5μm之间为较佳，且以3μm以下为更佳。由于金属线路微结构18的线宽可以通过沟槽图案14的该特定沟槽宽度而控制于1μm至5μm之间，特别是可控制于3μm以下，因此当应用于触控面板的可视触控区域的金属线路(或金属网格)时，可使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率。此外，金属线路微结构18的线宽也可控制介于1μm至20μm之间，例如介于5μm至20μm之间，藉此也可应用于触控面板的非触控区域的金属线路，换言之，可作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，金属线路微结构18的高度也可对应于沟槽图案14的深度而可介于0.1μm至20μm之间，藉此可依据阻抗值的要求而调整金属线路微结构18的高度以控制所形成的金属线路的稳定性。

图5A至图5E显示本案第三较佳实施例的金属线路微结构制法的结构流程示意图；以及图6为本案第三较佳实施例的金属线路微结构制法的步骤流程图。本案的金属线路微结构制法包括下述步骤，首先，如图5A及图6所示，于步骤S60中，提供基板31，其中该基板31为透明基板、柔性基板或柔性透明基板，且基板31的厚度可介于但不限于20μm至800μm之间。

于一些实施例中，基板31的材料可选自聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalatem，PET)、聚醚亚酰胺(Polyetherimide，PEI)、聚苯砜(Polyphenylensulfon，PPSU)、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate，PEN)、环烯烃类共聚物(Cyclicolefincopolymer，COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer，LCP)、玻璃或其组合等，且不以此为限。于本实施例中，该基板31以柔性透明基板为较佳，且其材料以聚对苯二甲酸乙二酯为较佳，其具有耐冲击、不易破碎、透光率较高等特性。

接着，如图5B及图6所示，于步骤S61中，形成一籽晶层32(seedlayer)于基板31的一表面。于一些实施例中，可利用沉积法形成金属膜于基板31的表面上以作为籽晶层32，其中沉积法包括但不限于溅镀法或蒸镀法，且以溅镀法为较佳。籽晶层32具有良好的导电性及与基板31的附着性，其可作为连结非金属材质的基板31与后续电镀金属导电层的界面，作为后续电镀步骤的起始层，可提升微结构的强度及导电性。此外，籽晶层32的厚度可介于5nm至100nm之间，但不以此为限，其厚度可视实际应用需求而调整。于一些实施例中，籽晶层32为金属或金属合金，较佳可选自铬/金金属膜(CrunderAumetalfilm)、钛/金金属膜(TiunderAumetalfilm)、钛/铜金属膜(TiunderCumetalfilm)、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜(Ti-WunderAu)等，但不以此为限。

然后，如图5C及图6所示，于步骤S62中，形成光致抗蚀剂层33于籽晶层32的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层33中形成第一沟槽图案34及第二沟槽图案35并暴露部分的籽晶层32，其中该曝光及光刻工艺将光掩模上的图案转移至光致抗蚀剂层33并形成该第一沟槽图案34及该第二沟槽图案35。于本实施例中，光致抗蚀剂层33可为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂，其分别可利用例如涂布方式或贴覆方式将光致抗蚀剂层33形成于籽晶层32的表面上。此外，光致抗蚀剂层33所使用的光致抗蚀剂可包括正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂，其中正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂的应用与原理为现有技术，于此不再赘述。于此步骤中，可利用例如但不限于光掩模图案设计及曝光量、曝光时间等条件的控制，以形成具有第一特定沟槽宽度W1的第一沟槽图案34、第二特定沟槽宽度W2的第二沟槽图案35及特定沟槽深度，且第二特定沟槽宽度W2大于第一特定沟槽宽度W1。于本实施例中，第一特定沟槽宽度W1及第二特定沟槽宽度W2可介于1μm至20μm之间，其中该第一特定沟槽宽度W1以介于1μm至5μm之间为较佳，且以3μm以下为更佳。该第二特定沟槽宽度W2以介于5μm至20μm之间为较佳。此外，特定沟槽深度可介于0.1μm至20μm之间，且以介于0.1μm至2μm之间为较佳。

之后，如图5D及图6所示，于步骤S63中，以电镀方式分别将金属导电层36及37填入第一沟槽图案34及第二沟槽图案35，其中金属导电层36及37与暴露于第一沟槽图案34及第二沟槽图案35底部的该籽晶层32的部分接触与连接。于本实施例中，采用电镀方式分别将金属导电层36及37填入第一沟槽图案34及第二沟槽图案35具有形成速度较快且较易控制金属导电层36及37厚度等优点，且对于成形的金属导电层36及37无需进行后续的处理步骤，有利于工艺步骤的简化。于一些实施例中，金属导电层36及37的材料可为相同或不同，且可选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钼、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。于一些实施例中，金属导电层36及37的厚度可介于0.1μm至20μm之间，且以介于0.1μm至2μm之间为较佳，并以介于0.1μm至0.5μm之间为更佳。

然后，如图5E及图6所示，于步骤S64中，移除光致抗蚀剂层33及移除未为该金属导电层36及37接触与连接的该籽晶层32的部分(即光致抗蚀剂层33原覆盖的该籽晶层32的部分)，以分别形成第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39。于一些实施例中，移除光致抗蚀剂层33的方式可依据光致抗蚀剂层33为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂而分别采用蚀刻方式或剥离方式实现。此外，移除未与金属导电层36及37接触与连接的籽晶层32的该部分的方式可采用蚀刻方式实现，且不以此为限。于本实施例中，所制作完成的第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39其线宽对应于第一沟槽图案34及第二沟槽图案35的该第一特定沟槽宽度W1及该第二特定沟槽宽度W2，换言之，第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39的线宽也可介于1μm至20μm之间，其中第一金属线路微结构38的线宽范围以介于1μm至5μm之间为较佳，且以3μm以下为更佳。由于第一金属线路微结构38的线宽可以第一沟槽图案34的第一特定沟槽宽度W1而控制于1μm至5μm之间，特别是可控制于3μm以下，因此可应用于触控面板的可视触控区域的金属线路(或金属网格)，使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率。此外，第二金属线路微结构39的线宽也可控制介于1μm至20μm之间，且以介于5μm至20μm之间为较佳，因此可应用于触控面板的非触控区域的金属线路，换言之，可作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39的高度也可对应于第一沟槽图案34及第二沟槽图案35的深度而可介于0.1μm至20μm之间，藉此可依据阻抗值的要求而调整第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39的高度以控制所形成的金属线路的稳定性。

图7为本案第三较佳实施例的制法应用于形成一触控面板的金属线路的示意图。如图7所示，形成的第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39分别位于触控面板1的可视触控区域及非触控区域，其中可视触控区域的第一金属线路微结构38可控制于1μm至5μm之间，特别是可控制于3μm以下，藉此可使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率，而非触控区域的第二金属线路微结构39可控制在5μm至20μm之间，用以作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，如图5A至图5E、图6及图7所示，本案的金属线路微结构的制法可利用同一工艺步骤同时于基板上形成第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39，以分别作为触控面板1的可视触控区域的金属线路及非触控区域的金属引线线路，藉此可简化触控面板1的工艺步骤并降低制作成本。

综上所述，本案提供一种金属线路微结构的制法，其可以较低成本制备更细微化的金属线路，且于应用于触控面板时可以提升金属线路的透光率及不可视率。此外，本案金属线路微结构的制法，其制作金属线路的精细度较易控制，可制备具5μm以下线宽的金属线路，可以提升产品良率，并可防止金属线路氧化的发生。再则，本案金属线路微结构的制法，其可利用同一工艺步骤同时于基板上形成触控面板的可视触控区域及引线区域的金属线路。

本案得由本领域普通技术人员任施匠思而为诸般修饰，然皆不脱如附权利要求所欲保护者。

Claims (13)

1.一种金属线路微结构的制法，包括步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一籽晶层于该基板的一表面上；

(c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光及光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一沟槽图案，其中该沟槽图案具有一特定沟槽宽度；

(d)以电镀方式将一金属导电层填入该沟槽图案；以及

(e)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成该金属线路微结构。

2.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该基板为一透明基板、一柔性基板或一柔性透明基板。

3.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该籽晶层的厚度介于5nm至100nm之间，且该籽晶层为金属或金属合金，其中该金属或金属合金选自铬/金金属膜、钛/金金属膜、钛/铜金属膜、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜。

4.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该沟槽图案具有一特定沟槽深度，该特定沟槽宽度介于1μm至20μm之间，该特定沟槽深度介于0.1μm至20μm之间。

5.根据权利要求4的金属线路微结构的制法，其中该特定沟槽宽度介于1μm至5μm之间，该特定沟槽深度介于0.1μm至2μm之间。

6.根据权利要求4的金属线路微结构的制法，其中该特定沟槽宽度为3μm以下。

7.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中于该步骤(c)中，还暴露部分的该籽晶层，且于该步骤(d)中，该金属导电层与暴露的该籽晶层的部分接触与连接。

8.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该金属导电层的材料选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钼、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。

9.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该金属导电层的宽度对应于该特定沟槽宽度，且该金属导电层的厚度介于0.1μm至2μm。

10.一种金属线路微结构的制法，包括步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一籽晶层于该基板的一表面上；

(c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光与光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一沟槽图案，其中该沟槽图案具有一特定沟槽宽度；

(d)以电镀方式将一金属导电层填入该沟槽图案；

(e)将一抗氧化层填入该沟槽图案，且该抗氧化层形成于该金属导电层上；以及

(f)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成该金属线路微结构。

11.根据权利要求10的金属线路微结构的制法，其中该抗氧化层为一抗氧化金属层，且该抗氧化层包含酚醛树脂、感光化合物、有机有色高分子染料、无机有色染料以及溶剂。

12.一种金属线路微结构的制法，包括步骤：

(a)提供一基板；

(b)形成一籽晶层于该基板的一表面上；

(c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光与光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一第一沟槽图案及一第二沟槽图案，其中该第一沟槽图案具有一第一特定沟槽宽度，该第二沟槽图案具有一第二特定沟槽宽度，该第二特定沟槽宽度大于该第一特定沟槽宽度；

(d)将一金属导电层分别填入该第一沟槽图案及该第二沟槽图案；以及

(e)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成一第一金属线路微结构及一第二金属线路微结构。

13.根据权利要求12的金属线路微结构的制法，其中该第一特定沟槽宽度介于1μm至5μm之间，该第二特定沟槽宽度介于5μm至20μm之间，且该第一金属线路微结构及该第二金属线路微结构的线宽分别对应于该第一特定沟槽宽度及该第二特定沟槽宽度。