KR101796526B1 - 터치패널 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 단일층 터치패널 제조방법은 기재 상에 분리영역을 형성하며 제1 방향을 길이방향으로 배열되는 하부전극을 형성하는 단계, 상기 분리영역에 형성되며, 상기 하부전극이 상부전극 중 제2 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 절연층을 형성하는 단계 및 상기 분리영역에 제1 방향을 따라 형성되고, 상기 하부전극을 매개로 전기적으로 연결되는 제1 패턴전극, 및 상기 분리영역에 제2 방향을 따라 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 형성되고, 상기 절연층에 의해 상기 하부전극과 전기적으로 절연되는 제2 패턴전극을 형성하는 상부전극 형성 단계를 포함한다.

Description

터치패널 및 그 제조방법{TOUCH PANEL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}

본 발명은 터치패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.

터치패널은 디스플레이의 입력장치로 은행의 ATM기, 네비게이션, 휴대폰 등이 대표적이고, 스타일러스 펜이나 손가락이 눌려진 위치에 해당되는 전압 또는 전류 신호를 발생함으로써 사용자가 지정하는 명령 및 그래픽 정보를 입력하게 된다.

터치패널은 그 감지센서의 기술력에 따라 저항막, 정전용량, 표면초음파전도 및 적외선광 방식 등으로 구분되며, 최근에는 평판표시장치 중 액정패널과 일체 된 아날로그 형태의 저항막 방식과 정전용량 방식의 터치패널이 주로 사용되고 있다.

한편, 터치패널에 형성된 전극은 접촉 입력의 유무를 판단하고 입력 좌표를 검출하여 터치센서 칩으로 신호를 전송하는 기능을 담당하는 바, 이는 제1 및 제2 패턴전극으로 입력된 신호가 트레이스전극을 통해 전달되는 메커니즘에 의한다. 이 때, 터치패널의 전극은 신호 전송 속도 및 반응속도 향상을 위해 저항이 낮을수록 터치패널의 성능이 향상된다.

이를 위해, 저저항 전극을 구현 및 공정 효율이 개선된 터치패널 제조방법이 필요하다.

본 발명의 목적은 터치패널 전극의 저항을 낮출 수 있고, 공정의 효율성이 우수한 터치패널 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.

본 발명의 하나의 관점은 터치패널의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

하나의 구체예에 따르면, 상기 터치패널의 제조방법은 기재 상에 분리영역을 형성하며 제1 방향을 길이방향으로 배열되는 하부전극을 형성하는 단계, 상기 분리영역에 형성되며, 상기 하부전극이 상부전극 중 제2 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 절연층을 형성하는 단계 및 상기 분리영역에 제1 방향을 따라 형성되고, 상기 하부전극을 매개로 전기적으로 연결되는 제1 패턴전극, 및 상기 분리영역에 제2 방향을 따라 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 형성되고, 상기 절연층에 의해 상기 하부전극과 전기적으로 절연되는 제2 패턴전극을 형성하는 상부전극 형성 단계를 포함한다.

상기 하부전극을 형성하는 단계는, 상기 기재 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 하부전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 전도성 페이스트를 충진하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

다른 구체예에 따르면, 상기 하부전극을 형성하는 단계는, 상기 기재 상에 전도성 페이스트층을 형성하는 단계, 하부전극을 형성하도록 상기 전도성 페이스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 전도성 페이스트층이 형성된 레이어 전면 상에 금속산화물을 증착하는 단계, 상기 금속산화물이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 금속산화물이 상기 전도성 페이스트 패턴 상에 형성되도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물을 제거하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 절연층을 형성하는 단계는, 상기 하부전극이 형성된 기재 상의 분리영역에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계 및 상기 분리영역에서 상기 하부전극과 상기 상부전극 중 제2 패턴전극이 전기적으로 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 상부전극을 형성하는 단계는, 상기 하부전극 및 상기 절연층이 형성된 상기 기재 상의 분리영역에 금속산화물을 증착하는 단계, 상기 금속산화물이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물을 제거하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 터치패널의 제조방법은 상기 상부전극층이 형성된 레이어 상에 보호층을 형성 단계를 더 포함할 수 있다.

또 다른 구체예에 따르면, 상기 터치패널의 제조방법은 상기 하부전극을 형성하는 단계에서 트레이스전극을 동시에 형성할 수 있다.

상기 트레이스전극은 메탈전극 또는 실버페이스트 전극일 수 있다.

상기 기재는 유리 또는 가요성 필름일 수 있다.

상기 기재는 열처리 된 것일 수 있다.

상기 포토레지스트층을 형성하는 단계는, 포토레지스트를 코팅하는 방법 또는 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성할 수 있다.

상기 포토레지스트층은 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.

상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

상기 절연층을 형성하는 단계는, 필름타입 전사, 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄의 방법으로 절연층을 형성할 수 있다.

상기 절연층은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 및 실리콘계 수지 중 하나 이상을 포함하는 감광성 절연물질일 수 있다.

본 발명의 다른 관점은 상기 터치패널의 제조방법에 의해 제조된 터치패널에 관한 것이다.

본 발명은 터치패널 전극의 저항을 낮출 수 있고, 공정의 효율성이 우수한 터치패널 및 그 제조방법을 제공하는 효과를 갖는다.

도 1은　본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법을 간략히 도시한 것이다.
도 2는　본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 한 단계를 단면도로 간략히 도시한 것이다.
도 3은　본 발명의 다른 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 한 단계를 단면도로 간략히 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 한 단계를 평면도로 간략히 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 한 단계를 평면도로 간략히 도시한 것이다.
도 6는 본 발명의 하나의 구체예에 따른 터치패널의 제조방법 중 한 단계를 평면도로 간략히 도시한 것이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.

단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한, 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다.

전체적으로 도면 설명 시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다.

한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다. '제1'또는 '제2' 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.

예를 들어, 제1 패턴전극은 제2 패턴전극으로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 패턴전극도 제1 패턴전극으로 명명될 수도 있다.

또한, 본 발명의 명세서 전반에 사용되는 상기 '제1 방향' 내지 '제2 향'은 다차원 구조에서 설정될 수 있는 임의의 방향을 설정한 것으로, 하나의 구체예에서는 상기 제1 패턴전극과 제2 패턴전극이 상호 수직으로 교차할 수 있는 2차원 구조에서의 X측 방향 또는 Y측 방향을 의미한다.

또한, '분리영역'은 제1 및 제2 패턴전극이 형성되는 영역으로, 트레이스 전극이 형성되는 영역과 구분되는 영역을 의미한다.

한편, 본 출원에서 서술되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다'등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

또한, 방법 또는 제조 방법을 수행함에 있어서, 상기 방법을 이루는 각 과정들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 과정들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.

이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명의 하나의 관점은 터치패널의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

도1은 본 발명의 구체예에 따른 단일층 터치패널의 제조방법을 간략히 도시한 것이다.

도 1에 따르면, 상기 터치패널의 제조방법은 기재(10) 상에 분리영역을 형성하며 제1 방향을 길이방향으로 배열되는 하부전극(20)을 형성하는 단계, 상기 분리영역에 형성되며, 상기 하부전극(20)이 상부전극 중 제2 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 절연층(30)을 형성하는 단계 및 상기 분리영역에 제1 방향을 따라 형성되고, 상기 하부전극(20)을 매개로 전기적으로 연결되는 제1 패턴전극(43), 및 상기 분리영역에 제2 방향을 따라 상기 제1 패턴전극(43)과 전기적으로 절연되도록 형성되고, 상기 절연층(30)에 의해 상기 하부전극(20)과 전기적으로 절연되는 제2 패턴전극(45)을 형성하는 상부전극(40)을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 터치패널의 제조방법과 같이 제1 패턴전극(43)을 전기적으로 연결하는 하부전극(20)을 먼저 형성시키는 경우, 전도성 페이스트 경화 시 전도성 물질이 위쪽으로 향하는 특성에 의해, 하부전극(20)과 상부전극(40)의 접촉저항을 현저하게 낮출 수 있는 효과가 있다.

하부전극을 형성하는 단계

이하, 도 1(b), 도 2, 도 3 및 도4를 참고하여 하부전극(20)을 형성하는 단계를 설명한다. 도 1(b)는 기재(10) 상에 하부전극(20)이 형성된 단면도를 간략히 도시한 것이고, 도 2 및 도 3은 하부전극(20)을 형성하는 과정을 단면도로 간략히 도시한 것이고, 도 4는 기재(10) 상에 하부전극(20)이 형성된 평면도를 간략히 도시한 것이다. 도 4에서는 하부전극(20)과 함께 트레이스전극(41)이 동시에 형성되는 것을 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 예를 들어 하부전극(20)을 먼저 형성한 후 별도의 공정에 의해 트레이스전극(41)을 형성할 수 있다.

하부전극(20)은 제2 방향으로 형성되는 상부전극(40)인 제2 패턴전극(45)과 전기적으로 절연되어 있으면서, 제1 방향으로 형성되는 상부전극(40)인 제1 패턴전극(43)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 구체적으로, 하부전극(20)은 제2 패턴전극(45)과는 절연층(30)에 의해 절연되어 있다.

도 2는 하나의 구체예에 따른 하부전극(20)을 형성하는 과정을 단면도로 간략히 도시한 것이다.

일 구체예에 따르면, 하부전극(20)을 형성하는 단계는, 기재(10) 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계, 하부전극(20)을 형성하도록 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 전도성 페이스트(20')를 충진하는 단계 및 포토레지스트층(80)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

기재(10)는 하부전극(20), 절연층(30) 및 상부전극(40)이 형성될 공간을 제공하고 모바일 기기의 외곽을 구성하기 위한 것으로 곡면 혹은 평면 구조를 가질 수 있다.

상기 기재(10)는 유리 또는 가요성 필름일 수 있다.

상기 유리는 액정 표시 소자나 유기 EL 표시 소자용 기판, 컬러 필터 기판, 태양 전지 기판 등의 유리일 수 있다.

상기 가요성 필름은 폴리머를 사용할 수 있다. 상기 폴리머의 구체적인 예로는 폴리에텔렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트 (PC) 수지, (메타)아크릴계 수지 (Acrylic resin), 폴리에스테르 (Polyester) 수지, 폴리에테르술폰 (PES) 수지, 셀룰로오스 에스테르 (Cellulose ester) 수지, 벤조사이클로부텐 (BCB) 수지 및 폴리염화비닐 (PVC) 수지 등의 플라스틱 필름을 예시할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

상기 기재(10)는 내구성을 높이고, 열수축을 방지하기 위해 열처리한 폴리머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 120 ℃ 내지 140℃로 열처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET) 필름을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

기재(10) 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계는 포토레지스트를 코팅하는 방법 또는 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성하는 것일 수 있다.

상기 포토레지스트를 코팅하는 방법은, 예를 들면 포토레지스트 조성물을 기재의 중앙에 증착시킨 다음 고속(약 3,000 rpm) 으로 기재를 회전시켜 코팅할 수 있다. 상기 포토레지스트를 코팅하는 단계는 형성하고자 하는 패턴의 두께를 조절하기 위하여 코팅 되는 포토레지스트의 두께를 제어할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트층(80)은 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성할 수도 있다.

하부전극(20)을 형성하도록 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계는 통상의 포토레지스트 패턴 형성방법에 의해 형성된 것일 수 있다. 예를 들면, 기재(10) 상에 형성된 포토레지스트층(80)을 포토 마스크를 사용하여 노광 및 현상(develop)함으로써 형성할 수 있다. 구체적으로, 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법은 UV 광에 의해 경화 또는 분해되는 포토레지스트를 기재에 코팅하고 UV광원을 상기 포토레지스트에 조사하여 조사된 포토레지스트 부분을 경화 또는 분해하고, 상기 포토레지스트를 형성하고자 하는 패턴 이외의 부분을 남기고 선택적으로 현상하는 방법일 수 있다.

상기 포토레지스트는 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이 될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.

상기 포토레지스트는 UV 광원에 반응하는 포지티브 타입(Positive Type) 및 네거티브 타입(Negative Type) 모두 적용 가능하며, 액상 또는 반고상 필름으로 형성된 제품 모두를 포함한다.

상기 UV 광원은 Lamp 광원, LED 및 UV 파장의 Laser 빔을 사용할 수 있으며, 레이져 빔은 g-line, i-line, KrF laser 또는 ArF laser일 수 있고, 극자외선 노광기술(Extreme Ultra Violet Lithography:EUVL)을 이용할 수도 있다.

상기 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 현상 단계는 대부분 수용성 알칼리 용액을 사용할 수 있고, 반드시 여기에 한정되지 않는다. 상기 수용성 알칼리 용액의 한 예로는, KOH와 TMAH(TetraMethyl-Ammonium-Hydroxide) 수용액을 사용할 수 있으나 여기에 한정되지 않는다. 일반적인 경우 현상 시간은 약 60초 정도이나 감광제의 두께가 낮아지면 현상 시간을 줄이는 것이 유리할 수 있다.

또한 포토레지스트 패턴 형성 후에 남아있는 유기 용매 제거를 위하여 낮은 온도에서 소프트 베이킹(soft bake)를 실시할 수 있고, 노광 후 베이킹(PEB)를 실시할 수 있으며, 현상이 끝난 후 현상액을 제거하고 필요에 따라 마지막으로 하드 베이킹(hard bake)을 수행할 수 있다.

상기 패턴에 전도성 페이스트(20')를 충진하는 단계는 인레이(inlay) 방법으로 충진할 수 있다.

전도성 페이스트(20')는 통상 사용되는 포토레지스트 전도성 페이스트일 수 있다. 구체적으로 상기 전도성 페이스트(20')는 전도성 입자 및 상기 전도성 입자를 고정하는 바인더를 포함하는 졸, 겔 또는 액상의 잉크일 수 있고 기타 가능한 전도성을 가지며 충진 가능한 물질을 이용할 수 있다.

상기 전도성 입자는 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), 아연주석산화물(ZTO, zinc tin oxide), 탄소나노튜브(CNT, carbon nanotube), 은 페이스트(Ag paste), 은 나노와이어(Ag nano wire), 은 화합물(Ag compound), 은 컴플렉스(Ag complex), 구리 화합물(Cu compound), 구리 컴플렉스(Cu complex), 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 그래핀 및 전도성 고분자 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 이 중 인?쳅玲?산화물(ITO, indium tin oxide)이 바람직하게 적용될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide)의 경우에는 시인성 개선의 장점이 있다.

상기 전도성 입자의 평균 입경은 1 nm 내지 5 ㎛, 예를 들면 10nm 내지 5㎛일 수 있다. 상기 범위 내에서 구현하고자 하는 미세선폭(fine pitch) 및 요구되는 전도성에 따라 달리 할 수 있으며. 시인성 및 전도성 개선에 유리한 장점이 있다.

상기 바인더는 알킬계, 아민계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계, 에틸렌계 수지 등을 1종 이상 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 바인더는 유기용매에 용해된 형태일 수 있으며, 상기 전도성 페이스트는 바인더가 용해된 유기용매에 상기 전도성 입자가 분산되어 있는 졸, 겔, 또는 액상의 잉크 형태일 수 있다.

상기 전도성 페이스트에서, 상기 전도성 입자의 함량은 60 내지 80 중량%일 수 있고, 상기 바인더의 함량은 10 내지 20 중량%일 수 있으며 용매의 함유량은 10 내지 20 중량%일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

포토레지스트층(80)을 제거하는 단계는 리프트 오프(lift-off) 방법에 의할 수 있다. 상기 리프트 오프(lift-off)하는 단계는 물리적, 화학적 방법일 수 있다.

상기 리프트 오프(lift-off)의 화학적 방법으로는 아세톤 (acetone), 트리클로로에틸렌 (trichloroethylene, TCE), 페놀베이스스트리퍼(phenol-based strippers, Indus-Ri-Chem J-100), 메틸에텔케톤(methyl ethyl ketone, MEK), 메틸아이소부틸케톤(methyl isobutyl ketone, MIBK) 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.

상기 리프트 오프(lift-off)의 물리적 방법으로는 산소(O2)로 플라즈마 에칭하는 방법 또는 노말메틸-2-피롤리돈(n-methyl-2-pyrrolidone)이 함유된 쉬플리 1165 스트리퍼(Shipley 1165 stripper)를 사용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.

도 3은 다른 구체예에 따른 하부전극(27)을 형성하는 과정을 단면도로 간략히 도시한 것이다. 다른 구체예에서 하부전극(27)은 전도성 페이스트 내의 전도성 물질이 경화 시 전도성 물질이 위쪽으로 향하는 특성에 의해 제1 패턴전극과의 접촉저항을 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 전도성 페이스트 상에 금속산화물이 증착되어 있어, 접촉 저항을 더욱 현저하게 낮출 수 있는 장점이 있다. 예를 들어, 상기 하부전극(27)은 실버 페이스트 상에 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)가 증착된 전극일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 전도성 페이스트는 감광성 페이스트일 수 있다.

도 3에 따르면, 하부전극(27)을 형성하는 단계는, 상기 기재(10) 상에 전도성 페이스트층(20')을 형성하는 단계, 하부전극(27)을 형성하도록 상기 전도성 페이스트층(20')에 패턴을 형성하는 단계, 상기 전도성 페이스트층(20')이 형성된 레이어 전면 상에 금속산화물(25)을 증착하는 단계, 금속산화물(25)이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계, 금속산화물(25)이 상기 전도성 페이스트 패턴 상에 형성되도록 상기 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 금속산화물(25)을 제거하는 단계 및 포토레지스트층(80)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

기재(10) 상에 전도성 페이스트층(20')을 형성하는 단계는 전도성 페이스트를 스핀코팅(spin coating)하는 방법 또는 도포하는 방법 등에 의할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.

상기 전도성 페이스트는 하나의 구체예에서 사용되는 전도성 페이스트와 실질적으로 동일하다. 예를 들어, 상기 전도성 페이스트는 통상의 포토레지스트 전도성 페이스트일 수 있다.

하부전극(27)을 형성하도록 상기 전도성 페이스트층(20')에 패턴을 형성하는 단계는 통상의 포토레지스트 패턴 형성방법에 의해 형성된 것일 수 있다. 예를 들면, 기재(10) 상에 형성된 포토레지스트 전도성 페이스트층(20')을 포토 마스크를 사용하여 노광 및 현상(develop)함으로써 형성할 수 있다. 구체적으로, 포토레지스트 전도성 페이스트 패턴을 형성하는 방법은 UV 광에 의해 경화 또는 분해되는 포토레지스트 전도성 페이스트를 기재에 코팅하고 UV광원을 상기 포토레지스트 전도성 페이스트층(20')에 조사하여 조사된 포토레지스트 전도성 페이스트 부분을 경화 또는 분해하고, 상기 하부전극(27)을 형성하고자 하는 패턴 이외의 부분을 남기고 선택적으로 현상하는 방법일 수 있다.

전도성 페이스트층(20')이 형성된 전면 상에 금속산화물을 증착하는 단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition)와 PVD(Physical Vapor Deposition)를 이용할 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 플라즈마 CVD를 이용하는 경우 ITO막은 증착시 산소결핍으로 인한 비 다량결합(non-stochiometry)에 의해 인듐(In)이 석출되어 흑화현상이 일어나기 때문에, 전기전도도와 광투과율 향상을 위해 산소분위기에서 300℃로 4분간 열처리를 행할 수 있다. PVD(Physical Vapor Deposition)으로 진공증착법, 음극 스퍼터링, 이온도금 등의 방법을 이용할 수 있다.

상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

금속산화물(25)이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계, 금속산화물(25)이 상기 전도성 페이스트 패턴 상에 형성되도록 상기 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계 및 포토레지스트층(80)을 제거하는 단계에서의 포토레지스트층(80) 형성, 패턴화 및 제거 방법은 하나의 구체예에 기재된 방법과 실질적으로 동일하다.

패턴이 형성되지 않은 영역의 금속산화물(25)을 제거하는 단계는 예를 들어 에칭(etching)에 의한 방법을 사용할 수 있다. 구체적으로 에칭(etching)을 위한 식각액으로 왕수계(HCl+HNO₃)식각액, 및 염산, 약산 및 알코올 중 선택된 하나의 물질로 이루어진 식각액, 염화철계(FeCl₃)식각액, 옥살산 및 그것의 염 또는 알루미늄 염화물로 이루어진 식각액 등이 사용될 수 있고, 반드시 이에 제한되지 아니한다.

상기의 방법으로 형성된 하부전극(20, 27)은 두께가 0.1㎛ 내지 50㎛, 구체적으로 0.5㎛ 내지 20㎛가 될 수 있다. 상기의 범위에서, 하부전극은 저항, 박막화 및 시인성 등의 균형을 이룰 수 있다.

절연층 형성단계

도 1(c) 및 도 5는 본 발명의 구체예에 따른 절연층(30)을 형성하는 단계를 간략히 도시한 것이다. 절연층(30)은 분리영역(15)에 형성되고, 하부전극(20)이 상부전극(40) 중 제2 패턴전극과 전기적으로 절연시키는 역할을 한다.

상기 절연층(30)을 형성하는 단계는, 상기 하부전극(20)이 형성된 기재(10) 상의 분리영역(15)에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계 및 상기 분리영역(15)에서 상기 하부전극(20)과 상기 상부전극(40)이 제2 방향으로 전기적으로 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 절연층(30)은 감광성 절연물질로 형성될 수 있고, 상기 감광성 절연물질은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(30)은 하부전극(20)의 길이 및 폭에 대해, 길이는 짧고 폭은 더 넓게 하부전극(20) 상에 균일한 두께로 형성할 수 있다. 또한 상기 절연층(30)은 종래 기술과 같이 형성되거나 다른 구체예에서는 전착법으로 형성할 수 있다.

하나의 구체예에 따르면, 상기 절연층(30)을 형성하는 단계는 포토리소그래피법을 사용할 수 있다. 구체예에서, 포토리소그래피법은 감광성 절연물질을 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 포토리소그래피법을 이용한 상기 절연층(30) 형성단계는 기재(10) 상에 형성된 하부전극(20) 상에, 감광성 절연물질을 코팅하는 단계 및 상기 분리영역(15)에서 상기 하부전극(20)과 상기 상부전극(40)이 제2 방향으로 전기적으로 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감광성 절연물질의 코팅 및 패터닝 하는 단계는 통상의 포토리소그래피법에 의할 수 있고, 또한 두께를 조절할 수도 있다.

다른 구체예에 따르면, 상기 절연층(30)을 형성하는 단계는, 필름타입 전사, 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄의 방법으로 절연층을 형성할 수 있다. 상기의 방법에 의하는 경우, 재료 절감의 효과가 있다.

필름타임 전사는 예를 들어 열전사필름을 사용하여 절연층을 형성할 수 있다.

스크린 인쇄 방법은 소망형상에 다수의 가는 구멍이 형성된 스크린판을 통하여 피인쇄물 상에 무늬를 인쇄, 형성하는 방법으로, 배선 기판이나 디스플레이 등 전자 부품의 패터닝에 사용되고 있고 필요한 곳에 정량만큼 감광성 절연물질 등 재료를 도포할 수 있다. 구체적으로, 상기 절연층(30)은 상기 전술한 감광성 절연물질을 이용하여, 피인쇄물 상에 스크린판을 클리어런스를 비워 세트하고 스크린판과 피인쇄물이 접촉하도록 스퀴지로 스크린판을 눌러 변형시키면서 스퀴지를 이동시키고 이를 통해 패턴구동을 가능케 할 수 있다.

잉크젯 인쇄방법은 피에조 방식, 가열방식, 버블젯 방식 등으로 할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.

구체예에 의하면, 상기 절연층(30)은 0.1㎛~5㎛의 두께를 가지도록 형성할 수 있고 이는 종래의 절연층보다 감소된 두께를 가지도록 구성할 수 있다. 상기 두께 범위에서 터치패널의 시인성 향상에 유리하게 작용할 수 있고 상부에 형성되는 상부전극(40)의 구조적 신뢰성에 유리한 장점이 있다.

상부전극을 형성하는 단계

도 1(d) 및 도 6은 본 발명의 구체예에 따른 상부전극(40)을 형성하는 단계를 간략히 도시한 것이다. 상부전극(40)은 분리영역(15)에 제1 방향을 따라 형성되고, 하부전극(20)을 매개로 전기적으로 연결되는 제1 패턴전극(43) 및 분리영역(15)에 제2 방향을 따라 제1 패턴전극(43)과 전기적으로 절연되도록 형성되고, 절연층(30)으로 하부전극(20)과 전기적으로 절연되는 제2 패턴전극(45)를 포함한다.

구체예에서 하부전극(20) 및 절연층(30)이 형성된 기재(10) 상에 제1 방향을 따라 분리영역(15)이 배열되도록 제1 패턴전극(43)을 형성하고, 상기 분리영역(15)에 제2 방향을 따라 배열되도록 제2 패턴전극(45)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 패턴전극(43)은 하부전극(20)을 매개로 전기적으로 연결되고, 제2 패턴전극(45)은 제1 패턴전극(43)과 전기적으로 절연되고, 절연층(30)에 의해 하부전극(20)과도 전기적으로 절연되어 있다.

상기 제1 및 제2 패턴전극(43, 45)은 도 6에 개시된 바와 같이 마름모 형태를 가질 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면 상기 제1 및 제2 패턴전극(43, 45)은 직사각형, 팔각형, 원형, 타원형 또는 요철부을 내재하는 다각형 등 여러 형상으로 형성할 수 있고, 또한 터치패널의 투명전극에 있어서 패턴전극의 특성을 구현할 수 있는 것이라면 그 형상이 반드시 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제1 및 제2 패턴전극(43, 45)을 이루는 세선의 단면은 사각형, 삼각형, 반원형 및 반타원형 등일 수 있다.

구체예에서, 상기 상부전극(40)을 형성하는 단계는 하부전극(20) 및 절연층(30)이 형성된 기재(10) 상에 금속산화물층을 형성하는 단계, 상기 금속산화물층 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 제1 패턴전극(43) 및 제2 패턴전극(45)을 형성하도록 상기 포토레지스트층을 패터닝 하는 단계, 상기 금속산화물층을 제1 패턴전극(43) 및 제2 패턴전극(45)을 형성하는 패턴 외의 부분을 제거하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

상기 금속산화물층을 형성하는 단계는 스퍼터링, 이-빔 등의 방법으로 금속산화물층을 형성할 수 있고, 반드시 이에 제한되지 아니한다.

상기 포토레지스트층을 형성하는 단계, 제1 패턴전극(43) 및 제2 패턴전극(45)을 형성하도록 포토레지스트층을 패터닝 하는 단계 및 포토레지스트층을 제거하는 단계에서의 포토레지스트층 형성, 패턴화 및 제거 방법은 하나의 구체예에 기재된 방법과 실질적으로 동일하다. 또한 상기 금속산화물층을 제1 패턴전극(43) 및 제2 패턴전극(45)을 형성하는 패턴 외의 부분을 제거하는 단계에서 금속산화물층을 제거하는 방법은 다른 구체예에 기재되어 있는 금속산화물층 제거방법과 실질적으로 동일하다.

트레이스전극 형성 단계

상기 터치패널의 제조방법은 상기 하부전극(20)을 형성하는 단계에서 트레이스전극(41)을 동시에 형성할 수 있다.

트레이스전극(41)은 제1 및 제2 패턴전극(43, 45)으로부터 전기신호를 전달받도록 상기한 제1 및 제2 패턴전극(43, 45)의 테두리에 형성되는 복수의 선이다. 하나의 구체예로서 도 4 내지 도 6과 같은 패턴으로 형성될 수 있고, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.

하나의 구체예에서 트레이스전극(41)은 상기 하부전극(20)을 형성하는 단계에 기재된 바와 같이, 기재(10) 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계, 트레이스전극(41)을 형성하도록 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴에 전도성 페이스트(20')를 충진하는 단계 및 포토레지스트층(80)을 제거하는 단계를 포함하되, 하부전극(20)을 형성하는 공정과 동시에 수행될 수 있다.

또한 다른 구체예에서, 트레이스전극(41)을 형성하는 방법은 기재(10) 상에 전도성 페이스트층(20')을 형성하는 단계, 트레이스전극(41)을 형성하도록 상기 전도성 페이스트층(20')에 패턴을 형성하는 단계, 상기 전도성 페이스트층(20')이 형성된 레이어 전면 상에 금속산화물(25)을 증착하는 단계, 금속산화물(25)이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층(80)을 형성하는 단계, 금속산화물(25)이 상기 전도성 페이스트 패턴 상에 형성되도록 상기 포토레지스트층(80)에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 금속산화물(25)을 제거하는 단계 및 포토레지스트층(80)을 제거하는 단계를 포함하되, 하부전극(20)을 형성하는 공정과 동시에 수행될 수 있다.

상기 트레이스전극(41)을 형성하는 방법은 트레이스전극(41)이 도 3 내지 도 6에 따른 패턴을 가지는 것 외에, 하부전극(20)을 형성하는 방법과 실질적으로 동일하며, 동시에 수행될 수 있다.

트레이스전극(41)이 하부전극(20)을 형성하는 단계와 동시에 수행됨으로써, 공정 효율이 우수한 장점이 있다.

보호층 형성단계

도시하지는 않았지만, 상기 터치패널의 제조방법은 상기 상부전극층이 형성된 레이어 상에 보호층을 형성 단계를 더 포함할 수 있다.

구체적으로 보호층(30)과 상부전극(40)이 형성된 레이서 상에 보호층이 형성될 수 있고, 보호층은 터치패널(100) 형성 시 상부전극(40)에 스크래치나 기타 손상이 발생하는 것을 방지하며 고온에 노출되지 않도록 내열성 재질이 바람직하게 적용될 수 있다. 보호층은 상기한 특징을 갖는 구체적인 일예로서, 투명하면서 절연성을 갖는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로 상기 보호층은 투명하면서 절연성을 갖는 액상 Type 또는 Film Type의 재질로 이루어질 수 있다.

상기 보호층은, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지 등이 사용될 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 보호층은 라미 공정을 통해 상부전극(40)을 덮도록 형성될 수 있고, 예를 들어 절연층(30) 및 상부전극(40)이 형성된 후, 상기 절연층(30), 상부전극(40) 및 트레이스전극(41)이 형성된 레이어 상에 레이어 상에 형성될 수 있다.

터치패널

본 발명의 다른 관점은 단일층 터치패널을 제공하기 위한 것이다.

상기 단일층 터치패널은 상기 단일층 터치패널 제조방법 중 하나에 의해 제조될 수 있다.

구체예에서, 상기 터치패널의 브리지 및 트레이스전극의 두께는 0.1㎛ 내지 20㎛, 바람직하게는 0.1㎛ 내지 19㎛, 더욱 바람직하게는 0.1㎛ 내지 18㎛일 수 있다. 또한, 상기의 방법으로 제조된 터치패널의 패턴 전극은 간격이 0.5㎛ 내지 150 ㎛, 바람직하게는 0.5㎛ 내지 140㎛, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 내지 130㎛일 수 있다. 상기의 범위에서 저항 감소, 시인성이 개선되는 장점이 있다.

이상 본 발명의 구체예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 구체예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 구체예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

100 : 터치패널 10 : 기재
15 : 분리영역 20 : 하부전극
20' : 전도성 페이스트 25 : 금속산화물
27 : 하부전극 30 : 절연층
40 : 상부전극 41 : 트레이스전극
43 : 제1 패턴전극 45 : 제2 패턴전극
80 : 포토레지스트

Claims (15)

1. 기재 상에 분리영역을 형성하며 제1 방향을 길이방향으로 배열되는 하부전극을 형성하는 단계;
   상기 분리영역에 형성되며, 상기 하부전극이 상부전극 중 제2 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 절연층을 형성하는 단계; 및
   상기 분리영역에 제1 방향을 따라 형성되고, 상기 하부전극을 매개로 전기적으로 연결되는 제1 패턴전극, 및 상기 분리영역에 제2 방향을 따라 상기 제1 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 형성되고, 상기 절연층에 의해 상기 하부전극과 전기적으로 절연되는 제2 패턴전극을 형성하는 상부전극 형성 단계;
   를 포함하는 터치패널의 제조방법이고,
   상기 하부전극을 형성하는 단계는,
   상기 기재 상에 전도성 페이스트층을 형성하는 단계;
   하부전극을 형성하도록 상기 전도성 페이스트층에 패턴을 형성하는 단계;
   상기 전도성 페이스트층이 형성된 레이어 전면 상에 금속산화물을 증착하는 단계;
   상기 금속산화물이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
   상기 금속산화물이 상기 전도성 페이스트층의 패턴 상에 형성되도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계;
   상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물을 제거하는 단계; 및
   상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;
   를 포함하는 터치패널의 제조방법.
   
2. 삭제
3. 삭제
4. 제1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는,
   상기 하부전극이 형성된 기재 상의 분리영역에 감광성 절연물질을 코팅하는 단계; 및
   상기 분리영역에서 상기 하부전극이 상기 상부전극 중 제2 패턴전극과 전기적으로 절연되도록 상기 감광성 절연물질을 패터닝하는 단계;
   를 포함하는 터치패널의 제조방법.
   
5. 제1항에 있어서, 상기 상부전극을 형성하는 단계는,
   상기 하부전극 및 상기 절연층이 형성된 상기 기재 상의 분리영역에 금속산화물을 증착하는 단계;
   상기 금속산화물이 증착된 레이어 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
   상기 제1 및 제2 패턴전극을 형성하도록 상기 포토레지스트층에 패턴을 형성하는 단계;
   상기 패턴이 형성되지 않은 영역의 상기 금속산화물을 제거하는 단계; 및
   상기 포토레지스트층을 제거하는 단계;
   를 포함하는 터치패널의 제조방법.
   
6. 제1항에 있어서, 상기 상부전극이 형성된 레이어 상에 보호층을 형성 단계를 더 포함하는 터치패널의 제조방법.
   
7. 제1항에 있어서, 상기 하부전극을 형성하는 단계에서 트레이스전극을 동시에 형성하는 터치패널의 제조방법.
   
8. 제1항에 있어서, 상기 기재는 유리 또는 가요성 필름인 터치패널의 제조방법.
   
9. 제1항에 있어서, 상기 기재는 열처리 된 것인 터치패널의 제조방법.
   
10. 제5항에 있어서, 상기 포토레지스트층을 형성하는 단계는,
    포토레지스트를 코팅하는 방법 또는 필름형 포토레지스트를 라미네이션하는 방법으로 형성하는 터치패널의 제조방법.
    
11. 제5항에 있어서, 상기 포토레지스트층은 방향족 비스아지드(Bis-azide), 메타크릴산 에스테르(Methacrylic acid ester), 계피산 에스테르(Cinnamic acid ester), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 나프토퀴논 디아지드(Naphthoquinonediazide), 폴리부텐-1 술폰(Polybutene-1 sulfone), 다이아조나프토퀴논(diazonaphthoquinone)-노볼락 수지(DNQ/NR), 화학 증폭성 포토레지스트, KrF 엑시머 레이저 레지스트, ArF 엑시머 레이저 레지스트, 락톤환이 도입된 ArF 레지스트 또는 ArF 침액 레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 터치패널의 제조방법.
    
12. 제5항에 있어서, 상기 금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, indium tin oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZnO 및 TiO 중 하나 이상을 포함하는 터치패널의 제조방법.
    
13. 제1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 단계는, 필름타입 전사, 스크린 인쇄 또는 잉크젯 인쇄의 방법으로 절연층을 형성하는 하는 터치패널의 제조방법.
    
14. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 아크릴계 수지, 우레탄계 수지 및 실리콘계 수지 중 하나 이상을 포함하는 감광성 절연물질로 형성되는 터치패널의 제조방법.
    
15. 제1항에 의한 방법에 의해 제조된 터치패널.
    
    

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