JP6308211B2 - タッチパネル - Google Patents

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Description

本発明は、パターニングされた透明導電膜により構成される透明なタッチパネルに関する。
近年、様々な電子機器のディスプレイ上に入力デバイスとして、透明なタッチパネルが用いられている。タッチパネルの方式としては、抵抗膜式、静電容量式などが挙げられる。抵抗膜式では上下の電極が接触することでタッチ位置を検出する。また静電容量式では指先などが触れた際の表面の静電容量の変化でタッチ位置を検出する。
静電容量式のタッチパネルは大きく表面容量型と投影型に分けられる。投影型では、静電容量の変化を検出する電極として、透明導電膜に導電膜の有る部分と無い部分をエッチング処理などにより形成(パターニング)して用いる。この際導電膜の有る部分と無い部分で光学特性が違うことで、導電層のパターンが目立ち、視認性が悪くなる。
この導電膜のパターンが目立たなくなるように導電膜のタッチ位置検出に用いる導電膜の有る部分から隔絶して、不連続な小面積の形状の導電膜を残すようにパターニングするダミーパターンを形成することで、パターンを見えづらくする方法も提案されている(特許文献1参照)。
国際公開第2011/033907号
しかしながら、導電膜にダミーパターンを用いるとほぼ全面に導電膜が残ることになり、導電膜が存在することによる黄色味増加やヘイズ上昇が問題となっていた。すなわち、非導電部にダミーパターンを形成すると、電極の導電膜層のパターンと、非導電層部分のダミーパターンとで互いに形状が異なることで、導電層のパターンが際立ち視認性が悪くなる。
本発明は上記のような従来技術の課題を解決しようとするものであり、ダミーパターンの利用を最小限に抑え、黄色味やヘイズの低減を図り、かつパターンを見えにくくすることが可能で視認性を向上することのできるタッチパネルを提供するものである。
上記課題を解決するための本発明の一局面は、少なくとも、第1の透明基板と、第1の透明基板の一方の面にパターン形成された第1の透明導電膜と、第1の透明導電膜に接続された第1の金属配線と、第2の透明基板と、第2の透明基板の一方の面にパターン形成された第2の透明導電膜と、第2の透明導電膜に接続された第2の金属配線と、透明粘着層とを備えたタッチパネルであって、第1の透明導電膜は複数のダミーパターンを内部に配置したスリットと、隣接するダミーパターンの間に形成された穴とを備える矩形パターンであり、第2の透明導電膜は実質的に矩形内部にスリットが入った矩形パターンであり、第1の透明導電膜の穴は第2の透明導電膜と重なる位置に配置され、タッチパネル面に対する平面視において、ダミーパターンは対向する第2の透明導電膜との重なり部を有しない、タッチパネルである。
また、本発明の他の局面は、少なくとも、透明基板と、透明基板の一方の面にパターン形成された第1の透明導電膜と、第1の透明導電膜に接続された第1の金属配線と、透明基板の他方の面にパターン形成された第2の透明導電膜と、第2の透明導電膜に接続された第2の金属配線とを備えたタッチパネルであって、第1の透明導電膜は複数のダミーパターンを内部に配置したスリットと、隣接するダミーパターンの間に形成された穴とを備える矩形パターンであり、第2の透明導電膜は実質的に矩形内部にスリットが入った矩形パターンであり、第1の透明導電膜の穴は第2の透明導電膜と重なる位置に配置され、タッチパネル面に対する平面視において、ダミーパターンは対向する第2の透明導電膜との重なり部を有しない、タッチパネルである。
また、タッチパネル面に対する平面視において第1の透明導電膜のパターンと第2の透明導電膜の重なり部の面積が1ヶ所あたり0.0025mm以上0.10mm以下の範囲内にあってもよい。
また、第1の透明導電膜の穴は、第2の透明導電膜のパターンを横断する辺に沿った幅が、当該辺が重なり合う第2の透明導電膜のパターンの幅より0.020mm以上0.15mm以下だけ広くてもよい。
また、少なくとも第2の透明導電膜のパターンの非スリット部の最狭部幅が0.050mm以上0.35mm以下の範囲内にあってもよい。
また、少なくとも第2の透明導電膜のパターンのスリット部の最狭部幅が非スリット部の最狭部幅と同じか非スリット部の最狭部幅よりも広くてもよい。
また、第1の透明導電膜および第2の透明導電膜の少なくともいずれかが金属ナノワイヤを少なくとも含んでもよい。
また、金属ナノワイヤが樹脂層に覆われていてもよい。
また、第1の透明導電膜と第2の透明導電膜との間の最短の距離が20μm以上150μm以下の範囲内にあってもよい。
また、透明基板、前記第1の透明基板、および前記第2の透明基板の少なくともいずれかの厚さが20μm以上150μm以下の範囲内にあってもよい。
また、タッチパネルの透過光の散乱を表すヘイズ率が1.5%以下であってもよい。
一般的にパターン形成された透明導電膜のパターン見えを回避するために、透明導電膜の電極部以外の部分を電極と短絡しないようにダミーの透明導電膜で覆う手法が取られる。この状態で上下2層の電極を重ね合わせた場合、実質的に2層分の透明導電膜が黄色味やヘイズ率に影響を与える。本発明では、透明導電膜の電極パターンをスリット入り及び穴開きの矩形にして、一方の透明導電膜の穴を他方の透明導電膜と重なる位置に配置することで、黄色味やヘイズ率を抑えたままパターン見えを効果的に抑えることができる。特に、銀ナノワイヤなどの金属ナノワイヤを透明導電膜に用いた場合、非常に有効である。
以上のように、本発明によれば、ダミーパターンの利用を最小限に抑え、黄色味やヘイズの低減を図り、かつパターンを見えづらくして視認性を向上するタッチパネルを提供することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る第1のタッチパネルの構成を示す断面図である。 図2は、本発明の実施形態に係る第2のタッチパネルの構成を示す断面図である。 図3は、本発明の実施形態に係る第3のタッチパネルの構成を示す断面図である。 図4は、本発明の第1の実施形態に係る透明導電膜パターンの構成を示す平面図である。 図5は、本発明の第1の実施形態に係る透明導電膜パターンを構成する繰り返し単位パターンを示す平面図である。 図6は、本発明の第1実施形態に係る第1の透明導電膜のパターンを示す平面図である。 図7は、本発明の実施形態に係る第2の透明導電膜のパターンを示す平面図である。 図8は、本発明の第2の実施形態に係る透明導電膜パターンの構成を示す平面図である。 図9は、本発明の第2の実施形態に係る透明導電膜パターンを構成する繰り返し単位パターンを示す平面図である。 図10は、本発明の第2実施形態に係る第1の透明導電膜のパターンを示す平面図である。 図11は、第1の比較例の透明導電膜パターンの構成を示す平面図である。 図12は、第2の比較例の透明導電膜パターンの構成を示す平面図である。
以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いながら説明する。なお、本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更などを加えることも可能であり、そのような変更が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。
図1〜図3は、本発明のタッチパネルの断面構成の一例である。
図1に示すタッチパネル10は、透明基板1のいずれか一方の面上に透明導電膜5と硬化膜3とを順次備えた2枚の基材同士が、一方の基材の透明基板1の他方の面側ともう一方の基材の硬化膜3側とが透明粘着層6で貼り合わされ、さらに一方の基材の硬化膜3側に透明粘着層6を介してカバーガラス7が貼り合わされた構成である。
図2に示すタッチパネル20は、透明基板1のいずれか一方の面上と他方の面上とのそれぞれに透明導電膜5と硬化膜3とを順次備え、さらに一方の硬化膜3側に透明粘着層6を介してカバーガラス7が貼り合わされた構成である。
図3に示すタッチパネル30は、透明基板1のいずれか一方の面上と他方の面上とのそれぞれに光学調整層4と透明導電膜5とを順次備え、さらに一方の透明導電膜5側に透明粘着層6を介してカバーガラス7が貼り合わされるとともに他方の透明導電膜5上に硬化膜3を備えた構成である。
本発明で用いる透明基板1は、ガラスの他に、樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。プラスチックフィルムとしては、成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリアリレートフィルム、環状ポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。その厚さは部材の薄型化と積層体の可撓性とを考慮し、10μm以上200μm以下程度のものが用いられ、特に、20μm以上150μm以下の範囲内の厚さのものが用いられる。また、本発明のタッチパネルをディスプレイの前面に配置して用いる場合に、透明基板は高い透明性を有することが必要とされ、全光透過率が85%以上のものが好適に使用される。
透明基板1に含有される材料としては、周知の種々の添加剤や安定剤、例えば帯電防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などが使用されてもよい。各層との密着性を改善するため、前処理としてコロナ処理、低温プラズマ処理、イオンボンバード処理、薬品処理などを施してもよい。
本発明の透明基板1には樹脂層2が形成されていてもよい。本発明で用いる樹脂層2は、透明導電膜6に機械的強度を持たせるために設けられる。用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には3次元架橋の期待できる3官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。樹脂層2は、図1のタッチパネル10では透明基板1の他方の面上に、図2のタッチパネル20および図3のタッチパネル30では透明基板1の一方の面上と他方の面上とのそれぞれに設けられている。
3官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレートなどが好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレートおよびポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用しても構わない。また、これら3官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレートなどのいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。
架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル(メタ)アクリレート、ポリエーテル(メタ)アクリレート、ポリウレタン(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、シリコーン(メタ)アクリレートなどのアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールA型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ(メタ)アクリレートなどがある。
樹脂層2は、その他に粒子、光重合開始剤などの添加剤を含有してもよい。
添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。
粒子の平均粒径は、樹脂層2の厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として2μm以上、より好ましくは5μm以上、上限としては30μm以下、好ましくは15μm以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、0.5重量%以上5重量%以下であることが好ましい。
光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、2、2、−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、2、4−ジエチルチオキサントン、2、4−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、4、4−ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または2種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第3級アミン、2−ジメチルアミノエチル安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体などの光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。
上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して0.1重量%以上5重量%以下であり好ましくは0.5重量%以上3重量%以下である。下限値未満ではハードコート層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、ハードコート層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプや加速電子などが使用できる。
また、樹脂層2の厚みは、特に限定されないが、0.5μm以上15μm以下の範囲が好ましい。また、透明基板1と屈折率が同じかもしくは近似していることがより好ましく、1.45以上1.75以下程度が好ましい。
樹脂層2の形成方法は、主成分である樹脂等を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。
溶剤については、上記の主成分の樹脂等を溶解するものであれば特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、などが挙げられる。これらの溶剤は1種を単独で用いても良いし、2種以上を併用しても良い。
光学調整層4は、透明導電膜の透過率や色相を調整する機能を有し、視認性を向上させるための層である。光学調整層4として無機化合物を用いる場合、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの材料が使用可能である。上記無機化合物からなる薄膜は、その材料により屈折率が異なり、その屈折率の異なる薄膜を特定の膜厚で形成することにより、光学特性を調整することが可能となる。光学調整層4として有機化合物を用いる場合、樹脂層2と同様の架橋性樹脂に目的の屈折率に応じた無機化合物を添加し、特定の膜厚で形成することにより用いる。なお、光学調整層の層数としては、目的とする光学特性に応じて、複数層あってもよい。
屈折率の低い材料としては、酸化マグネシウム(1.6)、二酸化珪素(1.5)、フッ化マグネシウム(1.4)、フッ化カルシウム(1.3〜1.4)、フッ化セリウム(1.6)、フッ化アルミニウム(1.3)などが挙げられる。また、屈折率の高い材料としては、酸化チタン(2.4)、酸化ジルコニウム(2.4)、硫化亜鉛(2.3)、酸化タンタル(2.1)、酸化亜鉛(2.1)、酸化インジウム(2.0)、酸化ニオブ(2.3)、酸化タンタル(2.2)が挙げられる。但し、上記括弧内の数値は屈折率を表す。
透明導電膜5は、無機化合物としては酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、それらの2種類もしくは3種類の混合酸化物、さらには、その他添加物が加えられた物などが挙げられるが、目的・用途により種々の材料が使用でき、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績のある材料は酸化インジウムスズ(ITO)である。
最も一般的な透明導電膜である酸化インジウムスズ(ITO)を透明導電層5として用いる場合、酸化インジウムにドープされる酸化スズの含有比はデバイスに求められる仕様に応じて、任意の割合を選択する。例えば、透明基板がプラスチックフィルムの場合、機械強度を高める目的で薄膜を結晶化させるために用いるスパッタリングターゲット材料は、酸化スズの含有比が10重量%未満であることが好ましく、薄膜をアモルファス化しフレキシブル性を持たせるためには、酸化スズの含有比は10重量%以上が好ましい。また、薄膜に低抵抗が求められる場合は、酸化スズの含有比は2重量%から20重量%の範囲が好ましい。
光学調整層4および透明導電膜5が無機化合物の場合、その製造方法としては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも良く、なかでも薄膜の形成乾式法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やCVD法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するために、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。また、光学調整層4が有機化合物や塗液や溶液などから形成される場合には、樹脂層2の形成方法と同様の手法を用いることができる。
また、透明導電膜5は金属ナノ粒子や金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ、グラフェン、導電性高分子などの材料を用いることができ、有機溶剤やアルコール、水などに溶解あるいは分散させることで、塗工、乾燥により形成することができる。さらに透明導電膜としてのシート抵抗や透明性を鑑みて、より好適には金属ナノワイヤが用いられる。
金属ナノワイヤは樹脂等と混合し、水やアルコール、有機溶剤などに分散することで調液し、塗工後、乾燥することで、金属ナノワイヤが互いに絡み合って網の目状となることで、少ない量の導電性物質であっても良好な電気伝導経路を形成することができ、導電性層の抵抗値をより低下させることができる。さらにこのような網の目状を形成した場合、網の目の隙間部分の開口が大きいので、たとえ繊維状の導電性物質そのものが透明でなかったとしても、塗膜として良好な透明性を達成することが可能である。
金属ナノワイヤの金属として、具体的には鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、オスミウム、イリジウム、白金、金が挙げられ、導電性の観点から金、銀、銅、白金、金が好ましい。
金属ナノワイヤ等を用いて透明基板上に透明導電膜を形成する方法としては、スプレーコート、バーコート、ロールコート、ダイコート、インクジェットコート、スクリーンコート、ディップコートなど公知の塗布方法を用いることができる。
透明導電層の膜厚は薄すぎると導体としての十分な導電性が達成出来なくなる傾向にあり、厚すぎるとヘイズ値の上昇、全光線透過率の低下等で透明性が損なわれる傾向にある。通常は10nm以上10μm以下の間で適宜調整を行うが、金属ナノワイヤのように導電性物質そのものが透明でない場合には、膜厚の増加によって透明性が失われ得やすく、より薄い膜厚の導電層が形成されることが多い。この場合きわめて開口部の多い導電層であるが、接触式の膜厚計で測定したときに平均膜厚として10nm以上500nm以下の膜厚範囲がこのましく、30nm以上300nm以下がより好ましく、50nm以上150nm以下が最も好ましい。
硬化膜3は、透明導電膜5を保護し、また透明導電性フィルムに機械的強度を持たせるために設けることができる。用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には3次元架橋の期待できる3官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましく、樹脂層2と同様の材料を用いて形成することができる。形成法も樹脂層2と同様にできる。
本発明の光学調整層4あるいは透明導電膜5は、それらを形成する前に密着層を形成しても良い。密着層として用いられる材料としては、例えば、珪素、ニッケル、クロム、錫、金、銀、白金、亜鉛、チタン、タングステン、ジルコニウム、パラジウム等の金属、または、これら元素の2種類以上からなる化合物、または、これら元素の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物、または、これら酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の混合物等が挙げられる。上記の材料のうち、酸化物、弗化物、硫化物、窒化物の化学組成は、密着性が向上するならば、化学量論的な組成と一致しなくてもよい。また、樹脂層2と同様のアクリル樹脂などの架橋性樹脂を用いることもできる。
(第1の実施形態)
第1の実施形態の透明導電膜5には、図4又は図5のようなパターンを施す。図6および図7のように、形成されるパターンは、導電性パターン領域(図6の第1の透明導電膜51では導電部511からなり、図7の第2の透明導電膜52では導電部521からなる)と、非導電性パターン領域(図6の第1の透明導電膜51では穴部512からなり、図7の第2の透明導電膜52ではスリット部522からなる)とからなる。導電性パターン領域は、金属配線(図示せず)と接しており、電圧変化を検知できる回路に接続されている。人の指等が、検出電極である導電性パターン領域に接近すると、全体の静電容量が変化することから回路の電圧が変動し、接触位置の判定ができる。図6および図7のパターンを貼り合せ、電圧変化検知回路と接続することにより、2次元の位置情報が得られる。
透明導電膜5のパターン形成方法としては、透明導電膜5上にレジストを塗布または貼り合わせ、パターンを露光・現像により形成した後に透明導電膜5を化学的に溶解させるフォトリソグラフィによる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより透明導電膜を昇華させる方法、などが挙げられる。パターン形成方法は、パターンの形状、精度等により適宜選択できるが、パターン精度、細線化を考慮し、フォトリソグラフィによる方法が好ましい。
本実施形態の透明導電膜5に形成されるパターンは、図4〜図7に示したように、実質的に矩形内部に穴が開いた矩形パターンを有する第1の透明導電膜51(図6には導電部511と穴部512とからなる第1の透明導電膜51を示す)と、実質的に矩形内部にスリットが入った矩形パターンを有する第2の透明導電膜52(図7には導電部521とスリット522とからなる第2の透明導電膜52を示す)との2種類であり、これらを第1の透明導電膜51の穴部512が第2の透明導電膜52の導電部521と重なる位置に配置して、上下に組み合わせることで静電容量式タッチパネルの容量検知センサーとして用いる。透明導電膜5は1枚の透明基材の両面にパターニングしても良いし、別々の透明基材にそれぞれパターニングした透明導電膜を設けて、透明粘着層6を介して貼り合わせて上下に配置しても良い。透明導電膜5により構成された各電極はそれぞれ金属配線(図示せず)と接続され、第1の透明導電膜51による電極と第2の透明導電膜52による電極の間の容量変化を検出する回路に接続されることで、静電容量式のタッチセンサーとして動作する。タッチセンサーは最終的に透明粘着層6を介してカバーガラス7と貼り合わされることでタッチパネルを作製することができる。
第1の透明導電膜51のパターンと第2の透明導電膜52のパターンとの重なり部の面積は、例えば1ヶ所あたり0.0025mm以上0.10mm以下の範囲内とすることができる。また例えば、第1の透明導電膜51の穴512は、第2の透明導電膜52のパターンを横断する辺に沿った幅を、当該辺が重なり合う第2の透明導電膜52の幅より0.020mm以上0.15mm以下だけ広くすることができる。また例えば、第2の透明導電膜52のパターンの非スリット部(導電部521)の最狭部幅は0.050mm以上0.35mm以下の範囲内にすることができる。また例えば、第2の透明導電膜52のパターンのスリット部(スリット522)の最狭部幅は非スリット部(導電部521)の最狭部幅と同じか非スリット部の最狭部幅よりも広くすることができる。透明導電膜は例えば金属ナノワイヤを少なくとも含んでもよく、当該金属ナノワイヤは例えば樹脂層2に覆われていてもよい。第1の透明導電膜51と第2の透明導電膜52との間の最短の距離は例えば20μm以上150μm以下の範囲内とすることができる。
上記の各構成のタッチパネルによれば、タッチパネルの透過光の散乱を表すヘイズ率を1.5%以下にすることができる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態の透明導電膜5には、図8又は図9に平面図で示したようなパターンを施す。図9の透明導電膜パターン81は、図8の透明導電膜パターン80を構成する繰り返しの単位パターンを抜き出して示したものである。パターンが施された透明導電膜5として、実質的に矩形内部にスリットが入った矩形パターンを有する、第1の透明導電膜91と第2の透明導電膜52とが形成される。図10および図7のように、形成されるパターンは、導電性パターン領域(図10の第1の透明導電膜91では導電部911およびダミーパターンであるダミー部913からなり、図7の第2の透明導電膜52では導電部521からなる)と、非導電性パターン領域(図10の第1の透明導電膜91ではダミー部913を内部に含むスリット部912からなり、図7の第2の透明導電膜52ではスリット部522からなる)とからなる。導電性パターン領域は、金属配線(図示せず)と接しており、電圧変化を検知できる回路に接続されている。人の指等が検出電極である導電性パターン領域に接近すると、全体の静電容量が変化することから回路の電圧が変動し、接触位置の判定ができる。図10および図7のパターンを貼り合せ、電圧変化検知回路と接続することにより、2次元の位置情報が得られる。
透明導電膜5のパターン形成方法としては、透明導電膜5上にレジストを塗布または貼り合わせ、パターンを露光・現像により形成した後に透明導電膜5を化学的に溶解させるフォトリソグラフィによる方法、真空中で化学反応により気化させる方法、レーザーにより透明導電膜を昇華させる方法、などが挙げられる。パターン形成方法は、パターンの形状、精度等により適宜選択できるが、パターン精度、細線化を考慮し、フォトリソグラフィによる方法が好ましい。
図10に示すように、第1の透明導電膜91には、スリット部912の内部にダミーパターンであるダミー部913がパターン形成される。これにより、第1の透明導電膜91の各スリット部912の内部に配置された、隣接するダミー部913の間に穴914が形成される。第1の透明導電膜91と第2の透明導電膜52とは、穴914が第2の透明導電膜52の導電部521と重なる位置に配置して、上下に組み合わせられる。このとき、タッチパネル面に対する平面視において、第1の透明導電膜ダミー部913は対向する第2の透明導電膜52との重なり部を有しない。パターン形成された透明導電膜5は、静電容量式タッチパネルの容量検知センサーとして用いることができる。透明導電膜5は1枚の透明基材の両面に配置しても良いし、別々の透明基材にそれぞれパターニングした透明導電膜5を設けて、透明粘着層6を介して貼り合わせて上下に配置しても良い。透明導電膜5により構成された各電極はそれぞれ金属配線(図示せず)と接続され、第1の透明導電膜91による電極と第2の透明導電膜52による電極との間の容量変化を検出する回路に接続されることで、静電容量式のタッチセンサーとして動作する。タッチセンサーは最終的に透明粘着層6を介してカバーガラス7と貼り合わされることでタッチパネルを作製することができる。
第1の透明導電膜91のパターンと第2の透明導電膜52のパターンとの重なり部の面積は、例えば1ヶ所あたり0.0025mm以上0.10mm以下の範囲内とすることができる。また例えば、第1の透明導電膜91の穴914は、第2の透明導電膜52のパターンを横断する辺に沿った幅を、当該辺が重なり合う第2の透明導電膜52の幅より0.020mm以上0.15mm以下だけ広くすることができる。また例えば、第1の透明導電膜91のパターン及び第2の透明導電膜52のパターンの各非スリット部(第1の透明導電膜導電部911、第2の透明導電膜導電部521)の最狭部幅は0.050mm以上0.35mm以下の範囲内とすることができる。また例えば、第1の透明導電膜91のパターン及び第2の透明導電膜52のパターンのスリット部(第1の透明導電膜スリット部912、第2の透明導電膜スリット部522)の各最狭部幅はそれぞれの上記非スリット部の最狭部幅と同じか上記非スリット部の最狭部幅よりも広くすることができる。透明導電膜は例えば金属ナノワイヤを少なくとも含んでもよく、当該金属ナノワイヤは例えば樹脂層2に覆われていてもよい。第1の透明導電膜51と第2の透明導電膜との間の最短の距離は例えば20μm以上150μm以下の範囲内とすることができる。
上記の各構成のタッチパネルによれば、タッチパネルの透過光の散乱を表すヘイズ率を1.5%以下にすることができる。
以下、具体的な実施例および参考例によって本発明を詳細に説明するが、これらの実施例および参考例は説明を目的としたもので、本発明はこれに限定されるものではない。
参考例1>
図1と同様の層構成を持つタッチパネル10を作製した。透明基板1としてPET(50μm)を用い、片面に樹脂層2としてUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで3μmの厚さで形成した。透明基板1の樹脂層2とは反対面に透明導電膜5として銀ナノワイヤをシート抵抗100Ω/□となるようにスロットダイコートで塗工し、同様に硬化膜3としてUV硬化性透明アクリル樹脂を130nmの厚さで塗工した。
得られた透明導電膜付き基材を2分割し、フォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、一方を図4の51で示したパターンに第1の透明導電膜として形成し、もう一方を図4の52で示したパターンに第2の透明導電膜として形成した。第1の透明導電膜51は導電部511に複数の穴部512が有り、穴部の面積はB×Cであり、B=500μm、C=300μmとし、一方向に隣り合う穴部512同士はA=280μmを隔てて配置した。第2の透明導電膜52は導電部521に複数のスリット部522が有り、導電部の幅Dは200μm、スリット部の幅Eは500μmとした。フォトリソグラフィに際し、フォトレジストの現像は炭酸ナトリウム水溶液で行い、塩化第二鉄溶液で銀ナノワイヤをエッチングし、水酸化ナトリウム水溶液でレジストを剥離した。第1及び第2の透明導電膜は隔絶された1つ1つの透明導電膜電極がそれぞれ銀配線に接続されている。銀配線はスクリーン印刷で銀ペーストを印刷することで形成した。配線幅は100μmであった。
以上より得られた第1の透明導電膜51がついた基材と第2の透明導電膜52がパターン形成された基材との2枚の基材を75μm厚の透明粘着層6を用いて貼り合わせ、最表面に0.55mm厚のカバーガラス7を同様に貼り合わせることで、タッチパネル10を得た。第1の透明導電膜51及び第2の透明導電膜52は図4や図5に示したように第1の透明導電膜51の複数の穴部512上に第2の透明導電膜52の導電部521が配置されるように位置精度良く貼り合わせた。タッチパネル10の動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ89.8%及び1.0%で、蛍光灯下で観察した時パターン形状は目立たずほとんど見えなかった。
参考例2>
図2と同様の層構成を持つタッチパネル20を作製した。透明基板1としてPET(50μm)を用い、両面に樹脂層2としてUV吸収剤を20wt%添加したUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで5μmの厚さで形成した。更に両面に透明導電膜5として銀ナノワイヤをシート抵抗100Ω/□となるようにスロットダイコートで塗工し、同様に硬化膜3としてUV硬化性透明アクリル樹脂を130nmの厚さで塗工した。
得られた両面透明導電膜付き基材を、参考例1と同様にフォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、一方の面を図4の51で示したパターンに第1の透明導電膜として形成し、もう一方の面を図4の52で示したパターンに第2の透明導電膜として形成した。第1の透明導電膜51及び第2の透明導電膜52のパターン形状は参考例1と同様にした。第1の透明導電膜51及び第2の透明導電膜52は、図4や図5に示したように、第1の透明導電膜51の複数の穴部512上に第2の透明導電膜52の導電部521が配置されるように形成した。また、銀配線も参考例1と同様に形成した。
以上より得られた基材の第2の透明導電膜52側に、75μm厚の透明粘着層6を用いて0.55mm厚のカバーガラス7を貼り合わせることで、タッチパネル20を得た。タッチパネル20の動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ91.0%及び0.9%で、蛍光灯下で観察した時パターン形状は目立たずほとんど見えなかった。
参考例3>
図3と同様の層構成を持つタッチパネル30を作製した。透明基板1としてPET(50μm)を用い、両面に樹脂層2としてUV吸収剤を20wt%添加したUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで5μmの厚さで形成した。更に両面に光学調整層4として、ジルコニア粒子入りのUV硬化性アクリル樹脂を90nmの厚さで形成した。この時、光学調整層4の屈折率は1.70であった。得られた基材は更に両面に透明導電膜5としてITO(錫含有率5wt%)を真空でDCマグネトロンスパッタリングにより22nmの厚さで形成し、これを150℃、60分でアニールすることにより、片面のシート抵抗を150Ω/□で得た。
得られた両面透明導電膜付き基材を、参考例1と同様にフォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、一方の面を図4の51で示したパターンに第1の透明導電膜として形成し、もう一方の面を図4の52で示したパターンに第2の透明導電膜として形成した。第1の透明導電膜51及び第2の透明導電膜52のパターン形状は参考例1と同様にした。第1の透明導電膜51及び第2の透明導電膜52は図4や図5に示したように第1の透明導電膜51の複数の穴部512上に第2の透明導電膜52の導電部521が配置されるように形成した。また、銀配線も参考例1と同様に形成した。更に得られた基材の第1の透明導電膜51側には硬化膜3として透明樹脂をスクリーン印刷で塗工した後、UV硬化することにより10μm厚で形成した。
以上より得られた基材の第2の透明導電膜52側に、75μm厚の透明粘着層6を用いて0.55mm厚のカバーガラス7を貼り合わせることで、タッチパネル30を得た。タッチパネル30の動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ90.5%及び0.7%で、蛍光灯下で観察した時パターン形状は目立たずほとんど見えなかった。
<実施例4>
図1と同様の層構成を持つタッチパネル10を作製した。透明基板としてPET(50μm)を用い、片面に樹脂層2としてUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで3μmの厚さで形成した。基板の樹脂層2とは反対面に透明導電膜5として銀ナノワイヤをシート抵抗100Ω/□となるようにスロットダイコートで塗工し、同様に硬化膜3としてUV硬化性透明アクリル樹脂を130nmの厚さで塗工した。
得られた透明導電膜付き基材を2分割し、フォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、一方を図8の91で示したパターンに第一の透明導電膜として形成し、もう一方を図8の52で示したパターンに第二の透明導電膜として形成した。第1の透明導電膜91は導電部911に複数のスリット部912が有り、スリット内部には、パネル面に対する平面視において第2の透明導電膜52と重なり部を有しないように配置されたダミーパターンであるダミー部913がある。第1の透明導電膜91の導電部の幅Aは200μm、スリット部912の幅Bは300μmとした。第2の透明導電膜52は導電部521に複数のスリット部522が有り、導電部の幅Dは200μm、スリット部の幅Eは500μmとした。フォトリソグラフィに際し、フォトレジストの現像は炭酸ナトリウム水溶液で行い、塩化第二鉄溶液で銀ナノワイヤをエッチングし、水酸化ナトリウム水溶液でレジストを剥離した。
第1及び第2の透明導電膜91,52は隔絶された1つ1つの透明導電膜電極がそれぞれ銀配線に接続されている。銀配線はスクリーン印刷で銀ペーストを印刷することで形成した。配線幅は100μmであった。
以上より得られた第1及び第2の透明導電膜91,52がついた2枚の基材を75μm厚の透明粘着層6を用いて貼り合わせ、最表面に0.55mm厚のカバーガラス7を同様に貼り合わせることで、タッチパネルを得た。第1及び第2の透明導電膜91,52は図8や図9に示したように第1の透明導電膜91のスリット部912のダミー部913と第2の透明導電膜52の導電部521が重ならないように位置精度良く貼り合わせた。この時、第1の透明導電膜91と第2の透明導電膜52とのパターンの重なり部面積は1ヶ所あたり0.04mmであった。タッチパネルの動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。
カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ89.9%及び1.0%で、蛍光灯下で観察した時パターン形状は目立たずほとんど見えなかった。
<実施例5>
図2と同様の層構成を持つタッチパネル20を作製した。透明基板としてPET(50μm)を用い、両面に樹脂層2としてUV吸収剤を20wt%添加したUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで5μmの厚さで形成した。更に両面に透明導電膜5として銀ナノワイヤをシート抵抗100Ω/□となるようにスロットダイコートで塗工し、同様に硬化膜3としてUV硬化性透明アクリル樹脂を130nmの厚さで塗工した。
得られた両面透明導電膜付き基材を、実施例4と同様にフォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、一方の面を図8の91で示したパターンに第1の透明導電膜として形成し、もう一方の面を図8の52で示したパターンに第2の透明導電膜として形成した。第1の透明導電膜91及び第2の透明導電膜52のパターン形状は実施例4と同様にした。第1及び第2の透明導電膜91,52は図8や図9に示したように、パネル面に対する平面視において第1の透明導電膜91のスリット部912のダミー部913と第2の透明導電膜52の導電部521が重なり部を有しないように位置精度良く貼り合わせた。この時、第1の透明導電膜91と第2の透明導電膜51とのパターンの重なり部面積は1ヶ所あたり0.04mmであった。また、銀配線も実施例4と同様に形成した。
以上より得られた基材の第2の透明導電膜52側に、75μm厚の透明粘着層6を用いて0.55mm厚のカバーガラス7を貼り合わせることで、タッチパネルを得た。タッチパネルの動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。
カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ91.1%及び0.9%で、蛍光灯下で観察した時パターン形状は目立たずほとんど見えなかった。
<実施例6>
図3と同様の層構成を持つタッチパネル30を作製した。透明基板としてPET(50μm)を用い、両面に樹脂層2としてUV吸収剤を20wt%添加したUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで5μmの厚さで形成した。更に両面に光学調整層4として、ジルコニア粒子入りのUV硬化性アクリル樹脂を90nmの厚さで形成した。この時、光学調整層4の屈折率は1.70であった。得られた基材は更に両面に透明導電膜5としてITO(錫含有率5wt%)を真空でDCマグネトロンスパッタリングにより22nmの厚さで形成し、これを150℃、60分でアニールすることにより、片面のシート抵抗を150Ω/□で得た。
得られた両面透明導電膜付き基材を、実施例4と同様にフォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、一方の面を図8の91で示したパターンに第1の透明導電膜として形成し、もう一方の面を図8の52で示したパターンに第2の透明導電膜として形成した。第1の透明導電膜91及び第2の透明導電膜52のパターン形状は実施例4と同様にした。第1及び第2の透明導電膜91,52は図8や図9に示したように、パネル面に対する平面視において第1の透明導電膜91のスリット部812のダミー部813と第2の透明導電膜52の導電部521が重なり部を有しないように位置精度良く貼り合わせた。この時、第1の透明導電膜91と第2の透明導電膜52とのパターンの重なり部面積は1ヶ所あたり0.04mmであった。また、銀配線も実施例4と同様に形成した。更に得られた基材の第1の透明導電膜91側には硬化膜3として透明樹脂をスクリーン印刷で塗工した後、UV硬化することにより10μm厚で形成した。
以上より得られた基材の第2の透明導電膜52側に、75μm厚の透明粘着層6を用いて0.55mm厚のカバーガラス7を貼り合わせることで、タッチパネルを得た。タッチパネルの動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。
カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ90.5%及び0.7%で、蛍光灯下で観察した時パターン形状は目立たずほとんど見えなかった。
<比較例1>
図1と同様の層構成を持つタッチパネル10を作製した。透明基板としてPET(50μm)を用い、片面に樹脂層2としてUV硬化性透明アクリル樹脂をマイクログラビアコーティングした後、乾燥、UV硬化することで3μmの厚さで形成した。基板の樹脂層2とは反対面に透明導電膜5として銀ナノワイヤをシート抵抗100Ω/□となるようにスロットダイコートで塗工し、同様に硬化膜3としてUV硬化性透明アクリル樹脂を130nmの厚さで塗工した。
得られた透明導電膜付き基材を2分割し、フォトリソグラフィにより、フォトレジストで露光・現像した後、エッチング及びレジスト剥離することで、図11の平面図で示す透明導電膜パターン60のように、一方を61で示したパターンに第1の透明導電膜として形成し、もう一方を62で示したパターンに第2の透明導電膜として形成した。フォトリソグラフィに際し、フォトレジストの現像は炭酸ナトリウム水溶液で行い、塩化第二鉄溶液で銀ナノワイヤをエッチングし、水酸化ナトリウム水溶液でレジストを剥離した。
第1及び第2の透明導電膜61,62は隔絶された1つ1つの透明導電膜電極がそれぞれ銀配線に接続されている。銀配線はスクリーン印刷で銀ペーストを印刷することで形成した。配線幅は100μmであった。
以上より得られた第1及び第2の透明導電膜61,62がついた2枚の基材を75μm厚の透明粘着層6を用いて貼り合わせ、最表面に0.55mm厚のカバーガラス7を同様に貼り合わせることで、タッチパネルを得た。第1及び第2の透明導電膜61,62は図11に示したように透明導電膜パターンの長辺が互いに90°で交差するように貼り合わせた。タッチパネルの動作は銀配線をフレキシブルプリント基板経由で駆動LSIを接続して動作確認することで、良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができた。
カバーガラス7越しに測定した全光線透過率及びヘイズ率はそれぞれ89.5%及び1.0%であったが、第2の透明導電膜52のパターンが蛍光灯下で明瞭に観察され、外観品質の劣るタッチパネルとなった。
<比較例2>
比較例1の第2の透明導電膜62のパターンが図12に平面図で示した透明導電膜パターン72であることを除いて、全て比較例1と同様に図1に示した構造のタッチパネルを作製した。第2の透明導電膜72の電極間の小正方形は電気的に絶縁されたダミーパターンである。
タッチパネルの動作確認を行ったところ良好に指の接触の検知と座標位置の検出ができ、蛍光灯下で観察した透明導電膜のパターンが目立たなかった、全光線透過率及びヘイズが88.7%及び1.9%であり、外観品質として透明感の劣るタッチパネルとなった。
本発明のタッチパネルは、特に静電容量式タッチパネルとして用いられ、スマートフォンやタブレット、ノートPCなどの前面に配置されるユーザーインターフェースとして利用可能である。
1 透明基板
2 樹脂層
3 硬化膜
4 光学調整層
5 透明導電膜
6 透明粘着層
7 カバーガラス
10、20、30 タッチパネル
40、41、80、81 タッチパネルの透明導電膜パターン
51、91 第1の透明導電膜
52 第2の透明導電膜
511、911 第1の透明導電膜導電部
512、914 第1の透明導電膜穴部
912 第1の透明導電膜スリット部
913 第1の透明導電膜ダミー部
521 第2の透明導電膜導電部
522 第2の透明導電膜スリット部
60、70 比較例のタッチパネルの透明導電膜パターン

Claims (11)

  1. 少なくとも、第1の透明基板と、前記第1の透明基板の一方の面にパターン形成された第1の透明導電膜と、前記第1の透明導電膜に接続された第1の金属配線と、第2の透明基板と、前記第2の透明基板の一方の面にパターン形成された第2の透明導電膜と、前記第2の透明導電膜に接続された第2の金属配線と、透明粘着層とを備えたタッチパネルであって、
    前記第1の透明導電膜は複数のダミーパターンを内部に配置したスリットと、隣接する前記ダミーパターンの間に形成された穴とを備える矩形パターンであり、
    前記第2の透明導電膜は実質的に矩形内部にスリットが入った矩形パターンであり、
    前記第1の透明導電膜の穴は前記第2の透明導電膜と重なる位置に配置され、タッチパネル面に対する平面視において、前記ダミーパターンは対向する前記第2の透明導電膜との重なり部を有しない、タッチパネル。
  2. 少なくとも、透明基板と、前記透明基板の一方の面にパターン形成された第1の透明導電膜と、前記第1の透明導電膜に接続された第1の金属配線と、前記透明基板の他方の面にパターン形成された第2の透明導電膜と、前記第2の透明導電膜に接続された第2の金属配線とを備えたタッチパネルであって、
    前記第1の透明導電膜は複数のダミーパターンを内部に配置したスリットと、隣接する前記ダミーパターンの間に形成された穴とを備える矩形パターンであり、
    前記第2の透明導電膜は実質的に矩形内部にスリットが入った矩形パターンであり、
    前記第1の透明導電膜の穴は前記第2の透明導電膜と重なる位置に配置され、タッチパネル面に対する平面視において、前記ダミーパターンは対向する前記第2の透明導電膜との重なり部を有しない、タッチパネル。
  3. タッチパネル面に対する平面視において前記第1の透明導電膜のパターンと前記第2の透明導電膜のパターンの重なり部の面積が1ヶ所あたり0.0025mm以上0.10mm以下の範囲内にある、請求項1または2に記載のタッチパネル。
  4. 前記第1の透明導電膜の穴は、前記第2の透明導電膜のパターンを横断する辺に沿った幅が、当該辺が重なり合う前記第2の透明導電膜のパターンの幅より0.020mm以上0.15mm以下だけ広い、請求項1からのいずれかに記載のタッチパネル。
  5. 少なくとも前記第2の透明導電膜のパターンの非スリット部の最狭部幅が0.050mm以上0.35mm以下の範囲内にある、請求項1からのいずれかに記載のタッチパネル。
  6. 少なくとも前記第2の透明導電膜のパターンのスリット部の最狭部幅が非スリット部の最狭部幅と同じか前記非スリット部の最狭部幅よりも広い、請求項1からのいずれかに記載のタッチパネル。
  7. 前記第1の透明導電膜および第2の透明導電膜の少なくともいずれかが金属ナノワイヤを少なくとも含む、請求項1からのいずれかに記載のタッチパネル。
  8. 前記金属ナノワイヤが樹脂層に覆われている、請求項に記載のタッチパネル。
  9. 前記第1の透明導電膜と前記第2の透明導電膜との間の最短の距離が20μm以上150μm以下の範囲内にある、請求項1からのいずれかに記載のタッチパネル。
  10. 前記透明基板、前記第1の透明基板、および前記第2の透明基板の少なくともいずれかの厚さが20μm以上150μm以下の範囲内にある、請求項1からのいずれかに記載のタッチパネル。
  11. 前記タッチパネルの透過光の散乱を表すヘイズ率が1.5%以下である、請求項1から10のいずれかに記載のタッチパネル。
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