JP4888608B2 - 導電性基板およびその製造方法ならびにタッチパネル - Google Patents
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Description
透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ社製、厚み:100μm)を用い、一方の面に、下記組成の樹脂層形成用塗液をマイクログラビアコーターで塗布し、60℃で1分間乾燥させ、紫外線により硬化させることで、ハードコート層を形成した。
樹脂 : 紫光 UV−7605B(日本合成化学社製) 100重量部
開始剤 : イルガキュア184(チバ・ジャパン社製) 4重量部
溶剤 : 酢酸メチル 100重量部
透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ社製、厚み:100μm)を用い、一方の面に、参考例1と同様のハードコート層を形成し、透明基板のハードコート層とは反対面に、参考例1と同様の導電層および位置合わせ用マーカーを形成した。次に、参考例1と同様のITO膜を25nm成膜後、光学調整層として、SiO2を70nm成膜した後、銀インキの位置合わせ用マーカーを基準に、フォトリソグラフィ法によりSiO2およびITOを同じパターンでエッチングし、導電性基板を得た。
透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ社製、厚み:100μm)を用い、一方の面に、参考例1と同様のハードコート層を形成し、透明基板のハードコート層とは反対面に、スパッタリング法により光学調整層としてTiO2を10nm、SiO2を56nm、透明導電膜としてITO膜を25nmそれぞれ成膜した。次に、フォトリソグラフィ法により、ITO膜に導電性パターン領域、非導電性パターン領域および位置合わせ用マーカーを形成し、最後に銀インクを用いてスクリーン印刷機により導電層を形成し、150℃30分間乾燥させ、導電性基板を得た。
1’…他の透明基板
2…導電層
3…透明導電膜
3a…導電性パターン領域
3b…非導電性パターン領域
4…導電性基板
4’…他の導電性基板
5…光学調整層
6…ハードコート層
7a、7b…レジスト
7c…感光したレジスト
8…粘着層
Claims (8)
- 透明基板の少なくとも片面に、電圧変化を検知できる回路に接続される金属配線パターンである導電層と、前記導電層の前記透明基板側とは反対側の面で接する導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を有する透明導電膜と、前記透明導電膜の導電性パターン領域の表面および非導電性パターン領域に形成され、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物から選択される1又は2以上の材料からなる1又は2層以上の光学調整層とを前記透明基板側からこの順序で備えることを特徴とする導電性基板。
- 前記導電性基板の少なくとも片面の何れかの層の間又は最表面にハードコート層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の導電性基板。
- 粘着層を介して、他の透明基板又は他の導電性基板に貼合されていることを特徴とする請求項1または2に記載の導電性基板。
- 前記導電層のシート抵抗の値が1Ω/□以下であり、前記透明導電膜のシート抵抗の値が100Ω/□以上700kΩ/□以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の導電性基板。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の導電性基板を用いたタッチパネル。
- 透明基板の少なくとも片面に、電圧変化を検知できる回路に接続される金属配線パターンである導電層を形成する工程と、
前記導電層の前記透明基板側とは反対側の面に接するように透明導電膜を形成する工程と、
パターン形成方法により、導電性パターン領域及び非導電性パターン領域を有する透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜の導電性パターン領域の表面および非導電性パターン領域に、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物から選択される1又は2以上の材料からなる1又は2層以上の光学調整層を形成する工程と、
をこの順に備えることを特徴とする導電性基板の製造方法。 - さらに、ハードコート層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の導電性基板の製造方法。
- 全ての工程をロールトゥロール方式により行うことを特徴とする請求項6または7に記載の導電性基板の製造方法。
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