CN105745610B - 导电结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请文件涉及用于通过改善吸光度并防止导电层的反射来改善所述导电层的隐蔽性能而不会影响所述导电层的导电性的发明。为此，根据本发明的导电结构包括：基板，导电层，以及设置于所述导电层的一个表面上的暗化层，所述暗化层包含由CUxOyNz表示的铜和氮氧化物。

Description

导电结构及其制造方法
技术领域
本申请要求享有于2013年11月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0141349号的优先权和权益，其全部内容以引用的方式并入本文中。
本申请文件涉及一种导电结构体及制造该导电结构体的方法。
背景技术
根据信号的检测方法，触屏面板通常被分为如下几类。换句话说，其类型包括当施加直流电压时通过电流或电压值的变化感应压力按压位置的电阻型；当施加交流电压时利用电容耦合的电容型；以及当施加磁场时感应所选位置的电压变化的电磁型。
随着近来对大面积触屏面板的需求的增长，已需要开发出实现具有优异的能见度同时降低电极电阻的大触屏面板的技术。
[现有技术]
韩国公开专利公报第10-2010-0007605号
发明内容
[技术问题]
本申请的一个目的在于提供一种能够用于触屏面板并且即使在高温和高湿环境中也能够保持优异的能见度同时降低电极电阻的导电结构体。
另外，本申请的另一个目的在于提供一种制造所述导电结构体的方法。
本申请的目的并不仅限于以上所述的技术目的，从以下的说明中本领域的技术人员将会清楚地理解其它未被提及的目的。
[技术方案]
本申请的一个实施方式提供了一种导电结构体，其包括：基板；设置于所述基板上的导电层；以及设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：制备导电层；在所述导电层的至少一个表面上形成暗化层；以及将所述导电层或所述暗化层与基板层压，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：在基板上形成导电层；以及在形成所述导电层之前，在形成所述导电层之后，或者在形成所述导电层之前及之后，形成暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：在基板上形成导电图形；以及在形成所述导电图形之前，在形成所述导电图形之后，或者在形成所述导电图形之前及之后，形成暗化图形，其中，所述暗化图形包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的触屏面板。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的显示装置。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的太阳能电池。
[有益效果]
根据本申请的一个实施方式的导电结构体可防止导电层所导致的反射而不会影响所述导电层的导电性，且可通过改善吸光率来提高所述导电层的隐蔽性能。另外，利用根据本申请的一个实施方式的导电结构体可开发出具有改进的能见度的触屏面板以及包含所述触屏面板的显示装置和太阳能电池。
附图说明
图1至图3各自为本申请的一个实施方式，且为图示了包含导电层和暗化层的导电结构体的层压结构的示意图。
图4至图6各自为本申请的一个实施方式，且为图示了包含导电图形层和暗化图形层的导电结构体的层压结构的示意图。
图7为根据实验实施例1测定实施例和对比实施例的初始光反射率的曲线图。
图8为经过120小时之后根据实验实施例1测定实施例和对比实施例的光反射率的曲线图。
图9为显示出根据实验实施例2-1的实施例1的初始光反射率及其经过120小时之后的光反射率的曲线图。
图10为显示出根据实验实施例2-2的对比实施例3的初始光反射率及其经过48小时和148小时之后的光反射率的曲线图。
具体实施方式
在本申请中，一个部件位于另一个部件“之上”的描述不但包括所述一个部件紧邻所述另一个部件的情况，还包括两个部件之间还存在再一个部件的情况。
在本申请中，某个部分“包含/包括”某个构件的描述意指能够进一步包含/包括其它的构件，且除非有相反的特别规定，否则不排除其它的构件。
下文中，将更加详细地描述本申请。
在本申请文件中，显示装置为共同指代电视、电脑监视器等的术语，且包括形成图像的显示元件和支撑所述显示元件的外壳。
所述显示元件的实例包括等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在所述显示元件中，可设置用于获得图像的RGB像素图形和额外的滤光器。
与此同时，对于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的传播的加速，对于人手直接变成输入设备而无需单独的输入设备(如键盘或遥控器)的触控功能的需求也在逐步地增长。另外，还需要能够书写的多点触控功能以及特定点位的识别。
目前大部分的触屏面板(TSP)是在透明导电ITO薄膜的基础上商业化的，但存在的问题是，当用于大面积触屏面板时，由于透明ITO电极本身相对高的表面电阻(最小150Ω/□，Nitto Denko公司制造的ELECRYSTA产品)导致的RC延迟，使得触摸识别速度变得更低，而且，需要引入额外的补偿芯片以克服此问题。
本申请的发明人研究了用金属微图形来替代透明ITO薄膜的技术。针对上述问题，本发明的发明人发现，当采用Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu等具有高电导率的金属薄膜作为触屏面板的电极时，由于相对于外界光的高反射率和雾度值而可能会产生眩光等，以及当要获得特定形状的微电极图形时，由于高反射率而在能见度方面图形易于被人眼识别的问题。另外，本发明的发明人还发现，在制造工艺中需要价格高昂的对象，或者所述工艺通常可能是复杂的。
因此，本申请的一个实施方式将提供一种导电结构体，其可显示出与采用现有基于ITO的透明导电薄膜层的触屏面板的差异，且可被用于具有改善的金属微图形电极的隐蔽性能并相对于外界光具有改善的反射和衍射性能的触屏面板中。
在本申请文件中，“导电性”指的是电导率。
另外，在本申请文件中，“反射率”指的是光反射率，以及“折射率”指的是光折射率。
本申请的一个实施方式提供了一种导电结构体，其包括：基板；设置于所述基板上的导电层；以及设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
在本申请文件中，所述原子含量比可指的是本领域所用的原子％。
所述[y/(x-3z)]指的是在所述硝酸铜中相对于不与N结合的Cu的含量的O的含量，且当所述[y/(x-3z)]具有0.1以上的值时，所述暗化层由于CuO相的形成和高温而具有发生劣化的可能性。
根据本申请的一个实施方式，所述[y/(x-3z)]可具有0.07以下的值。更具体地，根据本申请的一个实施方式，所述[y/(x-3z)]可具有0.06以下的值。
根据本申请的一个实施方式，所述硝酸铜可具有0.16以下的y+z值。具体地，根据本申请的一个实施方式，所述硝酸铜可具有0.15以下的y+z值。
当所述y+z具有0.16以下的值时，所述暗化层具有的优势是，即使在高温和高湿环境中也保持了暗化性能。
根据本申请文件的一个实施方式，所述暗化层在85℃和85RH的环境下经过120小时之后在380nm至780nm的波长范围内可具有20％以下的平均光反射率变化。所述光反射率变化可被描述为光反射率增长速率，且当所述暗化层的光反射率在经历高温和高湿环境之后大幅增长时，其可意味着所述暗化层的效能降低。具体地，本申请文件的暗化层即使在85℃和85RH的环境下经过120小时之后也具有小于20％的光反射率增长，因此，在严苛的条件下也可保持所述暗化层的效能。
所述光反射率变化(％)可通过((经历所述高温和高湿环境之后的平均光反射率/初始平均光反射率)-1)×100来计算。
本申请文件中的暗化层可以是图形化的暗化图形层。另外，本申请文件中的导电层可以是图形化的导电图形层。所述暗化层可与所述导电层同时或分别被图形化。
本申请文件中的暗化层可被设置于所述导电层的至少一个表面上。具体地，所述暗化层可被设置于所述导电层的仅仅一个表面上，或者在所述导电层的两个表面上。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述导电层可被设置于基板和暗化层之间。具体地，所述导电结构体可包括：基板；设置于所述基板上的导电层；以及设置于所述导电层上的暗化层。另外，根据本申请的一个实施方式，所述暗化层可被设置于所述导电层的上表面和侧表面的至少部分上。具体地，当所述导电结构体被用于电子装置的显示单元中且通过与所述基板相反的表面从外侧辨识时，所述暗化层可起到防止所述导电层的眩光的作用。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述暗化层可被设置于基板和导电层之间。具体地，所述导电结构体可包括：基板；设置于所述基板上的暗化层；以及设置于所述暗化层上的导电层。具体地，当所述导电结构体被用于电子装置的显示单元中且通过所述基板从外侧辨识时，所述暗化层可起到防止所述导电层的眩光的作用。
所述暗化层可不仅起到防止所述导电层的腐蚀的作用，还在所述导电层被用于电子装置的显示单元中时起到防止由所述导电层导致的眩光效应的作用。
本申请的发明人发现，在包含设置于有效屏幕单元中的导电金属微图形的触屏面板中，图形层的光反射和折射性能对所述导电金属微图形的能见度具有重大影响，并努力去改善此问题。具体地，在基于现有的ITO的触屏面板中，导电图形的反射的问题由于ITO本身的高透光率而并不特别显著，但是，在包含设置于有效屏幕单元中的导电金属微图形的触屏面板中，所述导电金属微图形的反射比和暗化性能是重要的。
在根据本申请的一个实施方式的触屏面板中，可引入暗化层以减少所述反射比并改善导电金属微图形的吸光性能。所述暗化层能够通过被设置于触屏面板中的导电层的至少一个表面上而显著改善由所述导电层的高反射比导致的能见度下降问题。
具体地，所述暗化层具有光吸收性能，因此，能够通过降低入射到所述导电层本身的光的量和由所述导电层反射的光的量来降低由所述导电层导致的反射比。另外，相比于所述导电层，所述暗化层可具有低反射比。结果，相比于使用者直接注视所述导电层的情况，可降低光反射比，因此，可显著改善所述导电层的能见度。
在本申请文件中，所述暗化层指的是通过具有光吸收性能而能够降低入射到所述导电层本身的光的量和由所述导电层反射的光的量的层，且所述暗化层可以是图形化的暗化图形层。所述暗化层可用术语如光吸收性能层、黑化层、黑化性能层等来表述，以及所述图形化的暗化图形层可用术语如光吸收性能图形层、黑化图形层、黑化性能图形层等来表述。
相比于包含含有氧化铜的暗化层的导电结构体，本申请的包含含有硝酸铜的暗化层的导电结构体具有改善的效能。含有氧化铜的暗化层存在的问题是反射率可随着时间而增大，因为在高温和高湿条件下可能因氧化铜的相变使所述暗化层褪色。然而，在本申请的含有硝酸铜的暗化层中，所述硝酸铜即使在高温和高湿条件下也不会经历相变，由此，可防止所述暗化层的褪色。因此，当采用根据本申请的暗化层时，所述暗化层在高温和高湿条件下即使经过较长的时间之后也不会褪色，由此，存在的优势是，可保持低反射率，并可提供稳定的导电结构体。
在本申请的一个实施方式中，包含图形化的导电层和图形化的暗化层的导电结构体的表面电阻可大于或等于1Ω/□且小于或等于300Ω/□，具体地，大于或等于1Ω/□且小于或等于100Ω/□，更具体地，大于或等于1Ω/□且小于或等于50Ω/□，以及更更具体地，大于或等于1Ω/□且小于或等于20Ω/□。
当所述导电结构体的表面电阻大于或等于1Ω/□且小于或等于300Ω/□时，可有效替代现有的透明ITO电极。当所述导电结构体的表面电阻大于或等于1Ω/□且小于或等于100Ω/□，或者大于或等于1Ω/□且小于或等于50Ω/□时，特别地，当大于或等于1Ω/□且小于或等于20Ω/□时，表面电阻相比当采用现有的透明ITO电极时显著地更低，由此，因为当施加信号时缩短了RC延迟，故可显著改善触摸识别速度，在此基础上，可易于实现在10英寸以上的大面积触屏中的应用。
在所述导电结构体中，所述导电层或所述暗化层在被图形化之前的表面电阻可大于0Ω/□且小于或等于10Ω/□，大于0Ω/□且小于或等于2Ω/□，以及具体地，大于0Ω/□且小于或等于0.7Ω/□。当所述表面电阻为2Ω/□以下，且特别是0.7Ω/□以下时，由于图形化之前的所述导电层或所述暗化层的表面电阻降低，顺利进行了微图形化设计和制造过程，且因为在图形化之后降低了所述导电结构体的表面电阻，故有效提高了电极的反应速度。可根据所述导电层或所述暗化层的厚度调节所述表面电阻。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的波长区域的光中，所述暗化层的消光系数k可大于或等于0.2且小于或等于2.5，以及更具体地，大于或等于0.7且小于或等于1.4。当所述消光系数大于或等于0.7且小于或等于1.4时，反射率进一步降低，且进一步有效改善了所述暗化层的暗化程度。在此情况下，进一步改善了所述导电层的隐蔽性能，且当用于触屏面板中时可进一步改善能见度。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，在具有大于或等于380nm且小于或等于680nm的波长区域的光中，所述暗化层的消光系数k可大于或等于0.8且小于或等于1.4。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述暗化层的消光系数k大于采用其它材料(如氧氮化铝或氧化铜)的情况，由此，存在的优势是，可将所述暗化层制备为具有小厚度。
所述消光系数可利用本领域已知的椭偏测定仪等来测量。
在形成暗化层方面，所述消光系数k为0.2以上是优选的。所述消光系数k还指的是吸光系数，其为能够定义在特定波长下的导电结构体的吸光强烈程度的标度，且为确定导电结构体的透光率的因数。例如，对于透明电介质材料，k<0.2，故k值是非常小的。然而，所述k值会随着所述材料内部金属组分的含量的增大而增大。若所述金属组分的含量进一步增大时，会得到几乎不存在透光且主要发生仅仅表面的反射的金属，且消光系数k会变为大于2.5，这在形成暗化层方面不再是优选的。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，在具有大于或等于380nm且小于或等于680nm的波长区域的光中，所述暗化层的折射率n可大于0且小于或等于3，以及更具体地，大于或等于2且小于或等于3.3。或者，更具体地，在具有大于或等于500nm且小于或等于680nm的波长区域的光中，所述暗化层的折射率n可大于或等于2.5且小于或等于3.3，以及在具有大于或等于550nm且小于或等于680nm的波长区域的光中，所述暗化层的折射率n可大于或等于3且小于或等于3.3。当参照以下数学式1时，可根据所述折射率确定暗化层的厚度。
[数学式1]
在数学式1中，
d为暗化层的厚度，n为折射率，以及λ为光的波长。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，相比于采用其它材料(如氧氮化铝或氧化铜)的情况，在具有长波长的光中，所述暗化层的消光系数k更高，由此，存在的优势是，可将所述暗化层制备为具有小厚度。
根据本申请的一个实施方式的导电结构体可具有20％以下，具体地，15％以下，以及更具体地，10％以下的全反射率(total reflectivity)。
所述反射率更小时，更有效。
在本申请的一个实施方式中，所述全反射率指的是在用黑色层(绝对黑度)处理与待测量表面相反的表面之后，相对于以90°入射至待测量表面的具有大于或等于300nm且小于或等于800nm，以及具体地，大于或等于380nm且小于或等于780nm的波长范围的光的反射率。在本申请文件中，全反射率为利用入射光作为100％时，在受到光线入射的图形层或导电结构体反射的反射光中，在具有大于或等于300nm且小于或等于800nm，以及具体地，大于或等于380nm且小于或等于780nm的波长范围的光的基础上测量的值。
当所述暗化层被设置在导电层和基板之间时，可从所述基板侧测量所述反射率。当从所述基板侧测量所述全反射率时，所述全反射率可以是20％以下，具体地，15％以下，以及更具体地，10％以下。所述全反射率更小时，更有效。
另外，当所述导电层被设置在基板和暗化层之间时，可从与所述暗化层紧邻所述导电层的表面相反的方向测量所述反射率。具体地，当所述暗化层包括紧邻所述导电层的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面时，可从所述第二表面的方向测量所述反射率。当从此方向测量时，所述全反射率可以是20％以下，具体地，15％以下，以及更具体地，10％以下。所述全反射率更小时，更有效。
所述导电层可以是导电图形层，以及所述暗化层可以是暗化图形层。在这里，当从所述暗化图形层的第二表面侧测量所述导电结构体的全反射率时，所述导电结构体的全反射率(Rt)可通过以下数学式2来计算。
[数学式2]
全反射率(Rt)＝基板的反射率+闭合率×暗化层的反射率
另外，在所述导电结构体具有两种类型的导电结构体被层压的结构的情况下，所述导电结构体的全反射率(Rt)可通过以下数学式3来计算。
[数学式3]
全反射率(Rt)＝基板的反射率+闭合率×暗化层的反射率×2
在数学式2和3中，所述基板的全反射率可以是触摸强化玻璃的反射率，且当表面为膜时，可以是所述膜的反射率。
另外，所述闭合率可由基于导电结构体的平面的导电图形覆盖的区域所占据的面积的比例，换句话说，(1-开口率)来表示。
因此，具有图形化的暗化图形层与不具有图形化的暗化图形层的差异随所述图形化的暗化图形层的反射率而定。在这点上，相比于除了导电结构体不包含所述图形化的暗化图形层之外的具有相同构造的导电结构体的全反射率(R0)，根据本申请的一个实施方式的导电结构体的全反射率(Rt)可被降低10％至20％，可被降低20％至30％，可被降低30％至40％，可被降低40％至50％，以及可被降低50％至70％。换句话说，当在数学式2和3中，在使所述闭合率的范围在1％至10％变化的同时所述全反射率的范围在1％至30％变化时，可展现出最大70％的反射率降低效果，并可展现出最小10％的全反射率降低效果。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述图形化的暗化层包括紧邻导电图形的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，且当从暗化图形的第二表面侧测量所述导电结构体的全反射率时，所述导电结构体的全反射率(Rt)和所述基板的反射率(R0)中的差异可以是40％以下、30％以下、20％以下以及10％以下。
在本申请的一个实施方式中，基于国际照明委员会(Commission Internationalede l'Eclairage，CIE)的L*a*b*彩色坐标系，所述导电结构体可具有50以下，以及更具体地，40以下的亮度值(L*)。由于反射率降低，所述亮度值更小时，更有效。
在本申请的一个实施方式中，在所述导电结构体中可几乎不存在针孔，且即使当存在针孔时，其直径可以是3μm以下，且更具体地，1μm以下。当在所述导电结构体中所述针孔的直径为3μm以下时，可避免断路的发生。另外，当几乎不存在针孔且所述针孔的数目非常小时，可避免断路的发生。
在本申请的一个实施方式中，所述暗化层可与所述导电层同时或分别被图形化。
在本申请的一个实施方式中，利用同时或单独的图形化过程，所述图形化的暗化层和所述图形化的导电层可形成层压结构。在这一点上，其结构可与以下结构有差异：其中至少一部分的光吸收材料嵌入或散布在导电图形中的结构，或其中通过额外的表面处理来物理或化学改性单层导电图形的表面侧的一部分的结构。
另外，在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述暗化层可被直接设置于所述基板或所述导电层上，而在其间无需粘合剂层或胶合层。所述粘合剂层或胶合层可对耐久性或光学性能具有影响。另外，当与采用粘合剂层或胶合层的情况相比时，根据本申请的一个实施方式的导电结构体具有完全不同的制造方法。并且，当与采用粘合剂层或胶合层的情况相比时，根据本申请的一个实施方式的导电结构体在所述基板或所述导电层与所述暗化层之间可具有优异的界面性能。
在本申请的一个实施方式中，所述暗化层可被形成为单层，或可被形成为两层以上的多层。
在本申请的一个实施方式中，所述暗化层优选为无色的。在这里，无色指的是当入射至物体表面的光对于各个组分的波长不被选择性地吸收且被均衡地反射和吸收时显示的颜色。
在本申请的一个实施方式中，所述暗化层可进一步包含电介质材料和金属中的至少一种。所述金属可以是金属或金属的合金。所述电介质材料的实例可包括TiO2-w、SiO2-w、MgF2-w、SiN1.3-w(-1≤w≤1)等，但并不仅限于此。所述金属可包括选自铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)中的金属，或者可以是选自铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)中的两种以上的金属的合金，但并不仅限于此。
根据本申请的一个实施方式，所述暗化层可包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且可进一步包含以上所述的电介质材料和金属中的至少一种。
在本申请的一个实施方式中，优选地，分布所述电介质材料以使得其含量随着远离外界光进入的方向而减小，并以相反的方式分布所述金属和所述合金组分。在这里，所述电介质材料的含量可以是20重量％至50重量％，且所述金属的含量可以是50重量％至80重量％。在所述暗化层进一步包含合金的情况下，所述暗化层可包含10重量％至30重量％的电介质材料、50重量％至80重量％的金属和5重量％至40重量％的合金。
作为另一个具体实例，所述暗化层可进一步包含镍和钒的合金以及镍和钒的氧化物、氮化物或氧氮化物中的任意一种或多种。在这里，可以以26原子％至52原子％包含钒，且钒相对于镍的原子比优选为26/74至52/48。
作为另一个具体实例，所述暗化层可进一步包含含有两种以上元素的中间层，且其中一种元素的组成比随着外界光进入的方向每100埃最多增大约20％。在这里，所述一种元素可包括金属元素，如镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)或铜(Cu)，且可包括氧、氮或碳作为除了所述金属元素之外的元素。
作为另一个具体实施例，所述暗化层可进一步包含第一氧化铬层、金属层、第二氧化铬层和铬镜，且在这里，可包含选自镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)中的金属来替代铬。所述金属层优选具有10nm至30nm的厚度，所述第一氧化铬层优选具有35nm至41nm的厚度，以及所述第二氧化铬层优选具有37nm至42nm的厚度。
作为另一个具体实施例，所述暗化层可采用氧化铝(Al2O3)层、氧化铬(Cr2O3)层和铬(Cr)层的层压结构。在这里，所述氧化铝层具有改善的反射性能和防止光散射的性能，以及所述氧化铬层可通过降低镜面反射来提高对比性能。
在本申请的一个实施方式中，所述导电层的材料适当地为具有1×10-6Ω·cm至30×10-6Ω·cm的电阻率的材料，且优选地可以是1×10-6Ω·cm至7×10-6Ω·cm。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述导电层的材料优选包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或两种以上。作为所述导电层的材料，具有优异的导电性且易于蚀刻的金属材料是更合意的。然而，具有优异的电导率的材料通常具有的缺点是具有高的反射比。不过，通过利用暗化层，在本申请中可采用具有高反射比的材料来形成导电层。即使在本申请中采用了具有70％以上或80％以上的反射比的材料的情况下，通过添加所述暗化层，仍可降低反射比，可增强所述导电层的隐蔽性能，并可保持或提高对比性能。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述导电层可以是单膜或多层膜。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述导电层的材料的具体实例可包括选自铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钕(Nd)、钼(Mo)、镍(Ni)，它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或两种以上。所述导电层的材料可以是选自以上所述的金属中的两种以上的合金。更具体地，可包含钼、铝或铜。甚至更具体地，可包含铜。当所述导电层为铜时，所述导电层包含与所述暗化层相同的金属，由此，可利用相同的蚀刻剂完成工艺，这在工艺方面是有利的，且在生产率方面也是有利的，因此，在制造过程中存在优势。
当所述导电层包含铜时，当所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜时可一次完成蚀刻，并在制造过程中存在着效率高且成本降低的经济优势。另外，铜具有1.7×10-6Ω·cm的电阻率值，比电阻率值为2.8×10-6Ω·cm的Al更有优势。因此，存在的优势是，所述导电层可形成为比采用Al的情况更薄，以满足大于0Ω/□且小于或等于2Ω/□，且优选大于0Ω/□且小于或等于0.7Ω/□的表面电阻值。可根据所述导电层的厚度来调节所述表面电阻。例如，为满足0.6Ω/□至0.7Ω/□的表面电阻，对于Al，需要获得80nm至90nm的厚度，然而，对于Cu，需要55nm至65nm的厚度，因此，这更加经济，因为所述层能够被形成得更薄。另外，在溅射过程中，Cu比Al具有约3倍的更加优异的产率，因此，理论上可预期在沉积速度上的3倍的改进。因此，含Cu的导电层在制造过程中具有优势，其效率高且过程经济。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述暗化层的厚度具体地为大于或等于0.1nm且小于或等于400nm。更具体地，所述厚度可以是大于或等于0.1nm且小于或等于100nm，且更具体地，大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。取决于制造过程，所述暗化层的优选厚度可在大于或等于0.1nm且小于或等于400nm的范围内不同，然而，当考虑到蚀刻性能时，当所述厚度为0.1nm以上时过程控制相对简单，且当所述厚度为60nm以下时可在过程控制和生产率方面相对有利。当所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于400nm，更具体地，大于或等于0.1nm且小于或等于100nm，以及甚至更具体地，大于或等于0.1nm且小于或等于60nm时，由于在380nm至780nm的可见光波长区域内平均反射率可以是20％以下，具体地，15％以下，以及更具体地，10％以下，故暗化效果是优异的。
在本申请的一个实施方式中，所述导电层的厚度不作特别的限定，不过，具有大于或等于0.01μm且小于或等于10μm的厚度可在所述导电层的导电性和图形形成过程的经济可行性方面展现出优异的效果。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，所述导电图形层中的图形线宽可以是10μm以下。在这里，所述暗化层可具有与所述导电层相同的图形形状。不过，所述暗化图形层的图形尺寸不必完全与所述导电图形层的图形尺寸相同，在本申请的范围内还可包括所述暗化图形层中的图形线宽比所述导电图形层中的图形线宽更窄或更宽的情况。具体地，所述暗化图形层中的图形线宽可大于或等于所述导电图形层中的图形线宽的80％且小于或等于其120％。或者，所述暗化图形层中配备有图形的面积具体为大于或等于所述导电图形层中配备有图形的面积的80％且小于或等于其120％。更具体地，相比于所述导电图形层中的图形线宽，所述暗化图形层的图形形状优选为具有相同或更大的图形线宽的图形形状。
当所述暗化图形层具有含有比所述导电图形层的线宽更大的线宽的图形形状时，当使用者观看时所述暗化图形层屏蔽所述导电图形层的效果更大，由此，存在的优势是，可有效阻挡所述导电图形层本身的光泽或反射引发的效果。不过，当所述暗化图形层中的图形线宽与所述导电图形层中的图形线宽相同时，也可以实现本申请的目标效果。
在根据本申请的一个实施方式的导电结构体中，可采用透明基板作为所述基板，不过，所述基板不作特别的限定，且可采用玻璃、塑料基板、塑料膜等。
在本申请的一个实施方式中，所述导电图形层中的图形线宽可大于0μm且小于或等于10μm，具体地，大于或等于0.1μm且小于或等于10μm，更具体地，大于或等于0.2μm且小于或等于8μm，以及更具体地，大于或等于0.5μm且小于或等于5μm。
在本申请的一个实施方式中，所述导电图形层的开口率(即未被图形覆盖的面积的比例)可以是70％以上、85％以上和95％以上。另外，所述导电图形层的开口率可以是90至99.9％，但并不仅限于此。
在本申请的一个实施方式中，所述导电图形层的图形可以是规则图形或不规则图形。
作为所述规则图形，可采用本领域中使用的图形形状，如网状图形。所述不规则图形不作特别的限定，且可具有形成维诺图(voronoi diagram)的图案的边界线形状。当在本申请中一起使用所述不规则图形和所述图形化的暗化层时，通过所述不规则图形可去除由于具有方向性的照明而导致的反射光的衍射图案，且通过所述暗化图形层可使由于光的散射而导致的影响最小化，因此，可使能见度方面的问题最小化。
图1至图6显示了根据本申请的一个实施方式的导电结构体的实例。
图1至图3用于图示基板、导电层和暗化层的层压顺序，且当实际用作触屏面板等的微透明电极时，所述导电层和所述暗化层可具有不同于整个表面区域的图形形状。
图1图示了暗化层(200)被设置于基板(100)与导电层(300)之间的情况。在此情况下，当使用者由所述基板侧观看触屏面板时，可大幅降低由所述导电层产生的反射比。
图2图示了暗化层(200)被设置在导电层(300)之上的情况。在此情况下，当使用者由与所述基板侧相反的一侧观看触屏面板时，可大幅降低由所述导电层产生的反射比。
图3图示了暗化层(200，220)被设置于基板(100)与导电层(300)之间以及在导电层(300)之上的情况。在此情况下，当使用者由所述基板侧以及与所述基板侧相反的一侧观看触屏面板时，可大幅降低由所述导电层产生的反射比。
在图1至图3的描述中，所述导电层可以是图形化的导电层，以及所述暗化层可以是图形化的暗化层。
图4至图6为各自图示了根据本申请的一个实施方式的包含所述导电图形层和所述暗化图形层的导电结构体的层压结构的示意图。
根据本申请的一个实施方式的导电结构体的结构可以是以连续顺序层压基板、暗化层、导电层和暗化层的结构。另外，所述导电结构体可在最外侧的暗化层上包含额外的导电层和额外的暗化层。换句话说，根据本申请的一个实施方式的导电结构体的结构可选自基板/暗化层/导电层的结构、基板/导电层/暗化层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层的结构、基板/导电层/暗化层/导电层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构、基板/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层的结构、基板/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构以及基板/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层的结构。
在以上说明中，所述导电层可以是导电图形层，以及所述暗化层可以是暗化图形层。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：制备导电层；在所述导电层的至少一个表面上形成暗化层；以及将所述导电层或所述暗化层与基板层压，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。所述制造方法可进一步包括单独地或同时地图形化所述导电层和所述暗化层。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：在基板上形成导电层；以及在形成所述导电层之前，在形成所述导电层之后，或者在形成所述导电层之前及之后，形成暗化层，其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
在本申请的一个实施方式中，所述制造导电结构体的方法可包括：在基板上形成导电层；以及在所述导电层上形成暗化层。所述制造方法可进一步包括单独地或同时地图形化所述导电层和所述暗化层。具体地，所述导电层可在形成所述导电层之后被图形化，以及所述暗化层可在形成所述暗化层之后被图形化。另外，具体地，所述导电层和所述暗化层可在形成所述暗化层之后同时被图形化。
在本申请的一个实施方式中，所述制造导电结构体的方法可包括：在基板上形成暗化层；以及在所述暗化层上形成导电层。所述制造方法可进一步包括单独地或同时地图形化所述暗化层和所述导电层。具体地，所述暗化层可在形成所述暗化层之后被图形化，以及所述导电层可在形成所述导电层之后被图形化。另外，所述导电层和所述暗化层可在形成所述导电层之后同时被图形化。
在本申请的一个实施方式中，所述形成导电结构体的方法包括：在基板上形成第一暗化层；在所述暗化层上形成导电层；以及在所述导电层上形成第二暗化层，其中，所述第一和第二暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。所述制造方法可包括单独地或同时地图形化所述暗化层和所述导电层。
在所述制造导电结构体的方法中，所述导电层或所述暗化层在被图形化之前的表面电阻可大于0Ω/□且小于或等于2Ω/□，且优选大于0Ω/□且小于或等于0.7Ω/□。当所述表面电阻为2Ω/□以下，特别是0.7Ω/□以下时，随着图形化之前的所述导电层或所述暗化层的表面电阻的变低，容易进行微图形化设计和制造过程，且因为在图形化之后降低了所述导电结构体的表面电阻，故有效提高了电极的反应速率。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，包括，在基板上形成导电图形；以及在形成所述导电图形之前，在形成所述导电图形之后，或者在形成所述导电图形之前及之后，形成暗化图形，其中，所述暗化图形包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
根据本申请的一个实施方式的制造导电结构体的方法可包括：在基板上形成导电图形；以及在形成所述导电图形之后形成所述暗化图形。
根据本申请的一个实施方式的制造导电结构体的方法可包括：在基板上形成暗化图形；以及在形成所述暗化图形之后形成所述导电图形。
本申请的一个实施方式提供了一种制造导电结构体的方法，其包括：在基板上形成导电图形；以及在形成所述导电图形之前，在形成所述导电图形之后或者在形成所述导电图形之前及之后，形成暗化图形，其中，所述暗化图形包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1。
在所述制造导电结构体的方法中，对所述导电结构体、所述导电层、所述暗化层、所述导电图形层和所述暗化图形层的描述与以上作出的描述相同。
在本申请的一个实施方式中，可采用本领域已知的方法来形成所述导电图形或所述暗化图形。例如，可采用如蒸发、溅射、湿法涂布、汽化、电镀或化学镀以及金属箔层压的方法来用于所述形成，且特别地，可采用溅射的方法来用于所述形成。
例如，当形成包含Cu的导电层和包含由CuxOyNz表示的硝酸铜的暗化层，并采用惰性气体(例如，如Ar的气体)作为溅射气体时，存在通过采用氧氮化铜单一材料溅射靶材获得的优势。通过采用单一材料靶材，由于不再需要反应气体的分压控制，故过程易于被控制，且在形成最终的导电结构体中，还存在的优势是，可利用Cu蚀刻剂一次完成蚀刻。或者，当采用反应溅射法时，也可伴随着反应气体(如O2)的分压控制进行所述过程。
在本申请的一个实施方式中，形成导电图形层的方法不作特别的限定，且例如，可采用直接印刷的方法形成所述导电图形层，且还可采用形成导电层然后图形化所述导电层的方法。
在本申请的一个实施方式中，当采用印刷的方法形成所述导电图形层时，可使用导电材料的油墨或糊料，且所述糊料除了所述导电材料之外还可进一步包含粘合剂树脂、溶剂、玻璃料等。
在形成导电层然后图形化所述导电层的情况下，可使用具有抗蚀刻性能的材料。
在本申请的一个实施方式中，可以采用如蒸发、溅射、湿法涂布、汽化、电镀或化学镀以及金属箔层压的方法来形成所述导电层。作为形成所述导电层的方法，还可采用在基板上涂布有机金属、纳米金属或它们的复合物的溶液，并通过焙烧和/或干燥所得物而给予导电性的方法。有机银可被用作所述有机金属，以及纳米银颗粒等可被用作所述纳米金属。
在本申请的一个实施方式中，所述导电层的图形化可采用利用了抗蚀刻图形的方法。所述抗蚀刻图形可采用印刷法、光刻法、照相法、利用掩膜或激光转移(例如，热转印成像)的方法等形成，且印刷法或光刻法是更加优选的，不过，所述方法并不仅限于此。利用所述抗蚀刻图形可蚀刻和图形化导电薄膜层，并可利用脱去过程容易地除去所述抗蚀刻图形。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的触屏面板。例如，在电容型触屏面板中，可采用根据本申请的一个实施方式的导电结构体作为触敏电极基板。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述触屏面板的显示装置。
除了包含以上所述的基板、导电图形层和暗化图形层的导电结构体之外，根据本申请的一个实施方式的触屏面板还可进一步包括额外的结构体。在此情况下，可以以相同的方向设置所述两个结构体，或者可以以相反的方向设置所述两个结构体。能够包含于本申请的触屏面板中的两个以上的结构体不必具有相同的结构，且合意地，任意一个，优选最为接近使用者的结构体，仅包含以上所述的基板、导电图形层和暗化图形层，而额外包括的结构体不必包含所述暗化图形层。另外，所述两个以上的结构体中的层压结构可相互不同。当包括两个以上的结构体时，可在它们之间设置绝缘层。在这里，所述绝缘层可额外具有粘合层的功能。
根据本申请的一个实施方式的触屏面板可包含下基板；上基板；以及设置于紧邻所述上基板的下基板的表面和紧邻所述下基板的上基板的表面的任意一侧或两侧上的电极层。所述电极层可各自具有X轴位置检测和Y轴位置检测的功能。
在这里，设置于所述下基板和紧邻所述上基板的下基板的表面上的电极层以及设置于所述上基板和紧邻所述下基板的上基板的表面上的电极层之一或二者可以是以上所述的根据本申请的一个实施方式的导电结构体。当仅一个所述电极层为根据本申请的导电结构体时，则另一个可具有本领域已知的导电图形。
当通过在所述上基板和所述下基板二者的一个表面上设置电极层来形成两个电极层时，可在所述下基板和所述上基板之间设置绝缘层或间隔物，从而在所述电极层之间保持恒定的距离且不会发生连接。所述绝缘层可包含粘合剂或者UV或热固化性树脂。所述触屏面板可进一步包括连接至以上所述的导电结构体中的导电层的图形的接地单元。例如，所述接地单元可在形成了所述基板的导电层的图形的表面的边缘部分上形成。另外，在包含所述导电结构体的层压体的至少一个表面上可设置抗反射膜、偏光膜、抗指纹膜中的至少一种。根据设计规范，除了以上所述的功能膜之外，还可进一步包括其它类型的功能膜。这样的触屏面板可被用于显示装置中，如OLED显示面板、液晶显示器(LCD)、阴极射线管(CRT)和PDP。
在根据本申请的一个实施方式的触屏面板中，可将导电图形层和暗化图形层各自设置于所述基板的两个表面上。
根据本申请的一个实施方式的触屏面板可在所述导电结构体上额外包含电极单元或衬垫单元，且在这里，可用相同的导体形成有效屏幕单元、所述电极单元和所述衬垫单元。
在根据本申请的一个实施方式的触屏面板中，所述暗化层可被设置在使用者观看的一侧上。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的显示装置。在所述显示装置中，根据本申请的一个实施方式的导电结构体可被用于滤色片基板、薄膜晶体管基板等中。
本申请的一个实施方式提供了一种包含所述导电结构体的太阳能电池。例如，太阳能电池可包括阳极电极、阴极电极、感光层、空穴迁移层和/或电子迁移层，且根据本申请的一个实施方式的导电结构体可被用作所述阳极电极和/或所述阴极电极。
所述导电结构体可在显示装置或太阳能电池中代替现有的ITO，且可在柔性产品中具有潜在的应用。另外，所述导电结构体可与CNT、导电聚合物、
石墨烯等一同被用作下一代透明电极。
实施例
下文中，将参照实施例、对比实施例和实验实施例更加详细地描述本申请。但是，以下实施例仅用作说明的目的，本发明的范围并不仅限于此。
<实施例1>
利用反应溅射法，通过在作为导电层的具有80nm厚度的Cu电极上沉积具有29nm的厚度的CuxOyNz(x＝90，y＝5，z＝5)的暗化层，制得了导电结构体。
<实施例2>
利用反应溅射法，通过在作为导电层的具有80nm厚度的Cu电极上沉积具有29nm的厚度的CuxOyNz(x＝85，y＝3，z＝12)的暗化层，制得了导电结构体。
<对比实施例1>
利用反应溅射法，通过在作为导电层的具有80nm厚度的Cu电极上沉积具有29nm的厚度的CuxOyNz(x＝83，y＝6，z＝11)的暗化层，制得了导电结构体。
<对比实施例2>
利用反应溅射法，通过在作为导电层的具有80nm厚度的Cu电极上沉积具有29nm的厚度的CuxOyNz(x＝81，y＝8，z＝11)的暗化层，制得了导电结构体。
<实验实施例1>
针对根据实施例1和2以及对比实施例1和2的导电结构体，测定了在85℃和85％RH的环境下120小时之后的暗化层的变化。具体的，测定了在85℃和85％RH的环境下120小时之后的所述暗化层的颜色变化，以及在380nm至780nm波长范围内的平均光反射率变化。
以下表1显示了在根据实施例和对比实施例的导电结构体的暗化层的根据实验实施例1的颜色变化。
[表1]
以下表2显示了根据实施例和对比实施例的导电结构体的根据实验实施例1的光反射率增长率。
[表2]
图7为根据实验实施例1测定实施例和对比实施例的初始光反射率的曲线图。
图8为经过120小时之后根据实验实施例1测定实施例和对比实施例的光反射率的曲线图。
在实验实施例1的结果中，可以看出，当硝酸铜组分满足[y/(x-3z)]<0.1时，所述暗化层的颜色变化小，并且此外，光反射率增长率明显小。
<对比实施例3>
利用反应溅射法在作为导电层并具有80nm厚度的Cu电极上形成15nm厚度的CuO(Cu:O的质量比为95:5)中间层，然后在所述中间层上形成55nm厚度的CuO(Cu:O的质量比为60:40)暗化层，制得了导电结构体。
<实验实施例2-1>
针对根据实施例1的导电结构体，测定了在85℃和85％RH的环境下120小时之后的暗化层的变化。具体地，测定了在85℃和85％RH的环境下120小时之后的所述暗化层的颜色变化，以及在380nm至780nm波长范围内的平均光反射率变化。在这里，测定了当在所述导电结构体上未层压OCA时以及当在所述导电结构体上层压了OCA时所述暗化层的颜色变化以及平均光反射率变化。
以下表3显示了在实施例1的暗化层的根据实验实施例2-1的颜色变化。
[表3]
图9为显示出根据实验实施例2-1的实施例1的初始光反射率及其经过120小时之后的光反射率的曲线图。在这里，将初始反射率值表示为0H，并将120小时之后的反射率值表示为120H后。
<实验实施例2-2>
针对根据对比实施例3的导电结构体，测定了在85℃和85％RH的环境下48小时和148小时之后的暗化层的变化。具体地，测定了在85℃和85％RH的环境下148小时之后的所述暗化层的颜色变化，以及在380nm至780nm波长范围内的平均光反射率变化。在这里，测定了当在所述导电结构体上未层压OCA时以及当在所述导电结构体上层压了OCA时所述暗化层的颜色变化以及平均光反射率变化。
以下表4显示了对比实施例3的暗化层的根据实验实施例2-2的颜色变化。
[表4]
图10为显示出根据实验实施例2-2的对比实施例3的初始光反射率及其经过48小时和148小时之后的光反射率的曲线图。
根据表4的结果和图10可以预期在实验实施例2-2中，在5℃和85％RH的环境下120小时之后的结果位于148小时之后的结果与48小时之后的结果之间。
在实验实施例2-1和2-2的结果中，可以看出，相比于根据实施例1的暗化层，CuO暗化层在高温和高湿环境下经历了大的效率降低。
从实验实施例1和2的结果来看，可以看出，根据本申请的导电结构体防止了由导电层产生的反射，同时不会影响所述导电层的导电性，并且通过增加吸收而增强了所述导电层的隐蔽性能。另外，利用根据本申请的导电结构体可开发出具有改善的能见度的触屏面板以及包含所述触屏面板的显示装置和太阳能电池。
具有本申请所属领域的普通知识的人员可基于以上作出的说明在本申请的范围内进行各种应用和修改。
[附图标记]
100：基板
200：暗化层
220：暗化层
300：导电层
201：暗化图形层
221：暗化图形层
301：导电图形层

Claims (19)

1.一种导电结构体，其包括：
基板；
设置于所述基板上的导电层；以及
设置于所述导电层的至少一个表面上的暗化层，
其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1，
其中，所述硝酸铜具有0.16以下的y+z值，
其中，所述暗化层在85℃和85RH的环境下经过120小时之后在380nm至780nm的波长范围内具有20％以下的平均光反射率变化，以及
其中，所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。
2.权利要求1所述的导电结构体，其中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的波长区域的光中，所述暗化层的消光系数k大于或等于0.2且小于或等于1.5。
3.权利要求1所述的导电结构体，其中，在具有大于或等于380nm且小于或等于780nm的波长区域的光中，所述暗化层的折射率n大于或等于2且小于或等于3.3。
4.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的全反射率为20％以下。
5.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层的厚度为0.01μm至10μm。
6.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层为图形化的导电图形层，以及所述暗化层为图形化的暗化图形层。
7.权利要求6所述的导电结构体，其中，所述导电图形层中的图形线宽为10μm以下。
8.权利要求6所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的表面电阻大于或等于1Ω/□且小于或等于300Ω/□。
9.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或两种以上的材料，且所述材料具有1×10-6Ω·cm至30×10-6Ω·cm的电阻率。
10.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni，它们的氧化物和它们的氮化物中的一种或两种以上。
11.权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体的结构选自基板/暗化层/导电层的结构、基板/导电层/暗化层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层的结构、基板/导电层/暗化层/导电层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构、基板/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层的结构、基板/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构、基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构以及基板/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层的结构。
12.一种包含权利要求1至11任一项所述的导电结构体的触屏面板。
13.一种包含权利要求1至11任一项所述的导电结构体的显示装置。
14.一种包含权利要求1至11任一项所述的导电结构体的太阳能电池。
15.一种制造导电结构体的方法，其包括：
制备导电层；
在所述导电层的至少一个表面上形成暗化层；以及
将所述导电层或所述暗化层与基板层压，
其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1，
其中，所述硝酸铜具有0.16以下的y+z值，
其中，所述暗化层在85℃和85RH的环境下经过120小时之后在380nm至780nm的波长范围内具有20％以下的平均光反射率变化，以及
其中，所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。
16.一种制造导电结构体的方法，其包括：
在基板上形成导电层；以及
在形成所述导电层之前，在形成所述导电层之后，或者在形成所述导电层之前及之后，形成暗化层，
其中，所述暗化层包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1，
其中，所述硝酸铜具有0.16以下的y+z值，
其中，所述暗化层在85℃和85RH的环境下经过120小时之后在380nm至780nm的波长范围内具有20％以下的平均光反射率变化，以及
其中，所述暗化层的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。
17.根据权利要求15或16所述的制造导电结构体的方法，其进一步包括单独地或同时地图形化所述导电层和所述暗化层。
18.根据权利要求15或16所述的制造导电结构体的方法，其中，形成暗化层的步骤采用反应溅射法。
19.一种制造导电结构体的方法，其包括：
在基板上形成导电图形；以及
在形成所述导电图形之前，在形成所述导电图形之后，或者在形成所述导电图形之前及之后，形成暗化图形，
其中，所述暗化图形包含由CuxOyNz表示的硝酸铜，且在所述硝酸铜中，x表示Cu的原子含量比，y表示O的原子含量比，z表示N的原子含量比，以及x>0，y>0，z>0，且[y/(x-3z)]<0.1，
其中，所述硝酸铜具有0.16以下的y+z值，
其中，所述暗化图形在85℃和85RH的环境下经过120小时之后在380nm至780nm的波长范围内具有20％以下的平均光反射率变化，以及
其中，所述暗化图形的厚度大于或等于0.1nm且小于或等于60nm。
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