KR101306563B1 - 전도성 구조체 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 기재; 전도성 패턴; 및 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 전도성 구조체는 전도성 패턴의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상함으로써 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 디스플레이 패널을 개발할 수 있다.

Description

전도성 구조체 및 이의 제조방법{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 출원은 2012년 4월 18일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0040104호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.
최근 대면적의 터치 스크린 패널에 대한 필요가 증가함에 따라 전극의 저항을 줄이면서도 시인성이 우수한 대형 터치 스크린 패널을 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하였다.
대한민국 공개 특허 공보 제10-2010-0007605호
당 기술분야에서는, 상기 다양한 방식의 터치 스크린 패널의 성능 향상을 위한 기술 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 일 구현예는,
기재; 상기 기재 상에 구비된 전도성 패턴; 및 상기 전도성 패턴의 적어도 일면에 구비되고, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체로서,
상기 전도성 패턴의 선폭은 10㎛ 이하이고,
상기 암색화 패턴의 두께는 20 내지 60nm이며,
상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체를 제공한다.
또한, 본 발명의 일 구현예는,
기재 상에 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 전도성 패턴 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 20 내지 60nm의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서,
상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 일 구현예는,
기재 상에 전도성층을 형성하는 단계;
상기 전도성층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화층을 20 내지 60nm의 두께로 형성하는 단계;
상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하여 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서,
상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다.
본 발명의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양전지를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 전도성 패턴의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 패턴에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 태양 전지를 개발할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 발명의 일 구현예로서, 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 4는 파장에 따른 실시예 1 ~ 4 및 비교예 1 ~ 5의 전반사율의 측정값을 나타낸 것이다.
도 5는 파장에 따른 비교예 6 ~ 10의 전반사율의 측정값을 나타낸 것이다.
도 6은 타원계(Ellipsometer)로 측정한 실시예 1의 광학상수 평균 굴절율(n) 및 평균 소멸계수(k)를 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1 및 2의 CIE L*a*b* 색좌표 값과 색을 나타낸 것이다.
<도면의 주요 부호의 설명>
100: 기재
200: 암색화 패턴
220: 암색화 패턴
300: 전도성 패턴
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.
한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식(multi-touch) 기능도 요구되고 있다.
현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, touch screen panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.
본 발명자들은 상기 투명 ITO 박막을 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기술을 연구하였다. 이에, 본 발명자들은, 터치 스크린 패널의 전극 용도로서, 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막인 Ag, Mo/Al/Mo, MoTi/Cu 등을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때, 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, 제조공정시 고가의 타겟(target) 값이 들거나, 공정이 복잡한 경우가 많을 수 있음을 밝혀내었다.
그래서 본 발명의 일 구현예는, 종래의 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치 스크린 패널과 차별화될 수 있고, 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 터치 스크린 패널에 적용할 수 있는 전도성 구조체를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는, 기재; 상기 기재 상에 구비된 전도성 패턴; 및 상기 전도성 패턴의 적어도 일면에 구비되고, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체로서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 10㎛ 이하이고, 상기 암색화 패턴의 두께는 20 내지 60nm이며, 상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 암색화 패턴은 전도성 패턴의 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 전도성 패턴의 양면 모두에 구비될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 20 내지 60nm의 두께로 구비되고, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴; 및 상기 암색화 패턴 상에 구비되고, 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 20 내지 60nm의 두께로 구비되고, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴; 상기 암색화 패턴 상에 구비되고, 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴; 및 상기 전도성 패턴 상에 20 내지 60nm의 두께로 구비되고, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명자들은, 유효 화면부에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 전도성 금속 미세 패턴의 시인성에 상기 패턴층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다. 구체적으로, 기존 ITO를 기반으로 한 터치 스크린 패널에서는 ITO 자체의 높은 투과도로 인하여 전도성 패턴의 반사도에 의한 문제가 그리 크게 나타나지 않았으나, 유효 화면부 내에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에서는 상기 전도성 금속 미세 패턴의 반사도 및 암색화 특성이 중요하다는 것을 밝혀내었다.
본 발명의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에서 전도성 금속 미세 패턴의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 암색화 패턴을 도입할 수 있다. 상기 암색화 패턴은 터치 스크린 패널 내 전도성 패턴의 적어도 일면에 구비됨으로써 상기 전도성 패턴의 높은 반사도에 따른 시인성 저하문제를 크게 개선시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 암색화 패턴은 흡광성을 가지기 때문에 전도성 패턴 자체로 입사되는 빛과 전도성 패턴으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킴으로써 전도성 패턴에 의한 반사도를 낮출 수 있다. 또한, 상기 암색화 패턴은 전도성 패턴에 비하여 낮은 반사도를 가질 수 있다. 이에 의하여, 사용자가 직접 전도성 패턴을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로, 전도성 패턴의 시인성을 크게 개선시킬 수 있다.
본 명세서에서, 상기 암색화 패턴은 흡광성을 가져서 전도성 패턴 자체로 입사되는 빛과 전도성 패턴으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서, 암색화 패턴은 흡광성 패턴, 흑화 패턴, 흑화성 패턴 등의 용어로 표현될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하일 수 있고, 구체적으로 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하일 수 있다.
전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하이면 종래의 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 경우, 또는 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하인 경우, 특히 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하인 경우에는 종래 ITO 투명 전극 사용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며, 이를 바탕으로 10인치 이상 대면적 터치 스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.
상기 전도성 구조체에서 패턴화 하기 이전의 전도성층 또는 암색화층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 구체적으로 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 전도성층 또는 암색화층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다. 상기 면저항은 전도성층 또는 암색화층의 두께에 따라 조절될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(Extinction coefficient) k가 0.2 내지 1.5, 구체적으로는 0.4 내지 1.0 일 수 있다. 상기 평균 소멸계수 k가 0.2 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 평균 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어, 투명한 유전체(dielectric) 물질인 경우, k < 0.2로 k 값이 매우 작다. 그러나, 물질 내부에 금속 성분이 증가할수록 k 값이 증가하게 된다. 만약, 더욱 더 금속 성분이 많아지면, 투과가 거의 일어나지 않고, 대부분 표면 반사만 일어나는 금속이 되며, 소멸계수 k는 1.5 초과가 되어 암색화 패턴의 형성에는 바람직하지 않다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체는 가시광선 영역에서의 평균 굴절율이 2 내지 3 일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 가시광선 영역은 360 내지 820nm의 파장을 갖는 영역을 의미한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴의 두께는 20nm 내지 60nm, 구체적으로 25nm 내지 50nm, 더욱 구체적으로 30nm 내지 50nm 일 수 있다. 상기 암색화 패턴은 사용하는 재료 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께가 상이할 수 있으나, 식각(etching) 특성을 고려하면 두께가 20nm 미만이면 공정 조절이 쉽지 않을 수 있고, 60nm 초과이면 생산 속도 측면에서 불리할 수 있다. 구체적으로 두께가 25nm 이상 50nm 이하인 경우, 더욱 구체적으로 30nm 내지 50nm인 경우, 공정 조절이 쉽고, 생산 속도가 개선되어서 제조 공정에서 더욱 유리할 수 있다. 이 경우 반사율이 더욱 감소하여, 암색화 패턴이 더 잘 형성되어 더욱 유리한 효과가 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴의 전반사율(total reflection)은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
상기 전반사율의 측정은 상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것일 수 있다. 이 방향에서 측정하였을 때 전반사율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
또한, 상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 것일 수 있다. 상기 기재측에서 전반사율을 측정하였을 때 전반사율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 5% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 명세서에 있어서, 상기 전반사율은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90°로 입사한 파장 300 ~ 800nm, 구체적으로 380 ~ 780nm, 더욱 구체적으로 550nm의 빛에 대한 반사율을 의미한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체는 암색화 패턴의 전반사율이 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 6% 이하일 수 있다. 상기 전반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 명세서에 있어서, 전반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상 패턴층 또는 전도성 구조체에 의하여 반사된 반사광 중 300 ~ 680nm, 구체적으로 450 ~ 650nm, 더욱 구체적으로 550nm의 파장 값을 기준으로 측정한 값일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 수 있다. 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 하기 수학식 1로 계산될 수 있다.
[수학식 1]
전반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 패턴의 반사율
또한, 상기 전도성 구조체의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우에는 전도성 구조체의 전반사율(Rt)는 하기 수학식 2로 계산될 수 있다.
[수학식 2]
전반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 패턴의 반사율 × 2
상기 수학식 1 및 2에서 기재의 반사율은 터치 강화유리의 반사율일 수 있고, 표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율일 수 있다.
또한, 상기 폐쇄율은 전도성 구조체의 평면을 기준으로 전도성 패턴에 의하여 덮여지는 영역이 차지하는 면적 비율, 즉 (1 - 개구율)로 나타낼 수 있다.
따라서, 암색화 패턴이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 암색화 패턴의 반사율에 의하여 의존하게 된다. 이러한 관점에서, 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 암색화 패턴이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체의 전반사율(R0)에 비하여 10 ~ 20% 감소된 것일 수 있고, 20 ~ 30% 감소된 것일 수 있으며, 30 ~ 40% 감소된 것일 수 있고, 40 ~ 50% 감소된 것일 수 있으며, 50 ~ 70% 감소된 것일 수 있다. 즉, 상기 수학식 1 및 2에서 폐쇄율 범위를 1 ~ 10% 범위로 변화시키면서 전반사율 범위를 1 ~ 30%까지 변화시키는 경우 최대 70%의 전반사율 감소 효과를 나타낼 수 있고, 최소 10%의 전반사율 감소 효과를 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 전반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 전반사율(Rt)은 상기 기재의 전반사율(R0)과의 차이가 40% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체는 CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값(L*)이 50 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로는 20 이하일 수 있다. 명도값이 낮을수록 전반사율이 낮아져서 유리한 효과가 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체 내에는 핀홀이 거의 없을 수 있고, 상기 핀홀이 존재한다 하더라도 그 지름이 3㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1㎛ 이하일 수 있다. 상기 전도성 구조체 내에서 핀홀 지름이 3㎛ 이하인 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체 내에서 핀홀이 거의 없어서 갯수가 매우 적은 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 패턴과 상기 전도성 패턴은 동시에 또는 별도의 패터닝 공정에 의하여 적층 구조를 형성할 수 있다. 이러한 점에서, 흡광 물질의 적어도 일부가 전도성 패턴 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구조나 단일층의 전도성 패턴이 추가 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 패턴은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 전도성 패턴 상에 구비될 수 있다. 상기 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 발명의 일 구현예에서는 기재 또는 전도성 패턴과 암색화 패턴의 계면 특성이 우수하다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하다. 이 때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다. 상기 유전성 물질로는 SiO, SiO2, MgF2, SiNx(x는 1 이상의 정수) 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속으로는 Fe, Co, Ti, V, Al, Au, Ag 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 패턴은 유전성 물질 중 1종 이상과 금속 중 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 유전성 물질은 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 점차적으로 감소되도록 분포되어 있고, 상기 금속은 그 반대로 분포되어 있는 것이 바람직하다. 이때, 상기 유전성 물질의 함량은 20 ~ 50 중량% 일 수 있고, 상기 금속의 함량은 50 ~ 80 중량% 일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴의 어느 한 면에만 구비될 수도 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다. 여기서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 암색화 패턴의 패턴 규모가 상기 전도성 패턴과 완전히 동일할 필요는 없으며, 암색화 패턴의 선폭이 전도성 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴의 선폭에 비하여 작거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가질 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴은 전도성 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태인 것이 바람직하다.
상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 패턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 암색화 패턴이 전도성 패턴을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 전도성 패턴 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 암색화 패턴의 선폭이 상기 전도성 패턴의 선폭과 동일하여도 본 발명에 목적하는 효과를 달성할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01㎛ 내지 10㎛인 것이 전도성 층의 전도도 및 패턴 형성공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 재료는 비저항 1 × 106 Ω·cm 내지 30 × 106 Ω·cm의 물질이 적절하며, 바람직하게는 1 × 106 Ω·cm 내지 7 × 106 Ω·cm일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 전도성 패턴의 재료는 금속, 금속 합금, 금속 산화물, 금속 질화물 등을 1종 이상 포함하는 것이 좋다. 상기 전도성 패턴의 재료는 전기 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 금속 재료일수록 좋다. 다만, 일반적으로 전기 전도도가 우수한 재료는 반사도가 높은 단점이 있다. 그러나, 본 발명에서는 상기 암색화 패턴을 사용함으로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 전도성 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명에서는 반사도가 70 ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화 패턴을 추가함으로써 반사도를 낮추고, 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있으며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 재료의 구체적인 예로는 구리, 알루미늄, 은, 네오디윰, 몰리브덴, 니켈, 이들의 합금, 이들의 산화물, 이들의 질화물 등을 1종 이상 포함하는 단일막 또는 다층막일 수 있고, 더욱 바람직하게는 구리일 수 있다.
전도성 패턴이 구리를 포함하는 경우, 암색화 패턴이 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하므로, 일괄 에칭이 가능하게 되어, 생산 공정에 있어서, 효율이 높고, 비용이 절감되어 경제적인 장점이 있다. 또한, 구리는 비저항 값이 1.7 × 10-6cm 이어서 비저항값이 2.8 × 10-6cm인 Al 보다도 유리하다. 그러므로, 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 바람직하게는 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하의 면저항 값을 만족시키기 위하여 전도성 패턴의 두께를 Al 보다도 얇게 형성할 수 있는 장점이 있다. 상기 면저항은 전도성 패턴의 두께에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 면저항이 0.6 ~ 0.7 Ω/□를 만족하기 위해 Al의 경우는 80 ~ 90nm를 형성해야 하지만, Cu의 경우는 55 ~ 65nm를 형성해야 하므로, 패턴의 두께를 더 얇게 형성할 수 있어서 경제적이다. 또한, 실험예 6을 참조하면, Cu가 Al 보다 스퍼터링 공정에서 2.5배 정도의 우수한 수율을 가지므로, 이론적으로 4 ~ 5배의 증착 속도 향상을 기대할 수 있다. 따라서, Cu를 포함하는 전도성 패턴은 생산 공정에 있어서, 효율이 높고 경제적이어서 우수한 장점이 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 0㎛ 초과 10㎛ 이하일 수 있고, 구체적으로 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 0.2㎛ 이상 내지 8㎛ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 0.5㎛ 이상 내지 5㎛ 이하일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 개구율, 즉 패턴에 의하여 덮여지지 않는 면적 비율은 70% 이상일 수 있고, 85% 이상일 수 있으며, 95% 이상일 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴의 개구율은 90 내지 99.9%일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 발명에서 불규칙 패턴과 암색화 패턴을 함께 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 암색화 패턴에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 전도성 패턴은 임의의 단위면적(1cm × 1cm) 내에서 동일한 형태의 폐쇄도형이 존재하지 않고, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 상이한 것일 수 있다.
상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 상이하다. 보다 구체적으로, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 비교하였을 때 더 많을 수 있고, 1.9 ~ 2.1배 더 많을 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 폐쇄도형들은 서로 연속하여 연결된 것으로서, 예컨대 상기 폐쇄도형들이 다각형인 경우에는 서로 이웃하는 폐쇄도형들이 적어도 하나의 변을 공유하는 형태일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 전도성 패턴은 임의의 단위면적(1cm × 1cm) 내에서 동일한 형태의 폐쇄도형이 존재하지 않고, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 상이한 것일 수 있다.
상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 상이하다. 보다 구체적으로, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 비교하였을 때 더 많을 수 있고, 1.9 ~ 2.1배 더 많을 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 전도성 패턴은 임의의 단위면적(1cm × 1cm) 내에서 동일한 형태의 폐쇄도형이 존재하지 않고, 상기 폐쇄도형들은 하기 수학식 3의 값이 50 이상인 것인 전도성 기판을 제공한다.
[수학식 3]
(꼭지점간의 거리의 표준편차 / 꼭지점간 거리의 평균) × 100
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 일면에 광원으로부터 나온 직진광을 조사하여 투과형 회절 패턴의 이미지를 얻었을 때, 상기 이미지는 하기 수학식 4의 값이 21 미만인 것인 전도성 기판을 제공한다.
[수학식 4]
(각도영역에 따른 투과형 회절 패턴의 강도의 표준편차 / 각도영역에 따른 투과형 회절 패턴의 평균 강도) × 100
상기 수학식 4에서, 각도영역은 투과형 회절 패턴의 이미지 중심으로부터 0 ~ 360도를 각각 10도씩 구분한 영역을 의미한다.
상기 투과형 회절 패턴의 이미지를 얻었을 때, 상기 이미지는 수학식 4의 값이 21 미만일 수 있고, 15 이하일 수 있으며, 10 이하일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하고, 상기 폐쇄도형들의 테두리 구조는 직선, 곡선, 지그재그, 이들의 조합 등 다양하게 변형될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 단위면적 내에서 서로 동일한 폐쇄도형이 존재하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하고, 상기 폐쇄도형들의 테두리를 구성하는 선들을 임의의 직선에 대하여 이루는 각을 0 ~ 180도에서 10도 단위로 구분하였을 때, 각각의 각도범위에 속하는 선들의 개수들에 대하여, 하기 수학식 5의 값이 21 미만일 수 있고, 15 이하일 수 있으며, 10 이하일 수 있다.
[수학식 5]
(각도범위에 해당되는 선의 개수의 표준편차 / 각도범위에 해당되는 선의 개수의 평균) × 100
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴에서 상기 수학식 3 내지 5의 값은 전기 전도성 패턴의 단위면적 내에서 계산될 수 있다. 상기 단위면적은 전기 전도성 패턴이 형성되는 면적일 수 있고, 예컨대 3.5cm × 3.5cm 등일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 꼭지점은 전기 전도성 패턴의 폐쇄도형들의 테두리를 구성하는 선들이 서로 교차하는 점을 의미하는 것으로 정의하기로 한다.
이와 같이 패턴을 형성함으로써 터치 스크린에 요구되는 미세한 전기 전도성 패턴을 구현할 수 있다. 터치 스크린에 있어서, 미세한 전기 전도성 패턴을 구현하지 못하는 경우, 저항 등 터치 스크린에 요구되는 물성을 달성할 수 없다.
종래의 금속 메쉬 패턴을 이용한 터치 스크린에서는, 기본적으로 모아레(Moire)라는 현상을 회피하기 위한 해결방안(Solution)을 제공하지 못함에 따라, 본 발명에서는 전기 전도성 패턴으로서 불규칙 패턴을 적용하였다. 이때, 모아레(moire) 현상이 디스플레이에 관계 없이 전혀 나타나지 않는 임계적 값을 확인하기 위하여 불규칙도별 모아레(Moire) 발생여부의 확인 및 반사형 회절 현상의 확인을 통하여 이를 정량화 하고자 하였다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들과 동일한 개수의 사각형들의 꼭지점 개수와 상이한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 폐쇄도형들의 꼭지점 개수는, 상기 폐쇄도형들 각각의 무게중심들간의 최단거리를 연결하여 형성한 다각형의 꼭지점의 개수와 상이한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 연속하여 연결된 폐쇄도형들의 테두리 구조를 포함하며, 상기 폐쇄도형들은 상기 수학식 3의 값이 50 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 규칙적으로 배열된 단위 유닛셀 내에 각각 임의의 점들을 배치한 후, 각각의 점들이 다른 점들로부터의 거리에 비하여 가장 가까운 점과 연결되어 이루어진 폐쇄도형들의 테두리 구조의 형태일 수 있다.
이때, 상기 규칙적으로 배열된 단위 유닛셀 내에 임의의 점들을 배치하는 방식에 불규칙도를 도입하는 경우에 본 발명에 따른 전기 전도성 패턴이 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 불규칙도를 0으로 부여하는 경우에는 단위 유닛셀이 정사각형이면 전기 전도성 패턴이 정사각형 메쉬 구조가 형성되고, 단위 유닛셀이 정육각형이면 전기 전도성 패턴이 벌집(honeycomb) 구조가 형성되게 된다. 즉, 본 발명에 따른 전도성 패턴에서는 상기 불규칙도가 0이 아닌 패턴을 의미한다.
본 발명에 따른 불규칙 패턴 형태의 전도성 패턴에 의하여, 패턴을 이루는 선의 쏠림현상 등을 억제할 수 있고, 디스플레이로부터 균일한 투과율을 얻게 해줌과 동시에 단위면적에 대한 선밀도를 동일하게 유지시켜 줄 수 있으며, 균일한 전도도를 확보할 수 있게 된다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴은 단위면적(3.5cm × 3.5cm) 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 6,000개 이상일 수 있고, 7,000개 이상일 수 있으며, 15,000개 이상일 수 있고, 245,000개 이하일 수 있으나, 이는 당업자가 원하는 투과도 및 전도도에 따라 조정할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 선폭은 10㎛ 이하이고, 상기 전기 전도성 패턴은 3.5cm × 3.5cm의 면적 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 6,000 ~ 245,000개일 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴의 선폭은 7㎛ 이하이고, 상기 전도성 패턴은 3.5cm × 3.5cm의 면적 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 7,000 ~ 62,000개일 수 있다. 또한, 상기 전도성 패턴의 선폭은 5㎛ 이하이고, 상기 전도성 패턴은 3.5cm × 3.5cm의 면적 내에서 폐쇄도형들의 꼭지점의 수가 15,000 ~ 62,000개일 수 있다.
상기 단위면적 내의 패턴을 구성하는 도형들 중 적어도 하나는 나머지 도형들과 상이한 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴과 상기 전도성 패턴은 그 측면이 순 테이퍼각을 가질 수 있으나, 전도성 패턴의 기재측 반대면 상에 위치하는 암색화 패턴 또는 전도성 패턴은 역테이퍼각을 가질 수도 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 예를 하기 도 1 내지 도 3에 예시하였다. 도 1 내지 도 3은 기재, 전도성 패턴 및 암색화 패턴의 적층 순서를 예시하기 위한 것이며, 상기 전도성 패턴 및 상기 암색화 패턴은 실제로 터치 스크린 패널 등의 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.
도 1에 따르면, 상기 암색화 패턴(200)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 패턴(300) 사이에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재 측에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 패턴에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
도 2에 따르면, 상기 암색화 패턴(200)이 상기 전도성 패턴(300) 위에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재측의 반대면에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 패턴에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
도 3에 따르면, 상기 암색화 패턴(200, 220)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 패턴(300) 사이와, 상기 전도성 패턴(300) 위에 모두 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 터치 스크린 패널을 기재측에서 바라보는 경우와 그 반대측에서 바라보는 경우 모두 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 암색화 패턴이 전도성 패턴의 적어도 일면에 구비된 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재, 암색화 패턴, 전도성 패턴 및 암색화 패턴이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체는 최외곽의 암색화 패턴 상에 추가의 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 포함할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재/암색화 패턴/전도성 패턴의 구조, 기재/전도성 패턴/암색화 패턴의 구조, 기재/암색화 패턴/전도성 패턴/암색화 패턴의 구조, 기재/전도성 패턴/암색화 패턴/전도성 패턴의 구조, 기재/암색화 패턴/전도성 패턴/암색화 패턴/전도성 패턴/암색화 패턴의 구조, 기재/암색화 패턴/전도성 패턴/암색화 패턴/전도성 패턴/암색화 패턴/전도성 패턴/암색화 패턴의 구조 등일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 패턴 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 20 내지 60nm의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서, 상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 전도성층을 형성하는 단계; 상기 전도성층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화층을 20 내지 60nm의 두께로 형성하는 단계; 상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하여 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서, 상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은, 기재 상에 암색화층을 형성하고, 상기 암색화층을 형성한 이후에 전도성층을 형성하고, 상기 전도성층을 형성한 이후에 암색화층을 형성할 수 있으며, 상기 암색화층 및 전도성층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 것을 포함할 수 있다.
상기 전도성 구조체의 제조방법에서 패턴화 하기 이전의 전도성층 또는 암색화층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 바람직하게는 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 전도성층 또는 암색화층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 암색화 패턴 또는 암색화층을 형성하는 단계에서, 암색화 패턴 또는 암색화층의 형성은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있고, 구체적으로는 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다.
예를 들어, Cu를 포함하는 전도성층과 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화층을 형성하는 경우, 스퍼터링 가스(sputtering gas)로 불활성 기체, 예를 들어, Ar과 같은 기체를 사용할 경우 CuO 단일 물질 스퍼터링 타겟(sputtering target)을 사용함으로써 얻는 장점이 있다. 예를 들어, AlOxNy와 같이 Al 금속 타겟을 사용하여 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법을 이용하면 O2와 N2 와 같은 반응성 가스의 분압 조절을 해야 한다. 그러나, 본 발명은 CuO와 같은 단일 물질 타겟을 사용하므로 반응성 가스의 분압 조절이 필요 없어서 공정 조절이 비교적 용이하고, 최종 전도성 구조체의 형성에서도 Cu 에천트를 이용하여 일괄에칭이 가능하다는 장점을 가진다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴의 형성방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 전도성 패턴을 직접 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있고, 전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 방법을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성 패턴을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 전도성 재료의 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 전도성 재료 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.
전도성층을 형성한 후 이를 패턴화하는 경우 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성층은 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 전도성층의 형성방법으로서 유기 금속, 나노 금속 또는 이들의 복합체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 소성 및/또는 건조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 유기 금속으로는 유기 은을 사용할 수 있으며, 상기 나노 금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 전도성층의 패턴화는 에칭 레지스트 패턴을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 더욱 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 전도성 박막층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다. 예컨대, 정전용량식 터치스크린 패널에 있어서, 상기 본 발명의 일 구현예에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 상기 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 기재, 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 발명의 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 기재, 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포함되는 구조체는 패턴화된 암색화층을 포함하지 않아도 좋다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때, 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면　및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된　전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.
이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 발명에 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.
상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의　전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될　수　있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 전도성 패턴 및 암색화 패턴이 구비될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 암색화 패턴은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드 전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 포함할 수 있는데, 본 발명의 일 구현예에 따는 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.
이하 실시예, 비교예 및 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 두께 35nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 실시예 1의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 실시예 2>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 50nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 실시예 2의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 실시예 3>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 60nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 실시예 3의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 실시예 4>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 80nm인 Al층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 50nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 실시예 4의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 1>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하여 비교예 1의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 2>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Al 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 80nm인 Al을 형성하여 비교예 2의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 3>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 10nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 3의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 4>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 80nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 4의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 5>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 100nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 5의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 6>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 10nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 6의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 7>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 무선 주파수 스퍼터링(Radio Frequency sputtering: RF sputtering) 방법으로 두께 30nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 7의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 8>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 50nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 8의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 9>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 60nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 9의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 비교예 10>
폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기재 상에 Cu 단일 타겟(target)을 이용하여 직류 전원 스퍼터링(DC sputtering) 방법에 의하여 전도성 층으로 두께 60nm인 Cu층을 형성하고, CuO 단일 타겟(target)을 이용하여 RF 스퍼터링 방법으로 두께 80nm인 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하여 비교예 9의 전도성 구조체를 제조하였다.
< 실험예 1>
상기 실시예 1 ~ 4 및 비교예 1 ~ 5의 전도성 구조체의 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 시뮬레이션하여 결과를 하기 도 4에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1 ~ 4 및 비교예 1 ~ 5의 전도성 구조체의 가시광선 영역의 평균 반사율을 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure 112013033806626-pat00001
상기 표 1의 결과와 같이, 본원발명과 같이 암색화 패턴의 두께가 20 내지 60nm의 범위인 전도성 구조체가 상기 암색화 패턴의 두께범위를 벗어나는 경우보다 반사율 특성이 낮으므로, 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
< 실험예 2>
실시예 1 ~ 4의 전도성 구조체의 광학상수 평균 굴절율(n) 및 평균 소멸계수(k)를 타원계(Ellipsometer)로 측정하여 도 6에 나타내었다. 보다 구체적으로, 실시예 1 ~ 4의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2.45 이었고, 평균 소멸계수는 0.8 이었다.
< 실험예 3>
비교예 6 ~ 10의 전도성 구조체의 광학상수 평균 굴절율(n) 및 평균 소멸계수(k)를 타원계(Ellipsometer)로 측정하였다. 보다 구체적으로, 비교예 6 ~ 10의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2.45 이었고, 평균 소멸계수는 1.8 이었다.
< 실험예 4>
상기 비교예 6 ~ 10의 전도성 구조체의 파장에 따른 전반사율을 Solidspec 3700(UV-Vis spectrophotometer, Shimadzu社)를 사용하여 시뮬레이션하여 결과를 하기 도 5에 나타내었다. 또한, 상기 실시예 1 ~ 4 및 비교예 6 ~ 10의 전도성 구조체의 가시광선 영역의 평균 반사율을 하기 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure 112013033806626-pat00002
상기 표 2의 결과와 같이, 상기 암색화 패턴의 두께가 20 내지 60nm이고, 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이며, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 전도성 구조체의 반사율 특성이 낮으므로, 전도성 패턴의 은폐성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
< 실험예 5>
실시예 1 및 2의 CIE L*a*b* 색좌표 값과 색을 측정하여 표 2 및 도 7에 나타내었다.
[표 3]
Figure 112013033806626-pat00003
< 실험예 6>
증착 조건을 동일하게 하여 Al로 전도성 층을 형성할 때와 Cu로 전도성 층을 형성할 때의 증착 속도를 비교하였다. 증착 기준은 DC150W, 3m Torr 3'circle target 이었다.
[표 4]
Figure 112013033806626-pat00004
상기 표 4의 결과를 보면, Cu 로 전도성 층을 형성하는 경우가 증착 속도 면에서 유리하므로 생산 공정 면에서 효율적임을 알 수 있다. Cu의 경우가 Al의 경우보다 최대 4 ~ 5배 생산성 향상이 가능한 이점이 있다. Cu는 비저항이 Al 보다 1.5 ~ 2배 우수하여 동일 면저항을 얻기 위해 필요한 두께가 Al에 비해 1.5 ~ 2배 얇아진다. 그리고, 상기 실험예 4에서 얻은 증착 속도를 보면 Cu가 Al 보다 2.5배 우수하다. 따라서, Cu는 Al 보다 최대 4 ~ 5배 생산성 향상이 가능하여, 빠른 속도로 상대적으로 얇은 두께를 형성할 수 있는 장점이 있다.
그리고 나서 Al을 포함하는 전도성 층 위에 AlNx(0 < x < 1) 로 암색화 층을 형성할 때와, Cu를 포함하는 전도성 층 위에 CuOx (0 < x ≤ 1)로 암색화 층을 형성할 때의 증착 속도를 비교하였다. 증착 속도는 일정 시간에 증착된 두께를 시간으로 나누어 계산하였다. AlNx 증착 기준은 DC100W 로 반응성 스퍼터링 방법을 사용하였고, CuOx (0 < x ≤ 1)의 증착 기준은 RF 100W 이었다.
[표 5]
Figure 112013033806626-pat00005
상기 표 5의 결과를 보면, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 형성하는 경우가 증착 속도 면에서 유리하므로 생산 공정 면에서 효율적임을 알 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 전도성 구조체 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널은 전도성 층의 적어도 일면에 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층을 도입함으로써, 전도성 층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 층에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상함으로써 전도성 층의 은폐성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기와 같은 암색화 층의 도입에 의하여 터치 스크린 패널의 콘트라스트 특성을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 층의 제조공정에는 제한이 없고, 미세 전극 패터닝을 위한 에칭공정에서도 범용 알루미늄 에칭액으로 일괄 에칭이 가능하다는 장점이 있다.
또한, 본 발명에서는 전술한 전도성 층 및 암색화 층을 일괄 에칭하여, 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴을 포함하는 전도성 구조체를 제조할 수 있다.
본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항과 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (23)

  1. 기재; 상기 기재 상에 구비된 전도성 패턴; 및 상기 전도성 패턴의 적어도 일면에 구비되고, CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 포함하는 전도성 구조체로서,
    상기 전도성 패턴의 선폭은 10㎛ 이하이고,
    상기 암색화 패턴의 두께는 20 내지 60nm이며,
    상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 전반사율이 20% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴이 상기 전도성 패턴과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 전반사율이 20% 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체의 면저항은 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.4 이상 1.0 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 구조체는 CIE L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값(L*)이 50 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴은 유전성 물질 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 유전성 물질은 SiO, SiO2, MgF2 및 SiNx(x는 1 이상의 정수)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 금속은 Fe, Co, Ti, V, Al, Au 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴의 두께는 0.01 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴은 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하고,
    상기 물질은 비저항이 1 × 106 Ω·cm 내지 30 × 106 Ω·cm인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴은 구리, 알루미늄, 은, 네오디윰, 몰리브덴, 니켈, 이들의 합금, 이들의 산화물 및 이들의 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴의 양면에 구비된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴의 선폭은 상기 전도성 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 암색화 패턴은 상기 전도성 패턴의 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  16. 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널.
  17. 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치.
  18. 청구항 1 내지 청구항 15 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 태양전지.
  19. 기재 상에 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 전도성 패턴 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화 패턴을 20 내지 60nm의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서,
    상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  20. 기재 상에 전도성층을 형성하는 단계;
    상기 전도성층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 CuOx (0 < x ≤ 1)를 포함하는 암색화층을 20 내지 60nm의 두께로 형성하는 단계;
    상기 전도성층 및 암색화층을 각각 또는 동시에 패터닝하여 선폭이 10㎛ 이하인 전도성 패턴 및 암색화 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법으로서,
    상기 전도성 구조체의 가시광선 영역에서의 평균 굴절율은 2 이상 3 이하이고, 가시광선 영역에서의 평균 소멸계수(k)는 0.2 이상 1.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  21. 청구항 20에 있어서, 상기 전도성층 또는 암색화층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  22. 청구항 19에 있어서, 상기 암색화 패턴은 스퍼터링 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  23. 청구항 20에 있어서, 상기 암색화층은 스퍼터링 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
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