KR101711260B1 - 전도성 필름, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents
전도성 필름, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 224
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 224
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 229910016547 CuNx Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 329
- 239000010408 film Substances 0.000 description 76
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 45
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- -1 copper nitride Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 101100042016 Caenorhabditis elegans npp-20 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 101100065878 Caenorhabditis elegans sec-10 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000007333 cyanation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
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- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
본 출원은 전도성 필름, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
Description
본 출원은 2013년 10월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2013-0129992호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 전도성 필름, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 터치 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.
터치 패널의 화면부에는 통상 투명 전극이 사용되고, 배선 전극으로 Ag과 같은 금속이 사용되었다. 최근 터치 패널의 화면의 대형화 요구가 커짐에 따라, 터치 패널의 크기가 동일한 경우 화면이 대형화되기 위하여는 상대적으로 베젤의 폭이 좁아지게 되었다. 따라서, 좁은 폭의 베젤 크기에 부합하는 화면부 전극 및 배선 전극의 개발이 요구되었다.
본 출원이 해결하려는 과제는, 투명 전극 상에 전기 전도도가 우수하면서도 화학적 및 물리적으로 안정하고 미세 선폭의 구현이 가능한 전도성 패턴층이 구비된 전도성 필름을 제공하는 것이다.
또한, 본 출원이 해결하려는 다른 과제는, 상기 전도성 필름의 제조방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 출원이 해결하려는 다른 과제는, 상기 전도성 필름이 적용된 터치 패널, 디스플레이 장치 또는 태양전지를 제공하는 것이다.
본 출원의 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 출원의 하나의 실시상태는 기재; 상기 기재 상에 구비된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함하고, 상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층을 포함하는 전도성 필름을 제공한다.
본 출원의 하나의 실시상태는 기재; 상기 기재 상에 구비된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함하고, 상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층, 및 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 포함하며, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 적어도 일면 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름을 제공한다.
본 출원의 다른 실시상태는 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 투명 전극층 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층을 포함하는 전도성 필름의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 다른 실시상태는 상기 전도성 필름을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 다른 실시상태는 상기 전도성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공한다.
본 출원의 다른 실시상태는 상기 전도성 필름을 포함하는 태양 전지를 제공한다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름은 전기 전도도가 우수하면서도 화학적 및 물리적으로 안정한 장점이 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름은 미세 선폭의 구현이 가능하여 터치 패널의 베젤부에서 센서 전극으로 적용될 수 있고, 터치 패널, 각종 디스플레이 장치 또는 태양전지에도 활용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름에서 전도성 패턴층을 형성하기 전의 전도성층을 형성한 상태의 구조를 나타낸 것이다.
도 2는 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름에서 전도성 패턴층을 형성하기 전의 전도성층을 형성한 상태의 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름의 구조를 예시한 것이다.
도 4는 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름의 구조를 예시한 것이다.
도 2는 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름에서 전도성 패턴층을 형성하기 전의 전도성층을 형성한 상태의 구조를 나타낸 것이다.
도 3은 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름의 구조를 예시한 것이다.
도 4는 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름의 구조를 예시한 것이다.
본 출원에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 출원에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 출원을 상세히 설명한다.
본 출원의 하나의 실시상태는 기재; 상기 기재 상에 구비된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함하고, 상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층을 포함하는 전도성 필름을 제공한다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)로 이루어진 것일 수 있다. 또는, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 주성분으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물이 포함될 수 있다.
상기 금속 질화물 패턴층은 질소의 비율이 높아져서 화학량론적(stoichiometric) 비율에 근접할수록 내산화성이 향상되는 장점이 있으나, 에칭 공정성이 떨어지는 단점이 있을 수 있으므로, Cu 질량에 대한 N의 질량비가 0 초과 0.1 이하인 경우, 내산화성 또는 내부식성이 우수하고, Cu 에천트에 대한 에칭 공정성 또한 우수한 장점이 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층의 CuNx에서의 질소의 함량은 Cu 질량에 대하여 0 % 초과 10 % 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층은 산소 원자를 더 포함하고, 상기 산소 원자의 함량은 CuNx 내의 Cu의 질량에 대하여 3 % 이상 6 % 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층에 산소원자가 더 포함되는 경우는 제조 공정상 불순물로 포함되는 경우, 또는 상기 금속 질화물 패턴층의 성분 검사시 공기 중의 산소 원자가 검출되는 경우일 수 있다.
본 명세서의 "투명"이란 가시광선의 투과율이 70 % 이상 또는 80 % 이상인 것을 의미한다. 또한, 전체 면적이 모두 투명하지 않고, 개구율이 60 % 이상인 경우도 포함할 수 있다.
본 명세서의 "전도성"이란 전기 전도성을 의미한다.
본 명세서의 "필름"은 두께, 재료 및 특정 형태에 한정되지 않는다.
상기 구리질화물이 포함된 금속 질화물 패턴층은 질소 분자의 삼중 결합을 분해하려면 매우 높은 활성화 에너지를 필요로 하기 때문에 화학적으로 매우 안정하여 부식되거나 산화되는 현상이 방지되는 효과가 있다. 또한, 표면 강도가 매우 크므로 기계적인 물성도 우수한 장점이 있다.
본 출원의 하나의 실시상태는 기재; 상기 기재 상에 구비된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함하고, 상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층, 및 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 포함하며, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 적어도 일면 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름을 제공한다.
구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 더 포함하고, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 적어도 일면 상에 구비될 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 Cu로 이루어진 것일 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 Cu를 주성분으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물을 일부 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 상기 투명 전극층과 상기 금속 질화물 패턴층 사이에 구비될 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 투명 전극층과 상기 금속 패턴층 사이에 구비될 수 있다.
상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층의 부식을 방지하는 역할을 할 수 있을 뿐 아니라, 상기 전도성 필름이 전자소자의 표시부에 적용되는 경우 금속 패턴층에 의한 눈부심 효과를 방지하는 역할을 할 수도 있다.
구체적으로, 상기 금속 질화물 패턴층은 단일층으로서 상기 전도성 패턴층을 구비할 수 있으며, 이 경우, 두께를 두껍게 하여 전기 전도도를 확보할 수 있다. 또한, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층의 일 면 상에 구비되어 상기 금속 패턴층의 전기 전도도를 크게 낮추지 않으면서, 상기 금속 패턴층의 산화를 방지하여 상기 전도성 패턴층의 성능을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
또한, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층과 동일한 에천트를 이용하여 식각이 가능하므로, 상기 금속 질화물 패턴층과 상기 금속 패턴층을 일괄 에칭할 수 있는 장점 또한 가지고 있다. 구체적으로, 상기 에천트는 Cu 에천트일 수 있으며, 당업계에서 일반적으로 사용되는 Cu 에천트는 제한 없이 사용될 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층과 물리적으로 접하여 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 금속 패턴층과 상기 금속 질화물 패턴층이 물리적으로 접하여 구비되는 경우, 고온의 환경에서 상기 금속 패턴층이 산화되는 것을 상기 금속 질화물 패턴층이 방지하여 금속 패턴층의 우수한 전기 전도도를 유지시킬 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 상면 상에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 필름이 전자소자의 표시부에 적용되고 상기 기재를 통하여 외부에서 인식되는 경우, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층의 눈부심을 방지하는 역할을 할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층 상에 구비될 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층 상면 및 측면 상의 적어도 일부에 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 필름이 전자소자의 표시부에 적용되고 상기 기재와 대향하는 면을 통하여 외부에서 인식되는 경우, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층의 눈부심을 방지하는 역할을 할 수 있다.
구체적으로, 상기 전도성 필름의 구조는 기재/ 투명 전극층/ 금속 질화물 패턴층의 구조, 기재/ 투명 전극층/ 금속 패턴층/ 금속 질화물 패턴층의 구조, 기재/ 투명 전극층/ 금속 질화물 패턴층/ 금속 패턴층의 구조 등이 될 수 있다.
도 1 내지 도 4는 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름의 구조를 예시한 것이다.
도 1에 따르면, 기재(100), 투명 전극층(200), 금속 질화물층(300)의 순서로 배치된 경우를 예시한 것으로 전도성 패턴층으로 형성되기 이전 상태를 나타낸 것이다.
도 2에 따르면, 기재(100), 투명 전극층(200), 금속층(400), 금속 질화물층(300)의 순서로 배치된 경우를 예시한 것으로 전도성 패턴층으로 형성되기 이전 상태를 나타낸 것이다.
도 3에 따르면, 기재(100), 투명 전극층(200), 금속 질화물 패턴층 (301)의 순서로 배치된 경우를 예시한 것이다. 도 3에서 a는 패턴의 선폭을 의미하고, b는 패턴의 선간격을 의미한다.
도 4에 따르면, 기재(100), 투명 전극층(200), 금속 패턴층 (401), 금속 질화물 패턴층 (301)의 순서로 배치된 경우를 예시한 것이다.
구리는 전기 전도성이 우수하고 저항이 작아서 투명 전극층의 상부에 배선 전극으로 사용될 수 있다. 그러나, 구리는 활성화 에너지가 낮아서 중성 금속으로 환원되려면 매우 큰 전위값을 가지므로 전자를 얻어 산화되려는 경향이 높다. 그러므로, 투명 전극층의 상부에 구리층만 위치하는 경우 구리층이 산화되거나 부식될 수 있어서 고온 고습의 환경에서 면저항이 높아질 수 있는 문제가 있다. 또한, 투명 전극층에 대한 부착력도 낮고, 표면 강도도 낮아서 기계적인 물성도 좋지 않다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름은, 전도성 패턴층으로서 구리를 포함하는 금속 패턴층과 구리 질화물을 포함하는 금속 질화물 패턴층을 함께 구비하여, 상기 금속 패턴층의 산화나 부식을 방지할 수 있다. 그러므로, 본 출원의 일 실시상태에 따른 전도성 필름의 전도성 패턴층은 화학적인 내구성이 우수하다. 나아가, 상기 전도성 패턴층은 투명 전극층에 대한 부착력도 우수하고, 표면 강도도 높아져서 기계적인 물성도 우수한 장점이 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층이 상기 금속 질화물 패턴층만 포함하는 경우에 비하여, 상기 금속 패턴층을 더 포함하는 경우 전기 전도도가 더 우수할 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 투명 전극층의 상부에 상기 금속 패턴층이 구비되고, 상기 금속 패턴층의 상부에 상기 금속 질화물 패턴층이 구비되는 구조의 경우 화학적인 내구성 면에서 더 유리하다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 면저항은 0.5 Ω/square 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름은 면저항은 0.2 Ω/square 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 면저항은 상기 전도성 필름의 면저항과 동일한 범위 내일 수 있다.
본 출원에 따른 전도성 필름을 터치 패널 센서, 또는 디스플레이 장치의 베젤부에 적용되는 배선부의 전도성 라인 등에 적용할 수 있다. 최근 터치센서 모듈이 대형화되며, 베젤부의 폭이 좁아지는 경향이 있으므로, 보다 미세하고 전도도가 높은 전도성 패턴층이 필요한 실정이다. 그러므로, 상기 전도성 필름 또는 전도성 패턴층의 면저항이 상기 범위를 만족하는 경우, 상기 전도성 필름을 소자에 적용하는 경우, 우수한 효력을 발휘할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름은 85 ℃ 이상의 온도와 85 % 이상의 상대습도의 조건에서 7일 이상 경과하더라도 면저항값이 20% 미만의 변화를 나타낼 수 있다. 더욱 구체적으로 상기 조건에서 면저항 값이 15% 이하의 변화를 나타낼 수 있다.
구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 R/R0는 1.2 이하, 더욱 구체적으로 R/R0는 1.15 이하일 수 있다. 이때, R0은 85 ℃ 온도와 85 % 상대습도에서의 초기 면저항 값이고, R은 85 ℃ 온도와 85 % 상대습도에서 7일 이상 경과한 후의 면저항값이다.
구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름 및/또는 상기 전도성 패턴층은 85 ℃ 온도와 85 % 상대습도에서 7일 이상 경과하는 조건에도 불구하고, 면저항값이 크게 변하지 않을 수 있다. 이는 상기 금속 패턴층이 금속 질화물 패턴층만으로 이루어진 경우, 또는 상기 금속 패턴층이 금속 질화물 패턴층 및 금속 패턴층을 모두 포함하는 경우에 적용이 가능하다. 나아가, 상기 금속 패턴층이 금속 질화물 패턴층 및 금속 패턴층을 모두 포함하는 경우, 상기 금속 질화물 패턴층은 상기 금속 패턴층의 산화를 방지하여, 상기 금속 패턴층의 면저항 값의 저하를 최소화할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층이 상기 금속 질화물 패턴층 및 상기 금속 패턴층을 포함하는 경우, 상기 전도성 패턴층은 150 ℃의 분위기에서 30분 경과시 상기 전도성 패턴층의 면저항 증가율은 10 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기와 같은 조건은 투명 전극층이 ITO 필름인 경우, 투명 전극층을 결정화하는 과정과 동일할 수 있으며, 이와 같은 조건 하에서 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층에 의하여 산화가 억제되어 상기 금속 패턴층의 면저항 값은 크게 저하되지 않을 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층의 두께는 20 nm 이상 160 nm 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층이 상기 금속 질화물 패턴층만을 포함하는 경우, 상기 금속 질화물 패턴층은 전도도를 확보하기 위하여 두께를 60 nm 이상, 구체적으로 80 nm 이상일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층의 두께는 상기 금속 패턴층이 포함되지 않는 경우일 수 있다. 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름의 면저항 값이 0.5 Ω/square 이하일 때, 상기 금속 질화물 패턴층의 두께는 60 nm 이상 160 nm 이하인 것이 적정 수준의 면저항 특성을 확보할 수 있고, 가시광선 영역에서 광학 특성을 확보하기에 바람직하다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름의 면저항 값이 0.4 Ω/square일 때, 상기 금속 질화물 패턴층의 두께는 80 nm 이상 120 nm 이하인 것이 광학 특성과 저항 특성을 확보하기에 더욱 바람직하다.
또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층이 상기 금속 질화물 패턴층과 상기 금속 패턴층을 포함하는 경우, 상기 금속 질화물 패턴층은 20 nm 이상 80 nm 이하일 수 있다. 이는 상기 금속 패턴층의 전도도가 상기 금속 질화물 패턴층의 전도도보다 높기 때문에, 상기 금속 질화물 패턴층은 전도도를 확보하는 역할보다는 상기 금속 패턴층의 내부식성을 확보하기 위한 역할이 더 크기 때문이다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층과 상기 금속 질화물 패턴층의 두께비는 1:0.2 이상 1:0.5 이하일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 금속 패턴층은 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있다. 그러므로, 100 nm 이상의 두께인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전도성 필름을 터치 패널 등의 내로우 베젤(narrow bezel) 용도로 사용할 경우에도, 상기 금속 패턴층의 두께는 100 nm 이상인 것이 바람직하다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층의 두께가 20 nm 이상이면, 상기 금속 패턴층의 부식을 방지하는 효과가 좋고, 균일한 선폭 및 두께의 전도성 패턴층을 형성하기에 용이하다. 또한, 상기 금속 질화물 패턴층의 두께가 80 nm 이하, 구체적으로 50 nm 이하이면 상기 전도성 필름의 광투과도가 우수하고, 상기 전도성 패턴층의 전기적 특성도 확보할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층 및/또는 상기 금속 질화물 패턴층을 포함하는 전도성 패턴층은 미세 선폭의 패턴으로 구현될 수 있으므로, 상기 전도성 필름의 개구율을 높일 수 있는 장점이 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름의 개구율은 70 % 이상, 더욱 구체적으로 80 % 이상일 수 있고, 100 % 미만일 수 있다. 상기 개구율이란 전체 상기 전도성 패턴층의 구비된 상기 투명 전극층의 일면의 총면적에 대한 상기 전도성 패턴층을 제외한 영역의 백분율 값을 의미할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름의 가시광선 영역에서의 투과도는 70 % 이상, 또는 80 % 이상 또는 90 % 이상, 92% 이상일 수 있다. 상기 전도성 필름의 탁도(haze) 값은 6 % 이하, 또는 5 % 이하, 4 % 이하일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭은 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭이 0.1 ㎛ 미만이면 패턴의 구현이 어려울 수 있고, 100 ㎛초과이면 폭이 좁은 베젤부에 적용하거나, 화면을 고해상도로 만들기 위해 채널 수를 늘리기에 어려움이 있다. 상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭이 30 ㎛ 이하인 것이 폭이 좁은 베젤부에서 채널 수를 늘릴 수 있어서 화면의 대형화 및 고해상도화에 유리하다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 패턴의 선간격은 0.1 ㎛ 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 패턴의 선간격은 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.
본 명세서에서 상기 "패턴의 선간격"은 패턴과 패턴 사이의 간격을 의미한다. 구체적으로, 패턴을 형성하는 라인과 라인간의 간격을 의미할 수 있다. 도 3의 b로 표시된 부분이 패턴의 선간격을 나타낸 예시이다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층의 상기 금속 패턴층과 상기 금속 질화물 패턴층의 선폭은 완전히 동일할 필요는 없으며, 상기 금속 패턴층 패턴의 선폭이 상기 금속 질화물 패턴층 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 출원의 범위에 포함된다.
구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 상면 또는 하면 상에 구비되고, 상기 금속 패턴층의 패턴의 선폭은 상기 금속 질화물의 패턴의 선폭에 대하여 80 % 내지 120 % 일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 상면 또는 하면 상에 구비되고, 상기 금속 질화물 패턴층이 형성하는 패턴의 선폭은 상기 금속 패턴층의 패턴의 선폭과 동일하거나 더 큰 것일 수 있다. 상기 금속 질화물 패턴층 패턴의 선폭이 상기 금속 패턴층 패턴의 선폭과 동일하거나 그보다 큰 경우, 상기 금속 패턴층의 산화나 부식 방지의 효과를 높일 수 있다. 또한, 상기 금속 질화물 패턴층 패턴의 선폭이 상기 금속 패턴층 패턴의 선폭과 동일하거나 더 큰 경우, 금속 패턴층에 의한 눈부심 효화를 방지하는 효과가 있을 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에서, 상기 전도성 패턴층은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 패턴층은 전도성층의 패터닝 과정을 통하여 상기 투명 전극 상에서 패턴을 형성하며 구비될 수 있다.
구체적으로, 상기 패턴은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원형 또는 무정형의 형태가 될 수 있다. 상기 삼각형은 정삼각형 또는 직각삼각형 등이 될 수 있고, 상기 사각형은 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이 될 수 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 출원에서 불규칙 패턴을 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 상기 금속 질화물 패턴층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 투명 전극층의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 투명 전극층의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 투명 전극층은 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있으므로, 100 nm 이상의 두께인 것이 바람직하다. 또한, 터치 패널 등에 적용시에 내로우 베젤(narrow bezel) 용도로 사용할 경우에도 상기 투명 전극층의 두께는 100 nm 이상인 것이 바람직하다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 투명 전극층은 금속 산화물 또는 전도성 고분자를 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 산화물은 산화인듐주석(ITO), 산화인듐갈륨아연(IGZO), 갈륨이 도핑된 산화아연(GZO), 인듐이 도핑된 산화아연(IZO) 및 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 상기 전도성 고분자는 PEDOT:PSS일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 기재는 투명 기재이면 어느 것이든 무방하며, 예를 들어, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층은 디스플레이 장치의 베젤용 배선일 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 필름은 디스플레이 장치의 전극으로 사용할 수 있으며, 상기 전도성 패턴층이 포함되는 영역은 상기 디스플레이의 베젤 영역의 배선부일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 필름은 터치 패널 센서 전극용으로 사용될 수 있다. 상기 터치 패널은 저항막 방식, 정전 용량 방식 및 전자 유도 방식을 모두 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태는 상기 전도성 필름의 제조방법을 제공한다.
구체적으로, 본 출원의 하나의 실시상태는 기재를 준비하는 단계; 상기 기재 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 투명 전극층 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층을 포함하는 전도성 필름의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 투명 전극층 상에 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물 패턴층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 금속 질화물 패턴층의 적어도 일 면 상에 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물 패턴층을 형성하는 단계는 증착법을 이용하여 금속 질화물층을 형성한 후 이를 패터닝하는 것일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 금속 질화물층을 형성하는 단계는 N2의 분위기에서 소스 금속으로 Cu를 증착하는 것일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 증착을 이용하여 상기 금속 질화물층을 형성하는 경우, 상기 금속 질화물층의 Cu 및 N의 질량비는 하기 표 1과 같을 수 있다.
| N2 분압 | N 함량 | Cu 함량 | N/Cu (%) |
| 15 | 4.8 | 89.9 | 5.34 |
| 40 | 7.2 | 87.5 | 8.23 |
| 60 | 7.7 | 87.3 | 8.82 |
| 80 | 7.9 | 88.3 | 8.95 |
| 100 | 7.9 | 89.3 | 8.85 |
상기 표 1의 결과에서, N 및 Cu 외에 공정상 산소와 같은 일부 불순물이 더 포함될 수 있으나, 이는 상기 금속 질화물 패턴층의 성능에는 영향을 미치지 않는다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 제조방법에 있어서, 상기 전도성층은 상기 금속 질화물층의 상면 또는 하면 상에 구비되는 Cu를 포함하는 금속층을 더 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성층은 상기 금속 질화물층의 상면 또는 하면 상에 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 투명 전극층 상에 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물층을 포함하는 전도성층을 형성한 후, 상기 전도성층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성층을 형성하는 단계는 상기 투명 전극층 상에 상기 금속 질화물층을 형성하고, 상기 금속 질화물층 상에 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 형성하는 것일 수 있다. 또한, 본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성층을 형성하는 단계는 상기 투명 전극층 상에 Cu를 포함하는 금속층을 형성하고, 상기 금속층 상에 상기 금속 질화물층을 형성하는 것일 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성층을 패터닝하는 단계는 상기 금속 질화물층 및 상기 금속층을 동시에 패터닝하는 것일 수 있다.
구체적으로, 상기 전도성층을 패터닝하는 단계는 상기 금속 질화물층 및 상기 금속층을 에칭액을 이용하여 일괄 에칭하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속 질화물층 및 상기 금속층의 일괄 에칭은 Cu 에천트를 사용할 수 있다.
50 nm 및 100 nm 두께의 상기 금속 질화물층을 40 ℃ 분위기에서 질산 베이스의 Cu 에천트에 대한 에칭 테스트 결과는 하기 표 2와 같다.
| N/Cu (%) | 50 nm | 100 nm |
| 5.34 | 7 sec | 10 sec |
| 8.23 | 9 sec | 13 sec |
| 8.82 | 9 sec | 13 sec |
| 8.95 | 20 sec | 23 sec |
| 8.85 | 20 sec | 24 sec |
상기 표 2의 결과에서 알 수 있듯이, 상기 금속 질화물층은 Cu 에천트에 의하여 에칭이 가능하므로, Cu를 주성분으로 하는 금속층과 일괄 에칭이 가능하다.
상기 전도성층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 금속 질화물층 및/또는 상기 금속층을 형성하는 방법은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있고, 구체적으로는 증착 방법에 의해 형성할 수 있다.
상기 금속 질화물 패턴층의 형성 및/또는 금속 패턴층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 패턴층을 직접 인쇄하는 방법을 사용할 수 있다. 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 전도성 재료의 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 전도성 재료 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.
상기 전도성층을 패터닝하는 것은 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다. 상기 에칭 레지스트는 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 건식 필름 레지스트 방법, 습식 레지스트 방법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 수 있으며, 건식 필름 레지스트 방법이 더욱 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 전도성층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따르면, 상기 전도성층을 패터닝하는 단계는 화학적 에칭법을 이용하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성층 상에 에칭 레지스트 및 에칭액을 이용하여 상기 전도성층을 식각할 수 있다. 나아가, 상기 화학적 에칭법을 이용하여 상기 전도성층을 에칭하는 경우, 상기 금속층보다 내식성이 강한 상기 금속 질화물층은 식각 속도가 상기 금속층보다 느리다. 그러므로, 상기 금속 질화물 패턴층의 패턴의 선폭은 상기 금속 패턴층의 패턴의 선폭보다 더 클 수 있으며, 이는 금속 패턴층에 의한 시안성 저하를 방지할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태는 상기 전도성 필름을 포함하는 터치 패널을 제공한다. 터치 패널에서 상기 전도성 필름은 베젤부의 센서 전극으로 사용될 수 있다. 상기 터치 패널은 저항막 방식, 정전 용량 방식 및 전자 유도 방식을 모두 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태는 상기 전도성 필름을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 터치 패널은 전술한 전도성 필름 이외에 추가의 전도성 필름을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 전도성 필름이 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 전도성 필름이 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 출원의 터치 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 전도성 필름이 동일한 구조일 필요는 없다. 또한, 2개 이상의 전도성 필름 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 전도성 필름이 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 터치 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된 전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.
이때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 출원에 따른 전도성 필름인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.
상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의 전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될 수 있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 패널은 전술한 전도성 필름 중의 금속 질화물 패턴층의 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 금속 질화물 패턴층의 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 필름을 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT) 또는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display panel, PDP)과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태에 따른 터치 패널은 상기 전도성 필름 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 출원의 하나의 실시상태에 따른 전도성 필름이 사용될 수 있다.
본 출원의 하나의 실시상태는 상기 전도성 필름을 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공수송층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 하나의 실시상태에 따는 전도성 필름은 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 필름은 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.
이하, 본 출원을 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 출원에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 출원을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<실시예 1>
PET 기재 위에 100nm 두께의 ITO 필름을 증착하고, 그 위에 R2R 스퍼터를 사용하여 5m torr의 공정압에서 Cu를 이용하여 금속층을 100nm로 형성하고, CuNx(x<0.1) 의 금속 질화물층을 20nm로 형성하였다. 이후, 상기 금속층과 상기 금속 질화물층을 Cu 에천트를 이용하여 일괄 에칭하여 ITO 필름 상에 전도성 패턴층이 구비된 전도성 필름을 제조하였다.
이 때, 상기 전도성 패턴층의 면저항은 0.25 Ω/square 이하로 측정되었다.
<비교예 1>
PET 기재 위에 100 nm 두께의 ITO 필름을 증착하고, 그 위에 R2R 스퍼터를 사용하여 5m torr의 공정압에서 Cu를 이용하여 금속층을 100nm로 형성하고, 실시예 1과 같이 상기 금속층을 에칭하여 전도성 패턴층이 구비된 전도성 필름을 제조하였다.
<실험예 1>
상기 실시예 1 및 비교예 1에 따른 전도성 필름의 전도성 패턴층의 면저항을 정규화하여 1로 정하고, 85℃ 와 상대습도 85%로 조건을 설정하여 시간에 따른 전도성 패턴층의 면저항의 변화값을 측정하였다. 그리고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 시간 (hr) | Cu | CuNx(x<0.1) |
| 0 | 1 | 1 |
| 24 | 1.136 | - |
| 48 | 1.114 | |
| 72 | 1.153 | |
| 144 | 1.203 | |
| 168 | 1.216 | |
| 192 | 1.322 | |
| 210 | 1.335 | 1.121 |
상기 표 3의 결과를 보면 실시예 1의 전도성 패턴층의 경우 고온 고습 조건에서도 9일이 경과한 이후 면저항의 변화값이 12.1 %에 불과하나, 비교예 1의 전도성 패턴층의 경우 6일이 경과한 이후부터 면저항의 변화값이 20 %를 넘음을 확인할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 출원의 실시예를 설명하였으나, 본 출원은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 출원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기재
200: 투명 전극층
300: 금속 질화물층
301: 금속 질화물 패턴층
400: 금속층
401: 금속 패턴층
200: 투명 전극층
300: 금속 질화물층
301: 금속 질화물 패턴층
400: 금속층
401: 금속 패턴층
Claims (30)
- 기재; 상기 기재 상에 구비된 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 구비된 전도성 패턴층을 포함하고,
상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)을 포함하는 금속 질화물 패턴층을 포함하며,
상기 금속 질화물 패턴층의 두께는 80nm 내지 120nm이고,
상기 전도성 패턴층의 면저항은 0.5 Ω/square 이하이고,
상기 전도성 패턴층의 R/R0가 1.2 이하이며,
상기 투명 전극층의 두께는 100 nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 필름:
(R0은 85 ℃ 온도와 85 % 상대습도에서의 초기 면저항 값이고, R은 85 ℃ 온도와 85 % 상대습도에서 7일 이상 경과한 후의 면저항값이다.) - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 패턴층은 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 더 포함하고,
상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 적어도 일면 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 2에 있어서,
상기 금속 패턴층은 상기 투명 전극층과 상기 금속 질화물 패턴층 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 2에 있어서,
상기 금속 질화물 패턴층은 상기 투명 전극층과 상기 금속 패턴층 사이에 구비되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 1에 있어서,
상기 금속 질화물 패턴층은 산소 원자를 더 포함하고, 상기 산소 원자의 함량은 CuNx 내의 Cu의 질량에 대하여 3 % 이상 6 % 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 삭제
- 삭제
- 청구항 2에 있어서,
상기 전도성 패턴층은 150 ℃의 분위기에서 30분 경과시 상기 전도성 패턴층의 면저항 증가율은 10 % 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 삭제
- 청구항 2에 있어서,
상기 금속 패턴층과 상기 금속 질화물 패턴층의 두께비는 1:0.2 이상 1:0.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 2에 있어서,
상기 금속 패턴층의 두께는 100 nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 패턴층의 패턴의 선폭은 10 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 2에 있어서,
상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 상면 또는 하면 상에 구비되고,
상기 금속 패턴층의 패턴의 선폭은 상기 금속 질화물의 패턴의 선폭에 대하여 80 % 내지 120 % 인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 2에 있어서,
상기 금속 패턴층은 상기 금속 질화물 패턴층의 상면 또는 하면 상에 구비되고,
상기 금속 질화물 패턴층이 형성하는 패턴의 선폭은 상기 금속 패턴층의 패턴의 선폭과 동일하거나 더 큰 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 패턴층의 패턴의 선간격은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 1에 있어서,
상기 전도성 패턴층의 패턴의 선간격은 10 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 1에 있어서,
상기 투명 전극층은 금속 산화물 또는 전도성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 19에 있어서,
상기 금속 산화물은 산화인듐주석(ITO), 산화인듐갈륨아연(IGZO), 갈륨이 도핑된 산화아연(GZO), 인듐이 도핑된 산화아연(IZO) 및 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 필름. - 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 패턴층은 디스플레이 장치의 베젤용 배선인 것을 특징으로 하는 전도성 필름.
- 기재를 준비하는 단계;
상기 기재 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 투명 전극층 상에 전도성 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 전도성 패턴층은 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하며, 두께가 80nm 내지 120nm인 금속 질화물 패턴층을 포함하고,
상기 투명 전극층의 두께는 100 nm 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법. - 청구항 22에 있어서,
상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 금속 질화물 패턴층의 적어도 일 면 상에 Cu를 포함하는 금속 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법. - 청구항 22에 있어서,
상기 전도성 패턴층을 형성하는 단계는 상기 투명 전극층 상에 CuNx(0<x≤0.1, x는 Cu 질량에 대한 N의 질량비)를 포함하는 금속 질화물층을 포함하는 전도성층을 형성한 후, 상기 전도성층을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법. - 청구항 24에 있어서,
상기 전도성층은 상기 금속 질화물층의 상면 또는 하면 상에 구비되는 Cu를 포함하는 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법. - 청구항 25에 있어서,
상기 전도성층을 패터닝하는 단계는 상기 금속 질화물층 및 상기 금속층을 동시에 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법. - 청구항 26에 있어서,
상기 전도성층을 패터닝하는 단계는 상기 금속 질화물층 및 상기 금속층을 에칭액을 이용하여 일괄 에칭하는 것을 특징으로 하는 전도성 필름의 제조방법. - 청구항 1 내지 청구항 5, 청구항 8, 청구항 10, 청구항 11, 청구항 13 내지 청구항 21 중 어느 한 항의 전도성 필름을 포함하는 디스플레이 장치.
- 청구항 1 내지 청구항 5, 청구항 8, 청구항 10, 청구항 11, 청구항 13 내지 청구항 21 중 어느 한 항의 전도성 필름을 포함하는 터치 패널.
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130129992 | 2013-10-30 | ||
| KR20130129992 | 2013-10-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150050475A KR20150050475A (ko) | 2015-05-08 |
| KR101711260B1 true KR101711260B1 (ko) | 2017-03-02 |
Family
ID=53004567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140149029A KR101711260B1 (ko) | 2013-10-30 | 2014-10-30 | 전도성 필름, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 디스플레이 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9736937B2 (ko) |
| EP (1) | EP2908227B1 (ko) |
| KR (1) | KR101711260B1 (ko) |
| CN (1) | CN104854542B (ko) |
| TW (1) | TWI550463B (ko) |
| WO (1) | WO2015065055A1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102355326B1 (ko) * | 2014-07-24 | 2022-01-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 패널 및 그 제조방법 |
| CN106201042B (zh) * | 2015-05-08 | 2019-05-31 | 群创光电股份有限公司 | 触控面板及其应用 |
| KR101977852B1 (ko) | 2015-06-03 | 2019-05-13 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 구조체 및 이의 제조방법 |
| KR101980728B1 (ko) * | 2015-07-14 | 2019-05-21 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 구조체, 이의 제조방법, 이를 포함하는 터치패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
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-
2014
- 2014-10-30 US US14/443,213 patent/US9736937B2/en active Active
- 2014-10-30 KR KR1020140149029A patent/KR101711260B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-30 TW TW103137598A patent/TWI550463B/zh active
- 2014-10-30 CN CN201480003492.8A patent/CN104854542B/zh active Active
- 2014-10-30 WO PCT/KR2014/010280 patent/WO2015065055A1/ko active Application Filing
- 2014-10-30 EP EP14858277.8A patent/EP2908227B1/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI550463B (zh) | 2016-09-21 |
| WO2015065055A1 (ko) | 2015-05-07 |
| EP2908227A1 (en) | 2015-08-19 |
| US20150313013A1 (en) | 2015-10-29 |
| CN104854542A (zh) | 2015-08-19 |
| TW201530391A (zh) | 2015-08-01 |
| EP2908227A4 (en) | 2016-07-20 |
| CN104854542B (zh) | 2018-03-30 |
| KR20150050475A (ko) | 2015-05-08 |
| EP2908227B1 (en) | 2020-03-25 |
| US9736937B2 (en) | 2017-08-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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