JP2015103223A - 導電性基板、タッチパネル及び電磁波シールド - Google Patents

Abstract

【課題】黒化層の厚みを薄くしても導電層に含まれる導電性金属による光の反射を効果的に防止することができる導電性基材、及び、この導電性基材を備えるタッチパネル及び電磁波シールドを提供する。
【解決手段】透明基材２の少なくとも一方面側に薄膜形成法により成膜されるとともに所定形状にパターニングされることで形成される導電層３を備えた導電性基材１である。導電層３は、導電性金属層４と、黒化層５と、導電性金属層４と黒化層５との間に設けられ、黒化層５とは異なる材料で構成される黒化補助層６とを備える。黒化補助層６は、導電性金属層４を下側にした状態の光反射率を、所定の波長領域において、導電性金属層４の光反射率よりも低くするように構成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば静電容量式のタッチパネルや電磁波シールドなどに用いられる導電性基材に関し、透明基材に形成された金属で構成される導電層の金属光沢を抑える黒化処理技術に関する。

静電容量式タッチパネルは、透明基材と、透明基材上に形成された導電層とを備えている。導電層には、従来は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電材料が用いられていたが、ＩＴＯは抵抗率が高いため、タッチパネルが大型化すると、静電容量検出の感度が低下し、タッチパネルとして動作させることが困難になる場合がある。そこで、銅又は銅合金などの導電性金属からなる導体線を複数交差させて網目状とすることにより導電層を構成したタッチパネルが提案されている。このタッチパネルでは、導電層を網目状とすることで、導電層の光線透過率を７０％以上にしており、視認性を維持したまま低抵抗の導電層を形成している。ただし、導電層が金属光沢を有する金属を含んでいると、金属光沢による光の反射が起こり、導電層のインビジブル性（電極有無の差異が不可視）を悪化させる。よって、導体線の表面や裏面には、通常、導体線による光の反射を抑制してタッチパネルの視認性を向上させる黒化層が形成される。

例えば、特許文献１では、銅からなるリードフレーム（導電性金属層）上に約５００ｎｍ厚の酸化銅からなる黒化層が形成されており、リードフレームを酸化銅で被覆することで、可視光領域（３５０ｎｍ〜８００ｎｍ）において、リードフレームによる光反射率を抑制してタッチパネルの視認性を向上させている。

特開２００１−２１０７７６号公報

しかしながら、特許文献１のように、リードフレームを酸化銅のみで被覆すると、黒化層の厚みとして数百ｎｍ（特許文献１では５００ｎｍ）の厚みが必要となり、黒化層の厚みが厚くなりすぎるという問題がある。黒化層の厚みが厚くなりすぎると、生産性において不利であるという問題がある。

本発明は、上記問題に着目してなされたもので、黒化層の厚みを薄くしても導電層に含まれる導電性金属による光の反射を効果的に防止することができる導電性基材、及び、この導電性基材を備えるタッチパネル及び電磁波シールドを提供することを目的とする。

本発明の上記目的は、透明基材の少なくとも一方面側に薄膜形成法により成膜されるとともに所定形状にパターニングされることで形成される導電層を備えた導電性基材であって、前記導電層は、導電性金属層と、黒化層と、前記導電性金属層と前記黒化層との間に設けられ、前記黒化層とは異なる材料で構成される黒化補助層とを備え、前記黒化補助層は、前記導電性金属層を下側にした状態の光反射率を、所定の波長領域において、前記導電性金属層の光反射率よりも低くするように構成される導電性基材によって達成される。

上記構成の導電性基材においては、前記導電性金属層は、銅又は銅合金により構成され、前記黒化補助層は、前記導電性金属層を下側にした状態の光反射率を、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、前記導電性金属層の光反射率よりも低くするように構成されることが好ましい。

また、前記黒化補助層は、前記導電性金属層を下側にした状態の光反射率を、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、７０％以下とするように構成されることが好ましい。

また、前記黒化補助層は、ニッケル単体、ニッケル合金、ニッケル化合物又は窒化銅を含む材料から構成されることが好ましい。

また、前記黒化補助層は、ニッケル銅合金を含む材料から構成されることが好ましい。

また、前記黒化層は、酸化銅又は窒化銅を含む材料から構成されることが好ましい。

また、前記黒化補助層及び前記黒化層の厚みの合計が、１００ｎｍ以下であることが好ましい。

また、前記導電性金属層は、複数の導体線を網目状に交差させることで形成されることが好ましい。

また、本発明の上記目的は、上記構成の導電性基材を備えるタッチパネルによっても達成される。

また、本発明の上記目的は、上記構成の導電性基材を備える電磁波シールドによっても達成される。

本発明の導電性基材によれば、黒化層の厚みを薄くしても導電層に含まれる導電性金属による光の反射を効果的に防止することができる。

本発明の一実施形態に係る導電性基材の平面図である。 図１の断面図である。 図１の変形例の断面図である。 本発明の他の実施形態に係る導電性基材の平面図である。 本発明の他の実施形態に係る導電性基材の平面図である。 参考例の光反射率の測定結果を示すグラフである。 本発明の他の実施形態に係る導電性基材の平面図である。 実施例及び比較例の光反射率の測定結果を示すグラフである。 実施例１の黒化補助層の厚みを変化させたときの光反射率の測定結果を示すグラフである。

以下、本発明の実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面は、構成の理解を容易にするため、実寸比ではなく部分的に拡大又は縮小されている。

図１及び図２は、本発明の一実施形態に係る導電性基材１の平面図及び断面図である。本実施形態に係る導電性基材１は、例えば、銀行端末（キャッシュディスペンサー）、券売機、携帯電話、スマートフォン、タブレットデバイス、ノート型パソコン、ディスプレイ一体型パソコン、カーナビゲーションシステム、ゲーム機器、ＰＯＳ端末などの表示装置に取り付けられて使用される静電容量式のタッチパネルを構成するものであり、透明な透明基材２と、透明基材２の一方面側に形成された導電層３とを備えている。

透明基材２は、透明性の高い透明材料からなることが好ましく、例えば、ガラス、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンナフタレートなどの透明材料が挙げられる。ガラスであれば、厚みは０．１ｍｍ〜３ｍｍ程度が好ましく、プラスチックフィルムであれば、厚みは１０μｍ〜２０００μｍ程度が好ましい。また、これらの材料を多層に積層してもよい。また、透明基材２の表面に、表面保護のためのハードコート層や、反射防止層、防汚層、アンチブロッキング層、受容層などの機能層を設けたり、プラズマ処理などを施したりしてもよい。

導電層３は、導電性金属層４と、黒化層５と、黒化補助層６とを備えており、本実施形態では、透明基材２の一方面側から、導電性金属層４、黒化補助層６、黒化層５の順に積層されている。なお、図３に示すように、透明基材２の他方面側に、黒化層５、黒化補助層６、導電性金属層４の順に積層されていてもよく、使用者が視認する方向から順に、黒化層５、黒化補助層６、導電性金属層４の順に配置されている。

導電性金属層４は、複数の帯状の電極部７により構成されている。複数の電極部７は、第１方向（図示例では縦のＹ方向）に延びるとともに、第１方向と略直交する第２方向（図示例では横のＸ方向）に所定間隔をあけて配置されており、隣接する電極部７間は電気的に絶縁されている。各電極部７には配線部８が接続されている。各配線部８は、透明基材２の端縁まで延びており、その先端部が静電容量検出回路（図示省略）に接続されている。各配線部８は、電極部７と一緒に後述する方法で透明基材２に形成してもよいし、電極部７を形成した後、公知の印刷方法を用いて透明基材２に形成してもよいが、各配線部８を、電極部７と同じ材料で一括して透明基材２に形成すれば、効率よく形成することが可能である。

タッチパネルは、透明基材２の一方面側に複数列の電極部７が形成された上記構成の２枚の導電性基材１を、電極部７が対向するとともに、電極部７が交差する向きとなる（つまり、一方の導電性基材１の電極部７が上下方向に延びかつ他方の導電性基材１の電極部７が左右方向に延びる）ようにして重ね合わせ、粘着層を介して貼着することで構成される。

なお、タッチパネルを構成する導電性基材１は、上記構成のものに限られるものではなく、透明基材２の一方面側に第１電極として縦方向に延びる電極部７を複数並列に配置するとともに、透明基材２の他方面側に第２電極として横方向に延びる電極部７を複数並列に配置して第１電極の電極部７と交差させた導電性基材１によりタッチパネルを構成してもよい。さらに、透明基材２の一方面側に第１電極として縦方向に延びる電極部７を複数並列に配置するとともに、第２電極として横方向に延びる電極部７を複数並列に配置して第１電極の電極部７と交差させた導電性基材１によりタッチパネルを構成してもよい。なお、この場合には、縦方向に延びる電極部７と、横方向に延びる電極部７とが交差する部分については絶縁層を両者の間に介在させることで、両者を絶縁する。絶縁層は、透明でかつ導電性がない絶縁材料であれば、材料は特に限定されない。当該構成の導電性基材１によれば、粘着層を介して２枚の導電性基材１を貼り合わせる必要が無くなるので、タッチパネルの製造上の作業性を高めることができる。

電極部７は、本実施形態では、第１方向（縦方向）に並ぶ複数のセル７０と、隣接するセル７０同士を電気的に接続する接続線７１とを備えた構成のものである。複数のセル７０は、導電性を有する金属からなる導体線Ｌを複数交差させることによって網目状に形成されている。これにより、電極部７に多数の開口を存在させて電極部７の光透過性を向上させている。各セル７０の外形は菱形状に形成されているが、指などの接触ポイントを検出可能である限り、菱形状に限られることなく任意の形状とすることができる。接続線７１は、導体線Ｌと同じ金属又は異なる金属で形成されていてもよいが、導体線Ｌと同じ金属で一体に透明基材２に形成すれば、効率よく形成することが可能であるので好ましい。接続線７１は、隣り合うセル７０の間に１本又は複数本設けられていてもよく、接続線７１の形状は、一方向に延びる直線的な形状であってもよいし、１箇所又は複数箇所で屈曲した形状（Ｌ字状、ジグザグ状など）であってもよい。ただし、接続線７１の形状及び本数を適宜設定することで、タッチパネルの構成時に縦方向に延びる電極部７と横方向に延びる電極部７とを交差させた際に、２つの電極部７の交差部分が接続線７１同士により見かけ上網目に形成されるようにするのが好ましい。これにより、この交差部分の網目が各電極部７のセル７０の網目と一様に並べられ、透明基材２の一方面側から見た電極部７の全体的な形状を均一な網目状パターンとすることができるので、電極部７のパターン形状を目立ちにくくすることができ、その結果、タッチパネルの視認性を向上させることができる。なお、網目状とは、導体線Ｌや接続線７１などの線と線とが見かけ上も含め交点を有するように交差していることに加えて、線が交わる部分において少なくとも一方の線が断続しているために線と線とが交点を有さないが交差していることも含んでいる。

導体線Ｌ及び接続線７１の線幅は、例えば１μｍ〜５０μｍ程度であり、好ましくは１μｍ〜２５μｍ程度であり、より好ましくは１μｍ〜１０μｍ程度である。また、導体線Ｌのピッチは、例えば１００μｍ〜１０００μｍ程度である。また、導体線Ｌ及び接続線７１の厚み（導電性金属層４の厚み）は、例えば０．０１μｍ〜１０μｍ程度であり、好ましくは０．０５μｍ〜５μｍ程度である。

なお、電極部７のパターン形状は、所定形状を有する複数のセル７０が接続線７１により連結された形状だけでなく、図４に示すような矩形状であってもよい。また、電極部７は、必ずしも複数の導体線Ｌによって網目状に形成されている必要はなく、図５に示すように、単に縦方向（Ｘ方向）に延びる導体線Ｌを横方向（Ｙ方向）に並べた構成のものであっても構わない。図５では、導体線５が鋸の歯のような形のジグザグ状（鋸歯状）に形成されているが、真っ直ぐな直線状で形成されていても構わない。また、図１，４，５では、電極部７を導体線Ｌにより形成しているが、電極部７を金属薄膜で形成してもよい。

導電性金属層４は、種々の金属で形成することができ、例えば、銅、金、銀、アルミニウムなどの金属やこれらの合金を挙げることができる。なお、本実施形態では、導電性金属層４は、銅により構成されている。

導電性金属層４は、透明基材２の一方面に金属を薄膜状に成膜した後、成膜された金属薄膜を所定形状にパターンニングすることで形成される。この金属を成膜する方法は、真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法、などの公知の薄膜形成法が用いられる。また、透明基材２の一方面に成膜された金属薄膜をパターニングする方法は限定されないが、例えば、フォトリソグラフィを用いることができる。フォトリソグラフィは、例えば、金属薄膜の表面に感光性ポジ型（ＵＶ照射によって分解するタイプ）レジストを薄く塗布し加熱した後、レジストの塗布面にパターンマスクを配置し、その上から紫外線を所定時間照射して露光することで、露光された部分と露光されていない部分からなるパターンを作製する。そして、現像液を用いて未露光の部分のレジストを除去してレジストパターンを形成し、金属薄膜の露出部分に対してエッチングを行って透明基材２上から除去し、透明基材２上に導体線Ｌ及び接続線７１の配線パターンを形成する。その後、金属薄膜上の余分なレジストを除去することで、導体線Ｌ及び接続線７１が形成される。エッチングは、酸や酸化剤などによる湿式エッチング、又は、レーザーアブレーションや腐食性ガスを用いた乾式エッチングで行われる。なお、このパターニングは、透明基材２の一方面に、導電性金属層４、黒化補助層６及び黒化層５を構成する材料を、上述した薄膜形成法でそれぞれ薄膜状に成膜して積層させた後、この３層積層体に対して行われる。

黒化層５は、導電性金属層４の表面に黒化補助層６を介して積層される。黒化層５は、タッチパネルをディスプレイの前面に備えて用いる際に、可視光領域（３５０ｎｍ〜８００ｎｍ）の光を吸収して導電性金属層４での光の反射を抑制することにより、透明基材２上の導電性金属層４のインビジブル性（電極有無の差異が不可視）を悪化させる金属光沢を抑制する。その結果、ディスプレイの画像コントラストが向上し、視認性を向上することができる。このように、導電性金属層４に対して黒化層５を設けて、可視光領域における光反射率を４０％以下、好ましくは３０％以下、さらに好ましくは２０％以下にすることで、導電性金属層４が目立ってタッチパネルの視認性を低下させることを防止できる。

黒化層５は、黒色などの光反射率が低くかつ光を吸収可能な暗色を有する材料で構成されており、例えば銅や銀などの金属を黒化処理することで形成される。黒化処理としては、例えば、酸化や窒化などが用いられ、黒化層５を構成する材料としては、例えば、酸化銅や窒化銅、酸化銀など、金属酸化物や金属窒化物を挙げることができる。この黒化層５は、上記薄膜形成法により形成する際に、酸素や窒素などのガスをチャンバー内に流し、金属を酸化や窒化などにより金属化合物にして透明基材２の一方面に堆積させることで、黒色などの暗色を有する黒化層５を形成することができる。本実施形態のように、導電性金属層４が銅又は銅合金から構成される場合には、銅を酸化又は窒化させて酸化銅又は窒化銅からなる皮膜を黒化層５として透明基材２の一方面に形成することができる。なお、本実施形態では、黒化層５は酸化銅により構成されている。このように、本実施形態では、透明基材２の一方面に、上記薄膜形成法により導電性金属層４を形成した後、そのまま同じチャンバー内で、黒化層５さらには後述する黒化補助層６を形成することができる。

黒化層５の厚みは、導電性金属層４の厚みにもよるが、例えば３ｎｍ〜１００ｎｍ程度であり、好ましくは５ｎｍ〜８０ｎｍ程度である。

黒化補助層６は、導電性金属層４と黒化層５との間に設けられる中間層である。この黒化補助層６は、導電性金属層４の所定の波長領域における光反射率を低下させるために設けられている。つまり、黒化補助層６は、透明基材２に導電性金属層４を下側にした状態で設けた場合の光反射率を、透明基材２に導電性金属層４だけを設けた場合の光の反射率よりも、所定の波長領域において低下させる。例えば、導電性金属層４が銅により構成されている場合、図６の参考例５に示すように、銅は５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域における光反射率が約６５％〜９５％と、他の波長領域の光反射率よりも非常に高くなっている。これに対して、約５００ｎｍ厚程度の酸化銅からなる黒化層５を形成すれば、導電性電極層４の可視光領域（３５０ｎｍ〜８００ｎｍ）における光反射率を抑制できるが、酸化銅の厚みを数百ｎｍ程度に厚くして光の透過量を抑えなければ、この５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域の光について導電性金属層４の光の反射を効果的に抑制できない。そこで、本発明者は、中間層として黒化補助層６を導電性金属層４と黒化層５との間に介在させて、導電性金属層４の光反射率を制御し、導電性金属層４の所定の波長領域の光について、黒化補助層６により導電性金属層４の光反射率を低下させることで、黒化層５を数百ｎｍ程度の厚み設けなくても数十ｎｍ程度の厚み設けるだけで、光反射率を４０％以下にできることを見出し、本発明をなし得た。また、黒化補助層６により導電性金属層４の光反射率を７０％以下とすれば、黒化層５を数十ｎｍ程度の厚み設けるだけで、光反射率を３０％以下、さらには２０％以下にできることを見出した。

このような黒化補助層６を構成する材料としては、導電性金属層４の少なくとも光反射率の高い所定の波長領域において、黒化層５を構成する材料よりも光透過率が低く、かつ、導電性金属層４を構成する金属よりも光反射率が低い材料を挙げることができる。例えば、導電性金属層４が銅により構成されている場合には、ニッケルは、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域における光反射率が銅よりも低く、また光透過率も低い。そのため、黒化補助層６を構成する材料としては、ニッケル単体、ニッケル銅やニッケル銅チタンなどのニッケル合金、酸化ニッケルなどのニッケル化合物を好ましく例示できる。その他、窒化銅を好ましく例示することができる。この中でも、酸化しにくいものが好ましい。あるいは、導電性金属層４、黒化補助層６及び黒化層５を構成する材料を薄膜形成法で透明基材２の一方面に順次成膜した後に行われるパターニングの際のエッチングを想定すれば、ニッケル銅などのニッケル銅合金で構成されることが好ましい。なお、ニッケル銅などのニッケル銅合金は防錆作用を有し、黒化補助層６が導電性金属層４の防錆層としても働くのでさらに好ましい。あるいは、酸化ニッケルなどの無彩色（例えば灰色）のものが好ましい。黒化補助層６は、上記薄膜形成法により導電性金属層４上に薄膜状に成膜された後、導電性金属層４及び黒化層５とともに所定形状にパターンニングされることで形成される。

図６の参考例１〜４は、ＰＥＴフィルム（東洋紡社製Ａ４１００）からなる透明基材２上に、スパッタリング法にて、導電性金属層４として銅（厚み：１００ｎｍ）を形成した後、導電性金属層４上に、黒化補助層６としてそれぞれニッケル銅（厚み：２０ｎｍ）、ニッケル単体（厚み：２０ｎｍ）、ニッケル銅チタン（厚み：２０ｎｍ）、窒化銅（厚み：２０ｎｍ）を形成したものについて、可視光領域における光反射率の測定を行った。また、図６の参考例５は、ＰＥＴフィルムからなる透明基材２上に、スパッタリング法にて、導電性金属層４として銅（厚み：１００ｎｍ）を形成したものについて、可視光領域における光反射率の測定を行った結果である。図６の参考例５に示すように、導電性金属層４（銅）単体だと、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域における光反射率が他の波長領域の光反射率よりも非常に高くなっているのに対して、図６の参考例１〜４に示すように、導電性金属層４（銅）に対して黒化補助層６を積層させたものでは、黒化補助層６を２０ｎｍ積層させただけで、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域における光反射率が導電性金属層４（銅）単体の場合よりも大幅に低下し、導電性金属層４（銅）の可視光領域全体において光反射率をある程度（好ましくは７０％以下）まで抑制できることが確認できる。導電性金属層４（銅）の可視光領域全体における光反射率が低ければ、黒化層５の厚みを厚くし過ぎなくても、数十ｎｍ程度の厚みとするだけで、導電性金属層４（銅）の可視光領域全体における光反射率を良好に低下させることができる。よって、本発明では、黒化補助層６を介在させるだけで、黒化層５の厚みを薄くしても導電層３に含まれる導電性金属４による光の反射を効果的に防止することが可能である。

また、黒化層５を構成する酸化銅（ＣｕｘＯ）は、導電性金属層４を構成する銅と接触していると、赤色のＣｕ_２Ｏに変化しやすく、その結果、黒化層５の色味が変化するおそれがあるが、黒化補助層６が導電性金属層４と黒化層５との間に介在していることで、黒化層５の色味の変化も防止できるようにもなっている。

黒化補助層６の厚みは、後述するように厚みが厚いほど、可視光領域全体における導電性金属層４（銅）の光反射率を低下できるうえ、可視光領域全体において光反射率の変化率を小さくすることができる。しかし、一方で、厚みが厚いと生産性において不利になることから、例えば３ｎｍ〜１００ｎｍ程度であり、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍ程度であるが、黒化層５及び黒化補助層６の厚みの合計（総厚み）で、２０ｎｍ〜１５０ｎｍとなることがさらに好ましい。

本実施形態の導電性基材１は、透明基材２上の導電性金属層４及び黒化層５の間に黒化補助層６が設けられており、黒化補助層６により、導電性金属層４の光反射率の高い所定の波長領域における光反射率を下げて、導電性金属層４の可視光領域全体において光反射率をある程度まで抑制している。よって、積層させる黒化層５の厚みを数十ｎｍ程度に薄くしても、導電性金属層４の可視光領域全体における光反射率を良好に低下させることができる。よって、黒化層５の厚みを薄くしても導電層３に含まれる導電性金属４による光の反射を効果的に防止することができるので、導電性金属層４のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好なタッチパネルを得ることが可能になる。

また、透明基材２上に、上記薄膜形成法により導電性金属層４を形成した後、黒化補助層６及び黒化層５についてもそのまま同じチャンバー内で上記薄膜形成法により形成しているので、製造が容易である。また、黒化層５の厚みが薄いので。スパッタリング法でも十分対応可能に製造できる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の具体的な態様は上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態においては、導電性電極層４が銅で構成されているが、銅合金（銅が７０％以上含まれている銅合金）であってもよく、あるいはその他の金属・合金であっても構わない。この場合、導電性金属層４について、同様に、黒化補助層６により導電性金属層４の光反射率の高い所定の波長領域における光反射率を下げて、導電性金属層４の可視光領域全体において光反射率をある程度まで抑制することで、積層させる黒化層５の厚みを薄くしても導電層３に含まれる導電性金属４による光の反射を効果的に防止することができる。

また、上記実施形態では、電極部７を帯状に形成し、帯状の電極部７を複数並列しているが、電極部７を、図７に示すように、アイランド状に形成し、アイランド状の電極部７を縦横に複数並べるように構成してもよい。電極部７をアイランド状に形成する場合、各電極部７に配線部８がそれぞれ接続されるため、配線部８の一部は各電極部７の間に配置される。この実施形態において、電極部７を複数の導体線Ｌを交差させることで網目状に形成してもよい。なお、図７の実施形態では、アイランド状の電極部７を有する導電性基材１のみでタッチパネルとしての機能を備える。

また、上記実施形態では、タッチパネルに用いられる導電性基材１を例に説明しているが、電磁波シールドに用いられる導電性基材にも本発明は好適に適用できる。この電磁波シールドに用いられる導電性基材も、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂からなる透明基材上に、導電性を有する銅や銅合金などの金属を格子状（網目状）に配列して形成した導電性金属層を設けた構造のものが知られている。この電磁波シールド用の導電性基材にも、導電性金属層の金属光沢を抑制して視認性を向上させるために、導電性金属層に対して黒化層が設けられるが、この黒化層と導電性金属層との間に黒化補助層を介在させれば、黒化層の厚みを薄くしても、導電性金属４による光の反射を効果的に防止することができる。

以下、実施例及び比較例に基づき本発明をより詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

実施例１〜４は、ＰＥＴフィルムからなる透明基材２上に、スパッタリング法にて、まず、導電性金属層４として銅（厚み：１００ｎｍ）を形成した。次に、導電性金属層４上に、黒化補助層６としてそれぞれニッケル銅（厚み：２０ｎｍ）、ニッケル単体（厚み：２０ｎｍ）、ニッケル銅チタン（厚み：２０ｎｍ）、窒化銅（厚み：２０ｎｍ）を形成した後（参考例１〜４に相当）、さらに、黒化補助層６上に、黒化層５として酸化銅（厚み：５０ｎｍ）を形成して、導電層３を透明基材２上に作成した。これに対して、可視光領域における光反射率の測定を行った。また、実施例５，６は、ＰＥＴフィルムからなる透明基材２上に、まず、スパッタリング法にて、導電性金属層４として銅（厚み：１００ｎｍ）を形成した。次に、導電性金属層４上に、黒化補助層６としてニッケル銅（厚み：２０ｎｍ）を形成した後（参考例１に相当）、さらに、黒化補助層６上に、黒化層５として窒化銅をそれぞれ厚み２０ｎｍ及び６０ｎｍを形成して、導電層３を透明基材２上に作成した。これに対して、可視光領域における光反射率の測定を行った。なお、比較例は、ＰＥＴフィルムからなる透明基材２上に、スパッタリング法にて、導電性金属層４として銅（厚み：１００ｎｍ）を形成した後、黒化層５として酸化銅（厚み：５００ｎｍ）を形成して、導電層３を透明基材２上に作成した。これに対して、可視光領域における光反射率の測定を行った。各実施例１〜６及び比較例の測定結果を図８に示す。なお、スパッタリング条件としては、銅は、ターゲットに銅（純度：３Ｎ）を用い、装置内部を十分に減圧した後にアルゴンガスを導入して行った。また、ニッケル銅は、ターゲットにニッケル銅合金（比率は銅：ニッケル＝６５：３５）を用い、装置内部を十分に減圧した後にアルゴンガスを導入して行った。また、ニッケル単体は、ターゲットにニッケル（純度：３Ｎ）を用い、装置内部を十分に減圧した後にアルゴンガスを導入して行った。また、ニッケル銅チタンは、ターゲットにニッケル銅チタン合金（比率は銅：ニッケル：チタン＝６２：３５：３）を用い、装置内部を十分に減圧した後にアルゴンガスを導入して行った。また、酸化銅は、ターゲットに銅（純度：３Ｎ）を用い、装置内部を十分に減圧した後にアルゴンガス及び酸素（比率はアルゴン：酸素＝３０：７０）を導入して行った。また、窒化銅は、ターゲットに銅（純度：３Ｎ）を用い、装置内部を十分に減圧した後にアルゴンガス及び酸素（比率はアルゴン：窒素＝５０：５０）を導入して行った。

図８の結果から、透明基材２上の導電性金属層４と黒化層５との間に黒化補助層６を介在させることで、黒化層５の厚みが５０ｎｍ程度の薄い厚みでも、導電性金属層４の可視光領域全体における光反射率を４０％以下、さらには３０％以下、さらには２０％以下まで低下させることができ、黒化層５として５００ｎｍ厚の酸化銅を積層させた比較例と遜色ない程度まで光反射率を低下させることができることが確認された。また、黒化層５及び黒化補助層６の厚みの合計は、４０ｎｍ〜８０ｎｍと比較例よりも大幅に薄くすることができることが確認された。

また、図９は、実施例１において、黒化補助層６であるニッケル銅の厚みをそれぞれ、１ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ（実施例１に相当）、５０ｎｍ、１００ｎｍに変化させた場合の可視光領域における光反射率の測定を行った測定結果である。図９の結果から、黒化補助層６の厚みが厚くなると、導電性金属層４の可視光領域全体における光反射率を低下できるうえ、可視光領域全体において光反射率の変化率を小さくすることができることが確認された。よって、黒化補助層６の厚みを厚くすれば良好な視認性が得られることが分かるが、黒化補助層６の厚みを一定の厚み（図９では５０ｎｍ）より厚くしても、光反射率が大きく変化しないことも確認された。よって、黒化層５及び黒化補助層６の厚みの合計を１００ｎｍ程度まで厚くすれば、良好な視認性が得られることが分かる。

１ 導電性基材
２ 透明基材
３ 導電層
４ 導電性金属層
５ 黒化層
６ 黒化補助層
Ｌ 導体線

Claims (10)

1. 透明基材の少なくとも一方面側に薄膜形成法により成膜されるとともに所定形状にパターニングされることで形成される導電層を備えた導電性基材であって、
   前記導電層は、
   導電性金属層と、
   黒化層と、
   前記導電性金属層と前記黒化層との間に設けられ、前記黒化層とは異なる材料で構成される黒化補助層とを備え、
   前記黒化補助層は、前記導電性金属層を下側にした状態の光反射率を、所定の波長領域において、前記導電性金属層の光反射率よりも低くするように構成される導電性基材。
2. 前記導電性金属層は、銅又は銅合金により構成され、
   前記黒化補助層は、前記導電性金属層を下側にした状態の光反射率を、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、前記導電性金属層の光反射率よりも低くするように構成される請求項１に記載の導電性基材。
3. 前記黒化補助層は、前記導電性金属層を下側にした状態の光反射率を、５５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領域において、７０％以下とするように構成される請求項２に記載の導電性基材。
4. 前記黒化補助層は、ニッケル単体、ニッケル合金、ニッケル化合物又は窒化銅を含む材料から構成される請求項２又は３に記載の導電性基材。
5. 前記黒化補助層は、ニッケル銅合金を含む材料から構成される請求項４に記載の導電性基材。
6. 前記黒化層は、酸化銅又は窒化銅を含む材料から構成される請求項１〜５のいずれかに記載の導電性基材。
7. 前記黒化補助層及び前記黒化層の厚みの合計が、１００ｎｍ以下である請求項１〜６のいずれかに記載の導電性基材。
8. 前記導電性金属層は、複数の導体線を網目状に交差させることで形成される請求項１〜７のいずれかに記載の導電性基材。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の導電性基材を備えるタッチパネル。
10. 請求項１〜８に記載の導電性基材を備える電磁波シールド。