JP2018051784A - 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
窒素と、銅とを含有する第1黒化層と、
前記第1黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第2黒化層と、
銅層と、を備え、
前記第2黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が11質量%以上60質量%以下である積層体基板を提供する。
【選択図】図1
Description
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
窒素と、銅とを含有する第1黒化層と、
前記第1黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第2黒化層と、
銅層と、を備え、
前記第2黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が11質量%以上60質量%以下である積層体基板を提供する。
(積層体基板、導電性基板)
本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。また、積層体は、窒素と、銅とを含有する第1黒化層と、第1黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第2黒化層と、銅層と、を備えることができる。そして、第2黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を11質量%以上60質量%以下とすることができる。
3B)は、第1黒化層131(131A、131B)と共に窒素と、銅とを含有する黒化層とすることもでき、同じ製造方法により製造することもできる。
次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。
透明基材を準備する透明基材準備工程。
透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。
そして、上記積層体形成工程は以下のステップを含むことができる。
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。
酸素と、銅とを含有する第1黒化層を堆積する第1黒化層成膜手段により第1黒化層を成膜する第1黒化層形成ステップ。
第1黒化層上に、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第2黒化層を堆積する第2黒化層成膜手段により第2黒化層を成膜する第2黒化層形成ステップ。
第2黒化層とをそれぞれ複数層積層することもできる。
なお、第1黒化層形成ステップでは、第1黒化層成膜手段により、透明基材の少なくとも一方の面側に、窒素と銅を含有し、さらに酸素を含有する第1黒化層を堆積して、窒素と銅と酸素を含有する第1黒化層を成膜してもよい。
例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
(1)正反射率
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について正反射率の測定を行った。
アンダーカット量比率は、各実施例、比較例で作製した導電性基板の配線の断面をSEMで観察し、金属細線のパターン幅W1及び金属細線の底部幅W2を求めて算出した。なお、金属細線のパターン幅W1、金属細線の底部幅W2については図6を用いて既に説明した通りである。
各実施例、比較例で作製した導電性基板の透明基材を露出する金属細線間の開口部について、全光線透過率の測定を行った。
明基材の全光線透過率の平均からの減少率である、開口部の全光線透過率の減少率を算出した。
実施例、比較例として、以下に説明する条件で積層体基板、及び導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
[実施例1]
図3(a)に示した構造を有する積層体基板を作製した。
まず、透明基材準備工程を実施した。具体的には、幅500mm、厚さ100μmの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂(PET)製の透明基材を準備した。
次に、積層体形成工程を実施した。積層体形成工程として、第1黒化層形成ステップ、第2の黒化層形成ステップ、銅層形成ステップ、第3黒化層形成を実施した。以下に具体的に説明する。
まず第1黒化層形成ステップを実施した。
次に第2黒化層形成ステップを実施した。
続いて、銅層形成ステップを実施した。
続いて、第3黒化層形成ステップを実施した。第3黒化層形成ステップでは、第1黒化層形成ステップと、第2黒化層形成ステップと、銅層形成ステップとで、透明基材上に、第1黒化層、第2黒化層、及び銅層をその順に形成した基材を用いた点と膜厚を20nmとした以外は第2黒化層形成ステップと同様にして、第3黒化層を形成した。
[実施例2]
第2黒化層を成膜する際に筐体内に供給した酸素の供給量を表1に示したように変更した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[実施例3]
第1黒化層を成膜する際に筐体内に供給した窒素と酸素の供給量を表1に示したように変更した点と、第2黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットである、銅−ニッケル合金ターゲットの組成を表1に示したように変更した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[実施例4、実施例5]
第2黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットである、銅−ニッケル合金ターゲットの組成を表1に示したように変更した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[実施例6]
第1黒化層を成膜する際に筐体内に供給した窒素および酸素の供給量を表1に示したように変更した点と、第2黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットである、銅−ニッケル合金ターゲットの組成を表1に示したように変更した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[実施例7]
第1黒化層を成膜する際に筐体内に供給した酸素の供給量を表1に示したように変更した点と、第2黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットである、銅−ニッケル合金ターゲットの組成を表1に示したように変更した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[比較例1]
第1黒化層を形成せず、第2黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットで
ある、銅−ニッケル合金ターゲットの組成、及び膜厚を表1に示したように変更した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[比較例2]
第2黒化層を形成せず、第1黒化層を成膜する際に筐体内に供給した窒素および酸素の供給量を表1に示したように変更した点と、第1黒化層の膜厚を20nmとした点と、第1黒化層形成ステップと同様の条件で第3黒化層形成ステップを実施し、第3黒化層を形成した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[比較例3]
第1黒化層を成膜する際に筐体内に供給した窒素および酸素の供給量を表1に示したように変更した点と、第1黒化層、及び第2の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表1に示したように変更した点と、第1黒化層形成ステップと同様にして第3黒化層形成ステップを実施し、第3黒化層を形成した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
[比較例4]
第1黒化層、及び第2黒化層の膜厚をそれぞれ4nmとした点と、第1黒化層、及び第2の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成、及び膜厚を表1に示したように変更した点と、第3黒化層の膜厚を8nmとし、第3黒化層形成ステップを膜厚以外は本比較例の第2黒化層形成ステップと同様の条件で実施し、第3黒化層を形成した点以外は実施例1と同様にして積層体基板、及び導電性基板を作製し、評価を行った。
11 透明基材
12、12A、12B 銅層
131、131A、131B 第1黒化層
132、132A、132B 第2黒化層
133、133A、133B 第3黒化層
30 導電性基板
31A、31B、62 銅配線層
321A、321B 第1黒化配線層
322A、322B 第2黒化配線層
323A、323B 第3黒化配線層
Claims (14)
- 透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体は、
窒素と、銅とを含有する第1黒化層と、
前記第1黒化層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第2黒化層と、
銅層と、を備え、
前記第2黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が11質量%以上60質量%以下である積層体基板。 - 前記第1黒化層が、さらに酸素を含有する請求項1に記載の積層体基板。
- 前記積層体は、さらに第3黒化層を有し、
前記銅層は、前記第2黒化層と、前記第3黒化層との間に配置され、
前記第3黒化層は、銅と、窒素とを含有する層、銅と、窒素と、酸素とを含有する層、あるいは、酸素と、金属成分として少なくとも銅とを含有し、かつ前記金属成分のうちニッケルの割合が0質量%以上70質量%である層のいずれかの層である請求項1または2に記載の積層体基板。 - 波長400nm以上700nm以下の光の正反射率の平均が55%以下である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の積層体基板。
- 透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
前記金属細線が、
窒素と、銅とを含有する第1黒化配線層と、
前記第1黒化配線層上に設けられ、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する第2黒化配線層と、
銅配線層とを備えた積層体であり、
前記第2黒化配線層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が11質量%以上60質量%以下である導電性基板。 - 前記第1黒化配線層が、さらに酸素を含有する請求項5に記載の導電性基板。
- 前記金属細線は、さらに第3黒化配線層を有し、
前記銅配線層は、前記第2黒化配線層と、前記第3黒化配線層との間に配置され、
前記第3黒化配線層は、銅と、窒素とを含有する配線層、銅と、窒素と、酸素とを含有する配線層、あるいは、酸素と、金属成分として少なくとも銅とを含有し、かつ前記金属成分のうちニッケルの割合が0質量%以上70質量%以下である配線層のいずれかの配線層である請求項5または6に記載の導電性基板。 - 前記金属細線間には前記透明基材を露出する開口部が設けられており、
前記開口部の波長400nm以上700nm以下の光の透過率の平均の、前記透明基材の波長400nm以上700nm以下の光の透過率の平均からの減少率が、3.0%以下である請求項5乃至7のいずれか一項に記載の導電性基板。 - 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
前記積層体形成工程は、
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
酸素と、銅とを含有する第1黒化層を堆積する第1黒化層成膜手段により第1黒化層を成膜する第1黒化層形成ステップと、
前記第1黒化層上に、窒素と、銅と、ニッケルと含有する第2黒化層を堆積する第2黒化層成膜手段により第2黒化層を成膜する第2黒化層形成ステップと、を含み、
前記第1黒化層形成ステップ、及び第2黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記第2黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が11質量%以上60質量%以下である積層体基板の製造方法。 - 前記第1黒化層が、さらに酸素を含有する請求項9に記載の積層体基板の製造方法。
- 前記第1黒化層成膜手段、及び前記第2黒化層成膜手段がスパッタリング成膜法である請求項9または10に記載の積層体基板の製造方法。
- 第1黒化層の厚さと、第2黒化層の厚さとの合計が10nm以上である請求項9乃至11のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法。
- 請求項9乃至12のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記第1黒化層と、前記第2黒化層とをエッチングし、銅配線層と、第1黒化配線層と、第2黒化配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
前記エッチング工程により、前記銅層、前記第1黒化層、及び前記第2黒化層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。 - 得られる導電性基板の波長400nm以上700nm以下の光の正反射率の平均が55%以下である請求項13に記載の導電性基板の製造方法。
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