TWI688973B - 導電性基板 - Google Patents

Abstract

提供一種導電性基板，具有：透明基材；金屬層，其形成在該透明基材的至少一個面上；及黑化層，其形成在該透明基材的至少一個面上。該黑化層含有銅單體和/或銅化合物、以及鎳單體和鎳化合物。該鎳化合物包括鎳氧化物和鎳氫氧化物。

Description

導電性基板

本發明關於一種導電性基板。

如專利文獻1所揭示，以往使用一種觸控面板用透明導電性薄膜，其係在高分子薄膜上形成ITO(氧化銦錫)膜來作為透明導電膜者。

又，近年具備觸控面板的顯示器正在趨於大尺寸化，與此相應地，觸控面板用透明導電性薄膜等導電性基板也追求大面積化。然而，由於ITO的電阻值較高，故存在著無法應對導電性基板大面積化的問題。

為此，例如，如專利文獻2、3所揭示，進行了以銅等金屬箔來取代ITO膜的研究。然而，例如在取代ITO膜而使用了金屬箔的情況下，由於金屬箔具有金屬光澤，故存在著反射會導致顯示器的視認性降低的問題。

因此，提出了一種導電性基板，其形成有由銅等構成的金屬層，同時還形成了由黑色材料構成的黑化層。

【先行技術文獻】

〔專利文獻1〕日本特開2003-151358號公報

〔專利文獻2〕日本特開2011-018194號公報

〔特許文獻3〕日本特開2013-069261號公報

為了形成為具有配線圖案的導電性基板，在形成金屬層和黑化層之後，需要對金屬層和黑化層進行蝕刻以形成預期的圖案，但是，金屬層和黑化層對於蝕刻液的反應性大為不同。為此，如果要對金屬層和黑化層同時進行蝕刻，則存在著哪個層都無法蝕刻成目的形狀的情況、或由於在平面內未進行均一蝕刻而產生尺寸偏差的情況，而存在著不能同時對金屬層和黑化層進行蝕刻的問題。

鑑於上述先前技術的問題，於本發明的一方面，目的在於提供一種具備可同時進行蝕刻的金屬層和黑化層的導電性基板。

為了解決上述課題，於本發明的一方面，提供了一種導電性基板，其具有：透明基材；金屬層，其形成在該透明基材的至少一個面上；及黑化層，形成在該透明基材的至少一個面上，該黑化層含有銅單體和/或銅化合物、以及鎳單體和鎳化合物，該鎳化合物包括鎳氧化物和鎳氫氧化物。

根據本發明的一方面，能提供一種具備可同時進行蝕刻的金屬層和黑化層的導電性基板。

10A、10B、20A、20B、30‧‧‧導電性基板

11‧‧‧透明基材

12、12A、12B‧‧‧金屬層

13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B‧‧‧黑 化層

31A、31B‧‧‧配線

〔第1A圖〕本發明實施方式的導電性基板的剖面圖。

〔第1B圖〕本發明實施方式的導電性基板的剖面圖。

〔第2A圖〕本發明實施方式的導電性基板的剖面圖。

〔第2B圖〕本發明實施方式的導電性基板的剖面圖。

〔第3圖〕本發明實施方式的具備網狀配線的導電性基板的俯視圖。

〔第4A圖〕圖3的A-A’線的剖面圖。

〔第4B圖〕圖3的A-A’線的剖面圖。

〔第5圖〕卷對卷(Roll to Roll)濺鍍裝置的說明圖。

以下對本發明的導電性基板及導電性基板的製造方法的一實施方式進行說明。

(導電性基板)

本實施方式的導電性基板可具有：透明基材；形成在透明基材的至少一個面上的金屬層；及形成在透明基材的至少一個面上的黑化層。又，黑化層含有銅單體和/或銅化合物、以及鎳單體和鎳化合物，作為鎳化合物可包括鎳氧化物和鎳氫氧化物。

再者，本實施方式的導電性基板包括：在對金屬層等進行圖案化之前於透明基材的表面具有金屬層和黑化層的基板；及對金屬層等進行了圖案化的基板(即配線基板)。對金屬層和黑化層進行了圖案化之後的導電性基板中，由於透明基材包括沒有被金屬層等覆蓋的領域，故可使光透過，為透明導電性基板。

這裡首先對本實施方式的導電性基板所含的各部件在以下進行說明。

透明基材並無特別限定，優選可使用能使可見光透過的絕緣體薄膜、或玻璃基板等。

作為能使可見光透過的絕緣體膜，例如，較佳可使用聚醯胺系薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯系薄膜、聚萘二甲酸乙二酯系薄膜、環烯烴(cycloolefin)系薄膜、聚醯亞胺(PI)系薄膜、聚碳酸酯系薄膜等。特別是，作為能使可見光透過的絕緣體薄膜的材料，較佳可使用聚醯胺、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、COP(環烯烴聚合物)，PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、聚醯亞胺、聚碳酸酯等。

透明基材的厚度並無特別限定，可根據作為導電性基板使用時所要求的強度、靜電容量、光透過率等進行任意選擇。作為透明基材的厚度例如可為10μm以上且200μm以下。特別是用於觸控面板的用途時，透明基材的厚度優選為20μm以上且120μm以下，較佳為20μm以上且100μm以下。在用於觸控面板的用途時，例如，尤其在需要使顯示器整體厚度較薄的用途下，透明基材的厚度優選為20μm以上且50μm以下。

透明基材的總透光率(total light transmittance)較高為佳，例如，總透光率優選為30%以上，更佳為60%以上。藉由將透明基材的總透光率設為上述範圍，例如在用於觸控面板的用途時，可充分確保顯示器的視認性。

再者，透明基材的總透光率可藉由JIS K 7361-1所規定的方法進行評價。

接下來對金屬層進行說明。

構成金屬層的材料並無特別限定，可選擇具有與用途配合的導電率的材料，但是，從導電特性優異且容易進行蝕刻處理的程度來看，作為構成金屬層的材料優選使用銅。即，金屬層優選含有銅。

金屬層含有銅時，構成金屬層的材料優選為例如銅合金，其為Cu和從Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中所選擇的至少1種以上的金屬者；或者為含有銅和從上述金屬中所選擇的1種以上的金屬的材料。又，金屬層也可為由銅構成的銅層。

形成金屬層的方法並無特別限定，但是，為了不使光透過率降低，優選為以不在其他部件與金屬層之間設置接著劑的方式形成金屬層。即，金屬層優選為直接形成在其他部件的上面。再者，金屬層可形成在黑化層或透明基材的上面。為此，金屬層優選為直接形成在黑化層或透明基材的上面。

為了在其他部件的上面直接形成金屬層，金屬層優選具有「採用乾式鍍法進行了膜形成」的金屬薄膜層。乾式鍍法並無特別限定，例如可採用蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等。特別地，從容易對膜厚進行控制的角度來看，優選使用濺鍍法。

又，在使金屬層更厚的情況下，實施乾式鍍之後可採用濕式鍍法進行積層。具體而言，例如可在透明基材或黑化層上採用乾式鍍法形成金屬薄膜層，然後將該金屬薄膜層作為供電層，並採用作為濕式鍍法的一種即電鍍來形成金屬鍍層。

再者，在如上所述僅採用乾式鍍法形成金屬層的情況下，金屬層可由金屬薄膜層構成。又，在組合乾式鍍法和濕式鍍法地形成了金屬層的情況下，金屬層可由金屬薄膜層和金屬鍍層構成。

如上所述，藉由僅採用乾式鍍法或組合乾式鍍法和濕式鍍法地形成金屬層，可在透明基材或黑化層上不藉由接著劑直接形成金屬層。

金屬層的厚度並無特別限定，在金屬層作為配線使用的情況下，可根據供給至該配線的電流大小、或配線寬度等任意選擇。

其中，若金屬層變厚，則用於形成配線圖案而進行蝕刻時蝕刻所需的時間較長，因此容易產生側蝕，會有出現難以形成細線等問題之情況。為此，金屬層的厚度優選為5μm以下，更佳為3μm以下。

又，特別從降低導電性基板的電阻值以可充分地進行電流供給的觀點來看，例如，金屬層的厚度優選為50nm以上，更佳為60nm以上，再更佳為150nm以上。

再者，在金屬層如上所述具有金屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，金屬薄膜層的厚度和金屬鍍層的厚度的合計優選在上述範圍。

在金屬層由金屬薄膜層構成或由金屬薄膜層和金屬鍍層構成的情況下，對金屬薄膜層的厚度都無特別限定，優選為例如50nm以上且500nm以下。

接下來對黑化層進行說明。

由於金屬層具有金屬光澤，當僅在透明基材上對金屬層進行蝕刻來形成配線，則配線會反射光，例如在作為觸控面板用配線基板來使用的情況下，存在著顯示器的視認性降低的問題。故研究一種設置黑化層的方法。但是，由於存在金屬層和黑化層的相對於蝕刻液的反應性大不相同的情況，如果對金屬層和黑化層同時進行蝕刻，則存在金屬層或黑化層無法蝕刻為預期的形狀或者其尺寸發生偏差等的問題。為此，在先前提出的導電性基板中，由於需要對金屬層和黑化層採用不同的步驟進行蝕刻，故難以對金屬層和黑化層同時(即，採用一個步驟)進行蝕刻。

因此，本發明的發明人對下述之黑化層進行研究，該黑化層可與金屬層同時蝕刻，亦即相對於蝕刻液的反應性較優，在與金屬層同時進行蝕刻的情況下也能圖案化為預期的形狀，且可對尺寸偏差的發生進行抑制。並發現，藉由黑化層含有銅單體和/或銅化合物、以及鎳單體和鎳化合物，並且，該鎳化合物包括鎳氧化物和鎳氫氧化物，可使該黑化層相對於蝕刻液的反應性與金屬層相對於蝕刻液的反應性幾乎相同，進而完成了本發明。

本實施方式的導電性基板的黑化層如上所述含有銅單體和/或銅化合物、以及鎳單體和鎳化合物，並且，作為該鎳化合物可包括鎳氧化物和鎳氫氧化物。這裡，黑化層所含的銅化合物並無特別限定，例如可列舉氧化物和/或氫氧化物。為此，黑化層可含有例如鎳單體、鎳氧化物及鎳氫氧化物，還可含有從銅單體、銅氧化物及銅氫氧化物中所選擇的1種以上。

藉由如上所述使黑化層含有鎳氧化物，黑化層變為“能抑制在金屬層表面的光反射”的顏色，可發揮其作為黑化層的功能。特別地，藉由使其也含有銅化合物，不僅能使其抑制在金屬層表面的光反射，而且還能提高作為黑化層的功能。

又，藉由進而含有鎳氫氧化物，可提高相對於蝕刻液的反應性，使其具有與金屬層幾乎相同的“相對於蝕刻液的反應性”。

黑化層中所含的各成分的比例並無特別限定，可根據導電性基板所要求的抑制光反射的程度、相對於蝕刻液的反應性的程度等而進行任意選擇，並非需特別限定者。其中，經本發明的發明人的研究可知，從 可充分提高相對於蝕刻液的反應性的觀點來看，例如在對黑化層採用X射線光電子分光法(XPS)測定時，黑化層中優選含有可識別其峰值(peak)程度的鎳氫氧化物。

特別地，當對黑化層採用X射線光電子分光法(XPS)測定時，就Ni 2P_3/2光譜(spectrum)的峰值強度之比而言，在鎳單體的峰值強度為100的情況下，優選為，鎳氧化物的峰值強度為70以上且80以下，鎳氫氧化物的峰值強度為65以上。其目的在於，藉由使黑化層以相對於鎳單體即金屬鎳的特定比例來含有鎳氧化物和鎳氫氧化物，不僅可顯著提高作為黑化層的抑制光反射的功能，而且還可顯著提高相對於蝕刻液的反應性。

黑化層的形成方法並無特別限定，只要為可使其含有上述各成分的形成方法，可選擇任意的方法。其中，從可比較容易地對黑化層的成分進行控制以使其含有上述各成分的角度來看，優選使用濺鍍法。

再者，黑化層較佳為不介置接著劑地直接形成在透明基材和/或金屬層等其他部件的上面。又，藉由採用乾式鍍法形成黑化層，可使黑化層不介置接著劑地直接形成在其他部件的上面。為此，從該觀點來看，黑化層的形成方法也優選為濺鍍法。

在採用濺鍍法對本實施方式的導電性基板的黑化層形成的情況下，可使用含有鎳和銅的合金靶材。再者，在黑化層中作為金屬成分不含有鎳和銅以外的成分的情況下，可使用由鎳和銅構成的合金靶材。

又，可在向腔體內供給氧氣和水蒸氣的同時使用上述靶材藉由濺鍍法形成黑化層。據此可形成黑化層，其中，作為鎳化合物包括來自供給至腔體內的氧氣和靶材中的鎳的鎳氧化物以及來自供給至腔體內的水 蒸氣和靶材中的鎳的鎳氫氧化物。

此時，藉由對供給至腔體內的氧氣和水蒸氣的比例進行選擇，可對黑化層中所含的成分的比例進行選擇。

特別地，為了容易地對供給至黑化層的氧氣和水蒸氣的量進行調整，優選向腔體內同時進行非活性氣體、氧氣、水蒸氣的供給，並對各自的分壓進行調整。再者，非活性氣體並無特別限定，可優選使用氬氣或氦氣。又，水蒸氣還可作為與非活性氣體的混合氣體來進行供給。

在如上所述形成黑化層時，供給至腔體內的非活性氣體、氧氣、水蒸氣的各氣體的供給比例並無特別限定，可根據黑化層的目標成分等進行任意選擇。

例如較佳為：為了使對成膜了的黑化層採用X射線光電子分光法(XPS)進行測定時的Ni 2P_3/2光譜的峰值強度之比為上述較佳強度比，進行預備試驗等，以對各氣體的供給條件進行選擇。

黑化層的厚度並無特別限定，可根據導電性基板所要求的抑制光反射的程度等進行任意選擇。

黑化層的厚度例如優選為20nm以上，較佳為30nm以上。黑化層具有對金屬層的光反射進行抑制的功能，但是，在黑化層的厚度較薄時，存在著不能充分地對金屬層的光反射進行抑制的情況。為此，藉由將黑化層的厚度設為20nm以上，可更確實地對金屬層表面的反射進行抑制，因此為優選者。

又，黑化層厚度的上限值並無特別限定，但是如果過厚，則形成配線時蝕刻所需的時間變長，會導致成本上昇。為此，黑化層的厚度 優選為100nm以下，更佳為50nm以下。

接下來對導電性基板的構成例進行說明。

如上所述，本實施方式的導電性基板可具有透明基材、金屬層、及黑化層。此時，金屬層和黑化層在透明基材上的積層順序並無特別限定。又，金屬層和黑化層也可分別形成為多層。其中，為了對金屬層表面的光反射進行抑制，較佳為將黑化層配置在金屬層表面中特別要抑制光反射的面上。在需要特別抑制在金屬層表面的光反射時，也可設為如下之結構：將黑化層形成在金屬層的上表面和下表面的積層結構，即，金屬層被黑化層夾著的結構。

以下參考圖1A、圖1B、圖2A、及圖2B對具體構成例進行說明。圖1A、圖1B、圖2A、及圖2B顯示了本實施方式的導電性基板的與透明基材、金屬層、及黑化層的積層方向平行的面的剖面圖的例子。

本實施方式的導電性基板可具有例如在透明基材的至少一個面上從透明基材側依次進行了金屬層和黑化層的積層的結構。

具體而言，例如，可如圖1A所示的導電性基板10A那樣，在透明基材11的一個面11a側按金屬層12和黑化層13的順序進行各為一層的積層。又，還可如圖1B所示的導電性基板10B那樣，在透明基材11的一個面11a側和另一個面(其他面)11b側分別按金屬層12A、12B和黑化層13A、13B的順序進行各為一層的積層。再者，金屬層12(12A、12B)和黑化層13(13A、13B)積層順序並不限定於圖1A和圖1B所示的例子，也可從透明基材11側按黑化層13(13A、13B)和金屬層12(12A、12B)的順序進行積層。

又，例如還可在透明基材11的一面側設置多層黑化層。此時例如可為在透明基材的至少一個面上從透明基材側依次形成黑化層、金屬層、及黑化層的結構。

具體而言，例如，可如圖2A所示的導電性基板20A那樣，在透明基材11的一個面11a側依次進行第1黑化層131、金屬層12及第2黑化層132的積層。

此時也可構成為在透明基材11的兩面進行了金屬層、第1黑化層及第2黑化層的積層的結構。具體而言，可如圖2B所示的導電性基板20B那樣，在透明基材11的一個面11a側和另一個面(其他面)11b側分別依次進行第1黑化層131A、131B、金屬層12A、12B及第2黑化層132A、132B的積層。

再者，圖1B、圖2B中顯示出：在於透明基材的兩面進行了金屬層和黑化層的積層的情況下，以透明基材11為對稱面而在透明基材11的上下所積層了的層呈對稱的方式配置的例子，然而，並不限定於該形態。例如，在圖2B中，也可使透明基材11的一個面11a側的結構為與圖1A的結構同樣地依次進行了金屬層12和黑化層13的積層的形態，據此，可將透明基材11的上下所積層的層設為非對稱結構。

至此對本實施方式的導電性基板進行了說明，在本實施方式的導電性基板中，由於透明基材上設置了金屬層和黑化層，故可抑制由金屬層所致的光反射。

本實施方式的導電性基板的光反射程度並無特別限定，例如為了抑制用作觸控面板用導電性基板時在顯示器的配線視認性，黑化層之 波長400nm以上且700nm以下的光反射率的平均較低為佳。例如，就黑化層而言，波長400nm以上且700nm以下的光反射率的平均優選為40%以下，較佳為30%以下，最好為20%以下。

反射率可以向導電性基板的黑化層照射光之方式來進行測定。具體而言，例如，可如圖1A所示那樣，在透明基材11的一個面11a側依次進行了金屬層12和黑化層13的積層的情況下，可以對黑化層13照射光的方式，對黑化層13的表面A照射光，並進行測定。又，可使波長400nm以上且700nm以下的光例如以波長1nm的間隔，以上述之方式對著導電性基板的黑化層13進行照射，並將所測定的值的平均值作為該黑化層之波長400nm以上且700nm以下的光反射率的平均。

本實施方式的導電性基板如上所述例如可較佳地用作觸控面板用導電性基板。此時，導電性基板可設為具備網狀配線之結構。

具備網狀配線的導電性基板可藉由對至此說明的本實施方式的導電性基板的金屬層和黑化層進行蝕刻而獲得。

例如，可藉由兩層的配線來形成網狀配線。具體構成例如圖3所示。圖3表示對具備網狀配線的導電性基板30從金屬層和黑化層的積層方向的上側進行觀察時的圖。圖3所示的導電性基板30具有透明基材11、與圖中Y軸方向平行的複數條配線31A、及與X軸方向平行的配線31B。 再者，配線31A、31B係對金屬層進行蝕刻而形成，該配線31A、31B的上面和/或下面還形成了圖中未顯示的黑化層。又，黑化層被蝕刻為與配線31A、31B相同的形狀。

透明基材11和配線31A、31B的配置並無特別限定。透明 基材11和配線的配置構成例示於圖4A、圖4B。圖4A、圖4B為於圖3的A-A’線的剖面圖。

首先，如圖4A所示，可在透明基材11的上下面上分別配置配線31A、31B。再者，圖4A中配線31A、31B的上面配置了黑化層32A、32B，其形狀被蝕刻為與配線形狀相同。

又，如圖4B所示，亦可使用一組透明基材11，以對其中的一個透明基材11進行夾持的方式在其上下面分別配置配線31A、31B，並且將其中的一個配線31B配置在透明基材11之間。此時，配線31A、31B的上面也配置了被蝕刻力與配線形狀相同的黑化層32A、32B。再者，如上所述，黑化層和金屬層的配置並無特別限定。力此，無論在圖4A和圖4B的哪種情況下，黑化層32A、32B和配線31A、31B的配置都可上下顛倒。又，例如還可設置多層黑化層。

其中，黑化層優選配置在金屬層表面中的特別要對光反射進行抑制的面。為此，在圖4B所示的導電性基板中，例如，在需要從圖中下側對光反射進行抑制的情況下，優選將黑化層32A、32B的位置和配線31A、31B的位置顛倒。又，除了黑化層32A、32B，還可在配線31A、31B和透明基材11之間分別再設置黑化層。

圖3和圖4A所示的具備網狀配線導電性基板例如可形成在如圖1B所示那樣的在透明基材11的兩面具備金屬層12A、12B和黑化層13A、13B導電性基板。

如果以使用圖1B的導電性基板而形成的情況為例進行說明，則首先要對透明基材11的一個面11a側的金屬層12A和黑化層13A進 行蝕刻，以使圖1B中與Y軸方向平行的複數個線狀的圖案沿X軸方向按特定的間隔來配置。再者，圖1B中的X軸方向為與各層的寬度方向平行的方向。又，圖1B中的Y軸方向為與圖1B中的紙面垂直的方向。

接下來，對透明基材11的另一個面11b側的金屬層12B和黑化層13B進行蝕刻，以使圖1B中與X軸方向平行的複數個線狀的圖案按特定的間隔沿Y軸方向進行配置。

藉由以上操作可形成圖3和圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板。再者，也可對透明基材11的兩面同時進行蝕刻。即，也可同時對金屬層12A、12B和黑化層13A、13B進行蝕刻。又，圖4A中在配線31A、31B和透明基材11之間進而具有形狀被圖案化為與配線31A、31B相同的黑化層的導電性基板，其可藉由使用圖2B所示的導電性基板並同樣地進行蝕刻而製成。

圖3所示的具有網狀配線的導電性基板也可藉由使用兩片圖1A或圖2A所示的導電性基板來形成。如果以使用兩片圖1A的導電性基板來形成的情況為例進行說明，則首先要分別對兩片圖1A所示的導電性基板的金屬層12和黑化層13進行蝕刻，以使與X軸方向平行的複數個線狀的圖案被配置為沿Y軸方向隔開特定的間隔。之後，再以將藉由上述蝕刻處理在各導電性基板上所形成的線狀圖案相互交叉配置的方式對準方向，對兩片導電性基板進行貼合，據此可獲得具有網狀配線的導電性基板。貼合兩片導電性基板時的貼合面並無特別限定。例如，可將積層了金屬層12等的圖1A中的面A與沒有積層金屬層12等的圖1A中的面11b進行貼合，使其成為圖4B所示的結構。

再者，黑化層優選配置在金屬層表面中的特別要對光反射進行抑制的面上。為此，在圖4B所示的導電性基板中，在需要從圖中下側抑制光反射的情況下，優選將黑化層32A、32B的位置和配線31A、31B的位置顛倒配置。又，除了黑化層32A、32B之外，還可在配線31A、31B和透明基材11之間再設置黑化層。

又，例如，也可藉由使透明基材11之沒有積層金屬層12等的圖1A中之面11b彼此貼合，以獲得剖面為圖4A所示的結構。

再者，圖3、圖4A、圖4B所示的具有網狀配線的導電性基板中的配線的寬度、配線間的距離並無特別限定，例如，可根據流動於配線的電流量等進行選擇。

又，在圖3、圖4A、圖4B中，儘管顯示了組合直線形狀的配線而形成網狀配線(配線圖案)的例子，但並不限定於該形態，即構成配線圖案的配線可為任意形狀。例如，為了不在顯示器的影像之間產生干涉紋(moire)，構成網狀配線圖案的配線形狀可分別成為鋸齒彎曲線(之字狀直線)等各種形狀。

如此，具有由兩層配線所構成的網狀配線的導電性基板例如可優選作為投影式靜電容量方式之觸控面板用導電性基板來使用。

(導電性基板的製造方法)

接下來對本實施方式的導電性基板的製造方法的一構成例進行說明。

本實施方式的導電性基板的製造方法可具有：金屬層形成步驟，係在透明基材的至少一面側形成金屬層；及黑化層形成步驟，係在透明基材的至少一面側形成黑化層。

又，在黑化層形成步驟中使如下所述之黑化層形成，即，該黑化層含有銅單體和/或銅化合物以及鎳單體和鎳化合物，並且，鎳化合物包括鎳氧化物和鎳氫氧化物。

以下對本實施方式的導電性基板的製造方法進行說明。藉由本實施方式的導電性基板的製造方法可較好地製造已述的導電性基板。為此，關於以下所說明的部分以外的部分，由於其可為與上述導電性基板相同的結構，所以這裡省略說明。

再者，如上所述，本實施方式的導電性基板中，在將金屬層和黑化層配置在透明基材上時的積層順序並無特別限定。又，也可分別形成複數層的金屬層和黑化層。為此，上述金屬層形成步驟和黑化層形成步驟的實施順序及實施次數並無特別限定，可根據所要形成的導電性基板的結構以任意次數、任意時機實施。

以下對各步驟進行說明。

首先，對金屬層形成步驟進行說明。

在金屬層形成步驟中，可在透明基材的至少一面側形成金屬層。

再者，金屬層形成步驟或黑化層形成步驟中所使用的透明基材的種類並無特別限定，如上所述，可優選使用能使可見光透過的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等。又，根據需要，還可進行將透明基材預先切斷為任意尺寸等。

又，金屬層如上所述優選具有金屬薄膜層。又，金屬層也可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。為此，金屬層形成步驟可具有例如採用乾式 鍍法形成金屬薄膜層的步驟。又，金屬層形成步驟還可具有：採用乾式鍍法形成金屬薄膜層的步驟；以及，將該金屬薄膜層作為供電層，採用作為濕式鍍法的一種的電鍍法來形成金屬鍍層的步驟。

作為在金屬薄膜層形成步驟中所使用的乾式鍍法，其並無特別限定，例如，可採用蒸鍍法、濺鍍法、或離子鍍法等。再者，作為蒸鍍法可優選使用真空蒸鍍法。作為在金屬薄膜層形成步驟中所使用的乾式鍍法，從容易對膜厚進行控制的角度來看，採用濺鍍法更佳。

金屬薄膜層例如可使用卷對卷濺鍍裝置來進行較好的形成。

以下以使用卷對卷濺鍍裝置的情況為例，對金屬薄膜層形成步驟進行說明。

圖5顯示了卷對卷濺鍍裝置50的一構成例。

卷對卷濺鍍裝置50具有將其大部分的構成部件都進行了收藏的殼體51。

殼體51內具有：供給“形成金屬薄膜層”的基材的捲出輥52，罐狀輥(can roll)53、濺鍍陰極(Cathode)54a~54d、卷取輥55等。又，在形成金屬薄膜層的基材的搬送路徑上，除了上述各輥以外，還可任意地設置導輥或加熱器56等。

罐狀輥53的結構並無特別限定，優選為以如下方式構成：例如其表面以硬質鉻鍍敷進行精加工，並在其內部進行從殼體51的外部所供給的冷媒或溫媒的循環，以將其調整至大致一定的溫度。

濺鍍陰極54a~54d優選為磁控管(magnetron)陰極式，並與罐狀輥53對向配置。濺鍍陰極54a~54d的尺寸並無特別限定，濺鍍陰 極54a~54d之形成金屬薄膜層的基材的寬度方向尺寸，優選為寬於形成金屬薄膜層的基材的寬度。

形成金屬薄膜層的基材被搬送至作為卷對卷真空形成裝置即卷對卷濺鍍裝置50內，並藉由與罐狀輥53對向配置的濺鍍陰極54a~54d進行金屬薄膜層的形成。

在使用卷對卷濺鍍裝置50進行金屬薄膜層的形成的情況下，將與所要形成的成分相對應的靶材安裝在濺鍍陰極54a~54d上。接下來，藉由真空泵57a、57b對“於捲出輥52設有欲形成金屬薄膜層之基材”的裝置內進行真空排氣，之後，可藉由氣體供給手段58將氬氣等濺鍍氣體導入殼體51內。氣體供給手段58的結構並無特別限定，可使用圖中未示的氣體貯藏罐。又，在氣體貯藏罐和殼體51之間依據氣體種類可分別設置質流控制器(MFC)581a、581b和閥582a、582b，以對各氣體的向殼體51內的供給量進行控制。圖5顯示了設置了2組質流控制器和閥的例子，但是，所設置的數量並無特別限定，可根據使用的氣體種類數來選擇設置數量。在將濺鍍氣體供給至殼體51內時，優選為對濺鍍氣體的流量以及在真空泵57b和殼體51之間所設置的壓力調整閥59的開度進行調整，以使裝置內例如保持在0.13Pa以上且1.3Pa以下，而實施成膜。

在此狀態下，可一邊從捲出輥52以例如每分鐘0.5m~10m的速度將基材進行搬送，一邊從與濺鍍陰極54a~54d連接的濺鍍用直流電源提供電力以進行濺鍍放電。據此，可在基材上連續地進行預期的金屬薄膜層的形成。

再者，卷對卷濺鍍裝置50上除了上述部件以外還可設置任 意的部件。例如，如圖5所示，可設置用於對殼體51內的真空度進行測定的真空計60a、60b或排氣閥61a、61b等。

接下來對金屬鍍層的形成步驟進行說明。對藉由濕式鍍法實施金屬鍍層形成步驟的條件、即、電鍍處理的條件並無特別限定，可採用常用方法中的各種條件。例如，藉由將形成了金屬薄膜層的基材提供至放入了金屬鍍液的鍍槽，並對電流密度或基材的搬送速度進行控制，可形成金屬鍍層。

接下來對黑化層形成步驟進行說明。

黑化層形成步驟如上所述係在透明基材的至少一面側進行黑化層的形成的步驟。對黑化層的形成手段並無特限定，可優選使用濺鍍法。其原因在於，藉由濺鍍法，可比較容易地形成含有銅單體和/或銅化合物以及鎳單體和鎳化合物並且鎳化合物為鎳氧化物和鎳氫氧化物的層。

在藉由濺鍍法進行黑化層的形成的情況下，例如可使用上述的卷對卷濺鍍裝置50。由於已經對卷對卷濺鍍裝置的結構進行了敘述，故，這裡省略說明。

在使用卷對卷濺鍍裝置50進行黑化層的形成的情況下，例如將含有鎳和銅的合金靶材安裝在濺鍍陰極54a~54d。接下來，藉由真空泵57a、57b對“於捲出輥52設有欲形成黑化層的基材”的裝置內進行真空排氣。

之後，藉由氣體供給手段58將包括氧氣和水蒸氣的濺鍍氣體導入殼體51內。此時，優選對濺鍍氣體的流量以及在真空泵57b和殼體51之間所設置的壓力調整閥59的開度進行調整，以使裝置內保持在例如 0.13Pa且以上13Pa以下，實施成膜。

再者，為了容易地對供給至黑化層的氧氣和水蒸氣的量進行調整，優選向殼體51內同時進行非活性氣體、氧氣及水蒸氣的供給，並對各自的分壓進行調整。故，濺鍍氣體優選含有非活性氣體、氧氣及水蒸氣。作為非活性氣體，其並無特別限定，可優選使用氬氣或氦氣。又，對水蒸氣而言，可採用與非活性氣體的混合氣體的形式來進行供給。

濺鍍氣體中的氧氣和水蒸氣的比例並無特別限定，可根據所要形成的黑化層的成分等而選擇。

例如，就鎳氫氧化物而言，在對形成了的黑化層採用X射線光電子分光法(XPS)進行測定時，較佳為黑化層中所包括的鎳氫氧化物為可識別峰值程度者。

又，特別對形成了的黑化層藉由X射線光電子分光法(XPS)進行測定時，就Ni 2P_3/2光譜的峰值強度之比而言，在鎳單體的峰值強度為100的情況下，鎳氧化物的峰值強度優選為70以上且80以下，鎳氫氧化物的峰值強度優選為65以上。為此，優選對各氣體的供給量進行調整，以使對形成了的黑化層的X射線光電子分光法之測定結果為上述結果。

又，在對黑化層進行形成時，優選事先對氣體的供給配管的配置進行調整，以沿導電性基板的寬度方向整體地使黑化層中相對於鎳單體的鎳氧化物和鎳氫氧化物成為例如上述預期的範圍。

在此狀態下，可一邊從捲出輥52將基材以例如每分鐘0.5m~10m的速度進行搬送，一邊從與濺鍍陰極54a~54d連接的濺鍍用直流電源提供電力以進行濺鍍放電。據此，可在基材上連續地進行預期的黑化層 的形成。

又，藉由這裡所述的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板，可構成為具有網狀配線的導電性基板。在此情況下，除了上述步驟之外，可進一步具有藉由對金屬層和黑化層進行蝕刻，以形成配線的蝕刻步驟。

在該蝕刻步驟中，例如，首先在導電性基板的最表面形成光阻(resist)，該光阻具有與藉由蝕刻所除去的部分相對應的開口部。在圖1A所示的導電性基板的情況下，可在導電性基板上所配置的黑化層13的露出面A上形成光阻。再者，具有與藉由蝕刻所除去的部分相對應的開口部的光阻的形成方法並無特別限定，例如可採用光刻(photolithography)法等與先前技術同樣的方法來形成。

接下來，從光阻上面進行蝕刻液的供給，據此可對金屬層12和黑化層13進行蝕刻。

再者，在如圖1B所示在透明基材11的兩面配置了金屬層和黑化層的情況下，也可在導電性基板的最表面A和B分別形成具有特定形狀的開口部的光阻，並對透明基材11的兩面所形成的金屬層12A、12B和黑化層13A、13B同時進行蝕刻。

又，就透明基材11的兩側所形成的金屬層12A、12B和黑化層13A、13B而言，還可分側地進行蝕刻處理。即，例如首先對金屬層12A和黑化層13A進行蝕刻，之後，再對金屬層12B和黑化層13B進行蝕刻。

由於本實施方式的形成在導電性基板上的黑化層顯示了與 金屬層同樣的對蝕刻液的反應性，故，蝕刻步驟中所使用的蝕刻液並無特別限定，優選可使用一般蝕刻金屬層時所使用的蝕刻液。作為蝕刻液，優選例如可使用氯化鐵(ferric chloride)和鹽酸的混合水溶液。蝕刻液中的氯化鐵和鹽酸的含量並無特別限定，例如較佳為以5重量%以上且50重量%以下之比例含有氯化鐵，更佳為以10重量%以上且30重量%以下之比例含有氯化鐵。又，蝕刻液例如較佳為以1重量%以上且50重量%以下的比例含有鹽酸，更佳為以1重量%以上且20重量%以下的比例含有鹽酸。再者，剩餘部分可為水。

蝕刻液可在室溫下使用，然，為了提高反應性，優選對其進行加溫，例如可加熱至40℃以上且50℃以下。

由於上面已經對藉由上述蝕刻步驟所獲得的網狀配線的具體形態進行了敘述，故，這裡省略說明。

又，如上所述，在將兩片如圖1A、圖2A所示的“透明基材11的一面側具有金屬層和黑化層”的導電性基板貼合以形成具有網狀配線的導電性基板的情況下，可進一步設置貼合導電性基板之步驟。此時，貼合兩片導電性基板的方法並無特別限定，例如，可使用接著劑等進行接著。

以上對本實施方式的導電性基板和導電性基板的製造方法進行了說明。由該導電性基板可知，黑化層的針對蝕刻液的反應性也較優，金屬層和黑化層可表現出幾乎相同的對蝕刻液之反應性。為此，在對金屬層和黑化層同時進行蝕刻處理的情況下，可將金屬層和黑化層都圖案化為預期的形狀，並可抑制尺寸不均的發生。故，可同時對金屬層和黑化層進 行蝕刻。

又，由於黑化層可對金屬層的光反射進行抑制，故，例如在作為觸控面板用導電性基板的情況下，可對配線表面的光反射進行抑制，並可提高顯示器的視認性。

【實施例】

以下基於具體實施例和比較例進行詳細說明，但本發明並不限定於該些實施例。

(評價方法)

對實施例和比較例中所製作的試樣藉由以下方法進行了評價。

(1)基於X射線光電子分光法(XPS)的測定

測定係藉由X射線光電子分光裝置(PHI社製，形式：QuantaSXM)進行。再者，X射線源使用了單色化Al(1486.6eV)。

如後所述，在以下的各實施例和比較例中，製作了具有圖2A的結構的導電性基板。故，對露出於圖2A中的第2黑化層132的外部的面132a進行了Ar離子蝕刻，並對距最表面10nm的內部的Ni 2P_3/2光譜進行了測定。之後，根據所獲得的光譜分別計算出鎳單體即金屬鎳的峰值高度(強度)為100時鎳氧化物和鎳氫氧化物的峰值高度(強度)。

(2)反射率測定

測定中，藉由分光光度計(島津製作所製，形式：UV-2600)並以入射角5°的正反射法求出黑化層之波長400nm~700nm的範圍的光反射率之平均。測定時，使上述波長範圍的光以波長1nm的間隔進行變化並進行照射，並進行在各波長的反射率之測定，將其平均值作為黑化層的波長400nm以 上且700nm以下的光反射率的平均。

在以下的各實施例和比較例中，製作了具有圖2A的結構的導電性基板。為此，對露出於圖2A中的第2黑化層132的外部的面132a，測定波長400nm以上且700nm以下的光反射率的平均。再者，各實施例和比較例中所測定和算出的黑化層的波長400nm以上且700nm以下的光反射率的平均，在表1中表示為反射率。

(3)蝕刻試驗

蝕刻試驗中使用了由氯化鐵為10重量%、鹽酸為1重量%、剩餘部分為水所組成的蝕刻液。

將各實施例和比較例中所製作的導電性基板在沒有形成光阻等的條件下在溫度25℃的蝕刻液中浸漬60sec，之後，從蝕刻液中取出。接下來，藉由水洗，對導電性基板上所付著的蝕刻液進行充分清洗。

對在蝕刻液中進行了浸漬、水洗後的導電性基板以目視進行觀察，觀察在透明基材上是否殘留了金屬層和黑化層。

在沒有殘留金屬層和黑化層的情況下，即，沒有確認到殘渣的情況下，表示其為具有可同時進行蝕刻的金屬層和黑化層的導電性基板。相對於此，在金屬層和黑化層的至少一者殘留了的情況下，即，確認到了殘渣的情況下，表示所形成的金屬層和黑化層不能同時進行蝕刻。

(試樣的製作條件)

作為實施例和比較例，在以下所說明的條件下對導電性基板進行了製作，並藉由上述評價方法進行了評價。

〔實施例1〕

製作了具有圖2A所示結構的導電性基板。

(黑化層形成步驟)

首先，將寬度為500mm、厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)製透明基材安置在圖5所示的卷對卷濺鍍裝置50的捲出輥52。再者，針對作為透明基材而使用的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂製透明基材，藉由JIS K 7361-1所規定的方法對其總透光率進行評價，結果為97%。

又，在濺鍍陰極54a~54d上安裝了含有65wt%的鎳及35wt%的銅的鎳-銅合金靶材。

接下來，將卷對卷濺鍍裝置50的加熱器56加熱至100℃並對透明基材進行加熱，以除去基材中所含的水分。

接下來，將殼體51內排氣至1×10^-4Pa之後，將氬氣、氧氣、水蒸氣導入殼體51內。再者，水蒸氣以形成室溫下含有飽和水分的氬氣之形式導入。氬氣、氧氣及含有水分的氬氣(氬氣‧水分的混合氣體)按表1所示的供給量供給至殼體51內，並將殼體51內的壓力調整為2Pa。

接下來，一邊從捲出輥52將透明基材以每分鐘2m的速度進行搬送，一邊從與濺鍍陰極54a~54d連接的濺鍍用直流電源提供電力，以進行濺鍍放電，進而在透明基材上連續地形成黑化層。藉由該操作，在透明基材上形成了厚度為50nm的第1黑化層131。

再者，進行第1黑化層的形成時，如上所述使用了鎳-銅合金的靶材，並在殼體51內導入氬氣、氧氣、水蒸氣的條件下進行了濺鍍。為此，第1黑化層為含有銅單體和/或銅化合物以及鎳單體和鎳化合物。

(金屬層形成步驟)

然後，將形成第1黑化層的的透明基材設置在捲出輥52，並將安裝在濺鍍陰極54a~54d上的靶材變更為銅靶材。接下來，在將卷對卷濺鍍裝置50的殼體51內排氣至1×10^-4Pa之後，僅將氬氣導入殼體51內，並將壓力調整為0.3Pa，除此之外均與第1黑化層時相同，在第1黑化層的上面以厚度成為200nm的方式形成作為金屬層。

(黑化層形成步驟)

接下來，將形成第1黑化層和金屬層的透明基材設置在捲出輥52，並在與形成第1黑化層131時相同的條件下，在金屬層12的上面形成了第2黑化層132。

對所製作的導電性基板的試樣進行了藉由上述X射線光電子分光法(XPS)的測定、反射率測定、及蝕刻試驗的評價。其結果示於表1。

〔實施例2~實施例4〕

形成第1黑化層和第2黑化層時，將供給至殼體51內的氬氣、氧氣及含有水分的氬氣(氬氣‧水分混合氣體)的流量示設為表1所示的值，除此之外均與實施例1同樣，而進行了導電性基板的製作，並進行了評價。

其結果示於表1。

〔比較例1〕

形成第1黑化層和第2黑化層時，向殼體51內供給的氬氣和氧氣的流量為表1所示的值，沒有供給含有水分的氬氣(氬氣‧水分混合氣體)，除此之外均與實施例1相同，而進行了導電性基板的製作。又，對所製作的導電性基板進行了上述的評價。

結果示於表1。

由表1所示結果可知，在實施例1~實施例4的試樣中，對黑化層採用X射線光電子分光法進行評價，確認到了鎳單體、鎳氧化物及鎳氫氧化物的峰值，故可確認其含有各成分。

相對於此，就比較例1而言，並沒有確認到鎳氫氧化物的明確的峰值。再者，就比較例1而言，鎳單體的峰值強度為100時的鎳氫氧化物的強度為58，但是該值表示鎳氫氧化物的峰值位置的XPS測定數據的強度，即基線(base line)的強度。

再者，就實施例1~實施例4而言，如表1所示，可確認到鎳單體為100時的氧化鎳和氫氧化鎳各自的比例，即氧化鎳為70以上且80以下，氫氧化鎳為65以上。

又，藉由對實施例1~實施例4中所製作的導電性基板進行蝕刻試驗可確認到，不論哪個試樣蝕刻後的PET薄膜上都沒有觀察到黑化層和金屬層的殘渣。故，可確認到黑化層也具有良好的蝕刻性，並且黑化層和金屬層可同時進行蝕刻。

又，在實施例1~實施例4中，黑化層的波長400nm以上且 700nm以下的光反射率的平均為40.0%以下，可確認到黑化層可充分抑制在金屬層表面的光反射。

另一方面，就比較例1的導電性基板而言，進行蝕刻試驗時在PET薄膜上確認到了黑化層的殘渣。即，可確認到，比較例1的導電性基板所形成的黑化層相對於蝕刻液的反應性較低，不能對黑化層和金屬層同時進行蝕刻。

由以上結果可知，在黑化層含有銅單體和/或銅化合物以及鎳單體和鎳化合物，並且鎳化合物包括鎳氧化物和鎳氫氧化物的情況下，可確認到黑化層表現“相對於蝕刻液的良好的反應性”。又，在黑化層含有上述成分的情況下，還可確認到黑化層和金屬層可同時進行蝕刻。

以上利用實施方式和實施例等對導電性基板進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式和實施例等。在申請專利範圍內記載的本發明的要旨的範圍內，可進行各種各樣的變形和變更。

本申請基於2015年4月28日向日本國專利局提交的特願2015-091714號而主張優先權，並將特願2015-091714號的全部內容引用於本申請。

10A‧‧‧導電性基板

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧透明基材的一面

11b‧‧‧透明基材的另一面

12‧‧‧金屬層

13‧‧‧黑化層

A‧‧‧一表面

X、Y‧‧‧X軸、Y軸

Claims (8)

1. 一種導電性基板，具有：透明基材；金屬層，其形成在該透明基材的至少一個面上；及黑化層，其形成在該透明基材的至少一個面上；該黑化層含有銅單體和/或銅化合物、以及鎳單體和鎳化合物，該鎳化合物包括鎳氧化物和鎳氫氧化物。
2. 如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中：對該黑化層藉由X射線光電子分光法進行測定時，Ni 2P_3/2光譜的峰值強度之比在鎳單體的峰值強度為100的情況下，鎳氧化物的峰值強度為70以上且80以下，鎳氫氧化物的峰值強度為65以上。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板，其中：該金屬層含有銅。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板，其中：在該透明基材的至少一個面上，從透明基材側依次形成了該金屬層和該黑化層。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板，其中：在該透明基材的至少一個面上，從透明基材側依次形成了該黑化層、該金屬層及該黑化層。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板，其中：該黑化層的厚度為100nm以下。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板，其中：該黑化層的波長400nm以上且700nm以下的光反射率的平均為40%以下。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板，其具備網狀配線。

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