JP6555341B2 - 導電性基板 - Google Patents

Description

本発明は、導電性基板に関する。

特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えばＩＴＯ膜にかえて金属箔を用いた場合、金属箔は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

そこで、銅等により構成される金属層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。

日本国特開２００３−１５１３５８号公報 日本国特開２０１１−０１８１９４号公報 日本国特開２０１３−０６９２６１号公報

しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、金属層と黒化層とを形成した後に、金属層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が金属層と黒化層とで大きく異なっていた。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできない場合や、平面内で均一にエッチングされず寸法ばらつきが生じる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングできないという問題があった。

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、
前記黒化層は、銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、
前記ニッケルの化合物が、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物を含む導電性基板を提供する。

本発明の一側面によれば、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。

以下、本発明の導電性基板、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有することができる。そして、黒化層は、銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、ニッケルの化合物として、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物を含むことができる。

なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターニングした基板、すなわち配線基板と、を含む。金属層及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。

ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ポリアミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。

なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。

次に金属層について説明する。

金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、電気特性に優れ、且つエッチング処理のし易さから、金属層を構成する材料として銅を用いることが好ましい。すなわち、金属層は銅を含有することが好ましい。

金属層が銅を含有する場合、金属層を構成する材料は、例えばＣｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種類以上の金属との銅合金、または銅と上記金属から選ばれる１種類以上の金属とを含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。

金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、他の部材と金属層との間に接着剤を配置しないで形成されていることが好ましい。すなわち、金属層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、金属層は黒化層、または透明基材の上面に形成することができる。このため、金属層は、黒化層、または透明基材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は乾式めっき法を用いて成膜された金属薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。

また金属層をより厚くする場合には、乾式めっきの後に湿式めっき法を用いて積層をすることができる。具体的には例えば、透明基材または黒化層上に、金属薄膜層を乾式めっき法により形成し、該金属薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっきにより金属めっき層を形成することができる。

なお、上述の様に乾式めっき法のみで金属層を成膜した場合、金属層は金属薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成した場合、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とにより構成できる。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成することができる。

金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。

ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。

また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。

次に、黒化層について説明する。

金属層は金属光沢を有するため、透明基材上に金属層をエッチングして配線を形成するのみでは配線が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきた。しかしながら、金属層と黒化層とでエッチング液に対する反応性が大きく異なる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、金属層や、黒化層について所望の形状にエッチングできず、または寸法ばらつきが生じる等の問題があった。このため、従来検討されている導電性基板では、金属層と黒化層とを別行程でエッチングする必要があり、金属層と黒化層とを同時に、すなわち１つの工程でエッチングすることは困難であった。

そこで、本発明の発明者らは金属層と同時にエッチングできる黒化層、すなわちエッチング液に対する反応性に優れ、金属層と同時にエッチングを行った場合でも、所望の形状にパターニングでき、寸法ばらつきの発生を抑制できる黒化層について検討を行った。そして、黒化層が銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、ニッケルの化合物がニッケル酸化物及びニッケル水酸化物を含むことで、黒化層のエッチング液に対する反応性を、金属層の場合とほぼ同等にできることを見出し、本発明を完成させた。

本実施形態の導電性基板の黒化層は、上述の様に黒化層が銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、ニッケルの化合物としてニッケル酸化物及びニッケル水酸化物を含むことができる。ここで、黒化層に含まれる銅の化合物は特に限定されるものではないが、例えば酸化物および／または水酸化物を挙げることができる。このため、黒化層は例えば、ニッケルの単体、ニッケル酸化物、およびニッケル水酸化物を含有し、さらに、銅の単体、銅酸化物、銅水酸化物から選択された１種類以上を含有することができる。

上述の様に黒化層がニッケル酸化物を含有することで、黒化層が金属層表面での光の反射を抑制できる色となり、黒化層としての機能を発揮することができる。特に銅の化合物も含有することで金属層表面での光の反射を抑制でき、黒化層としての機能を高めることができる。

そして、さらにニッケル水酸化物を含有することで、エッチング液に対する反応性を高め、金属層とほぼ同等のエッチング液に対する反応性を有することができる。

黒化層中に含まれる各成分の割合については特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制の程度や、エッチング液に対する反応性の程度等に応じて任意に選択することができ、特に限定されるものではない。ただし、本発明の発明者らの検討によると、エッチング液に対する反応性を十分に高める観点から、例えば黒化層をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、ニッケル水酸化物について、ピークとして識別できる程度に黒化層に含まれていることが好ましい。

特に、黒化層について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｎｉ ２Ｐ_３／２スペクトルのピーク強度の比が、ニッケル単体のピーク強度を１００とした場合に、ニッケル酸化物のピーク強度が７０以上８０以下、ニッケル水酸化物のピーク強度が６５以上であることが好ましい。これは、黒化層が、ニッケル単体、すなわち金属ニッケルに対して、所定の割合でニッケル酸化物、およびニッケル水酸化物を含有することで、黒化層としての光の反射を抑制する機能と、エッチング液に対する反応性とを特に高めつつ両立できるためである。

黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、上述の各成分を含有するように形成できる方法であれば任意の方法を選択することができる。ただし、上述の各成分を含有するように黒化層の組成を比較的容易にコントロールできることから、スパッタリング法を用いることが好ましい。

なお、黒化層は、透明基材および／または金属層等の他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成することが好ましい。そして、黒化層を乾式めっき法で成膜することで、黒化層を他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成できる。このため係る観点からも黒化層の成膜方法はスパッタリング法が好ましい。

スパッタリング法により、本実施形態の導電性基板の黒化層を成膜する場合、ニッケル及び銅を含有する合金のターゲットを用いることができる。なお、黒化層が、金属成分としてニッケル及び銅以外を含有しない場合には、ニッケル及び銅からなる合金のターゲットを用いることができる。

そして、チャンバー内に酸素ガス及び水蒸気を供給しながら、上述のターゲットを用いてスパッタリング法により黒化層を形成することができる。これにより、ニッケル化合物として、チャンバー内に供給した酸素ガスとターゲット中のニッケルとに由来するニッケル酸化物、及びチャンバー内に供給した水蒸気とターゲット中のニッケルとに由来するニッケル水酸化物を含む黒化層を形成できる。

この際、チャンバー内に供給する酸素ガスと、水蒸気との割合を選択することにより、黒化層中に含まれる成分の比率を選択することができる。

特に、チャンバー内には、黒化層に供給する酸素及び水蒸気の量を調整し易いように、不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを同時に供給し、それぞれの分圧を調整することが好ましい。なお、不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムを好ましく用いることができる。また、水蒸気は不活性ガスとの混合気体として供給することができる。

上述のように黒化層を成膜する際に、チャンバーに供給する不活性ガス、酸素ガス、水蒸気の、各ガスの供給割合は特に限定されるものではなく、黒化層の目標組成等に応じて任意に選択することができる。

例えば、予備試験等を行い、成膜した黒化層についてＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｎｉ ２Ｐ_３／２スペクトルのピーク強度の比が上述の好適な強度比となるように、各ガスの供給条件を選択することが好ましい。

黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。

黒化層の厚さは例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、金属層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを２０ｎｍ以上とすることにより、金属層の表面での反射をより確実に抑制できるため好ましい。

また、黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くすると、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは１００ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

次に、導電性基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と金属層と黒化層とを有することができる。この際、金属層と黒化層とについての透明基材上の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。ただし、金属層表面での光の反射を抑制するために、金属層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層を配置することが好ましい。金属層表面での光の反射を特に抑制することが要求される場合、黒化層が金属層の上面及び下面に形成された積層構造、すなわち金属層が黒化層に挟まれた構造とすることもできる。

具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

本実施形態の導電性基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から金属層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。

具体的には例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面側に複数層設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から黒化層と、金属層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。

具体的には例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、金属層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。

この場合も透明基材１１の両面に金属層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、金属層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。

なお、図１Ｂ、図２Ｂにおいて、透明基材の両面に金属層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ａの構成と同様に、金属層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に金属層と、黒化層とを設けているため、金属層による光の反射を抑制することができる。

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合のディスプレイでの配線視認性を抑制するためには、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は低い方が良い。例えば、黒化層は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。

反射率の測定は、導電性基板の黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように黒化層１３の表面Ａに対して光を照射し、測定できる。そして、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均とすることができる。

本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板にはメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。

メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。

例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層、および黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは金属層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。

透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａでは配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。

また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、金属層との配置は限定されるものではない。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。

ただし、黒化層は金属層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間にそれぞれ黒化層をさらに設けてもよい。

図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を備えた導電性基板から形成することができる。

図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、図１Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。

以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。また、図４Ａにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターニングされた黒化層を有する導電性基板は、図２Ｂに示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。

図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１Ａにおける面Ａと、金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂとを貼り合せて、図４Ｂに示した構造となるようにすることもできる。

なお、黒化層は金属層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化層をさらに設けてもよい。

また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるようにすることもできる。

なお、図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。

また、図３、図４Ａ、図４Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。

このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材の少なくとも一方の面側に金属層を形成する金属層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を形成する黒化層形成工程とを有することができる。

そして、黒化層形成工程においては、銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、ニッケルの化合物が、ニッケル酸化物、及びニッケル水酸化物を含む黒化層を成膜することができる。

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、本実施形態の導電性基板の製造方法により、既述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。

なお、上述のように、本実施形態の導電性基板においては、金属層と黒化層とを透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記金属層形成工程と、黒化層形成工程とを実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

以下、各工程について説明する。

まず、金属層形成工程について説明する。

金属層形成工程においては、透明基材の少なくとも一方の面側に金属層を形成できる。

なお、金属層形成工程、または黒化層形成工程に供する透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。

そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。

金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

金属薄膜層は例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。

以下に、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に金属薄膜層を形成する工程を説明する。

図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。

筐体５１内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、巻取ロール５５等を具備する。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロールやヒーター５６等を設けることもできる。

キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。

スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの金属薄膜層を成膜する基材の幅方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の幅より広いことが好ましい。

金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで金属薄膜層が成膜される。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて金属薄膜層を成膜する場合、成膜する組成に対応したターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着する。そして、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入することができる。気体供給手段５８の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）５８１ａ、５８１ｂ、及びバルブ５８２ａ、５８２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。スパッタリングガスを筐体５１内に供給する際、スパッタリングガスの流量及び、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ〜１０ｍの速度で搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続的に成膜することができる。

なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は上述した部材以外にも任意の部材を設けることができる。例えば図５に示したように、筐体５１内の真空度を測定するための真空計６０ａ、６０ｂや、ベントバルブ６１ａ、６１ｂ等を設けることができる。

次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。

次に、黒化層形成工程について説明する。

黒化層形成工程は既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を成膜する工程である。黒化層の成膜手段は特に限定されるものではないが、スパッタリング法を好適に用いることができる。これは、スパッタリング法によれば、比較的容易に銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、ニッケルの化合物が、ニッケル酸化物、及びニッケル水酸化物である層を形成できるためである。

スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いることができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合、例えばニッケル及び銅を含有する合金のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着する。そして、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気する。

その後、酸素ガス、水蒸気とを含むスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。

なお、筐体５１内には、黒化層に供給する酸素及び水蒸気の量を調整し易いように、不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを同時に供給し、それぞれの分圧を調整することが好ましい。従って、スパッタリングガスは不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを含有することが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムを好ましく用いることができる。また、水蒸気は不活性ガスとの混合気体として供給することができる。

スパッタリングガス中の酸素ガス及び水蒸気の比率は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成等に応じて選択することができる。

例えばニッケル水酸化物は、成膜した黒化層をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、ニッケル水酸化物について、ピークとして識別できる程度に黒化層に含まれていることが好ましい。

また特に、成膜した黒化層についてＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｎｉ ２Ｐ_３／２スペクトルのピーク強度の比が、ニッケル単体のピーク強度を１００とした場合に、ニッケル酸化物のピーク強度が７０以上８０以下、ニッケル水酸化物のピーク強度が６５以上であることが好ましい。このため、成膜した黒化層についてのＸ線光電子分光法の測定結果が上記結果となるように各ガスの供給量を調整をすることが好ましい。

また、黒化層を成膜する際、導電性基板の幅方向全体に渡って、黒化層中のニッケル単体に対するニッケル酸化物、およびニッケル水酸化物が例えば上述の所望の範囲となるように、ガスの供給配管の配置を調整しておくことが好ましい。

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ〜１０ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。

そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、金属層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。

係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１Ａに示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法等、従来の技術と同様の方法により形成することができる。

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、金属層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。

なお、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを同時にエッチングしてもよい。

また、透明基材１１の両側に形成された金属層１２Ａ、１２Ｂ及び黒化層１３Ａ、１３Ｂについて、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。

本実施形態の導電性基板に形成する黒化層は金属層と同様のエッチング液への反応性を示すため、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に金属層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と塩酸との混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と塩酸との含有量は特に限定されるものではないが、例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していることが好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いても良い。

上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。

また、既述のように、図１Ａ、図２Ａに示した透明基材１１の一方の面側に金属層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。

以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板によれば、黒化層についてもエッチング液に対する反応性が優れており、金属層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことができる。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチング処理した場合に、金属層及び黒化層を所望の形状にパターニングし、寸法ばらつきの発生を抑制できる。従って、金属層及び黒化層を同時にエッチングすることができる。

また、黒化層は金属層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、配線表面での光の反射を抑制し、ディスプレイの視認性を高めることができる。

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
実施例、比較例において作製した試料について以下の方法により評価を行った。
（１）Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による測定
測定は、Ｘ線光電子分光装置（ＰＨＩ社製、形式：ＱｕａｎｔａＳＸＭ）により行った。なお、Ｘ線源には単色化Ａｌ（１４８６．６ｅＶ）を使用した。

後述のように、以下の各実施例、比較例では、図２Ａの構造を有する導電性基板を作製した。そこで、図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した面１３２ａをＡｒイオンエッチングし、最表面から１０ｎｍ内部のＮｉ ２Ｐ_３／２スペクトルを測定した。得られたスペクトルからニッケル単体、すなわち金属ニッケルのピーク高さ（強度）を１００としたときの、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物のピーク高さ（強度）をそれぞれ算出した。
（２）反射率測定
測定は、分光光度計（島津製作所製、形式：ＵＶ−２６００）により、入射角５°の正反射法にて、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光の反射率の平均を求めた。測定に当たっては上記波長域の光を波長１ｎｍ間隔で変化させて照射し、各波長での反射率の測定を行い、その平均値を黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均としている。

以下の各実施例、比較例では、図２Ａの構造を有する導電性基板を作製している。このため、図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した面１３２ａについて、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均を測定、算出した。なお、各実施例、比較例において、測定、算出した、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は、表１中において反射率として示している。
（３）エッチング試験
エッチング試験では塩化第二鉄を１０重量％、塩酸を１重量％、残部は水からなるエッチング液を用いた。

各実施例、比較例で作製した導電性基板を、レジスト等は形成せずに、温度２５℃のエッチング液中に６０ｓｅｃ浸漬した後、エッチング液から取り出した。そしてその後、水洗により導電性基板に付着したエッチング液を十分に洗い流した。

エッチング液に浸漬、水洗した後の導電性基板を目視により観察し、透明基材上に残った金属層および黒化層の有無を観察した。

金属層および黒化層が残存しない場合、すなわち残渣が確認できない場合には、同時にエッチングできる金属層、および黒化層を備えた導電性基板であることを示している。これに対して金属層と、黒化層との少なくとも一方が残存している場合、すなわち残渣が確認できた場合には、成膜した金属層および黒化層を同時にエッチングできないことを示している。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
図２Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。
（黒化層形成工程）
まず、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の巻出ロール５２にセットした。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。

また、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに、ニッケル６５ｗｔ％と、銅３５ｗｔ％とを含有するニッケル−銅合金のターゲットをセットした。

次にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５６を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。

続いて筐体５１内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内に、アルゴンガス、酸素ガス、水蒸気を導入した。なお、水蒸気は室温において飽和水分を含有するアルゴンガスとして導入している。アルゴンガス、酸素ガス、水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）は表１に示す供給量となるように筐体５１内に供給し、筐体５１内の圧力が２Ｐａになるように調整した。

そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の黒化層１３１を厚さが５０ｎｍとなるように形成した。

なお、第１の黒化層を成膜する際、上述の様にニッケル−銅合金のターゲットを用い、筐体５１内に、アルゴンガス、酸素ガス、水蒸気を導入してスパッタリングを行った。このため、第１の黒化層は銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有することとなる。
（金属層形成工程）
続いて、第１の黒化層を成膜した透明基材を巻出ロール５２にセットし、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄにセットしたターゲットを銅のターゲットに変更した。そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の筐体５１内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内にアルゴンガスのみを導入し、圧力が０．３Ｐａになるように調整した点以外は第１の黒化層の場合と同様にして第１の黒化層の上面に金属層として銅層を厚さが２００ｎｍとなるように形成した。
（黒化層形成工程）
続いて、第１の黒化層、及び金属層を成膜した透明基材を巻出ロール５２にセットし、第１の黒化層１３１と同条件で金属層１２の上面に第２の黒化層１３２を形成した。

作製した導電性基板の試料について、上述のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による測定、反射率測定、およびエッチング試験の評価を実施した。結果を表１に示す。
［実施例２〜実施例４］
第１の黒化層、および第２の黒化層を形成する際に、筐体５１内に供給するアルゴンガス、酸素ガス、および水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）の流量を表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。

結果を表１に示す。
［比較例１］
第１の黒化層、および第２の黒化層を形成する際に、筐体５１内に供給するアルゴンガス、酸素ガスの流量を表１に示した値とし、水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）を供給しなかった点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。また、作製した導電性基板について上述の評価を行った。

結果を表１に示す。

表１に示した結果によると、実施例１〜実施例４の試料において、黒化層をＸ線光電子分光法により評価を行ったところ、ニッケル単体、およびニッケル酸化物、ニッケル水酸化物のピークが確認され、各成分を含有することが確認できた。

これに対して、比較例１については、ニッケル水酸化物の明確なピークは確認されなかった。なお、比較例１についてはニッケル単体のピーク強度を１００とした際のニッケル水酸化物の強度が５８となっているが、これはニッケル水酸化物のピーク位置におけるＸＰＳ測定データの強度を示しており、ベースラインの強度となる。

なお、実施例１〜実施例４については、表１に示したようにニッケル単体を１００とした際の酸化ニッケルおよび水酸化ニッケルの比率はそれぞれ、酸化ニッケル７０以上８０以下であり、水酸化ニッケルは６５以上であることを確認できた。

そして実施例１〜実施例４で作製した導電性基板についてエッチング試験を実施したところ、いずれの試料についてもエッチング後のＰＥＴフィルム上には黒化層および金属層の残渣は見られなかった。従って、黒化層も良好なエッチング性を示し、黒化層と金属層とを同時にエッチングできることを確認できた。

また、実施例１〜実施例４は、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０．０％以下となっており、黒化層は金属層表面での光の反射を十分に抑制できていることを確認できた。

一方で、比較例１の導電性基板においては、エッチング試験を実施した際にＰＥＴフィルム上には黒化層の残渣が認められた。すなわち、比較例１の導電性基板で形成した黒化層はエッチング液に対する反応性が低く、黒化層と金属層とを同時にエッチングできないことが確認できた。

以上の結果から、黒化層が銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、ニッケルの化合物がニッケル酸化物、及びニッケル水酸化物を含む場合、黒化層はエッチング液に対して良好な反応性を示すことを確認できた。そして、黒化層が上述の成分を含有する場合に、黒化層と金属層とを同時にエッチングできることを確認できた。

以上に導電性基板を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

本出願は、２０１５年４月２８日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−０９１７１４号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−０９１７１４号の全内容を本国際出願に援用する。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ 黒化層
３１Ａ、３１Ｂ 配線

Claims (8)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、
   前記黒化層は、銅の単体および／または化合物と、ニッケルの単体および化合物とを含有し、
   前記ニッケルの化合物が、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物を含む導電性基板。
2. 前記黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、
   Ｎｉ ２Ｐ_３／２スペクトルのピーク強度の比が、ニッケル単体のピーク強度を１００とした場合に、ニッケル酸化物のピーク強度が７０以上８０以下、ニッケル水酸化物のピーク強度が６５以上である、請求項１に記載の導電性基板。
3. 前記金属層は銅を含有する請求項１または２に記載の導電性基板。
4. 前記透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から前記金属層と、前記黒化層とがその順に形成された請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
5. 前記透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から前記黒化層と、前記金属層と、前記黒化層とがその順に形成された請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
6. 前記黒化層の厚さが１００ｎｍ以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板。
7. 前記黒化層は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電性基板。
8. メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至７のいずれか一項に記載の導電性基板。