JP6601137B2 - 積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法に関する。

特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を加工した金属細線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属細線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

そこで、銅等の金属箔により構成される銅層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した積層体基板が検討されている。係る積層体基板から、金属細線の配線パターンを有する導電性基板とするためには、銅層と、要求される反射率などの光学特性を備える黒化層とを形成した後に、銅層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要がある。

しかしながら、エッチング液に対する反応性が銅層と黒化層とで異なるという問題があった。すなわち、銅層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、銅層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。

特開２００３−１５１３５８号公報 特開２０１１−０１８１９４号公報 特開２０１３−０６９２６１号公報

上記従来技術の問題に鑑み、本発明は同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明は、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体が、
酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、
銅層とを有し、
前記黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化層中の銅の、前記黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で２０％以上８０％以下であり、前記黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす積層体基板を提供する。

０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８ ・・・（１）

本発明によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。

以下、本発明の積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。そして、積層体は、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、銅層とを有することができる。また、黒化層の膜厚は１５ｎｍ以上であり、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たすことが好ましい。

０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８ ・・・（１）
なお、本実施形態における積層体基板とは、銅層等をエッチングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層の積層体を有する基板である。導電性基板とは銅層や黒化層をエッチングして金属細線とした基板である。

ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

次に銅層について説明する。

銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。

また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅薄膜層と、銅めっき層とで銅層を構成することができる。
上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。

銅層の膜厚は特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層の膜厚は８０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の膜厚の上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の膜厚は５０００ｎｍ以下が好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましく、１２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

次に、黒化層について説明する。本実施形態の積層体基板で黒化層は、酸素と、銅と、ニッケルとを含有できる。

黒化層を備えずに、銅層のみを形成して配線加工した金属細線は、配線の銅層が金属光沢を有するため、銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されている。

黒化層は、銅層表面での光の反射を抑制するため、また透明基材上に銅層、及び黒化層を形成した後に配線加工するため、反射率が低いことと、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングできるエッチング性とを両立することが求められている。

本発明の発明者らは、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層について検討を行い、低反射率と、エッチング性とを両立できる黒化層となるよう検討を行った。ところが、係る黒化層は、黒化層を構成する金属の原子数と、酸素の原子数との比によってはエッチング液に対する反応性、すなわちエッチング性が十分ではない場合があった。

そして、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、かつ黒化層に含まれる酸素原子と、ニッケル原子との物質量比（Ｏ／Ｎｉ）が以下の（１）式を満たす場合、黒化層は、低反射率と、エッチング性とを両立できることを見いだした。

０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８・・・（１）
本実施形態の積層体基板の、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層は、例えば乾式めっき法により成膜することができる。そして、乾式めっき法で、ニッケル−銅合金を用いて、アルゴンガスなどの不活性ガスに酸素を添加した雰囲気下で酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を成膜する場合、ニッケルが優先的に酸化される。

しかし、上記（１）式のＯ／Ｎｉ比が０．１未満の場合、ニッケルの酸化が不十分となり黒化層として成膜したＮｉ−Ｃｕ−Ｏ膜の反射率が高くなる場合がある。

また、上記（１）式のＯ／Ｎｉ比が０．８より大きいと、ニッケルの酸化が進み、黒化層として成膜したＮｉ−Ｃｕ−Ｏ膜が透明になり、透過率が高くなる恐れがある。このため、係るＮｉ−Ｃｕ−Ｏ膜と銅層とを積層した場合、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｏ膜を透過した光の、銅層からの反射が大きくなり結果的に反射率が増加する場合がある。さらには、上記（１）式のＯ／Ｎｉ比が０．８より大きくなると、エッチング性が低下する恐れがある。

これに対して、上述の様に、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層中のＯ／Ｎｉ比が０．１以上０．８以下の場合、該黒化層の低反射率と、エッチング性とを両立できるため好ましい。特に黒化層のＯ／Ｎｉ比は０．２以上０．７以下がより好ましい。

なお、黒化層に含まれる各原子の状態は特に限定されるものではなく、例えば化学的に不定比のニッケル−銅酸化物を含むことができ、ニッケルと銅の一部は酸化物（不定比の酸化物も含む）とはなっていない原子として含まれていてもよい。

また、黒化層に含まれる酸素、ニッケル、銅の組成はＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により知ることができる。

本実施形態の積層体基板の黒化層中の銅とニッケルとの比率は特に限定されるものではないが、黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合は、質量比で２０％以上８０％以下であることが好ましい。

これは、黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合を質量比で２０％（質量％）以上とすることで、黒化層のエッチング性を特に高めることができるためである。ただし、黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で８０％（質量％）を超えると、黒化層の反射率が高くなり、タッチパネル用の導電性基板とした場合に、ディスプレイの視認性が低下する恐れがあるため、８０％以下が好ましい。

黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合は、質量比で３０％以上５０％以下であることがより好ましい。

なお、黒化層をスパッタリング法により成膜する場合であってニッケル−銅合金のスパッタリングターゲットを用いる場合、黒化層中の銅とニッケルとの比率は、スパッタリングターゲット中の銅とニッケルの比率と概ね等しくすることができる。このため、黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、黒化層中の銅とニッケルとの比率は、スパッタリングターゲットの組成により代えることもできる。

黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができ、例えば乾式めっき法により好適に成膜することができる。特に、スパッタリング法によれば、ニッケル−銅合金のスパッタリングターゲットを用い、該スパッタリングターゲットからのニッケル−銅合金を酸化しつつ、比較的容易に酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を成膜できる。このため、黒化層はスパッタリング法により成膜することが好ましい。

本実施形態の積層体基板の黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、ニッケル−銅合金ターゲットを用い、チャンバー内に不活性ガス、及び酸素ガスを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスを用いることができる。

黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、予め不活性ガスと酸素ガスとを混合した混合ガスをチャンバー内に供給することもできる。また、不活性ガスと、酸素ガスとをそれぞれチャンバー内に供給し、各ガスの分圧を調整することもできる。特に、黒化層に供給する酸素の量を調整できるように、不活性ガスと、酸素ガスとをチャンバー内に同時に供給し、チャンバー内の酸素分圧を調整することが好ましい。

上述のように不活性ガスと酸素ガスとをチャンバー内に供給しながら乾式めっき法、例えばスパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガスと、酸素ガスとの比は限定されるものではない。ただし、黒化層を成膜する際、被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、被成膜表面に堆積するニッケルの原子数（Γ（Ｎｉ））とが、（２）式を満たすことが好ましい。すなわち、以下の（２）式を充足するように不活性ガス分圧および酸素分圧を調整することが好ましい。

２≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）≦１０・・・（２）
これは、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）が２以上の場合、黒化層を十分に黒化することができ、積層体基板の黒化層の反射率を特に低減できることから、導電性基板とした際のディスプレイの視認性を特に高めることができるためである。

また、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）が１０以下の場合、黒化層に含まれるニッケルの酸化が過度に進むことを抑制することができるため、ニッケル酸化物が透明になって黒化層の透過率が上がることを抑制できる。このため、黒化層と銅層とを積層した積層体基板において、銅層表面での光の反射を黒化層が抑制し、積層体基板の反射率を低減できる。さらには、黒化層のエッチング性を特に高めることができ、銅層と黒化層とをより確実に同時にエッチング処理することができる。

従って、黒化層を成膜する際には、上述のように、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）は２以上１０以下が好ましく、４以上８以下がより好ましい。

なお、被成膜表面に入射したＯ_２分子のすべてが、Ｎｉ原子と反応するのではなく、被成膜表面に入射した一部のＯ_２分子がＮｉ原子と反応する。このため、Ｏ_２分子とＮｉ原子との反応の確率を考慮すると、被成膜表面に入射するＯ_２分子数（Γ（Ｏ_２））と被成膜表面に堆積する原子数（Γ（Ｎｉ））との関係は、（２）式を満たすことが望ましい。

上述した黒化層の被成膜表面とは、黒化層を成膜する際の最表面部分を意味し、黒化層の成膜開始時であれば黒化層を成膜する下層、すなわち、透明基材の表面または銅層の表面を意味する。また、黒化層の成膜開始後であれば成膜中の黒化層の最表面を意味する。

上述の（２）式のうち、黒化層の被成膜表面に入射するＯ_２分子数であるΓ（Ｏ_２）は、以下の（３）式で求めることができる。

Γ（Ｏ_２）＝ｐ／（２πｍｋＴ）^０．５ ［個／（ｍ^２ｓ）］ ・・・（３）
（３）式中各パラメータは、ｐ：酸素の分圧［Ｐａ］、ｍ：酸素分子の質量［ｋｇ］、ｋ：ボルツマン定数（１．３８×１０^−２３［Ｊ／Ｋ］）、Ｔ：温度（Ｋ）を意味している。

上述の（１）式のうち黒化層の被成膜表面に堆積するニッケルの原子数（Γ（Ｎｉ））は、単位面積に堆積したニッケルの質量と成膜時間から算出することができる。具体的には以下の（４）式により算出することができる。

Γ（Ｎｉ）＝Ｗ・Ｎａ／（Ｍ・Ａ・ｔ） ［個／（ｍ^２ｓ）］ ・・・（４）
Ｗ：Ｎｉの質量 Ｎａ：アボガドロ数 Ｍ：Ｎｉの原子量 Ａ：成膜面積 ｔ：成膜時間
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより確実に抑制できるため好ましい。

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは６０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。特に黒化層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、すなわち、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。

本実施形態の積層体基板の具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

例えば、図１（ａ）に示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、本実施形態の積層体基板は、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。

この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。

なお、図１（ｂ）、図２（ｂ）において、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

ここまで、本実施形態の積層体基板について説明してきたが、本実施形態の積層体基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層とを設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。

本実施形態の積層体基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の積層体基板は、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率（正反射率）の平均が４０％以下であることが好ましい。特に、本実施形態の積層体基板の、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。これは、本実施形態の積層体基板の、黒化層表面での波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。

積層体基板の、黒化層の反射率は、黒化層に対して光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、積層体基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。

具体的には例えば図１（ａ）に示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中の表面Ａに対して光を照射して測定できる。

また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から黒化層に対して光を照射し、反射率を測定できる。

なお、光の反射率の平均とは、同じ試料について、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて反射率の測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。

本実施形態の積層体基板はここまで説明したように、透明基材上に銅層、及び黒化層を配置した構成を有することができる。そして、透明基材上に配置した銅層、及び黒化層を所望の配線パターンに応じてエッチングして金属細線、すなわち配線とすることで導電性基板とすることができる。

このため、本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線は、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化配線層と、銅配線層とを備えた積層体とすることができる。
また、黒化配線層の膜厚は１５ｎｍ以上とすることができる。そして、黒化配線層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たすことが好ましい。

０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８ ・・・（１）
本実施形態の導電性基板は、例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は例えばメッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。

メッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の積層体基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。

例えば、二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンとすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層、黒化配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の銅配線層３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な銅配線層３１Ｂとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化配線層が形成されている。黒化配線層は黒化層をエッチングして形成することができ、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと同じ形状（パターン）となるようにエッチングされている。

透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４（ａ）に示した例の場合、銅配線層３１Ａの上面、及び銅配線層３１Ｂの下面には、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされた黒化配線層３２Ａ、３２Ｂがそれぞれ配置されている。

また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に銅配線層３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の銅配線層３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面には銅配線層と同じ形状にエッチングされた黒化配線層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。

なお、黒化配線層と、銅配線層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化配線層３２Ａ、３２Ｂと、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化配線層を複数層設けることもできる。

ただし、黒化配線層は銅配線層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、例えば、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂの位置と、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆にすることが好ましい。また、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂに加えて、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化配線層をさらに設けてもよい。

図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を備えた積層体基板から形成することができる。

図１（ｂ）の積層体基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＸ軸方向とは図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１（ｂ）中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を意味している。

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。

以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。

また、図４（ａ）において、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間に黒化配線層をさらに設ける場合には、図１（ｂ）の積層体基板に替えて図２（ｂ）の積層体基板を用いることができる。この場合、図２（ｂ）の積層体基板の第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂを含めて、上述の場合と同様にエッチングを行うことで、導電性基板を作製できる。

図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の積層体基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した積層体基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とすることができる。

２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せ、図４（ａ）に示した導電性基板と同様の構成とすることができる。

また、例えば一方のエッチングした積層体基板の銅層１２等が積層された図１（ａ）における表面Ａと、他方のエッチングした積層体基板の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せることもできる。この場合、図４（ｂ）に示した導電性基板と同様の構成となる。

なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。

このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂの位置と、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆に配置することが好ましい。この場合、導電性基板を作製する際、図１（ａ）に示した積層体基板１０Ａに替えて、図１（ａ）における銅層１２と、黒化層１３との配置を逆にした積層体基板を用いることで、係る導電性基板を作製できる。

また、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂに加えて、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化配線層をさらに設けてもよい。この場合、導電性基板を作製する際、図１（ａ）に示した積層体基板１０Ａに替えて、図２（ａ）に示した積層体基板２０Ａを用いることで、係る導電性基板を作製できる。

なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に流す電流量等に応じて選択することができる。ディスプレイのタッチパネル用の導電性基板とする場合、視認性を考慮すると金属細線の幅は２０μｍ以下が望ましい。

ここまで説明したように、本実施形態の導電性基板は、既述の積層体基板の銅層、及び黒化層を所望の配線パターンに応じてエッチングすることで作製できる。このため、本実施形態の導電性基板の銅配線層、及び黒化配線層は、それぞれ既述の積層体基板の銅層、及び黒化層と同様の特性を有することができる。

そこで、例えば、黒化配線層中の銅の、黒化配線層中の銅とニッケルとの合計に対する割合は質量比で２０％以上８０％以下であることが好ましく、３０％以上５０％以下であることがより好ましい。

また、黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。これは、本実施形態の導電性基板の、黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。

反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化配線層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、導電性基板の黒化配線層の反射率は、積層体基板の黒化層等をエッチングした後に残存した金属細線の黒化配線層に対して光を照射するようにして測定を行うことができる。

反射率の具体的な測定方法については、積層体基板の黒化層の反射率を測定する場合と同様にして行うことができるため、ここでは説明を省略する。

また、その他、例えば銅配線層や、黒化配線層の厚さ等も、既述の積層体基板の銅層、及び黒化層と同様の特性を有することができる。

なお、ここまで図３、図４（Ａ）、（Ｂ）においては、直線形状の金属細線を組み合わせてメッシュ状の配線パターンを形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属細線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属細線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。

このように２層の金属細線から構成されるメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法の構成例について説明する。

なお、本実施形態の積層体基板の製造方法により、既述の積層体基板を、また本実施形態の導電性基板の製造方法により、既述の導電性基板を製造することができる。このため、以下に説明する点以外については、既述の積層体基板、及び導電性基板の場合と同様に構成することができるため、説明を一部省略する。

本実施形態の積層体基板の製造方法は、黒化層を乾式めっき法、例えばスパッタリング法で成膜する黒化層形成工程を有することができる。そして、黒化層形成工程において、黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、黒化層に堆積する銅の原子数（Γ（Ｎｉ））とが、以下の（２）式を満たすことが好ましい。

２≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）≦１０ ・・・（２）
黒化層形成工程では、透明基材の少なくとも一方の面側に酸素と銅とニッケルとを含有する黒化層を形成できる。そして、黒化層形成工程では、例えば化学的に不定比のニッケル−銅酸化物を堆積する成膜手段により黒化層を成膜する工程とすることができる。黒化層形成工程における化学的に不定比のニッケル−銅合金酸化物を堆積する成膜手段は特に限定されるものではないが、乾式めっき法であることが好ましく、特にスパッタリング成膜手段（スパッタリング法）であることが好ましい。

本実施形態の積層体基板の製造方法の黒化層形成工程において、黒化層を乾式めっき法、例えばスパッタリング法により成膜する場合、ニッケル−銅合金ターゲットを用い、チャンバー内に不活性ガス、及び酸素ガスを供給しながら成膜することができる。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスを用いることができる。

そして、不活性ガスと酸素ガスとをチャンバー内に供給しながら乾式めっき法、例えばスパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガスと、酸素ガスとの比は限定されるものではない。ただし、黒化層を成膜する際、被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、被成膜表面に堆積するニッケルの原子数（Γ（Ｎｉ））とが、上述の（２）式を満たすことが好ましい。

これは、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）が２以上の場合、黒化層を十分に黒化することができ、積層体基板の黒化層の反射率を特に低減できることから、導電性基板とした際のディスプレイの視認性を高めることができるためである。

また、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）が１０以下の場合、黒化層に含まれるニッケルの酸化が過度に進むことを抑制することができるため、ニッケル酸化物が透明になって黒化層の透過率が上がることを抑制できる。このため、黒化層と銅層を積層した積層体基板において、銅層表面での光の反射を黒化層が抑制し、積層体基板の反射率を低減できる。さらには、黒化層のエッチング性を特に高めることができ、銅層と黒化層とをより確実に同時にエッチング処理することができる。

このため、黒化層を成膜する際には、上述のように、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）は２以上１０以下が好ましく、４以上８以下がより好ましい。

黒化層を乾式めっき法より成膜する場合、例えば図５に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。
以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に黒化層形成工程を説明する。

図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０^−３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０^−４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域５１ａ、及び領域５１ｂのみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。

筐体５１内には、黒化層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。

また、黒化層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ〜５８ｈや、ヒーター５９等を設けることもできる。

巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって黒化層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。

キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。

テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂ、ガイドロール５８ａ〜５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。

スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの黒化層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する黒化層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。

黒化層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで黒化層が成膜される。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合の手順について説明する。

まず、ニッケル−銅合金ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂ、場合によってはさらに真空ポンプ６０ｃを用いて真空排気する。

なお、巻出ロール５２から、巻取ロール５７まで基材を搬送する過程で、基材上に組成の異なる層、具体的には例えば黒化層と、銅薄膜層とを連続して成膜することもできる。このように、黒化層と、銅薄膜層とを連続して成膜する場合には、例えばスパッタリングカソード５４ａ、５４ｂにニッケル−銅合金ターゲットを、スパッタリングカソード５４ｃ、５４ｄに銅ターゲットをセットしておくこともできる。

そしてその後、スパッタリングガスである不活性ガス、例えばアルゴン等と、酸素ガスとを気体供給手段６１ａにより筐体５１内に導入する。

気体供給手段６１ａの構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）６１１ａ、６１１ｂ、及びバルブ６１２ａ、６１２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。

気体供給手段６１ａにより不活性ガスと、酸素ガスとを筐体内に導入する際には、マスフローコントローラー６１１ａ、６１１ｂ等により、上述のようにΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）が所定の範囲を充足するように、酸素分圧を調整することが好ましい。

気体供給手段６１ａによりスパッタリングガスを筐体５１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２ａの開度と、を調整して筐体内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜することが好ましい。

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体５１内の圧力を測定するための圧力計６３ａ、６３ｂや、ベントバルブ６４ａ、６４ｂ等を設けることもできる。

なお、上述の様に、巻出ロール５２から、巻取ロール５７まで基材を搬送する過程で、基材上に黒化層と、銅薄膜層とを連続して成膜することもできる。基材上に黒化層と銅薄膜層とを連続して成膜する場合、スパッタリングカソード５４ａ、５４ｂ側の領域５１ａと、スパッタリングカソード５４ｃ、５４ｄ側の領域５１ｂとで異なる雰囲気に制御できるように構成することが好ましい。具体的には例えば隔壁６５を設け、２つの領域で異なる雰囲気に制御できるように構成することが好ましい。この場合、気体供給手段６１ａに加えて、気体供給手段６１ｂを設けることができる。気体供給手段６１ｂを設ける場合、気体供給手段６１ｂについても気体供給手段６１ａの場合と同様に構成することができ、例えばマスフローコントローラー６１１ｃ、及びバルブ６１２ｃを有することができる。図５では、マスフローコントローラー６１１ｃと、バルブ６１２ｃとを１組設けた例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、供給するガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。

また、領域５１ｂ側に真空ポンプ６０ｃと、圧力調整バルブ６２ｂとを設けておくこともでき、気体供給手段６１ｂからのスパッタリングガスの流量と、圧力調整バルブ６２ｂの開度とにより、領域５１ｂ内の圧力を制御できる。

筐体内に異なる雰囲気の領域を形成する必要がない場合には、上述した隔壁６５、気体供給手段６１ｂ、真空ポンプ６０ｃ、及び圧力調整バルブ６２ｂを設ける必要はなく、領域５１ａと、領域５１ｂとを同一の雰囲気となるように制御できる。

また、本実施形態の積層体基板の製造方法は、黒化層形成工程以外に、以下の工程を有することができる。

透明基材を準備する透明基材準備工程。
透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する成膜手段により銅層を形成する銅層形成工程。

上述のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程と、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

透明基材を準備する透明基材準備工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の工程での各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。

次に銅層形成工程について説明する。

銅層は既述のように、乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いることが好ましい。

このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。

乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわち、銅層形成工程における銅を堆積させる成膜手段はスパッタリング成膜手段（スパッタリング法）であることが好ましい。

銅薄膜層は、例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。

湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

そして、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが８０ｎｍ以上であることが好ましく１００ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましく、１２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

また、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、６０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

さらに、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。特に２０％以下であることがより好ましい。

そして、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板から、金属細線を備えた導電性基板を作製することができる。本実施形態の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板から、銅層、及び黒化層をエッチングして導電性基板とする場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層とを配線加工する配線加工工程を有することができる。すなわち、本実施形態の導電性基板の製造方法は、本実施形態の積層体基板の製造方法で得られた積層体基板を配線加工する配線加工工程を有することができる。

係る配線加工工程を行う場合、例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成することができる。

図１（ａ）に示した積層体基板から導電性基板を作製する場合、積層体基板に配置した黒化層１３の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。

なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂ上にそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。

また、透明基材１１の両面に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。

本実施形態の積層体基板に含まれる黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示すことから、配線加工工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることもできる。

上述した配線加工工程により得られる金属細線は、例えばメッシュ状の配線パターンとすることができ、具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。

なお、図１（ａ）または図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、及び黒化層を有する積層体基板について配線加工工程でエッチングを行い、得られた２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とすることもできる。この場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに有することができる。

導電性基板を貼り合せる工程において、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。

以上に本実施形態の積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。

係る積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、銅層と黒化層とのエッチング処理を同時に行うことができ、容易に所望の金属細線を形成することができる。

また、酸素と、銅と、ニッケルとを含有し、膜厚、及び黒化層中の酸素原子と、ニッケル原子との物質量比が所定の範囲内である黒化層は黒色であるため、エッチングにより黒化配線層とした場合、銅配線層による光の反射を抑制することができる。このため、得られた導電性基板を例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。

以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
（１）反射率
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について反射率の測定を行った。

測定は、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。

各実施例、比較例で図２（ａ）の構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図２（ａ）における第２の黒化層１３２の外部に露出した表面Ａに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて測定を行い、測定結果の平均を該積層体基板の反射率の平均とした。
（２）黒化層の酸素、ニッケル、銅の原子の比率
以下の各実施例、比較例に作製した積層体基板について、第２の黒化層の酸素、ニッケル、銅の原子の比率をＸＰＳ（アルバック・ファイ社製 型式：Ｖｅｒｓａ ＰｒｏｂｅＩＩ）により測定した。
（３）エッチング性
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について、塩化第二鉄１０重量％と、塩酸１０重量％と、残部が水と、からなるエッチング液に１分間浸漬し、エッチング性を評価した。透明基材上に残渣が残らなかった積層体基板については、エッチング性が良好であると判定した。
（試料の作製条件）
以下に各実施例、比較例における積層体基板の製造条件を示す。
［実施例１］
図２（ａ）に示した構造を有する積層体基板２０Ａを作製した。

まず、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。また、スパッタリングカソード５４ａ及び５４ｂに黒化層成膜用のＮｉ−４０質量％Ｃｕターゲットを、スパッタリングカソード５４ｃ及び５４ｄに銅層成膜用の銅ターゲットを、それぞれ取り付けた。

次にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。

続いて筐体５１内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内の隔壁６５で仕切られた、スパッタリングカソード５４ａおよび５４ｂ側の領域５１ａに、気体供給手段６１ａによりアルゴンガスを３６０ｓｃｃｍ、酸素ガスを４０ｓｃｃｍで導入した。また、気体供給手段６１ａと、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２ａの開度とを調整して領域５１ａ内の圧力が０．４Ｐａになるように調整した。この際、領域５１ａ内の酸素分圧は０．０４Ｐａであった。なお、黒化層成膜時の領域５１ａ内の酸素分圧を、表１中では黒化層成膜時のＯ_２分圧として示している。

同様に、筐体５１内のスパッタリングカソード５４ｃおよび５４ｄ側の領域５１ｂに、気体供給手段６１ｂによりアルゴンガスを４００ｓｃｃｍで導入した。また、気体供給手段６１ｂと、真空ポンプ６０ｃと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２ｂの開度とを調整して、領域５１ｂ内の圧力が０．４Ｐａになるように調整した。

そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に黒化層、及び銅層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に厚さ２０ｎｍの第１の黒化層１３１と、厚さ１００ｎｍの銅層とを形成した。

続いて、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の搬送を逆転し、巻取ロール５７から巻出ロール５２へと、透明基材上に第１の黒化層、及び銅層が積層された基材を搬送した。これにより、上述の場合と同様の条件で、厚さ１００ｎｍの銅層と、厚さ２０ｎｍの第２の黒化層１３２とを形成した。

銅層は上記２回の成膜により合計で２００ｎｍの厚さの層となっている。

なお、第１の黒化層１３１、及び第２の黒化層１３２を成膜したときのΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）は５．８であった。

作製した積層体基板の第２の黒化層の反射率を、第２の黒化層１３２の露出している表面Ａ、すなわち第２の黒化層１３２の銅層１２と対向していない面に対して光を照射して、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均を測定した。その結果、作製した積層体基板の第２の黒化層の反射率の平均は２５％であった。

また、第２の黒化層の酸素、ニッケル、銅の原子の比率について、ＸＰＳにより評価を行い、第２の黒化層中のＯ／Ｎｉ比を算出したところ、第２の黒化層のＯ／Ｎｉ比は、０．３４であった。なお、上述の様に、第１の黒化層と、第２の黒化層とは、同じ条件で成膜しているため、両黒化層は同じ組成となっている。
［実施例２〜実施例７］
実施例２〜実施例４については、第１、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）、及び黒化層成膜用ターゲット中のニッケルと銅との含有率を、表１に示した比、含有率とした点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。

実施例５〜実施例７については、第１、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）、黒化層成膜用ターゲット中のニッケルと銅との含有率を、表１に示した比、含有率とし、第１、第２の黒化層の膜厚を３０ｎｍとした点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。

なお、第１の黒化層、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）を表１に示した所定の比とするために、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の気体供給手段６１ａから黒化層を成膜する領域５１ａに供給する酸素供給量も変更している。このため、黒化層成膜時のＯ_２分圧も変化している。

評価結果を表１に示す。
［比較例１〜比較例４］
比較例１〜比較例３については、第１、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）を変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。

比較例４については、第１、第２の黒化層の膜厚を１０ｎｍとした点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。

なお、第１の黒化層、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）を表１に示した所定の比とするために、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の気体供給手段６１ａから黒化層を成膜する領域５１ａに供給する酸素供給量も変更している。このため、黒化層成膜時のＯ_２分圧も変化している。

特に、比較例１については、第１の黒化層、第２の黒化層を成膜する際、領域５１ａに酸素を供給せず、アルゴンのみを供給した。

評価結果を表１に示す。

表１に示した結果によると、黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉ比が０．１以上０．８以下の実施例１〜実施例７については、エッチング性の評価結果が良好であった。さらに、黒化層の反射率が４０％以下であり、銅層表面での光の反射を抑制する黒化層として機能できていることを確認できた。従って、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板が得られていることを確認できた。

これに対して、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉ比が０．１未満の比較例１、２については、黒化層の反射率が４０％を超え、銅層表面での光の反射を抑制する黒化層として十分な機能を有しないことが確認できた。

また、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉ比が０．８を超えた比較例３については、エッチング性の評価を行ったところ、残渣が確認された。すなわち、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板とすることができていないことを確認できた。

比較例４については、黒化層の膜厚が１５ｎｍ未満のため、黒化層の反射率が４２％と高く、銅層表面での光の反射を抑制する黒化層として十分な機能を有しないことが確認できた。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ 積層体基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ
黒化層
３０ 導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ 銅配線層
３２Ａ、３２Ｂ 黒化配線層

Claims (7)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
   前記積層体が、
   酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、
   銅層とを有し、
   前記黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化層中の銅の、前記黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で２０％以上８０％以下であり、前記黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす積層体基板。
   ０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８ ・・・（１）
2. 前記銅層の膜厚が８０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である請求項１に記載の積層体基板。
3. 前記黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である請求項１または請求項２に記載の積層体基板。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法であって、
   前記黒化層を乾式めっき法で成膜する黒化層形成工程を有し、
   前記黒化層形成工程において、前記黒化層を成膜する際、前記黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、前記黒化層に堆積する銅の原子数（Γ（Ｎｉ））とが、以下の（２）式を満たす積層体基板の製造方法。
   ２≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｎｉ）≦１０ ・・・（２）
5. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
   前記金属細線が、
   酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化配線層と、
   銅配線層とを備えた積層体であり
   前記黒化配線層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化配線層中の銅の、前記黒化配線層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で２０％以上８０％以下であり、前記黒化配線層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす導電性基板。
   ０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８ ・・・（１）
6. 前記黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である請求項５に記載の導電性基板。
7. 請求項４に記載の積層体基板の製造方法で得られた積層体基板を配線加工する配線加工工程を有する、導電性基板の製造方法。

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