TWI567755B - Method for manufacturing transparent conductive film - Google Patents

Method for manufacturing transparent conductive film Download PDF

Info

Publication number
TWI567755B
TWI567755B TW103130662A TW103130662A TWI567755B TW I567755 B TWI567755 B TW I567755B TW 103130662 A TW103130662 A TW 103130662A TW 103130662 A TW103130662 A TW 103130662A TW I567755 B TWI567755 B TW I567755B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tin oxide
indium tin
transparent conductive
film
film substrate
Prior art date
Application number
TW103130662A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201447919A (zh
Inventor
Motoki Haishi
Yusuke Yamamoto
Tomotake Nashiki
Kazuaki Sasa
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of TW201447919A publication Critical patent/TW201447919A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI567755B publication Critical patent/TWI567755B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0036—Details
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5806—Thermal treatment
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0448—Details of the electrode shape, e.g. for enhancing the detection of touches, for generating specific electric field shapes, for enhancing display quality
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Description

透明導電性膜之製造方法
本發明係關於一種透明導電性膜之製造方法。本發明尤其是關於一種透光性優異且比電阻較小之透明導電性膜之製造方法。
作為透明導電性薄膜之製造方法，已知有磁控濺鍍法。該方法係藉由使電漿與靶材碰撞而使靶粒子朝向基板飛散，使靶粒子堆積於基板上而成膜之方法，尤其是於如下方面具有特徵：藉由在靶材之附近產生磁場並使靶材附近之電漿之密度增加，而提高成膜速度。
專利文獻1中作為實施例揭示有藉由將靶材上之水平方向磁場設為40mT之磁控濺鍍法而於基材上形成結晶性薄膜的方法。該方法係藉由在低壓環境下使作為靶材之二氧化鈦堆積於基材上同時使其結晶化該一個步驟而進行成膜之方法。然而，於該方法中，存在無法使用銦錫氧化物之靶材而獲得透光性優異且比電阻較小之透明導電性膜的課題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-308728
本發明之目的在於提供一種透光性優異且比電阻較小之透明導電性膜之製造方法。
發現若於使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟中增大水平方向磁場，則使包含該非晶質部分之銦錫氧化物結晶化之步驟後的結晶質之結晶粒徑變大。因此，完成了可獲得透光性優異且比電阻較小(導電性優異)之透明導電性膜之本發明。
本發明提供一種透明導電性膜之製造方法，該透明導電性膜包括膜基材、與形成於上述膜基材上之經結晶化之銦錫氧化物層，且該透明導電性膜之製造方法包括如下步驟：於將銦錫氧化物用作靶材之濺鍍裝置內放入上述膜基材，藉由上述靶材上之水平方向磁場為50mT以上之磁控濺鍍法而使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積於上述膜基材上；及藉由在堆積上述包含非晶質部分之銦錫氧化物之步驟之後，對上述包含非晶質部分之銦錫氧化物進行加熱處理而使包含上述非晶質部分之上述銦錫氧化物結晶化，形成上述經結晶化之銦錫氧化物層。較佳為，使包含上述非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟係於低於大氣壓之氣壓下實施，且形成上述經結晶化之銦錫氧化物層之步驟係於大氣壓下實施。例如，使包含上述非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟較佳為於0.1Pa至1Pa之氣壓下進行。
上述水平方向磁場較佳為80mT至200mT，進而較佳為100mT至200mT。使上述包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟較佳為以40℃至200℃之溫度實施，進而較佳為以40℃至150℃之溫度實施。又，形成上述經結晶化之銦錫氧化物層之步驟較佳為以120℃至200℃之溫度實施。典型而言，使上述包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟之實施時間為1分鐘以下。又，典型而言，形成上述經結晶化之銦錫氧化物層之步驟之實施時間為10分鐘至90分鐘。
上述膜基材較佳為包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚環烯烴或聚碳酸酯之任一者。上述膜基材較佳為於上述銦錫氧化物之堆積側之表面 包括易接著層。又，上述膜基材較佳為於上述銦錫氧化物之堆積側之表面包括折射率調整層。進而，上述膜基材亦較佳為於上述銦錫氧化物之堆積側之表面包括硬塗層。又，上述經結晶化之銦錫氧化物層之厚度較佳為20nm至50nm。上述膜基材之厚度亦較佳為15μm至50μm。
根據本發明，可製造包括膜基材、與平均之結晶粒徑典型而言為150nm以上之銦錫氧化物層之透明導電性膜。平均之結晶粒徑較佳為175nm至250nm。
根據本發明，可製造透光性優異且比電阻較小之透明導電性膜。
100‧‧‧濺鍍裝置
104‧‧‧腔室
108‧‧‧靶材
112‧‧‧膜基材
116‧‧‧陸續送出輥
120‧‧‧成膜輥
124‧‧‧捲取輥
128‧‧‧導輥
132‧‧‧導輥
136‧‧‧直流電源
140‧‧‧冷卻台
144‧‧‧磁鐵
200‧‧‧加熱裝置
204‧‧‧膜基材
208‧‧‧陸續送出輥
212‧‧‧加熱室
216‧‧‧捲取輥
220‧‧‧腔室
圖1係表示使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之濺鍍裝置之概略圖。
圖2係表示使銦錫氧化物結晶化之加熱裝置之概略圖。
以下參照圖式，對本發明之實施之一形態進行說明。圖1係表示用以實施使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟的濺鍍裝置100之概略圖。
於配置有銦錫氧化物之靶材108之濺鍍裝置100之腔室104內放入膜基材112，藉由利用產生於靶材108上之水平方向磁場之磁控濺鍍法而使包含非晶質部分之銦錫氧化物(未圖示)堆積於膜基材112上。磁場之強度係設為50mT(millitesla)以上。
例如，如圖1所示，用於磁控濺鍍法之濺鍍裝置100包括：腔室104，其用以形成1Pa以下之低壓環境；陸續送出輥116，其陸續送出膜基材112；導輥128、132，其等變更膜基材112之搬送方向；成膜輥 120，其可控制溫度；直流電源136；靶材108，其以朝向成膜輥120之方式配置且與直流電源136電性連接；冷卻台140，其防止靶材108之溫度上升；磁鐵144，其配置於靶材108之背後(與成膜輥120為相反側)且於靶材108上產生水平方向磁場；及捲取輥124，其捲取膜基材112。於圖1中，使成膜輥120接地，並藉由直流電源136對靶材108施加負電荷，但只要使靶材108之電位低於成膜輥120，則亦可對成膜輥120及靶材108施加不同之電位。
於本實施形態中之使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟中，作為藉由使於0.1Pa至1Pa等之低於大氣壓之氣壓中產生之電漿中之陽離子與表面上具有磁場之作為負電極發揮功能之靶材108碰撞，而使自靶材108之表面飛散之物質(靶粒子)附著於膜基材112的用以產生電漿之物質，例如可使用氬氣99體積%與氧氣1體積%之混合氣體。向腔室104內填充混合氣體，使藉由成膜輥120與靶材108之間之電位差而產生之電子與混合氣體碰撞，使混合氣體游離，藉此，產生電漿。藉由使直流電源136之電力為固定，於例如-400V至-100V之範圍內控制電壓，並調整電流(電子之量)，而可調整電漿之產生量，但亦可藉由其他方法調整電漿之產生量。於磁控濺鍍法中，藉由磁場而可使大量之電漿封閉於靶材108之附近而與靶材108碰撞。若與靶材碰撞之電漿之量增加，則可使大量之靶粒子飛散，故而具有容易增大成膜速度之特徵。又，藉由水平方向磁場而亦可抑制基材之溫度上升，故而具有可使用缺乏耐熱性之塑膠膜作為基材之特徵。
典型而言，靶材108可藉由成形氧化銦(In2O3)與氧化錫(SnO2)之混合粉末並進行燒結而獲得。為了獲得比電阻較小之透明導電性膜，典型而言，靶材108包含3重量%以上之氧化錫，較佳為包含5重量%至15重量%之氧化錫。再者，氧化錫之含量(重量比)係以式：{(SnO2)/(In2O3+SnO2)}×100表示。
為了獲得比電阻較小之透明導電性膜，必需將靶材108上之水平方向磁場設為50mT(millitesla)以上。又，較佳為設為80mT至200mT，進而較佳為設為100mT至200mT。
此處，所謂「水平方向磁場」係指與靶材108之膜基材112側之表面平行方向之磁場，係於該表面所測定之磁場之最大值。上述水平方向磁場係藉由增大磁鐵144之強度，或者藉由使磁鐵144之位置接近於靶材，而可適當增加。例如，50mT以上之水平方向磁場可藉由使用以釹、鐵及硼作為原料之釹磁鐵而達成。
膜基材112之溫度係根據成膜輥120之溫度而適當調整。即，根據成膜輥120之溫度，可設定使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟之溫度。成膜輥120之溫度例如為40℃至200℃，較佳為40℃至150℃。又，包含非晶質部分之銦錫氧化物之堆積時間係根據膜厚，典型而言調整為1分鐘以下，但亦可超過1分鐘。
於本實施形態中，於在使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟中藉由捲取輥124捲取膜基材112之後，使膜基材112移動至繼此之後之使銦錫氧化物結晶化之步驟中使用之另一腔室內，但亦可不捲取膜基材112而是經由壓力調節室等，使膜基材112移動至使銦錫氧化物結晶化之步驟中使用之腔室。又，亦可不使用複數個腔室而是於一個腔室內調整氣壓，進行使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟與使銦錫氧化物結晶化之步驟。
於實施使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟之後，實施藉由對非晶質部分進行加熱處理而使銦錫氧化物結晶化之步驟。圖2係表示該步驟之實施中使用之加熱裝置200之概略圖。
加熱裝置200包括：陸續送出輥208，其用以陸續送出自濺鍍裝置100之捲取輥124移動的堆積有包含非晶質部分之銦錫氧化物之膜基材204；加熱室212，其對包含非晶質部分之銦錫氧化物進行加熱處 理，使銦錫氧化物結晶化；及捲取輥216，其捲取膜基材204。又，加熱裝置200係為了安全等而亦可包括腔室220。加熱處理例如係藉由使堆積有包含非晶質部分之銦錫氧化物之膜基材204通過120℃至200℃之加熱室212而進行。加熱處理較佳為於常壓(大氣壓)環境下進行。於常壓環境下之加熱處理中，可將自膜基材產生之揮發成分量抑制為較低，因此，容易獲得結晶粒徑較大之晶體。作為結果，可獲得透光性優異且比電阻較小之透明導電性膜。
加熱時間係根據銦錫氧化物之結晶度，典型而言係於10分鐘至90分鐘之範圍內進行調整，但亦可為該範圍外。再者，銦錫氧化物結晶質化可藉由使用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)觀察面方向之晶粒成長而確認。
藉由對包含非晶質部分之銦錫氧化物進行加熱處理而使其結晶化，經由該步驟可獲得包括膜基材、與形成於該膜基材上之經結晶化之銦錫氧化物層的透明導電性膜。藉由使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟所獲得之銦錫氧化物係無論該步驟中使用之水平方向磁場之大小如何均視為相同。然而，若於使包含非晶質部分之銦錫氧化物堆積之步驟中增大水平方向磁場，則使銦錫氧化物結晶化之步驟後之晶體之結晶粒徑變大。因此，可獲得透光性優異且比電阻較小(導電性優異)之透明導電性膜。可認為此種情形係由於藉由增大水平方向磁場，而亦可降低因放電對膜之損傷，且可獲得結晶成核較少之銦錫氧化物之非晶質，故而結晶粒徑變大。
再者，於膜基材之材料中，就透明性與耐熱性優異之方面而言，較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚環烯烴或聚碳酸酯。膜基材亦可於其表面包括易接著層、或用以調整反射率之折射率調整層(Index matching layer)、用以賦予耐擦傷性之硬塗層。
膜基材之厚度例如為10μm至200μm。就減少自膜基材產生之揮 發成分量提高銦錫氧化物之成膜性之方面而言，較佳為15μm至50μm。
上述經結晶化之銦錫氧化物層之厚度較佳為20nm至50nm，比電阻較佳為3.3×10-4Ω．cm以下，進而較佳為2.5×10-4Ω．cm至3.2×10-4Ω．cm。上述經結晶化之銦錫氧化物之結晶之平均之結晶粒徑較佳為150nm以上，進而較佳為175nm至250nm。
[實施例1]
於配置有將氧化錫設為10重量%、氧化銦設為90重量%進行混合並燒結所製作而成之靶材的濺鍍裝置中，放入厚度23μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之膜基材。繼而，於濺鍍裝置之腔室內填充氬氣99體積%與氧氣1體積%之混合氣體，將腔室內調整為0.4Pa之低壓環境。將進行燒結所製作而成之靶材上之水平方向磁場設為50mT，藉由磁控濺鍍法而使厚度32nm之包含非晶質之銦錫氧化物堆積於膜基材上。水平方向之磁場係使用特斯拉計(Kanetec製造之TM-701)，並依據JIS C2501進行測定。
其後，於140℃之加熱室內並於常壓環境下對堆積於膜基材上之包含非晶質部分之銦錫氧化物進行加熱處理90分鐘。確認到形成於膜基材上之包含非晶質部分之銦錫氧化物藉由加熱處理而已結晶化。
經結晶化之銦錫氧化物之膜厚係使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造之H-7650)，觀察剖面進行測定。又，膜基材之膜厚係使用膜厚計(Peacock公司製造之數位度盤規DG-205)進行測定。又，藉由對依據JIS K7194並使用四端子法測定之表面電阻值(Ω/□(ohms per square，每平方之歐姆數))乘以膜厚(cm)而算出比電阻。將比電阻之算出結果示於表1。
結晶粒徑係以超薄切片機切削經結晶化之銦錫氧化物，根據以直接倍率6000倍使用穿透式電子顯微鏡(日立製作所製造之H-7650)所 拍攝之照片而算出。對拍攝之照片進行圖像解析處理，將晶粒界之形狀中最長之直徑設為各粒子之直徑(nm)，製成每25nm之直方圖，將直方圖之平均值設為所獲得之晶體之平均之結晶粒徑。將結晶粒徑之值示於表1。
總透光率係使用數位霧度計(日本電色工業製造之NDH-20D)，依據JISK7105進行測定。將測定結果示於表1。
[實施例2]
將水平方向磁場變更為80mT，除此以外，以與實施例1相同之方法，製作透明導電性膜，進行各值之測定。藉由調整濺鍍裝置之磁鐵之位置而調整水平方向磁場。將測定結果示於表1。
[實施例3]
將水平方向磁場變更為130mT，除此以外，以與實施例1相同之方法，製作透明導電性膜，進行各值之測定。將測定結果示於表1。
[實施例4]
將水平方向磁場變更為150mT，除此以外，以與實施例1相同之方法，製作透明導電性膜，進行各值之測定。將測定結果示於表1。
[實施例5]
將水平方向磁場變更為180mT，除此以外，以與實施例1相同之方法，製作透明導電性膜，進行各值之測定。將測定結果示於表1。
[比較例]
將水平方向磁場變更為30mT，除此以外，以與實施例1相同之方法，製作透明導電性膜，進行各值之測定。將測定結果示於表1。
如表1所示，於靶材上之水平方向磁場為50mT至185mT之情形時，與30mT之情形相比可獲得透光性優異且比電阻較小(導電性優異)之透明導電性膜。
[產業上之可利用性]
藉由本發明之製造方法所獲得之透明導電性膜具有各種各樣之用途，例如，可用於觸控面板、較佳為靜電電容方式之觸控面板中。

Claims (4)

  1. 一種透明導電性膜，其特徵在於：包含形成於膜基材上之經結晶化之銦錫氧化物層，該膜基材包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚環烯烴或聚碳酸酯之任一者，上述銦錫氧化物層之厚度為20nm至50nm之範圍內，結晶之結晶粒之平均粒徑為150nm以上，比電阻為3.3×10-4Ω．cm以下，總透光率為87%以上。
  2. 如請求項1之透明導電性膜，其中膜基材之厚度為15μm至50μm之範圍內。
  3. 一種靜電電容方式之觸控面板，其包含如請求項1或2之透明導電性膜。
  4. 一種含有非結晶部分之銦錫氧化物層與膜基材之積層體，其係用以形成透明導電性膜，該基層體含有形成於膜基材上之包含非結晶部分之銦錫氧化物層，該膜基材包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚環烯烴或聚碳酸酯之任一者，該銦錫氧化物層中，氧化錫之量相對於氧化銦及氧化錫之總量至少為3重量%，上述銦錫氧化物層之厚度為20nm至50nm之範圍內，藉由以120℃至200℃之溫度實施10分鐘至90分鐘之加熱處理，上述銦錫氧化物層被結晶化，成為結晶之結晶粒之平均粒徑為150nm以上、比電阻為3.3×10-4Ω．cm以下之經結晶化之銦錫氧化物層，且可形成總透光率為87%以上之透明導電性膜。
TW103130662A 2011-11-28 2012-11-28 Method for manufacturing transparent conductive film TWI567755B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011258930 2011-11-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201447919A TW201447919A (zh) 2014-12-16
TWI567755B true TWI567755B (zh) 2017-01-21

Family

ID=48535446

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101144568A TWI491754B (zh) 2011-11-28 2012-11-28 Method for manufacturing transparent conductive film
TW103130662A TWI567755B (zh) 2011-11-28 2012-11-28 Method for manufacturing transparent conductive film

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101144568A TWI491754B (zh) 2011-11-28 2012-11-28 Method for manufacturing transparent conductive film

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140353140A1 (zh)
JP (2) JP6228846B2 (zh)
KR (4) KR20150145266A (zh)
CN (2) CN109930109B (zh)
TW (2) TWI491754B (zh)
WO (1) WO2013080995A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6261540B2 (ja) 2014-04-30 2018-01-17 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法
CN105659198B (zh) 2014-04-30 2019-06-18 日东电工株式会社 透明导电性薄膜
JP6211557B2 (ja) 2014-04-30 2017-10-11 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法
JP6134443B2 (ja) * 2014-05-20 2017-05-24 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
CN104372302B (zh) * 2014-11-29 2017-08-22 洛阳康耀电子有限公司 一种ito膜磁控溅射磁悬浮车靶均匀加热装置及其方法
JP6560133B2 (ja) * 2015-05-29 2019-08-14 日東電工株式会社 積層体のロール、光学ユニット、有機ｅｌ表示装置、透明導電性フィルム及び光学ユニットの製造方法
JP6601137B2 (ja) * 2015-10-16 2019-11-06 住友金属鉱山株式会社 積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法
JP6562985B2 (ja) * 2017-09-19 2019-08-21 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN111559130A (zh) * 2020-05-26 2020-08-21 东莞市昶暖科技有限公司 一种新型薄箔柔性膜及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201043470A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Toyo Boseki Transparent electrically conductive laminated film

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2936276B2 (ja) * 1990-02-27 1999-08-23 日本真空技術株式会社 透明導電膜の製造方法およびその製造装置
JPH10121227A (ja) * 1996-10-18 1998-05-12 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 透明導電膜付きプラスチックフィルム及びその製造方法
JP4842416B2 (ja) * 1999-02-18 2011-12-21 帝人株式会社 透明導電薄膜付きフィルムおよびその製造方法
JP2000238178A (ja) * 1999-02-24 2000-09-05 Teijin Ltd 透明導電積層体
WO2003032332A1 (fr) * 2001-10-05 2003-04-17 Bridgestone Corporation Film transparent electroconducteur, son procede de fabrication, et ecran tactile y relatif
JP3785109B2 (ja) * 2002-04-08 2006-06-14 日東電工株式会社 透明導電積層体の製造方法
JP2004169138A (ja) * 2002-11-21 2004-06-17 Ulvac Japan Ltd 透明導電膜の製造方法及び製造装置
JP4135079B2 (ja) * 2002-12-19 2008-08-20 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルム及び透明導電性シートの製造方法、及びタッチパネル
JP2004332030A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Nitto Denko Corp 透明導電膜の製造方法
JP2004349112A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム及び透明導電性シートの製造方法、及びタッチパネル
JP3928970B2 (ja) * 2004-09-27 2007-06-13 株式会社アルバック 積層型透明導電膜の製造方法
JP2007308728A (ja) 2006-05-16 2007-11-29 Bridgestone Corp 結晶性薄膜の成膜方法
JP2009238416A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Toppan Printing Co Ltd 透明導電膜付き基板及びその製造方法
JP5481992B2 (ja) * 2009-07-23 2014-04-23 東洋紡株式会社 透明導電性フィルム
JP5388625B2 (ja) * 2009-02-25 2014-01-15 日東電工株式会社 透明導電積層体の製造方法、透明導電積層体およびタッチパネル
JP2011037679A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Tosoh Corp 複合酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、複合酸化物非晶質膜及びその製造方法、並びに、複合酸化物結晶質膜及びその製造方法
JP5515554B2 (ja) * 2009-09-18 2014-06-11 凸版印刷株式会社 透明導電性薄膜の製造方法
JP6215062B2 (ja) * 2013-01-16 2017-10-18 日東電工株式会社 透明導電フィルムの製造方法
KR101756568B1 (ko) * 2013-01-16 2017-07-10 닛토덴코 가부시키가이샤 투명 도전성 필름 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201043470A (en) * 2009-06-03 2010-12-16 Toyo Boseki Transparent electrically conductive laminated film

Also Published As

Publication number Publication date
TW201329272A (zh) 2013-07-16
JPWO2013080995A1 (ja) 2015-04-27
CN104081473A (zh) 2014-10-01
TW201447919A (zh) 2014-12-16
JP6228846B2 (ja) 2017-11-08
CN109930109A (zh) 2019-06-25
KR20190075183A (ko) 2019-06-28
CN109930109B (zh) 2021-06-29
WO2013080995A1 (ja) 2013-06-06
TWI491754B (zh) 2015-07-11
US20140353140A1 (en) 2014-12-04
JP2017122282A (ja) 2017-07-13
KR20170060192A (ko) 2017-05-31
KR20140092911A (ko) 2014-07-24
KR20150145266A (ko) 2015-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI567755B (zh) Method for manufacturing transparent conductive film
JP6066154B2 (ja) 透明導電性フィルムの製造方法
US9570210B2 (en) Transparent conductive film and production method therefor
US20150086789A1 (en) Transparent conductive film
US9805837B2 (en) Transparent conductive film and production method therefor
US9624573B2 (en) Production method for transparent conductive film
US20190368027A1 (en) Manufacturing method of substrate with transparent conductive film, manufacturing apparatus of substrate with transparent conductive film, and transparent conductive film
TWI676185B (zh) 透明導電膜及透明導電膜之製造方法
Lan et al. Microstructural characterization of high-quality indium tin oxide films deposited by thermionically enhanced magnetron sputtering at low temperature
KR102164629B1 (ko) 복합체 투명 전극
JP2017008380A (ja) 透明電極付き基板およびその製造方法
US10173393B2 (en) Transparent electrode-equipped substrate and method for producing transparent electrode-equipped substrate
JP7478721B2 (ja) 透明電極付き基板の製造方法
Wang et al. Annealing effects on properties of LaB6/ATO thin films deposited by magnetron sputtering
Yu et al. The optical and electrical properties of ZnO/Ag/ZnO films on flexible substrate
JP6563185B2 (ja) 透明導電フィルムの製造方法
WO2013042747A1 (ja) 酸化物焼結体およびその製造方法並びに酸化物透明導電膜
JP2012140276A (ja) 酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、それを用いたターゲット、酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法および透明導電性基板