KR20190075183A - 투명 도전성 필름의 제조 방법 - Google Patents

투명 도전성 필름의 제조 방법 Download PDF

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모토키 하이시
유스케 야마모토
토모타케 나시키
카즈아키 사사
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은 투명 도전성 필름의 제조 방법을 개시한다.
본 발명은, 필름기재와, 상기 필름기재상에 형성된 결정화한 인듐 주석 산화물층을 갖추는 투명 도전성 필름의 제조 방법이다. 본 발명은, 인듐 주석 산화물을 타겟재로서 이용하는 스퍼터링 장치 내에, 상기 필름기재를 넣어, 상기 타겟재상의 수평 방향 자기장이 50mT 이상인 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 상기 필름기재상에 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정과, 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적하는 공정의 후에, 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 가열 처리함으로써, 상기 비정질 부분을 포함하는 상기 인듐 주석 산화물을 결정화시켜, 상기 결정화한 인듐 주석 산화물층을 형성하는 공정을 가진다.

Description

투명 도전성 필름의 제조 방법{Method for manufacturing transparent electroconductive film}
본 발명은, 투명 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은 투명 도전성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
투명 도전성 박막의 제조 방법으로서, 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)법이 알려져 있다. 이 방법은, 플라즈마를 타겟재(target material)에 충돌시킴으로써, 타겟 입자를 기판으로 향해 비산시켜, 기판상에 타겟 입자를 퇴적시켜서, 성막하는 방법이고, 특히, 타겟재의 부근에 자계를 발생시켜서, 타겟재 부근의 플라즈마의 밀도를 증가시킴으로써, 성막 속도를 향상시키는 점에 특징이 있다.
특허문헌 1은, 실시예로서, 타겟재상의 수평 방향 자기장을 40mT로 하는 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 기재상에 결정성 박막을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 이 방법은, 저압 환경하에서, 타겟재인 이산화 타이타늄(titanium dioxide)을 기재에 퇴적시키는 것과 동시에 결정화시킨다는 하나의 공정에서 성막을 행하는 방법이다. 그러나, 이 방법에서는, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)의 타겟재를 이용하여, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 얻을 수 없다는 과제가 있었다.
일본공개특허공보 제 2007-308728호
본 발명은, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은 투명 도전성 필름의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
비정질(amorphous) 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)을 퇴적시키는 공정에서 수평 방향 자기장을 크게 하면, 그 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 공정 후의 결정질의 결정 입경(grain size)이 커지는 것이 찾아내졌다. 그 때문에, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은(전기 전도성이 뛰어난) 투명 도전성 필름을 얻을 수 있는 본 발명에 도달했다.
본 발명은, 필름기재와, 상기 필름기재상에 형성된 결정화한 인듐 주석 산화물층을 갖추는 투명 도전성 필름의 제조 방법이며, 인듐 주석 산화물을 타겟재로서 이용하는 스퍼터링 장치 내에, 상기 필름기재를 넣어, 상기 타겟재상의 수평 방향 자기장이 50mT 이상인 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 상기 필름기재상에 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정과, 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적하는 공정의 후에, 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 가열 처리함으로써, 상기 비정질 부분을 포함하는 상기 인듐 주석 산화물을 결정화시켜, 상기 결정화한 인듐 주석 산화물층을 형성하는 공정을 가지는 투명 도전성 필름의 제조 방법을 제공한다. 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정은, 대기압보다 낮은 기압하에서 실시되며, 상기 결정화한 인듐 주석 산화물층을 형성하는 공정은, 대기압하에서 실시되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정은, 0.1Pa에서 1Pa의 기압하에서 행해지는 것이 바람직하다.
상기 수평 방향 자기장은, 80mT에서 200mT인 것이 바람직하고, 100mT에서 200mT인 것이 더욱 바람직하다. 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정은, 40℃에서 200℃의 온도에서 실시되는 것이 바람직하고, 40℃에서 150℃의 온도에서 실시되는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 결정화한 인듐 주석 산화물층을 형성하는 공정은, 120℃에서 200℃의 온도에서 실시되는 것이 바람직하다. 상기 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정의 실시 시간은, 전형적으로는, 1분 이하이다. 또한, 상기 결정화한 인듐 주석 산화물층을 형성하는 공정의 실시 시간은, 전형적으로는, 10분에서 90분이다.
상기 필름기재가, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리시클로올레핀(polycycloolefin) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate)의 어느 하나에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 상기 필름기재가, 상기 인듐 주석 산화물의 퇴적측의 표면에 역접착층을 갖추는 것이 바람직하다. 또한, 상기 필름기재가, 상기 인듐 주석 산화물의 퇴적측의 표면에 굴절률 조정층을 갖추는 것이 바람직하다. 게다가, 상기 필름기재가, 상기 인듐 주석 산화물의 퇴적측의 표면에 하드 코트층(hard coat layer)을 갖추는 것도 바람직하다. 또한, 상기 결정화한 인듐 주석 산화물층은, 두께가 20㎚에서 50㎚인 것이 바람직하다. 상기 필름기재의 두께가 15㎛에서 50㎛인 것도 바람직하다.
본 발명에 의해, 필름기재와, 평균의 결정 입경이, 전형적으로는 150㎚ 이상인 인듐 주석 산화물층을 갖추는 투명 도전성 필름이 제조된다. 평균의 결정 입경은, 바람직하게는 175㎚에서 250㎚이다.
본 발명에 의해, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 제조할 수 있다.
도 1은 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 스퍼터링 장치를 나타내는 개략도이다.
도 2는 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 가열 장치를 나타내는 개략도이다.
이하에 도면을 참조하여, 본 발명의 실시의 한 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정을 실시하기 위한 스퍼터링 장치(100)를 나타내는 개략도이다.
인듐 주석 산화물의 타겟재(108)를 배치한 스퍼터링 장치(100)의 챔버(104) 내에, 필름기재(112)를 넣어, 타겟재(108)상에 발생시킨 수평 방향 자기장을 이용하는 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 필름기재(112)상에 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물(도시 안 함.)을 퇴적시킨다. 자기장의 강도는, 50mT(밀리테슬라) 이상으로 한다.
마그네트론 스퍼터링법에 이용하는 스퍼터링 장치(100)는, 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같이, 1Pa 이하의 저압 환경을 만들기 위한 챔버(104)와, 필름기재(112)를 조출하는 조출 롤(116)과, 필름기재(112)의 반송 방향을 변경하는 가이드 롤(128, 132)과, 온도 제어 가능한 성막 롤(120)과, 직류 전원(136)과, 성막 롤(120)에 향하도록 배치되며, 또한 직류 전원(136)에 전기적으로 접속된 타겟재(108)와, 타겟재(108)의 온도 상승을 막는 냉각 스테이지(140)와, 타겟재(108)의 배후(성막 롤(120)과 반대 측)에 배치되며, 또한 타겟재(108)상에 수평 방향 자기장을 발생시키는 자석(144)과, 필름기재(112)를 권취하는 권취 롤(124)을 가진다. 도 1에 있어서는, 성막 롤(120)을 접지하고, 직류 전원(136)에 의해, 타겟재(108)에 음전하를 인가하고 있지만, 성막 롤(120)보다 타겟재(108)의 전위를 낮게 한다면, 다른 전위를 성막 롤(120) 및 타겟재(108)에 인가해도 좋다.
본 실시 형태에 있어서의 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정에서는, 0.1Pa에서 1Pa라는 대기압보다 낮은 기압 중에서 발생시킨 플라즈마 중의 양이온을, 표면상에 자기장을 가지는 음전극으로서 기능하는 타겟재(108)에 충돌시킴으로써, 타겟재(108)의 표면으로부터 비산한 물질(타겟 입자)을 필름기재(112)에 부착시키는 플라즈마를 발생시키기 위한 물질로서, 예를 들면, 아르곤 가스 99 체적%(volume%)와 산소 가스 1 체적%와의 혼합 가스를 이용할 수 있다. 챔버(104) 내에 혼합 가스를 봉입하고, 성막 롤(120)과 타겟재(108)와의 사이의 전위차에 의해 발생시킨 전자를 혼합 가스에 충돌시켜, 혼합 가스를 전리시킴으로써, 플라즈마를 발생시킨다. 직류 전원(136)의 전력을 일정하게 하고, 전압을, 예를 들면 -400V에서 -100V의 범위에서 제어하고, 전류(전자의 양)를 조정함으로써, 플라즈마의 발생량을 조정할 수 있지만, 다른 수단에 의해 플라즈마의 발생량을 조정해도 좋다. 마그네트론 스퍼터링법에서는, 자기장에 의해 다량의 플라즈마를 타겟재(108)의 부근에 가두어, 타겟재(108)에 충돌시킬 수 있다. 타겟재에 충돌시키는 플라즈마의 양이 증가하면, 다량의 타겟 입자를 비산시킬 수 있기 때문에, 성막 속도를 크게 하기 쉽다는 특징이 있다. 또한, 수평 방향 자기장에 의해, 기재의 온도 상승도 억제할 수 있기 때문에, 기재로서 내열성이 부족한 플라스틱 필름을 이용할 수 있다는 특징을 가진다.
타겟재(108)는, 전형적으로는, 산화 인듐(In2O3)과 산화 주석(SnO2)의 혼합 분말을 성형하고, 소결함으로써 얻어진다. 타겟재(108)는, 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 얻기 위해서, 전형적으로는, 산화 주석을 3 중량%(weight%) 이상 포함하고, 바람직하게는 산화 주석을 5 중량%에서 15 중량% 포함한다. 덧붙여서, 산화 주석의 함유량(중량비)은, 식: {(SnO2)/(In2O3＋SnO2)}×100으로 나타낸다.
비저항이 작은 투명 도전성 필름을 얻기 위해서는, 타겟재(108)상의 수평 방향 자기장을, 50mT(밀리테슬라) 이상으로 할 필요가 있다. 또한, 80mT에서 200mT로 하는 것이 바람직하고, 100mT에서 200mT로 하는 것이 더욱 바람직하다.
여기서, 「수평 방향 자기장」이란, 타겟재(108)의 필름기재(112)측의 표면과 평행 방향의 자기장을 말하고, 그 표면에서 측정되는 자기장의 최대치이다. 상기 수평 방향 자기장은, 자석(144)의 강도를 크게 함으로써, 혹은 자석(144)의 위치를 타겟재에 접근시킴으로써, 적당히, 증가시킬 수 있다. 예를 들면, 50mT 이상의 수평 방향 자기장은, 네오디뮴, 철, 및 붕소를 원료로 하는 네오디뮴 자석을 이용함으로써 달성할 수 있다.
필름기재(112)의 온도는, 성막 롤(120)의 온도에 의해 적당히, 조정된다. 즉, 성막 롤(120)의 온도에 의해, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정의 온도를 설정할 수 있다. 성막 롤(120)의 온도는, 예를 들면, 40℃에서 200℃이고, 바람직하게는 40℃에서 150℃이다. 또한, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물의 퇴적 시간은, 막 두께에 따라서, 전형적으로는, 1분 이하로 조정되지만, 1분을 넘어도 좋다.
본 실시 형태에 있어서는, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정에 있어서 필름기재(112)를 권취 롤(124)에 의해 권취한 후에, 이것에 계속되는 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 공정에 이용하는 다른 챔버 내에 필름기재(112)를 이동시키고 있지만, 필름기재(112)를 권취하지 않고, 압력 조절실 등을 개입하여, 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 공정에 이용하는 챔버에 필름기재(112)를 이동시켜도 좋다. 또한, 복수의 챔버를 이용하지 않고, 하나의 챔버 내에서, 기압을 조정하고, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정과 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 공정을 행해도 좋다.
비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정의 실시 후에, 비정질 부분을 가열 처리함으로써 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 공정이 실시된다. 도 2는, 그 공정의 실시에 이용하는 가열 장치(200)를 나타내는 개략도이다.
가열 장치(200)는, 스퍼터링 장치(100)의 권취 롤(124)로부터 이동된, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물이 퇴적한 필름기재(204)를 조출하기 위한 조출 롤(208)과, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 가열 처리하여, 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 가열실(212)과, 필름기재(204)를 권취하는 권취 롤(216)을 갖춘다. 또한, 가열 장치(200)는, 안전 등을 위해서 챔버(220)를 갖추어도 좋다. 가열 처리는, 예를 들면, 120℃에서 200℃의 가열실(212)에, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물이 퇴적한 필름기재(204)를 통과시킴으로써 행한다. 가열 처리는, 상압(대기압) 환경하에서 행하는 것이 바람직하다. 상압 환경하의 가열 처리에서는, 필름기재에서 발생하는 휘발 성분량을 낮게 억제할 수 있으므로, 결정 입경이 큰 결정을 얻기 쉽다. 결과적으로, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은 투명 도전성 필름을 얻을 수 있다.
가열 시간은, 인듐 주석 산화물의 결정도에 따라서, 전형적으로는, 10분에서 90분의 범위로 조정되지만, 이 범위 외라도 좋다. 덧붙여서, 인듐 주석 산화물이 결정질화했던 것은, 투과형 전자현미경(TEM: Transmission Electron Microscope)을 이용하여 면방향의 결정 입계(grain boundary) 성장을 관찰함으로써 확인할 수 있다.
비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 가열 처리함으로써 결정화시키는 공정을 실시하는 것에서, 필름기재와, 그 필름기재상에 형성된 결정화한 인듐 주석 산화물층을 갖추는 투명 도전성 필름을 얻을 수 있다. 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정에 의해 얻어진 인듐 주석 산화물은, 그 공정에서 이용하는 수평 방향 자기장의 크기에 관련되지 않고, 동일하게 보인다. 그러나, 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시키는 공정에서 수평 방향 자기장을 크게 하면, 인듐 주석 산화물을 결정화시키는 공정 후의 결정의 결정 입경이 커진다. 그 때문에, 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은(전기 전도성이 뛰어난) 투명 도전성 필름을 얻을 수 있다. 이것은, 수평 방향 자기장을 크게 함으로써, 방전에 의한 막에의 손상도 저감할 수 있어, 결정핵이 적은 인듐 주석 산화물의 비정질을 얻을 수 있기 때문에, 결정 입경이 커진다고 생각된다.
덧붙여서, 필름기재의 재료에는, 투명성과 내열성이 뛰어난 점에서, 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리시클로올레핀 또는 폴리카보네이트가 이용된다. 필름기재는, 그 표면에 역접착층이나, 반사율을 조정하기 위한 굴절률 조정층(Index matching layer), 내찰상성(abrasion resistant)을 부여하기 위한 하드 코트층을 갖추고 있어도 좋다.
필름기재의 두께는, 예를 들면, 10㎛에서 200㎛이다. 필름기재에서 발생하는 휘발 성분량을 줄여 인듐 주석 산화물의 성막성을 향상시키는 점에서, 바람직하게는 15㎛에서 50㎛이다.
상기 결정화한 인듐 주석 산화물층의 두께는, 바람직하게는 20㎚에서 50㎚이고, 비저항은, 바람직하게는 3.3×10-4 이하 Ω·㎝이고, 더욱 바람직하게는 2.5×10-4Ω·㎝에서 3.2×10- 4Ω·㎝이다. 상기 결정화한 인듐 주석 산화물의 결정의 평균의 결정 입경은, 바람직하게는 150㎚ 이상이고, 더욱 바람직하게는 175㎚에서 250㎚이다.
산화 주석을 10 중량%, 산화 인듐을 90 중량%로서 혼합하고, 소결하여 만들어진 타겟재를 배치한 스퍼터링 장치에, 두께 23㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 필름기재를 넣었다. 다음에, 스퍼터링 장치의 챔버 내에, 아르곤 가스 99 체적%와 산소 가스 1 체적%의 혼합 가스를 봉입하고, 챔버 내를 0.4Pa의 저압 환경으로 조정했다. 소결하여 만들어진 타겟재상의 수평 방향 자기장을 50mT로서, 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 필름기재상에, 두께 32㎚의 비정질을 포함하는 인듐 주석 산화물을 퇴적시켰다. 수평 방향의 자기장은, 테슬라 미터(가네테크제 TM-701)을 이용하여, JIS C2501에 준해 측정했다.
그 후, 필름기재에 퇴적한 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물을, 140℃의 가열 실내에서, 상압 환경하에서 90분간 가열 처리했다. 필름기재상에 형성된 비정질 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물은, 가열 처리함으로써 결정화한 것을 확인했다.
결정화한 인듐 주석 산화물의 막 두께는, 투과형 전자현미경(히타치제작소제 H-7650)을 이용하여, 단면을 관찰하고 측정했다. 또한, 필름기재의 막 두께는, 막후계(film thickness meter)(Peacock사제 디지털 다이얼 게이지 DG-205)를 이용하여 측정했다. 또한, JIS K7194에 준해 사단자법(four-terminal method)을 이용하여 측정한 표면 저항값(Ω/□(ohms per square))에 막 두께(㎝)를 승산함으로써, 비저항을 산출했다. 비저항의 산출 결과를 표 1에 나타낸다.
결정 입경은, 결정화한 인듐 주석 산화물을 초마이크로톰(ultramicrotome)으로 절삭하고, 직접 배율 6000배에서, 투과형 전자현미경(히타치제작소제 H-7650)을 이용하여 촬영된 사진에서 산출했다. 촬영된 사진을 화상 해석 처리하여, 결정 입계의 형상에 있어서 가장 긴 지름을, 각 입자의 지름(㎚)으로 하고, 25㎚ 씩의 막대그래프로 하고, 막대그래프의 평균치를 얻어진 결정의 평균의 결정 입경으로 했다. 결정 입경의 값을 표 1에 나타낸다.
전체 광선 투과율은, 디지털 헤이즈미터(digital hazemeter)(니폰덴쇼쿠공업제 NDH-20D)를 이용하여, JIS K7105에 준해 측정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
수평 방향 자기장을 80mT로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 투명 도전성 필름을 제작하고, 각 값의 측정을 행했다. 스퍼터링 장치의 자석의 위치를 조정함으로써, 수평 방향 자기장을 조정했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
수평 방향 자기장을 130mT로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 투명 도전성 필름을 제작하고, 각 값의 측정을 행했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
수평 방향 자기장을 150mT로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 투명 도전성 필름을 제작하고, 각 값의 측정을 행했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
수평 방향 자기장을 180mT로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 투명 도전성 필름을 제작하고, 각 값의 측정을 행했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예]
수평 방향 자기장을 30mT로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 동일한 방법으로, 투명 도전성 필름을 제작하고, 각 값의 측정을 행했다. 측정 결과를 표 1에 나타낸다.
수평 방향
자기장
(mT)		 비저항
(Ω·㎝)		 결정 입경
(㎚)		 전체 광선
투과율
(%)
비교예 30 3.5×10-4 138 86.4
실시예 1 50 3.2×10-4 154 87.3
실시예 2 80 2.9×10-4 178 88.4
실시예 3 130 2.7×10-4 220 88.6
실시예 4 150 2.6×10-4 231 88.7
실시예 5 185 2.6×10-4 230 88.7
표 1에 나타내는 바와 같이, 타겟재상의 수평 방향 자기장이, 50mT에서 185mT인 경우에는, 30mT의 경우보다 광투과성이 뛰어나며, 또한 비저항이 작은(전기 전도성이 뛰어난) 투명 도전성 필름을 얻을 수 있었다.
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 투명 도전성 필름에는, 여러 가지 용도가 있고, 예를 들면, 터치 패널, 바람직하게는 정전 용량 방식의 터치 패널로 이용할 수 있다.
100. 스퍼터링 장치 104. 챔버
108. 타겟재 112. 필름기재
116. 조출 롤 120. 성막 롤
124. 권취 롤 128. 가이드 롤
132. 가이드 롤 136. 직류 전원
140. 냉각 스테이지 144. 자석
200. 가열 장치 204. 필름기재
208. 조출 롤 212. 가열실
216. 권취 롤 220. 챔버

Claims (4)

  1. 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리시클로올레핀 및 폴리카보네이트의 어느 하나에 의해 구성되는 투명 필름기재상에 형성된 결정화한 인듐 주석 산화물층을 포함하고,
    상기 인듐 주석 산화물층은, 두께가 20㎚에서 50㎚까지의 범위 내이며, 결정의 결정립의 평균 입경이 150㎚ 이상이며, 비저항이 3.3×10-4Ω·cm 이하이며,
    전체 광선 투과율이 87% 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 필름기재의 두께가 15㎛에서 50㎛까지의 범위 내인 것을 특징으로 하는, 투명 도전성 필름.
  3. 청구항 1항 또는 2항에 기재된 투명 도전성 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는, 정전 용량 방식 터치 패널.
  4. 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리시클로올레핀 및 폴리카보네이트의 어느 하나에 의해 구성되는 필름기재상에 형성된 비결정 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물층을 가지고, 그 인듐 주석 산화물층은, 산화 인듐과 산화 주석과의 합계량에 대한 산화 주석의 양이 적어도 3 중량%이며,
    상기 인듐 주석 산화물층은, 두께가 20㎚에서 50㎚까지의 범위 내이며,
    120℃에서 200℃까지의 온도에서 10분에서 90분의 가열 처리를 행함으로써, 상기 인듐 주석 산화물층이 결정화되며, 결정의 결정립의 평균 입경이 150㎚ 이상으로, 비저항이 3.3×10- 4Ω·cm 이하의 결정화한 인듐 주석 산화물층이 되고, 전체 광선 투과율이 87% 이상의 투명 도전성 필름을 형성할 수 있는,
    투명 도전성 필름을 형성하기 위한, 비결정 부분을 포함하는 인듐 주석 산화물층과 필름기재의 적층체.
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