WO2015166724A1 - 透明導電性フィルム - Google Patents

透明導電性フィルム Download PDF

Info

Publication number
WO2015166724A1
WO2015166724A1 PCT/JP2015/057213 JP2015057213W WO2015166724A1 WO 2015166724 A1 WO2015166724 A1 WO 2015166724A1 JP 2015057213 W JP2015057213 W JP 2015057213W WO 2015166724 A1 WO2015166724 A1 WO 2015166724A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transparent conductive
layer
optical adjustment
adjustment layer
conductive film
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/057213
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
大貴 加藤
梨恵 川上
望 藤野
智剛 梨木
Original Assignee
日東電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日東電工株式会社 filed Critical 日東電工株式会社
Priority to KR1020167005363A priority Critical patent/KR20160146638A/ko
Priority to US15/037,288 priority patent/US10186346B2/en
Priority to CN201580002254.XA priority patent/CN105659198B/zh
Priority to JP2016506928A priority patent/JP6082841B2/ja
Publication of WO2015166724A1 publication Critical patent/WO2015166724A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/086Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10Glass or silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/10Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/301Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in group H01B3/302
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/305Polyamides or polyesteramides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306Polyimides or polyesterimides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/307Other macromolecular compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/38Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes condensation products of aldehydes with amines or amides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/42Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
    • H01B3/421Polyesters
    • H01B3/422Linear saturated polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • H01B3/423Linear aromatic polyesters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/42Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
    • H01B3/421Polyesters
    • H01B3/426Polycarbonates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/42Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
    • H01B3/427Polyethers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/442Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from aromatic vinyl compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/447Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from acrylic compounds
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967Absolute thicknesses specified
    • Y10T428/24975No layer or component greater than 5 mils thick
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264Up to 3 mils
    • Y10T428/2651 mil or less

Definitions

  • the present invention relates to a transparent conductive film, and more particularly to a transparent conductive film used for a touch panel film or the like.
  • a transparent conductive film is proposed in which a first transparent dielectric layer, a second transparent dielectric layer, and a patterned transparent conductive layer are formed in this order on one or both sides of a transparent film substrate.
  • a transparent conductive film is proposed in which a first transparent dielectric layer, a second transparent dielectric layer, and a patterned transparent conductive layer are formed in this order on one or both sides of a transparent film substrate.
  • the difference between the pattern portion and the pattern opening portion of the transparent conductive layer is suppressed, and the appearance is good.
  • the transparent conductive film described in Patent Document 1 has a problem that the transparent conductive layer is easily cracked.
  • An object of the present invention is to provide a transparent conductive film capable of suppressing the occurrence of damage to the transparent conductivity while suppressing the visual recognition of the wiring pattern.
  • the transparent conductive film of the present invention comprises, in order, a transparent base material, a first optical adjustment layer, an inorganic layer, and a transparent conductive layer, and the first optical adjustment layer is based on the refractive index of the transparent base material. Having a low refractive index, a thickness of 10 nm or more and 35 nm or less, and the inorganic layer is lower than an absolute value of a value obtained by multiplying the refractive index of the first optical adjustment layer by 1.13 or the absolute It has the same refractive index as the value.
  • this transparent conductive film includes the first optical adjustment layer having a specific refractive index and thickness and an inorganic layer having a specific refractive index, the wiring pattern is suppressed while preventing the transparent conductive layer from being damaged. Can be suppressed, and has excellent scratch resistance and excellent transparency.
  • the transparent conductive film of the present invention further includes a second optical adjustment layer disposed between the transparent substrate and the first optical adjustment layer, and the second optical adjustment layer includes the transparent group. It is preferable to have a refractive index higher than that of the material.
  • This transparent conductive film can further suppress the visual recognition of the wiring pattern and has more excellent scratch resistance.
  • the second optical adjustment layer has a thickness of 100 nm or more and 300 nm or less.
  • the thickness of the first optical adjustment layer is in the specific range described above, the visual recognition of the wiring pattern can be further suppressed, and the scratch resistance is further improved.
  • the inorganic layer has a thickness of 1.5 nm or more and 10 nm or less.
  • the thickness of the inorganic layer is in a specific range, it is possible to further suppress the transparent conductive layer from being damaged.
  • the transparent conductive layer has a thickness of 25 nm or more.
  • the transparent conductive layer is easily damaged.
  • the transparent conductive film of the present invention includes the first optical adjustment layer and the inorganic layer described above, it is possible to effectively suppress the damage described above in the transparent conductive layer.
  • the first optical adjustment layer is made of only a resin.
  • the first optical adjustment layer is made of only resin, the above-described damage in the transparent conductive layer can be effectively suppressed.
  • the transparent conductive film of the present invention it is possible to suppress the visual recognition of the wiring pattern while suppressing the occurrence of damage to the transparent conductive layer, and to have excellent scratch resistance and excellent transparency.
  • FIG. 1 shows sectional drawing of 1st Embodiment (a mode provided with a 2nd optical adjustment layer) of the transparent conductive film of this invention.
  • FIG. 2 shows a cross-sectional view of the transparent conductive film of the first embodiment in which a transparent conductive layer is formed in a wiring pattern.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of a second embodiment of the transparent conductive film of the present invention (an embodiment without the second optical adjustment layer).
  • FIG. 4 shows a cross-sectional view of the transparent conductive film of the second embodiment in which a transparent conductive layer is formed in a wiring pattern.
  • the vertical direction of the paper surface is the vertical direction (an example of the thickness direction, the first direction)
  • the upper side of the paper surface is the upper side (one side in the thickness direction, the first direction side)
  • the lower side of the paper surface is the lower side ( The other side in the thickness direction and the other side in the first direction).
  • it conforms to the direction arrow in each figure.
  • the transparent conductive film 1 has a film shape (including a sheet shape) having a predetermined thickness, extends in a predetermined direction (surface direction) orthogonal to the thickness direction, and has a flat upper surface and a flat lower surface. .
  • the transparent conductive film 1 is, for example, a component such as a base material for a touch panel provided in the image display device, that is, not an image display device. That is, the transparent conductive film 1 is a component for producing an image display device and the like, and does not include an image display element such as an LCD module, and is a device that can be distributed industrially and used industrially.
  • the transparent conductive film 1 includes a transparent base material 2, a second optical adjustment layer 3 disposed on the transparent base material 2, and a second optical adjustment layer 3.
  • the first optical adjustment layer 4 disposed above, the inorganic layer 5 disposed on the first optical adjustment layer 4, and the transparent conductive layer 6 disposed on the inorganic layer 5 are provided. That is, in the transparent conductive film 1, the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the transparent conductive layer 6 are sequentially disposed on the transparent substrate 2.
  • the transparent conductive film 1 is preferably composed of only the transparent substrate 2, the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the transparent conductive layer 6.
  • the transparent substrate 2 is the lowermost layer of the transparent conductive film 1 and is a support material that ensures the mechanical strength of the transparent conductive film 1.
  • the transparent substrate 2 supports the transparent conductive layer 6 together with the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4 and the inorganic layer 5.
  • the transparent substrate 2 is, for example, a polymer film having transparency.
  • the material of the polymer film include polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, for example, (meth) acrylic resins (acrylic resin and / or methacrylic resin) such as polymethacrylate, And olefin resins such as polyethylene, polypropylene, and cycloolefin polymers such as polycarbonate resin, polyether sulfone resin, polyarylate resin, melamine resin, polyamide resin, polyimide resin, cellulose resin, polystyrene resin, norbornene resin, and the like. These polymer films can be used alone or in combination of two or more. From the viewpoints of transparency, heat resistance, mechanical properties, and the like, preferably, a polyester resin is used, and more preferably, PET is used.
  • the refractive index nA of the transparent substrate 2 is, for example, 1.45 or more, preferably 1.55 or more, and for example, 1.80 or less, preferably 1.70 or less.
  • the refractive index nA of the transparent substrate 2 is measured by, for example, an Abbe refractometer.
  • the thickness TA of the transparent substrate 2 is, for example, 2 ⁇ m or more, preferably 20 ⁇ m or more, from the viewpoint of mechanical strength, scratch resistance, and dot characteristics when the transparent conductive film 1 is used as a touch panel film, and the like.
  • it is 200 micrometers or less, Preferably, it is 150 micrometers or less.
  • Second optical adjustment layer 3 The second optical adjustment layer 3 is formed with a pattern portion 7 after the transparent conductive layer 6 is formed in a wiring pattern in a later step as shown in FIG. 2 together with the first optical adjustment layer 4 and the inorganic layer 5 described later. It is an optical adjustment layer that adjusts the optical physical properties of the transparent conductive film 1 so that the difference between the non-pattern part 8 is not recognized (that is, the visual recognition of the wiring pattern is suppressed). Further, the second optical adjustment layer 3 is a scratch protective layer for making it difficult to cause scratches on the upper surface of the transparent conductive layer 6 (that is, the surface of the transparent conductive film 1) (that is, to obtain excellent scratch resistance). But there is.
  • the second optical adjustment layer 3 has a film shape (including a sheet shape) and is disposed, for example, on the entire upper surface of the transparent substrate 2 so as to be in contact with the upper surface of the transparent substrate 2.
  • the second optical adjustment layer 3 is prepared from the second optical composition.
  • the second optical composition contains, for example, a resin.
  • the second optical composition preferably contains a resin and particles. More preferably, the second optical composition consists only of a resin and particles.
  • the resin examples include a curable resin, a thermoplastic resin (for example, a polyolefin resin), and preferably a curable resin.
  • the curable resin examples include an active energy ray-curable resin that is cured by irradiation with active energy rays (specifically, ultraviolet rays, electron beams, etc.), for example, a thermosetting resin that is cured by heating, and the like.
  • active energy ray curable resin is used.
  • Examples of the active energy ray-curable resin include a polymer having a functional group having a polymerizable carbon-carbon double bond in the molecule.
  • Examples of such a functional group include a vinyl group and a (meth) acryloyl group (methacryloyl group and / or acryloyl group).
  • Examples of the active energy ray-curable resin include (meth) acrylic resin (acrylic resin and / or methacrylic resin) containing a functional group in the side chain.
  • These resins can be used alone or in combination of two or more.
  • the content ratio of the resin is, for example, 50% by mass or more, preferably 40% by mass or more, and, for example, 95% by mass or less, preferably 90% by mass or less with respect to the second optical composition. .
  • Examples of the particles include inorganic particles and organic particles.
  • Examples of the inorganic particles include silica particles (including hollow nanosilica particles), for example, metal oxide particles made of zirconium oxide, titanium oxide, and the like, for example, carbonate particles such as calcium carbonate.
  • Examples of the organic particles include crosslinked acrylic resin particles.
  • the particles are preferably inorganic particles, more preferably metal oxide particles, and still more preferably zirconium oxide particles (ZnO 2 ).
  • the average particle diameter of the particles is, for example, 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and for example, 500 nm or less, preferably 100 nm or less.
  • the average particle diameter of the particles is measured by a Coulter counting method using, for example, a Coulter Multisizer manufactured by Beckman Coulter.
  • the content ratio of the particles is, for example, 5 parts by mass or more, preferably 10 parts by mass or more, and, for example, 100 parts by mass or less, preferably 65 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin.
  • the content ratio of the particles is, for example, 5% by mass or more, preferably 10% by mass or more, and, for example, 50% by mass or less, preferably 40% by mass or less with respect to the second optical composition. It is.
  • the second optical adjustment layer 3 has, for example, a refractive index nB higher than the refractive index nA of the transparent substrate 2.
  • the refractive index nB of the second optical adjustment layer 3 is measured by, for example, an Abbe refractometer.
  • the refractive index nB of the second optical adjustment layer 3 is lower than or the same as the refractive index nA of the transparent substrate 2, the optical characteristics of the transparent conductive film 1 (specifically, the visual recognition of the wiring pattern). Suppression) may be reduced.
  • the ratio (nB / nA) of the refractive index nB of the second optical adjustment layer 3 to the refractive index nA of the transparent substrate 2 exceeds 1, preferably 1.01 or more, more preferably 1.05 or more. For example, it is 1.50 or less.
  • the value obtained by subtracting the refractive index nB of the second optical adjustment layer 3 from the refractive index nA of the transparent substrate 2 is, for example, 0.01 or more, preferably 0.05 or more. For example, it is 0.50 or less, preferably 0.20 or less.
  • the refractive index nB of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 1.50 or more, preferably 1.60 or more, and, for example, 1.80 or less, preferably 1. 75 or less.
  • the refractive index nB, the ratio (nB / nA), and / or the difference (nB-nA) of the second optical adjustment layer 3 exceed the lower limit, the optical characteristics of the transparent conductive film 1 (specifically, the wiring) It is possible to suppress a reduction in pattern visibility).
  • the thickness TB of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 100 nm or more, preferably 120 nm or more, more preferably 150 nm or more, still more preferably 180 nm or more, for example, 300 nm or less, preferably 280 nm or less, more
  • the thickness is preferably 250 nm or less, more preferably 220 nm or less, and particularly preferably 200 nm or less.
  • the thickness TB of the second optical adjustment layer 3 is measured by, for example, cross-sectional observation with a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the ratio (TB / TA) of the thickness TB of the second optical adjustment layer 3 to the thickness TA of the transparent substrate 2 is, for example, 0.0020 or more, preferably more than 0.0020, more preferably 0.0030 or more. In addition, for example, it is less than 0.0070, preferably less than 0.0060, and more preferably 0.0050 or less.
  • the 1st optical adjustment layer 4 has the transparency excellent in the transparent conductive film 1, suppressing the visual recognition of the wiring pattern in the transparent conductive layer 6 with the 2nd optical adjustment layer 3 and the inorganic substance layer 5.
  • FIG. In order to ensure, it is an optical adjustment layer that adjusts the optical properties of the transparent conductive film 1.
  • the first optical adjustment layer 4 has a film shape (including a sheet shape).
  • the first optical adjustment layer 4 is disposed on the entire upper surface of the second optical adjustment layer 3 so as to be in contact with the upper surface of the second optical adjustment layer 3. Has been.
  • the first optical adjustment layer 4 is prepared from the first optical composition.
  • the first optical composition contains, for example, a resin, preferably substantially made of resin, and more preferably made only of resin. That is, the first optical composition (and thus the first optical adjustment layer 4) preferably does not substantially contain particles.
  • the resin is selected from, for example, resins exemplified in the second optical composition.
  • the resin is preferably a thermosetting resin.
  • thermosetting resin examples include silicone resin, epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, and unsaturated polyester resin.
  • an epoxy resin and a melamine resin are mentioned, More preferably, an epoxy resin is mentioned.
  • the epoxy resin examples include bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type and bisphenol S type, for example, novolak type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type, for example, triglycidyl isocyanurate type, hydantoin Type nitrogen-containing epoxy resins such as naphthalene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, glycidyl ether type epoxy resins, dicyclo type epoxy resins, ester type epoxy resins, modified products thereof or hydrogenated products. .
  • bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type and bisphenol S type
  • novolak type epoxy resins such as phenol novolak type and cresol novolak type
  • hydantoin Type nitrogen-containing epoxy resins such as naphthalene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, glycidyl ether type epoxy resins, dicyclo type epoxy resins, ester type epoxy
  • the epoxy resin can be prepared as an epoxy resin composition containing an epoxy resin and a curing agent by blending a curing agent.
  • the curing agent include curing agents for epoxy resins such as polyamine curing agents, amide curing agents, acid anhydride curing agents, dihydrazide curing agents, urea curing agents, imidazole curing agents, and imidazoline curing agents. Is mentioned.
  • the blending ratio of the curing agent is, for example, 0.05 parts by mass or more, preferably 0.1 parts by mass or more, and for example, 3.0 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass of the epoxy resin. 1.0 parts by mass or less.
  • substantially free of particles described as a preferred embodiment of the first optical composition means that the particles may contain an extremely small amount of particles as impurities. It means that the content ratio of the particles is, for example, less than 1% by mass, preferably less than 0.1% by mass, based on the total solid content of the composition.
  • the first optical composition can contain, for example, a resin and particles.
  • the particles are appropriately selected and preferably include silica particles.
  • the content ratio of the particles is, for example, 11 parts by mass or more, preferably 42 parts by mass or more, and for example, 150 parts by mass or less, preferably 110 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin.
  • the content ratio of the particles is, for example, 10% by mass or more, preferably 30% by mass or more, and, for example, 60% by mass or less, preferably 55% by mass or less with respect to the first optical composition. It is.
  • the first optical adjustment layer 4 has a refractive index nC lower than the refractive index nA of the transparent substrate 2.
  • the refractive index nC of the first optical adjustment layer 4 is measured by, for example, an Abbe refractometer.
  • the refractive index nC of the first optical adjustment layer 4 is higher than or the same as the refractive index nA of the transparent substrate 2, the optical characteristics of the transparent conductive film 1 (specifically, the visual recognition of the wiring pattern). Suppression) is reduced.
  • the ratio (nC / nA) of the refractive index nC of the first optical adjustment layer 4 to the refractive index nA of the transparent substrate 2 is less than 1, preferably 0.99 or less, more preferably 0.95 or less. For example, it is 0.80 or more.
  • the value obtained by subtracting the refractive index nC of the first optical adjustment layer 4 from the refractive index nA of the transparent substrate 2 is, for example, 0.01 or more, preferably 0.05 or more, more preferably 0.10 or more, and for example, 0.30 or less, preferably 0.25 or less.
  • the refractive index nC of the first optical adjustment layer 4 is, for example, less than 1.60, preferably 1.55 or less, more preferably 1.53 or less, and, for example, 1.20. As mentioned above, Preferably, it is 1.30 or more.
  • the refractive index nC, the ratio (nC / nA), and / or the difference (nA ⁇ nC) of the first optical adjustment layer 4 exceeds the lower limit, the optical properties (specifically, the transparent conductive film 1) , Reduction in pattern visibility) can be suppressed.
  • the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 is 10 nm or more and 35 nm or less.
  • the thickness TB of the first optical adjustment layer 4 is measured by, for example, cross-sectional observation with a transmission electron microscope (TEM).
  • the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 is less than 10 nm, excellent transparency in the transparent conductive film 1 cannot be ensured. On the other hand, if the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 exceeds 35 nm, the visual recognition of the wiring pattern in the transparent conductive layer 6 cannot be suppressed.
  • the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 is preferably 15 nm or more.
  • the ratio (TC / TB) of the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 to the thickness TB of the second optical adjustment layer 3 is, for example, 0.020 or more, preferably 0.050 or more, more preferably 0.100 or more, more preferably 0.120 or more, and for example, 0.500 or less, preferably 0.200 or less, more preferably 0.250 or less, and further preferably 0.150 or less. It is.
  • the thickness TC and / or the ratio (TC / TB) of the first optical adjustment layer 4 is equal to or greater than the above lower limit, excellent transparency can be ensured.
  • the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 is not more than the above upper limit, the visual recognition of the wiring pattern in the transparent conductive layer 6 can be suppressed. 5.
  • the inorganic layer 5 adjusts the optical properties of the transparent conductive film 1 so as to suppress the visual recognition of the wiring pattern in the transparent conductive layer 6 together with the second optical adjustment layer 3 and the first optical adjustment layer 4 described above. It is an optical adjustment layer (third optical adjustment layer).
  • the inorganic layer 5 has a film shape (including a sheet shape) and is disposed, for example, on the entire upper surface of the first optical adjustment layer 4 so as to be in contact with the upper surface of the first optical adjustment layer 4. .
  • the inorganic layer 5 is prepared from an inorganic material having predetermined optical properties.
  • inorganic substances examples include oxides and fluorides.
  • oxide examples include silicon oxide (specifically, silicon dioxide (SiO 2 ), silicon monoxide (SiO), and the like), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and the like.
  • the fluoride examples include alkali metal fluorides such as sodium fluoride (NaF), trisodium hexafluoroaluminate (Na 3 AlF 6 ), lithium fluoride (LiF), and magnesium fluoride (MgF 2 ).
  • alkaline earth metals such as calcium fluoride (CaF 2 ) and barium fluoride (BaF 2 ), and rare earth fluorides such as lanthanum fluoride (LaF 3 ) and cerium fluoride (CeF).
  • Inorganic materials can be used alone or in combination of two or more.
  • the inorganic substance is preferably an oxide from the viewpoint of securing a desired refractive index nD (described later), and more preferably silicon dioxide (SiO 2 : refractive index 1.47).
  • the refractive index nD of the inorganic layer 5 is measured by, for example, an Abbe refractometer.
  • the refractive index nD of the inorganic layer 5 has a refractive index nD higher than the absolute value ABV, visual recognition of the wiring pattern in the transparent conductive layer 6 cannot be suppressed.
  • nD refractive index
  • the refractive index nD of the inorganic layer 5 within the above range, reflection between the first optical adjustment layer 4 and the inorganic layer 5 can be suppressed, and as a result, the visual recognition of the wiring pattern can be improved.
  • the refractive index nD of the inorganic layer 5 is, for example, 1.30 or more, preferably 1.40 or more, and for example, 2.00 or less, preferably 1.90 or less, more preferably. Is 1.80 or less, more preferably 1.72 or less, particularly preferably 1.60 or less, and most preferably 1.50 or less.
  • the ratio (nD / nC) of the refractive index nD of the inorganic layer 5 to the refractive index nC of the first optical adjustment layer 4 is, for example, 0.800 or more, for example, 1.500 or less, preferably 1 100 or less.
  • the refractive index nD and / or the ratio (nD / nC) of the inorganic layer 5 is equal to or higher than the above lower limit, it is possible to suppress a decrease in optical properties.
  • the nD and / or the ratio (nD / nC) of the inorganic layer 5 is equal to or less than the above upper limit, the visual recognition of the wiring pattern can be suppressed.
  • the thickness TD of the inorganic layer 5 is, for example, 20 nm or less, preferably 15 nm or less, more preferably 13 nm or less, still more preferably 10 nm or less, and, for example, 1.0 nm or more, preferably 1.5 nm. That's it.
  • the thickness TD of the inorganic layer 5 is measured by cross-sectional observation with a transmission electron microscope (TEM).
  • the ratio (TD / TC) of the thickness TD of the inorganic layer 5 to the thickness TC of the first optical adjustment layer 4 is, for example, more than 0.050, preferably 0.060 or more, more preferably 0.070. For example, it is 0.500 or less, preferably 0.450 or less, more preferably 0.350 or less, still more preferably 0.120 or less, and particularly preferably 0.100 or less.
  • the thickness TD and / or the ratio (TD / TC) of the inorganic layer 5 is equal to or less than the above upper limit, the transparency in the transparent conductive film 1 is excellent, and the inorganic layer 5 and the transparent conductive layer 6 By reducing the total thickness, it is possible to suppress an increase in the stress applied to the transparent conductive layer 6 and to prevent the transparent conductive layer 6 from being damaged.
  • Transparent conductive layer is a conductive layer for forming a pattern portion 7 by forming it in a wiring pattern in a later step, as shown in FIG.
  • the transparent conductive layer 6 is the uppermost layer of the transparent conductive film 1 and has a film shape (including a sheet shape).
  • the material for forming the transparent conductive layer 6 is, for example, at least selected from the group consisting of In, Sn, Zn, Ga, Sb, Ti, Si, Zr, Mg, Al, Au, Ag, Cu, Pd, and W.
  • a metal oxide containing one kind of metal can be given. If necessary, the metal oxide can be further doped with a metal atom shown in the above group.
  • the material is preferably indium tin composite oxide (ITO), antimony tin composite oxide (ATO), or the like, and more preferably ITO.
  • ITO indium tin composite oxide
  • ATO antimony tin composite oxide
  • the material may be crystalline or amorphous, or may be a mixture of crystalline and amorphous.
  • the material is preferably crystalline.
  • the refractive index nE of the transparent conductive layer 6 is, for example, 1.70 or more, preferably 1.80 or more, and, for example, 2.10 or less, preferably 2.00 or less.
  • the refractive index nE of the transparent conductive layer 6 is measured by, for example, an Abbe refractometer.
  • the thickness TE of the transparent conductive layer 6 is, for example, 15 nm or more, preferably 20 nm or more, more preferably 25 nm or more, and for example, 50 nm or less, preferably 35 nm or less.
  • the thickness TE of the transparent conductive layer 6 is calculated by measuring the X-ray reflectivity with a powder X-ray diffractometer, and details thereof will be described later in Examples.
  • the ratio (TE / TD) of the thickness TE of the transparent conductive layer 6 to the thickness TD of the inorganic layer 5 is, for example, 5 or more, preferably 8 or more, and for example, 20 or less, preferably 15 It is as follows.
  • the transparent conductive layer 6 When the thickness TE and / or the ratio (TE / TD) of the transparent conductive layer 6 is not less than the above lower limit, the transparent conductive layer 6 having a low resistance suitable for use in a patch panel can be obtained. On the other hand, if the thickness TE and / or the ratio (TE / TD) of the transparent conductive layer 6 is equal to or lower than the above upper limit, the stress applied to the transparent conductive layer 6 can be suppressed, and the transparent conductive layer 6 is damaged such as cracks. Risk that occurs can be reduced. 7). Next, a method for producing the transparent conductive film 1 will be described.
  • the transparent conductive film 1 for example, the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic material layer 5, and the transparent conductive layer 6 are arranged on the transparent substrate 2 in the order described above. (Lamination).
  • a transparent substrate 2 is prepared.
  • the second optical composition is disposed on the upper surface of the transparent substrate 2 by, for example, wet processing.
  • a diluted solution obtained by diluting the second optical composition with a solvent is prepared, and then the diluted solution is applied to the upper surface of the second optical adjustment layer 3 and the diluted solution is dried.
  • the solvent examples include an organic solvent and an aqueous solvent (specifically, water), and an organic solvent is preferable.
  • organic solvent include alcohol compounds such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol; ketone compounds such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone (MIBK); ester compounds such as ethyl acetate and butyl acetate, such as toluene and xylene. And aromatic compounds.
  • a ketone compound is used.
  • Solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the second optical composition is diluted with a solvent so that the solid content concentration in the diluent is, for example, 0.5% by mass or more and 5.0% by mass or less.
  • Examples of the coating method include a fountain coating method, a die coating method, a spin coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a roll coating method, and a bar coating method.
  • the drying temperature is, for example, 60 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher, for example, 250 ° C. or lower, preferably 200 ° C. or lower.
  • the drying time is, for example, 1.0 minute or more, preferably 2.0 minutes or more, for example, 1.0 hour or less, preferably 0.5 hour or less.
  • the second optical composition is formed into a film shape on the upper surface of the transparent substrate 2 by the application and drying described above.
  • the active energy ray-curable resin is cured by irradiating the active energy ray after the diluted solution is dried.
  • the second optical adjustment layer 3 is formed on the entire upper surface of the transparent substrate 2.
  • the first optical composition is disposed on the upper surface of the second optical adjustment layer 3 by, for example, wet processing.
  • a diluted solution obtained by diluting the first optical composition with a solvent is prepared, and then the diluted solution is applied to the upper surface of the transparent substrate 2 and the diluted solution is dried.
  • Examples of the solid content concentration, the solvent, the coating method, and the drying method in the diluted solution are the same as those exemplified for the diluted solution of the second optical composition.
  • thermosetting resin when a 1st optical composition contains a thermosetting resin, a thermosetting resin can be thermoset by drying mentioned above with the drying of a solvent.
  • the first optical adjustment layer 4 is formed on the upper surface of the second optical adjustment layer 3.
  • the transparent substrate, the second optical adjustment layer, and the first optical adjustment layer are allowed to stand in a reduced pressure atmosphere of, for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • a reduced pressure atmosphere of, for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less.
  • the degassing treatment is performed using an exhaust device (specifically, including a turbo molecular pump or the like) provided in a dry-type device described in detail later.
  • the inorganic layer 5 is disposed on the upper surface of the first optical adjustment layer 4 by, for example, a dry method.
  • Examples of the dry method include a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method.
  • a sputtering method is used.
  • a magnetron sputtering method can be mentioned.
  • the target material includes the above-described inorganic substances.
  • Examples of the gas used in the sputtering method include an inert gas such as Ar.
  • a reactive sputtering method is employed.
  • reactive sputtering an element contained in an oxide is used as a target material, a reactive gas such as oxygen is introduced as a gas during reactive sputtering, and the element reacts in a reactive sputtering transient (specifically, Is oxidized).
  • the percentage of the flow rate of the reactive gas with respect to the total flow rate of the inert gas and the reactive gas is, for example, 0.1% or more and 60% or less.
  • the emission intensity of plasma and the discharge voltage during reactive sputtering are monitored to control the transition region.
  • the film formation rate can be improved.
  • the oxidation number of the inorganic layer 5 (and consequently the refractive index nD of the inorganic layer 5) can be controlled by controlling the light emission intensity of the plasma.
  • the power source used in the sputtering method may be, for example, any one of a DC power source, an MF power source, and an RF power source, or a combination thereof.
  • the inorganic layer 5 is formed on the entire upper surface of the first optical adjustment layer 4.
  • the transparent conductive layer 6 is disposed on the entire upper surface of the inorganic layer 5 by, for example, a dry method.
  • Examples of the dry method include the same methods as described above, preferably a sputtering method, more preferably a magnetron sputtering method.
  • the target material includes the above metal oxide.
  • the gas and flow rate used in the sputtering method are the same as above.
  • the transparent conductive layer 6 is disposed on the upper surface of the inorganic layer 5.
  • the transparent conductive layer 6 is crystallized.
  • the transparent conductive layer 6 is heated.
  • the specific resistance of the transparent conductive layer 6 in the transparent conductive film 1 is, for example, 3.0 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less, and for example, 1.1 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or more.
  • the transparent conductive film 1 including the transparent substrate 2, the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the transparent conductive layer 6 is provided. obtain.
  • the total thickness of the transparent conductive film 1 is, for example, 2 ⁇ m or more, preferably 20 ⁇ m or more, and for example, 200 ⁇ m or less, preferably 150 ⁇ m or less.
  • the second optical adjustment layer 3, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the upper surface of the transparent base material 2 are conveyed on the upper surface of the transparent base material 2 while being conveyed in a roll-to-roll manner.
  • the transparent conductive layer 6 may be formed in order, or some or all of these layers may be formed in a batch system.
  • the transparent conductive layer 6 is formed into a wiring pattern by etching, and the pattern portion 7 and the non-pattern portion 8 are formed on the inorganic layer 5. .
  • the upper surface of the inorganic layer 5 is exposed from the pattern part 7.
  • the width L of each pattern portion 7 is, for example, 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, and the interval S between adjacent pattern portions 7 (that is, the width S of the non-pattern portion 8) is, for example, 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less. is there.
  • the transparent conductive film 1 is provided in an image display device, for example.
  • This transparent conductive film 1 is used for the base material for touchscreens, for example.
  • the touch panel format include various systems such as an optical system, an ultrasonic system, a capacitive system, and a resistive film system, and the touch panel is particularly preferably used for a capacitive touch panel. 8).
  • This transparent conductive film 1 includes the first optical adjustment layer 4 having a specific refractive index nC and a thickness TC, and the inorganic layer 5 having a specific refractive index nD, so that the transparent conductive layer 6 is damaged. While suppressing generation
  • the transparent conductive film 1 further includes a second optical adjustment layer 3 disposed between the transparent substrate 2 and the first optical adjustment layer 4, and the second optical adjustment layer 3 is a transparent substrate. Since the refractive index nB is higher than the refractive index nA of 2, the visual recognition of the wiring pattern can be further suppressed, and the scratch resistance is further improved.
  • the thickness TB of the second optical adjustment layer 3 is in the specific range described above, the visual recognition of the wiring pattern can be further suppressed and the scratch resistance is further improved.
  • the transparent conductive layer 6 since the thickness TD of the inorganic layer 5 is in a specific range, the transparent conductive layer 6 can be further prevented from being damaged.
  • the transparent conductive layer 6 since the thickness TD of the inorganic layer 5 is in a specific range, the transparent conductive layer 6 can be further prevented from being damaged.
  • the transparent conductive layer 6 is easily damaged. This is expected when the lower layer of the transparent conductive layer 6 contains a large amount of impure gas or becomes higher as the linear expansion coefficient due to heat increases.
  • the transparent conductive film 1 includes the specific first optical adjustment layer 4 and the inorganic layer 5 described above, the lower layer of the transparent conductive layer 6 hardly contains impure gas, and the expansion rate of the inorganic layer 5 is low. Therefore, the above-described damage in the transparent conductive layer 6 can be effectively suppressed.
  • the unevenness caused by the particles causes a local stress increase in the inorganic layer 5 and the transparent conductive layer 6, so that damage in the transparent conductive layer 6 may not be effectively suppressed. is there.
  • this transparent conductive film 1 when the 1st optical adjustment layer 4 consists only of resin, since the above-mentioned stress increase can be suppressed, the damage in the transparent conductive layer 6 can be suppressed effectively.
  • the 2nd optical adjustment layer 3 is made to contact the upper surface of the transparent base material 2, it is not limited to this.
  • the second optical adjustment layer 3 may not be brought into contact with the upper surface of the transparent substrate 2 and another layer may be interposed therebetween.
  • the first optical adjustment layer 4 is in contact with the upper surface of the second optical adjustment layer 3, but the present invention is not limited to this.
  • the first optical adjustment layer 4 may not be brought into contact with the upper surface of the second optical adjustment layer 3, and other layers may be interposed therebetween.
  • the inorganic substance layer 5 is made to contact the upper surface of the 1st optical adjustment layer 4, it is not limited to this.
  • the inorganic layer 5 may not be brought into contact with the upper surface of the first optical adjustment layer 4 and another layer may be interposed therebetween.
  • Second Embodiment In the second embodiment, the same members and steps as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the transparent conductive film 1 includes a transparent substrate 2, a first optical adjustment layer 4, an inorganic layer 5, and a transparent conductive layer 6 in this order. That is, the transparent conductive film 1 includes a transparent substrate 2, a first optical adjustment layer 4 disposed on the transparent substrate 2, an inorganic layer 5 disposed on the first optical adjustment layer 4, A transparent conductive layer 6 disposed on the inorganic layer 5. That is, the transparent conductive film 1 of the second embodiment is the second optical adjustment layer disposed between the transparent substrate 2 and the first optical adjustment layer 4 in the transparent conductive film 1 of the first embodiment. 3 is not provided. Preferably, the transparent conductive film 1 includes only the transparent substrate 2, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the transparent conductive layer 6.
  • the first optical adjustment layer 4 is disposed, for example, on the entire upper surface of the transparent substrate 2 so as to be in contact with the upper surface of the transparent substrate 2.
  • the transparent conductive film 1 of the second embodiment for example, the first optical adjustment layer 4, the inorganic layer 5, and the transparent conductive layer 6 are arranged (laminated) on the transparent substrate 2 in the order described above. )
  • the transparent conductive film 1 of 2nd Embodiment there can exist the same effect as the transparent conductive film 1 of 1st Embodiment.
  • the transparent conductive film 1 of the second embodiment shown in FIG. 3 does not include the second optical adjustment layer 3 unlike the transparent conductive film 1 of the first embodiment shown in FIG.
  • the transparent conductive film 1 can be easily obtained. Further, the transparent conductive film 1 can be thinned.
  • the transparent conductive film 1 of the first embodiment shown in FIG. 1 includes the second optical adjustment layer 3 unlike the transparent conductive film 1 of the second embodiment shown in FIG. Can be obtained.
  • the 1st optical adjustment layer 4 is made to contact the upper surface of the transparent base material 2, it is not limited to this.
  • the first optical adjustment layer 4 may not be brought into contact with the upper surface of the transparent substrate 2 and other layers may be interposed therebetween.
  • Example 1 Preparation of transparent substrate
  • PET polyethylene terephthalate
  • Diafoil manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.
  • Second optical composition an ultraviolet curable resin composition
  • second optical composition comprising an ultraviolet curable acrylic resin and zirconium oxide (ZnO 2 ) particles (average particle size 20 nm) so that the solid content concentration is 5% by mass.
  • diluted with an ultraviolet curable resin composition was applied to the upper surface of the transparent substrate and dried to form an ultraviolet curable resin composition in a film shape.
  • the ultraviolet curable resin composition was cured by irradiation with ultraviolet rays.
  • a second optical adjustment layer having a thickness of 200 nm was formed on the entire upper surface of the transparent substrate.
  • thermosetting resin composition (first optical composition) comprising 100 parts by mass of a thermosetting epoxy resin and 1 part by mass of a curing agent for epoxy resin so that the solid content concentration is 0.8% by mass. Then, the thermosetting resin composition was diluted to prepare a diluted solution of the thermosetting resin composition. Next, the diluted solution was applied to the upper surface of the second optical adjustment layer and heated at 195 ° C. for 1 minute to dry the diluted solution and cure the thermosetting resin composition.
  • a first optical adjustment layer having a thickness of 25 nm was formed on the entire upper surface of the second optical adjustment layer.
  • the laminated film consisting of the transparent substrate, the second optical adjustment layer, and the first optical adjustment layer was mounted on a DC magnetron sputtering apparatus, and wound up while closely contacting and running on a heated film forming roll. While running the laminated film, the vacuum degree of the atmosphere was set to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa by an exhaust device (such as a turbo molecular pump) provided in the DC magnetron sputtering apparatus.
  • an exhaust device such as a turbo molecular pump
  • An inorganic material layer made of SiO 2 (silicon dioxide) and having a thickness of 2 nm was formed on the upper surface of the first optical adjustment layer by a DC magnetron sputtering method.
  • the sputtering conditions were as follows.
  • Target material Si Gas: Ar and O 2 : (O 2 flow ratio 30% (/ Ar and O 2 total flow)) Decompression degree: 0.2 Pa (Formation of transparent conductive layer)
  • a transparent conductive layer made of ITO and having a thickness of 26 nm was formed on the top surface of the inorganic layer by DC magnetron sputtering while maintaining the vacuum degree of the vacuum sputtering apparatus.
  • the inorganic layer was amorphous.
  • the sputtering conditions were as follows.
  • Target material ITO with a tin oxide concentration of 10% by mass Gas: Ar and O 2 (O 2 flow ratio: 0.1% (/ Ar and O 2 total flow)) Decompression degree: 0.4 Pa (Crystallization)
  • a laminated film in which the second optical adjustment layer, the first optical adjustment layer, the inorganic layer, and the amorphous transparent conductive layer are sequentially formed on the transparent substrate is taken out from the DC magnetron sputtering apparatus. Then, heat treatment was performed in an oven at 150 ° C. for 120 minutes. Thereby, the transparent conductive layer was crystallized. Thereby, the transparent conductive film in which the second optical adjustment layer, the first optical adjustment layer, the inorganic layer, and the crystalline transparent conductive layer were sequentially formed on the transparent substrate was manufactured (FIG. 1). reference).
  • Example 2 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the second optical adjustment layer was changed to 100 nm (see FIG. 1).
  • Example 3 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the second optical adjustment layer was changed to 300 nm (see FIG. 1).
  • Example 4 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first optical adjustment layer was changed to 5 nm (see FIG. 1).
  • Example 5 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first optical adjustment layer was changed to 35 nm (see FIG. 1).
  • Example 6 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that an inorganic layer made of SiO (silicon monoxide) was formed (see FIG. 1).
  • SiO silicon monoxide
  • Example 7 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the first optical adjustment layer contained hollow nanosilica particles (average particle size 45 nm) (see FIG. 1).
  • the first optical adjustment layer was formed as follows.
  • a hollow nanosilica particle-containing acrylate resin (silica particle average particle size 45 nm, silica nanoparticle content 80% by mass) and MIBK are mixed, and a particle-containing resin mixed solution having a solid content concentration of 1.5% by mass.
  • the particle-containing resin mixture was subjected to ultrasonic dispersion for 5 minutes to uniformly disperse each component.
  • the particle-containing resin mixed solution is coated on the upper surface of the second optical adjustment layer by using a bar coater, dried in an oven at 80 ° C. for 1 minute, and then irradiated with UV (integrated light amount 300 mJ).
  • An optical adjustment layer (thickness 25 nm, particle-containing optical adjustment layer) was formed.
  • Example 8 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer was changed to 10 nm (see FIG. 1).
  • Example 9 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the inorganic layer was changed to 12 nm (see FIG. 1).
  • Example 10 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the second optical adjustment layer was not formed (see FIG. 3).
  • Example 11 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the second optical adjustment layer was changed to 90 nm (see FIG. 1).
  • Example 12 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the second optical adjustment layer was changed to 350 nm (see FIG. 1).
  • Comparative Example 1 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the inorganic layer was not formed.
  • a transparent conductive film consists only of a transparent base material, a 2nd optical adjustment layer, a 1st optical adjustment layer, and a transparent conductive layer.
  • the transparent conductive layer was in contact with the upper surface of the first optical adjustment layer.
  • Comparative Example 2 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the second optical adjustment layer was not formed and the thickness of the first optical adjustment layer was changed to 3 nm (see FIG. 3).
  • Comparative Example 3 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the second optical adjustment layer was not formed and the thickness of the first optical adjustment layer was changed to 40 nm (see FIG. 3).
  • Comparative Example 4 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first optical adjustment layer was changed to 3 nm (see FIG. 1).
  • Comparative Example 5 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the first optical adjustment layer was changed to 40 nm (see FIG. 1).
  • the second optical adjustment layer is formed with the formulation for forming the first optical adjustment layer in Example 1, and then the first optical adjustment layer is formed with the formulation for forming the second optical adjustment layer in Example 1.
  • a transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that.
  • Comparative Example 7 A transparent conductive film was produced in the same manner as in Example 1 except that an Nb 2 O 5 layer was formed as the inorganic layer (see FIG. 1).
  • the X-ray reflectivity method is used as a measurement principle
  • the X-ray reflectivity is measured with a powder X-ray diffractometer (Rigaku Corporation, “RINT-2000”) under the following measurement conditions, and the obtained measurement data is analyzed. It calculated by analyzing with software (Rigaku company make, "GXRR3").
  • the analysis conditions are as follows. A two-layer model consisting of a transparent base material and a transparent conductive layer having a density of 7.1 g / cm 3 is adopted, and the thickness (TE) and surface roughness of the transparent conductive layer are used as variables. Fitting was performed and the thickness of the transparent conductive layer was calculated. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • the produced transparent conductive film was cut out with a size of 6 cm ⁇ 6 cm, and three polyimide tapes having a width of 1 mm were stuck in a stripe at 10 mm intervals on the surface of the transparent conductive layer of the cut out transparent conductive film.
  • the transparent conductive layer was etched by impregnating with 10% by mass hydrochloric acid (HCl) at 50 ° C. in this state (see FIGS. 2 and 4).
  • the polyimide tape was peeled off from the transparent conductive film, dried at 150 ° C. for 30 minutes, and then attached to a glass plate having a thickness of 700 ⁇ m using a transparent paste.
  • the transparent conductive layer was stuck to the glass plate via glue. In this state, the sample was allowed to stand in an environment of 85 ° C. and 85% RH for a certain period of time. Thereafter, the transparent conductive layer was observed with a laser microscope at a magnification of 20 times for cracks (damage).
  • a transparent conductive film heated at 140 ° C. for 90 minutes was cut out in a 5 cm ⁇ 11 cm rectangle, and a silver paste was applied to 5 mm portions at both ends on the long side, followed by natural drying for 48 hours.
  • the lower surface of the transparent base material in the transparent conductive film was attached to a glass plate with an adhesive to obtain a sample for scratch resistance evaluation.
  • a 10-pen tester manufactured by MTM
  • 10 cm in the long side direction at the central position (2.5 cm position) on the short side of the sample for scratch resistance evaluation was rubbed with a length of.
  • the resistance value (R0) of the sample for scuffing evaluation before rubbing and the resistance value (R20) of the sample for scuffing evaluation after rubbing are set to the central position (5.5 cm) on the long side of the sample for scuffing evaluation.
  • the position was measured by applying a tester to the silver paste portions at both ends, and the resistance to scratch (R20 / R0) was determined to evaluate the scratch resistance.
  • DOT-3C high-speed integrating sphere type spectral transmittance measuring device, manufactured by Murakami Color Research Laboratory Co., Ltd.
  • a transmission spectrum was obtained from the transparent substrate side.
  • the transmission Y value was calculated from the spectrum.
  • the light source used was a D65 light source defined in JIS Z 8716 and the viewing angle was 2 degrees.
  • Transmission Y was less than 88.
  • the wiring pattern visibility was evaluated by the following operation.
  • a polyimide tape having a width of 1 mm is applied in a striped manner along the short side direction of the transparent conductive film of the transparent conductive film of 5 cm ⁇ 10 cm at intervals of 2 mm, and 5% in hydrochloric acid at 50 ° C. and 10% by mass. Impregnated for minutes.
  • the transparent conductive layer was formed into a wiring pattern having a stripe-shaped pattern portion.
  • the polyimide tape was peeled off, and a transparent conductive layer was pasted on the blackboard to prepare a sample for wiring pattern visibility evaluation.
  • The pattern of the conductive layer is hardly visible, but may be visible when the angle is changed.
  • the pattern of the conductive layer is easily visually recognized.
  • the transparent conductive film is used for a touch panel, for example.

Landscapes

  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

 透明導電性フィルム1は、順に、透明基材2と、第1光学調整層4と、無機物層5と、透明導電層6とを備える。第1光学調整層4は、透明基材2の屈折率nAよりも低い屈折率nCを有し、10nm以上、35nm以下の厚みTCを有する。無機物層5は、第1光学調整層4の屈折率nCに1.13を乗じた値の絶対値|nC×1.13|よりも低い屈折率nDを有する。

Description

透明導電性フィルム
 本発明は、透明導電性フィルム、詳しくは、タッチパネル用フィルムなどに用いられる透明導電性フィルムに関する。
 従来、所定のパターン形状を有する透明導電層を備える透明導電性フィルムをタッチパネルのディスプレイ表示部に用いることが知られている。
 例えば、透明フィルム基材の片面または両面に、第1透明誘電体層、第2透明誘電体層、および、パターン化された透明導電層がこの順に形成されている透明導電性フィルムが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
 特許文献1の透明導電性フィルムでは、透明導電層のパターン部とパターン開口部との相違が抑制され、見栄えが良好である。
特開2010-27294号公報
 しかし、特許文献1に記載の透明導電性フィルムでは、透明導電層にクラックが生じ易いという不具合がある。
 本発明の目的は、配線パターンの視認を抑制できながら、透明導電性に損傷が生じることを抑制することのできる透明導電性フィルムを提供することにある。
 本発明の透明導電性フィルムは、順に、透明基材と、第1光学調整層と、無機物層と、透明導電層とを備え、前記第1光学調整層は、前記透明基材の屈折率よりも低い屈折率を有し、10nm以上、35nm以下の厚みを有し、前記無機物層は、前記第1光学調整層の屈折率に1.13を乗じた値の絶対値よりも低いまたは前記絶対値と同じ屈折率を有することを特徴としている。
 この透明導電性フィルムは、特定の屈折率および厚みを有する第1光学調整層と、特定の屈折率を有する無機物層とを備えるので、透明導電層に損傷が生じることを抑制しつつ、配線パターンの視認を抑制でき、かつ、優れた耐擦傷性および優れた透明性を有する。
 また、本発明の透明導電性フィルムは、前記透明基材と、前記第1光学調整層との間に配置される第2光学調整層をさらに備え、前記第2光学調整層は、前記透明基材の屈折率よりも高い屈折率を有することが好適である。
 この透明導電性フィルムでは、配線パターンの視認をより一層抑制できるとともに、より一層優れた耐擦傷性を有する。
 また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第2光学調整層は、100nm以上、300nm以下の厚みを有することが好適である。
 この透明導電性フィルムでは、第1光学調整層の厚みが上記した特定範囲にあるので、配線パターンの視認をより一層抑制できるとともに、より一層優れた耐擦傷性を有する。
 また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記無機物層は、1.5nm以上、10nm以下の厚みを有することが好適である。
 この透明導電性フィルムでは、無機物層の厚みが特定範囲にあるので、透明導電層に損傷が生じることをより一層抑制することができる。
 また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記透明導電層の厚みが、25nm以上であることが好適である。
 透明導電層の厚みが、上記した特定値以上であれば、透明導電層に損傷が生じ易い。しかし、本発明の透明導電性フィルムは、上記した第1光学調整層および無機物層を備えるので、透明導電層における上記した損傷を有効に抑制することができる。
 また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第1光学調整層が、樹脂のみからなることが好適である。
 この透明導電性フィルムでは、第1光学調整層が、樹脂のみからなるので、透明導電層における上記した損傷を有効に抑制することができる。
 本発明の透明導電性フィルムによれば、透明導電層に損傷が生じることを抑制しつつ、配線パターンの視認を抑制でき、かつ、優れた耐擦傷性および優れた透明性を有する。
図1は、本発明の透明導電性フィルムの第1実施形態(第2光学調整層を備える態様)の断面図を示す。 図2は、透明導電層が配線パターンに形成された第1実施形態の透明導電性フィルムの断面図を示す。 図3は、本発明の透明導電性フィルムの第2実施形態(第2光学調整層を備えない態様)の断面図を示す。 図4は、透明導電層が配線パターンに形成された第2実施形態の透明導電性フィルムの断面図を示す。
<第1実施形態>
 図1において、紙面上下方向は、上下方向(厚み方向の一例、第1方向)であって、紙面上側が、上側(厚み方向一方側、第1方向一方側)、紙面下側が、下側(厚み方向他方側、第1方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
1. 透明導電性フィルム
 透明導電性フィルム1は、所定の厚みを有するフィルム形状(シート形状を含む)をなし、厚み方向と直交する所定方向(面方向)に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。透明導電性フィルム1は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材などの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性フィルム1は、画像表示装置などを作製するための部品であり、LCDモジュールなどの画像表示素子を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
 具体的には、図1に示すように、透明導電性フィルム1は、透明基材2と、透明基材2の上に配置される第2光学調整層3と、第2光学調整層3の上に配置される第1光学調整層4と、第1光学調整層4の上に配置される無機物層5と、無機物層5の上に配置される透明導電層6とを備える。つまり、透明導電性フィルム1では、透明基材2の上に、第2光学調整層3と、第1光学調整層4と、無機物層5と、透明導電層6とが順に配置されている。
 透明導電性フィルム1は、好ましくは、透明基材2と、第2光学調整層3と、第1光学調整層4と、無機物層5と、透明導電層6とのみからなる。以下、各層について詳述する。
2. 透明基材
 透明基材2は、透明導電性フィルム1の最下層であって、透明導電性フィルム1の機械強度を確保する支持材である。透明基材2は、透明導電層6を、第2光学調整層3、第1光学調整層4および無機物層5とともに、支持している。
 透明基材2は、例えば、透明性を有する高分子フィルムである。高分子フィルムの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの(メタ)アクリル樹脂(アクリル樹脂および/またはメタクリル樹脂)、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ノルボルネン樹脂などが挙げられる。これら高分子フィルムは、単独使用または2種以上併用することができる。透明性、耐熱性、機械特性などの観点から、好ましくは、ポリエステル樹脂が挙げられ、より好ましくは、PETが挙げられる。
 透明基材2の屈折率nAは、例えば、1.45以上であり、好ましくは、1.55以上であり、また、例えば、1.80以下、好ましくは、1.70以下である。透明基材2の屈折率nAは、例えば、アッベ屈折率計により測定される。
 透明基材2の厚みTAは、機械的強度、耐擦傷性、透明導電性フィルム1をタッチパネル用フィルムとした際の打点特性などの観点から、例えば、2μm以上、好ましくは、20μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、150μm以下である。
 なお、透明基材2の下面には、必要に応じて、ハードコート層、ブロッキング防止層、易接着層、接着剤層、セパレータなどが設けられていてもよい。
3. 第2光学調整層3
 第2光学調整層3は、後述する第1光学調整層4および無機物層5とともに、図2が参照されるように、透明導電層6を後の工程で配線パターンに形成した後に、パターン部7と非パターン部8との相違が認識されないように(すなわち、配線パターンの視認を抑制するように)、透明導電性フィルム1の光学物性を調整する光学調整層である。また、第2光学調整層3は、透明導電層6の上面(すなわち、透明導電性フィルム1の表面)に擦り傷を生じにくくする(すなわち、優れた耐擦傷性を得る)ための、擦傷保護層でもある。
 第2光学調整層3は、フィルム形状(シート形状を含む)を有しており、例えば、透明基材2の上面全面に、透明基材2の上面に接触するように、配置されている。
 第2光学調整層3は、第2光学組成物から調製されている。
 第2光学組成物は、例えば、樹脂を含有する。第2光学組成物は、好ましくは、樹脂と、粒子とを含有する。第2光学組成物は、より好ましくは、樹脂と、粒子とのみからなる。
 樹脂としては、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂(例えば、ポリオレフィン樹脂)などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。
 硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線(具体的には、紫外線、電子線など)の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。
 活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素-炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、(メタ)アクリロイル基(メタクリロイル基および/またはアクリロイル基)などが挙げられる。
 活性エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、側鎖に官能基を含有する(メタ)アクリル樹脂(アクリル樹脂および/またはメタクリル樹脂)などが挙げられる。
 これら樹脂は、単独使用または2種以上併用することができる。
 樹脂の含有割合は、第2光学組成物に対して、例えば、50質量%以上、好ましくは、40質量%以上であり、また、例えば、95質量%以下、好ましくは、90質量%以下である。
 粒子としては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。無機粒子としては、例えば、シリカ粒子(中空ナノシリカ粒子を含む)、例えば、酸化ジルコニウム、酸化チタンなどからなる金属酸化物粒子、例えば、炭酸カルシウムなどの炭酸塩粒子などが挙げられる。有機粒子としては、例えば、架橋アクリル樹脂粒子などが挙げられる。
 粒子としては、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、金属酸化物粒子、さらに好ましくは、酸化ジルコニウム粒子(ZnO)が挙げられる。
 粒子の平均粒子径は、例えば、5nm以上、好ましくは、10nm以上であり、また、例えば、500nm以下、好ましくは、100nm以下である。
 粒子の平均粒子径は、例えば、ベックマン・コールター社製のコールターマルチサイザーを用いて、コールターカウント法にて測定される。
 粒子の含有割合は、樹脂100質量部に対して、例えば、5質量部以上、好ましくは、10質量部以上であり、また、例えば、100質量部以下、好ましくは、65質量部以下である。また、粒子の含有割合は、第2光学組成物に対して、例えば、5質量%以上、好ましくは、10質量%以上であり、また、例えば、50質量%以下、好ましくは、40質量%以下である。
 第2光学調整層3は、例えば、透明基材2の屈折率nAよりも高い屈折率nBを有する。第2光学調整層3の屈折率nBは、例えば、アッベ屈折率計により測定される。
 一方、第2光学調整層3の屈折率nBが、透明基材2の屈折率nAよりも低くまたはそれと同じ場合には、透明導電性フィルム1の光学特性(具体的には、配線パターンの視認抑制)が低下する場合がある。
 第2光学調整層3の屈折率nBの、透明基材2の屈折率nAに対する比(nB/nA)は、1を超過し、好ましくは、1.01以上、より好ましくは、1.05以上であり、また、例えば、1.50以下である。
 また、第2光学調整層3の屈折率nBを、透明基材2の屈折率nAで差し引いた値(差nB-nA)は、例えば、0.01以上、好ましくは、0.05以上であり、また、例えば、0.50以下、好ましくは、0.20以下である。
 具体的には、第2光学調整層3の屈折率nBは、例えば、1.50以上であり、好ましくは、1.60以上であり、また、例えば、1.80以下、好ましくは、1.75以下である。
 第2光学調整層3の屈折率nB、比(nB/nA)、および/または、差(nB-nA)が上記下限を上回れば、透明導電性フィルム1の光学特性(具体的には、配線パターンの視認抑制)の低下を抑制することができる。
 第2光学調整層3の厚みTBは、例えば、100nm以上、好ましくは、120nm以上、より好ましくは、150nm以上、さらに好ましくは、180nm以上であり、例えば、300nm以下、好ましくは、280nm以下、より好ましくは、250nm以下、さらに好ましくは、220nm以下、とりわけ好ましくは、200nm以下である。第2光学調整層3の厚みTBは、例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察により測定される。
 第2光学調整層3の厚みTBの、透明基材2の厚みTAに対する比(TB/TA)は、例えば、0.0020以上、好ましくは、0.0020超過、より好ましくは、0.0030以上であり、また、例えば、0.0070未満、好ましくは、0.0060未満、より好ましくは、0.0050以下である。
 第2光学調整層3の厚みTB、および/または、比(TB/TA)が上記下限以上であれば、優れた耐擦傷性を得ることができる。一方、第2光学調整層3の厚みTBが上記上限以下であれば、配線パターンの視認を抑制することができる。
4. 第1光学調整層
 第1光学調整層4は、第2光学調整層3および無機物層5とともに、透明導電層6における配線パターンの視認を抑制しつつ、透明導電性フィルム1に優れた透明性を確保するために、透明導電性フィルム1の光学物性を調整する光学調整層である。
 第1光学調整層4は、フィルム形状(シート形状を含む)を有しており、例えば、第2光学調整層3の上面全面に、第2光学調整層3の上面に接触するように、配置されている。
 第1光学調整層4は、第1光学組成物から調製されている。
 第1光学組成物は、例えば、樹脂を含有し、好ましくは、実質的に樹脂からなり、より好ましくは、樹脂のみからなる。つまり、第1光学組成物(ひいては、第1光学調整層4)は、好ましくは、粒子を実質的に含有していない。
 樹脂としては、例えば、第2光学組成物で例示した樹脂から選択される。樹脂として、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。
 熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、エポキシ樹脂、メラミン樹脂が挙げられ、より好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。
 エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型などのビスフェノール型エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型エポキシ樹脂、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート型、ヒダントイン型などの含窒素環型エポキシ樹脂、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロ型エポキシ樹脂、エステル型エポキシ樹脂、これらの変性物または水素添加物などが挙げられる。
 また、エポキシ樹脂には、硬化剤を配合して、エポキシ樹脂および硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物として調製することができる。硬化剤としては、例えば、ポリアミン系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ジヒドラジド系硬化剤、尿素系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤などのエポキシ樹脂用硬化剤が挙げられる。
 硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂100質量部に対して、例えば、0.05質量部以上、好ましくは、0.1質量部以上であり、また、例えば、3.0質量部以下、好ましくは、1.0質量部以下である。
 第1光学組成物の好適な態様として記載した「粒子を実質的に含有していない」とは、粒子として、超微量の粒子を不純物として含有してもよく、その場合には、第1光学組成物の全固形分に対して、粒子の含有割合が、例えば、1質量%未満、好ましくは、0.1質量%未満であることを意味する。
 一方、第1光学組成物は、例えば、樹脂と、粒子とを含有することができる。
 粒子としては、適宜選択され、好ましくは、シリカ粒子などが挙げられる。
 粒子の含有割合は、樹脂100質量部に対して、例えば、11質量部以上、好ましくは、42質量部以上であり、また、例えば、150質量部以下、好ましくは、110質量部以下である。また、粒子の含有割合は、第1光学組成物に対して、例えば、10質量%以上、好ましくは、30質量%以上であり、また、例えば、60質量%以下、好ましくは、55質量%以下である。
 第1光学調整層4は、透明基材2の屈折率nAよりも低い屈折率nCを有する。第1光学調整層4の屈折率nCは、例えば、アッベ屈折率計により測定される。
 一方、第1光学調整層4の屈折率nCが、透明基材2の屈折率nAよりも高くまたはそれと同じ場合には、透明導電性フィルム1の光学特性(具体的には、配線パターンの視認抑制)が低下する。
 第1光学調整層4の屈折率nCの、透明基材2の屈折率nAに対する比(nC/nA)は、1未満、好ましくは、0.99以下、より好ましくは、0.95以下であり、また、例えば、0.80以上である。
 透明基材2の屈折率nAから、第1光学調整層4の屈折率nCを差し引いた値(差nA-nC)は、例えば、0.01以上、好ましくは、0.05以上、より好ましくは、0.10以上であり、また、例えば、0.30以下、好ましくは、0.25以下である。
 具体的には、第1光学調整層4の屈折率nCは、例えば、1.60未満、好ましくは、1.55以下、より好ましくは、1.53以下であり、また、例えば、1.20以上、好ましくは、1.30以上である。
 一方、第1光学調整層4の屈折率nC、比(nC/nA)、および/または、差(nA-nC)が上記下限を上回れば、透明導電性フィルム1の光学特性(具体的には、パターン視認抑制)の低下を抑制することができる。
 第1光学調整層4の厚みTCは、10nm以上、35nm以下である。第1光学調整層4の厚みTBは、例えば、透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察により測定される。
 一方、第1光学調整層4の厚みTCが10nm未満であれば、透明導電性フィルム1における優れた透明性を確保することができない。他方、第1光学調整層4の厚みTCが35nmを超えれば、透明導電層6における配線パターンの視認を抑制することができない。
 また、第1光学調整層4の厚みTCは、好ましくは、15nm以上である。
 さらに、第1光学調整層4の厚みTCの、第2光学調整層3の厚みTBに対する比(TC/TB)は、例えば、0.020以上、好ましくは、0.050以上、より好ましくは、0.100以上、さらに好ましくは、0.120以上であり、また、例えば、0.500以下、好ましくは、0.200以下、より好ましくは、0.250以下、さらに好ましくは、0.150以下である。
 第1光学調整層4の厚みTC、および/または、比(TC/TB)が、上記した下限以上であれば、優れた透明性を確保することができる。一方、第1光学調整層4の厚みTCが上記した上限以下であれば、透明導電層6における配線パターンの視認を抑制することができる。
5. 無機物層
 無機物層5は、上記した第2光学調整層3および第1光学調整層4とともに、透明導電層6における配線パターンの視認を抑制するように、透明導電性フィルム1の光学物性を調整する光学調整層(第3光学調整層)である。
 無機物層5は、フィルム形状(シート形状を含む)を有しており、例えば、第1光学調整層4の上面全面に、第1光学調整層4の上面に接触するように、配置されている。
 無機物層5は、所定の光学物性を有する無機物から調製されている。
 無機物としては、例えば、酸化物、フッ化物などが挙げられる。
 酸化物としては、酸化ケイ素(具体的には、二酸化ケイ素(SiO)、一酸化ケイ素(SiO)など)、酸化アルミニウム(Al)などが挙げられる。
 フッ化物としては、例えば、フッ化ナトリウム(NaF)、ヘキサフルオロアルミン酸三ナトリウム(NaAlF)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)などのフッ化アルカリ金属、例えば、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化バリウム(BaF)などのフッ化アルカリ土類金属、例えば、フッ化ランタン(LaF)、フッ化セリウム(CeF)などのフッ化希土類などが挙げられる。
 無機物は、単独使用または2種以上併用することができる。
 無機物として、好ましくは、所望の屈折率nD(後述)を確保する観点から、酸化物が挙げられ、より好ましくは、二酸化ケイ素(SiO:屈折率1.47)が挙げられる。
 無機物層5は、第1光学調整層4の屈折率nCに1.13を乗じた値の絶対値ABV(=|nC×1.13|)よりも低いまたは同じ屈折率nDを有する。無機物層5の屈折率nDは、例えば、アッベ屈折率計により測定される。
 一方、無機物層5の屈折率nDが、上記した絶対値ABVよりも高い屈折率nDを有する場合には、透明導電層6における配線パターンの視認を抑制することができない。
 好ましくは、第1光学調整層4の屈折率nCに1.13を乗じた値(=nC×1.13)よりも低いまたは同じ屈折率nDを有する。無機物層5の屈折率nDを上記範囲内に収めることによって、第1光学調整層4と無機物層5の間の反射を抑制し、結果として配線パターンの視認抑制を向上させることができる。
 具体的には、無機物層5の屈折率nDは、例えば、1.30以上、好ましくは、1.40以上であり、また、例えば、2.00以下、好ましくは、1.90以下、より好ましくは、1.80以下、さらに好ましくは、1.72以下、とりわけ好ましくは、1.60以下、最も好ましくは、1.50以下である。
 無機物層5の屈折率nDの、第1光学調整層4の屈折率nCに対する比(nD/nC)は、例えば、0.800以上であり、また、例えば、1.500以下、好ましくは、1.100以下である。
 無機物層5の屈折率nD、および/または、比(nD/nC)が、上記した下限以上であれば、光学特性の低下を抑制することができる。一方、無機物層5のnD、および/または、比(nD/nC)が、上記した上限以下であれば、配線パターンの視認を抑制することができる。
 無機物層5の厚みTDは、例えば、20nm以下、好ましくは、15nm以下、より好ましくは、13nm以下、さらに好ましくは、10nm以下であり、また、例えば、1.0nm以上、好ましくは、1.5nm以上である。無機物層5の厚みTDは、透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察により測定される。
 また、無機物層5の厚みTDの、第1光学調整層4の厚みTCに対する比(TD/TC)は、例えば、0.050超過、好ましくは、0.060以上、より好ましくは、0.070以上であり、また、例えば、0.500以下、好ましくは、0.450以下、より好ましくは、0.350以下、さらに好ましくは、0.120以下、とりわけ好ましくは、0.100以下である。
 無機物層5の上記した厚みTD、および/または、比(TD/TC)が上記した上限以下であれば、透明導電性フィルム1における透明性に優れ、また、無機物層5および透明導電層6の総厚みを薄くして、透明導電層6にかかる応力が増加することを抑制し、透明導電層6に損傷が発生することを抑制することができる。一方、無機物層5の上記した厚みTD、および/または、比(TD/TC)が上記した下限以上であれば、配線パターンの視認を抑制することができ、また、第2光学調整層3および第1光学調整層4からガスが発生することを抑制して、透明導電層6の損傷を抑制することができる。
6. 透明導電層
 透明導電層6は、図2が参照されるように、後の工程で配線パターンに形成して、パターン部7を形成するための導電層である。
 図1に示すように、透明導電層6は、透明導電性フィルム1の最上層であって、フィルム形状(シート形状を含む)を有している。
 透明導電層6を形成する材料としては、例えば、In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、Wからなる群より選択される少なくとも1種の金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープすることができる。
 材料としては、好ましくは、インジウムスズ複合酸化物(ITO)、アンチモンスズ複合酸化物(ATO)などが挙げられ、より好ましくは、ITOが挙げられる。
 材料は、結晶質および非晶質のいずれであってもよく、また、結晶質および非晶質の混合体であってもよい。材料は、好ましくは、結晶質である。
 透明導電層6の屈折率nEは、例えば、1.70以上、好ましくは、1.80以上であり、また、例えば、2.10以下、好ましくは、2.00以下である。透明導電層6の屈折率nEは、例えば、アッベ屈折率計により測定される。
 透明導電層6の厚みTEは、例えば、15nm以上、好ましくは、20nm以上、より好ましくは、25nm以上であり、また、例えば、50nm以下、好ましくは、35nm以下である。
 透明導電層6の厚みTEは、粉末X線回折装置にてX線反射率を測定することにより算出され、その詳細は、後の実施例で後述される。
 透明導電層6の厚みTEの、無機物層5の厚みTDに対する比(TE/TD)は、例えば、5以上であり、好ましくは、8以上であり、また、例えば、20以下、好ましくは、15以下である。
 透明導電層6の厚みTE、および/または、比(TE/TD)が、上記下限以上であれば、パッチパネルに使用するに際して好適な低抵抗な透明導電層6を得ることができる。一方、透明導電層6の厚みTE、および/または、比(TE/TD)が、上記上限以下であれば、透明導電層6にかかる応力を抑制でき、透明導電層6にクラックなどの損傷が発生するリスクを抑えることができる。
7. 透明導電性フィルムの製造方法
 次に、透明導電性フィルム1を製造する方法を説明する。
 透明導電性フィルム1を製造するには、例えば、透明基材2の上に、第2光学調整層3、第1光学調整層4、無機物層5および透明導電層6を、上記した順序で配置(積層)する。
 この方法では、図1が参照されるように、まず、透明基材2を用意する。
 次いで、第2光学組成物を透明基材2の上面に、例えば、湿式により、配置する。
 具体的には、まず、第2光学組成物を溶媒で希釈した希釈液を調製し、続いて、希釈液を第2光学調整層3の上面に塗布して、希釈液を乾燥する。
 溶媒としては、例えば、有機溶媒、水系溶媒(具体的には、水)などが挙げられ、好ましくは、有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール化合物、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)などのケトン化合物、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル化合物、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族化合物などが挙げられる。好ましくは、ケトン化合物が挙げられる。溶媒は、単独使用または2種以上併用することができる。
 第2光学組成物を、溶媒により、希釈液における固形分濃度が、例えば、0.5質量%以上、5.0質量%以下となるように、希釈する。
 塗布方法としては、例えば、ファンテンコート法、ダイコート法、スピンコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、バーコート法などが挙げられる。
 乾燥温度は、例えば、60℃以上、好ましくは、80℃以上であり、例えば、250℃以下、好ましくは、200℃以下である。
 乾燥時間は、例えば、1.0分以上、好ましくは、2.0分以上であり、例えば、1.0時間以下、好ましくは、0.5時間以下である。
 上記した塗布および乾燥により、透明基材2の上面に、第2光学組成物をフィルム形状に形成する。
 その後、第2光学組成物が活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合は、希釈液の乾燥後に、活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。
 これによって、第2光学調整層3を、透明基材2の上面全面に形成する。
 次いで、第1光学組成物を第2光学調整層3の上面に、例えば、湿式により、配置する。
 具体的には、まず、第1光学組成物を溶媒で希釈した希釈液を調製し、続いて、希釈液を透明基材2の上面に塗布して、希釈液を乾燥する。
 希釈液における固形分濃度、溶媒、塗布方法および乾燥方法としては、第2光学組成物の希釈液で例示したそれらと同一のものが挙げられる。
 なお、第1光学組成物が、熱硬化性樹脂を含有する場合は、上記した乾燥により、溶媒の乾燥とともに、熱硬化性樹脂を熱硬化することができる。
 これにより、第1光学調整層4を、第2光学調整層3の上面に形成する。
 その後、必要により、透明基材、第2光学調整層および第1光学調整層を、例えば、1×10-1Pa以下、好ましくは、1×10-3Pa以下の減圧雰囲気下に放置することにより、脱ガス処理する。脱ガス処理は、後で詳述する乾式の装置に備えられる排気装置(具体的には、ターボ分子ポンプなどを含む)を用いて、実施される。
 次いで、無機物層5を第1光学調整層4の上面に、例えば、乾式により、配置する。
 乾式としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。具体的には、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。
 スパッタリング法が採用される場合には、ターゲット材としては、上記した無機物が挙げられる。
 スパッタリング法で用いられるガスとしては、例えば、Arなどの不活性ガスが挙げられる。
 また、無機物層5を酸化物から調製する場合には、反応性スパッタリング法が採用される。反応性スパッタリングでは、ターゲット材として酸化物が含有する元素を用い、反応性スパッタリング中に、ガスとして、酸素などの反応性ガスを導入し、反応性スパッタリングの過渡で、元素を反応(具体的には、酸化)させる。その場合、反応性ガスの流量の、不活性ガスおよび反応性ガスの合計流量に対する百分率は、例えば、0.1%以上、60%以下である。
 反応性スパッタリングで無機物層5を第1光学調整層4の上面に形成(あるいは成膜)する場合は、プラズマの発光強度や、反応性スパッタリング時の放電電圧をモニタリングし、遷移領域を制御することで成膜レートを向上させることができる。加えて、プラズマの発光強度などの制御により、無機物層5の酸化数(ひいては無機物層5の屈折率nD)をも制御することができる。
 スパッタリング法で用いられる電源は、例えば、DC電源、MF電源およびRF電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。
 これにより、無機物層5を、第1光学調整層4の上面全面に形成する。
 次いで、透明導電層6を、無機物層5の上面全面に、例えば、乾式により、配置する。
 乾式としては、上記と同じ方法が挙げられ、好ましくは、スパッタリング法、より好ましくは、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。
 スパッタリング法が採用される場合には、ターゲット材としては、上記した金属酸化物が挙げられる。
 スパッタリング法で用いられるガスおよび流量は、上記と同じである。
 これにより、透明導電層6を無機物層5の上面に配置する。
 その後、必要に応じて、透明導電層6を結晶化させる。透明導電層6を結晶化させるには、例えば、透明導電層6を加熱する。
 透明導電性フィルム1おける透明導電層6の比抵抗は、例えば、3.0×10-4Ω・cm以下であり、また、例えば、1.1×10-4Ω・cm以上である。
 これによって、図1に示すように、透明基材2と、第2光学調整層3と、第1光学調整層4と、無機物層5と、透明導電層6とを備える透明導電性フィルム1を得る。
 透明導電性フィルム1の総厚みは、例えば、2μm以上、好ましくは、20μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、150μm以下である。
 なお、上記製造方法では、ロールトゥロール方式にて、透明基材2を搬送させながら、その透明基材2の上面に、第2光学調整層3、第1光学調整層4、無機物層5および透明導電層6を順に形成してもよく、また、これらの層の一部または全部をバッチ方式にて形成してもよい。
 この透明導電性フィルム1では、その後、図2に示すように、エッチングによって、透明導電層6が配線パターンに形成され、無機物層5の上に、パターン部7および非パターン部8が形成される。非パターン部8では、無機物層5の上面がパターン部7から露出する。各パターン部7の幅Lは、例えば、10μm以上、500μm以下であり、また、隣接するパターン部7の間隔S(すなわち、非パターン部8の幅S)は、例えば、10μm以上、500μm以下である。
 その後、透明導電性フィルム1は、例えば、画像表示装置に備えられる。
 とりわけ、この透明導電性フィルム1は、例えば、タッチパネル用基材に用いられる。タッチパネルの形式としては、光学方式、超音波方式、静電容量方式、抵抗膜方式などの各種方式が挙げられ、特に静電容量方式のタッチパネルに好適に用いられる。
8. 作用効果
 この透明導電性フィルム1は、特定の屈折率nCおよび厚みTCを有する第1光学調整層4と、特定の屈折率nDを有する無機物層5とを備えるので、透明導電層6に損傷が生じることを抑制しつつ、透明導電層6における配線パターン(パターン部7、図2参照)の視認を抑制でき、かつ、優れた耐擦傷性および優れた透明性を有する。
 また、この透明導電性フィルム1は、透明基材2と、第1光学調整層4との間に配置される第2光学調整層3をさらに備え、第2光学調整層3は、透明基材2の屈折率nAよりも高い屈折率nBを有するので、配線パターンの視認をより一層抑制できるとともに、より一層優れた耐擦傷性を有する。
 また、この透明導電性フィルム1では、第2光学調整層3の厚みTBが上記した特定範囲にあるので、配線パターンの視認をより一層抑制できるとともに、より一層優れた耐擦傷性を有する。
 また、この透明導電性フィルム1では、無機物層5の厚みTDが特定範囲にあるので、透明導電層6に損傷が生じることをより一層抑制することができる。
 また、この透明導電性フィルム1では、無機物層5の厚みTDが特定範囲にあるので、透明導電層6に損傷が生じることをより一層抑制することができる。
 また、透明導電層6の厚みnEが、上記した25nm以上であれば、透明導電層6に損傷が生じ易い。これは、透明導電層6の下層が多量の不純ガスを含む場合であったり、熱による線膨張率が高い程顕著となるものと予想される。しかし、この透明導電性フィルム1は、上記した特定の第1光学調整層4および無機物層5を備えるので、透明導電層6の下層に不純ガスが含まれにくく、無機物層5の膨張率が低いため、透明導電層6における上記した損傷を有効に抑制することができる。
 第1光学調整層4が粒子を含むと、粒子による凹凸が無機物層5および透明導電層6に局部的な応力増大を招くので、透明導電層6における損傷を有効に抑制することができない場合がある。しかし、この透明導電性フィルム1では、第1光学調整層4が、樹脂のみからなる場合は、上記した応力増大を抑制できるので、透明導電層6における損傷を有効に抑制することができる。
<変形例>
 第1実施形態において、第2光学調整層3を透明基材2の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、第2光学調整層3を透明基材2の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。
 第1実施形態において、第1光学調整層4を第2光学調整層3の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、第1光学調整層4を第2光学調整層3の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。
 第1実施形態において、無機物層5を第1光学調整層4の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、無機物層5を第1光学調整層4の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。
<第2実施形態>
 第2実施形態において、第1実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
 図3に示すように、透明導電性フィルム1は、透明基材2と、第1光学調整層4と、無機物層5と、透明導電層6とを順に備える。つまり、透明導電性フィルム1は、透明基材2と、透明基材2の上に配置される第1光学調整層4と、第1光学調整層4の上に配置される無機物層5と、無機物層5の上に配置される透明導電層6とを備える。つまり、第2実施形態の透明導電性フィルム1は、第1実施形態の透明導電性フィルム1において、透明基材2と、第1光学調整層4との間に配置される第2光学調整層3を、備えない。好ましくは、透明導電性フィルム1は、透明基材2と、第1光学調整層4と、無機物層5と、透明導電層6とのみからなる。
 第1光学調整層4は、例えば、透明基材2の上面全面に、透明基材2の上面に接触するように、配置されている。
 第2実施形態の透明導電性フィルム1を製造するには、例えば、透明基材2の上に、第1光学調整層4、無機物層5および透明導電層6を、上記した順序で配置(積層)する。
 第2実施形態の透明導電性フィルム1によれば、第1実施形態の透明導電性フィルム1と同様の作用効果を奏することができる。
 とりわけ、図3に示す第2実施形態の透明導電性フィルム1は、図1に示す第1実施形態の透明導電性フィルム1と異なり、第2光学調整層3を備えないので、製造コストを低減するとともに、簡便に透明導電性フィルム1を得ることができる。さらに、透明導電性フィルム1の薄型化を図ることができる。
 一方、図1に示す第1実施形態の透明導電性フィルム1は、図1に示す第2実施形態の透明導電性フィルム1と異なり、第2光学調整層3を備えるので、優れた耐擦傷性を得ることができる。
<変形例>
 第2実施形態において、第1光学調整層4を透明基材2の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、第1光学調整層4を透明基材2の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。
 以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
  実施例1
 (透明基材の用意)
 透明基材として、厚み50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(三菱樹脂社製、商品名「ダイアホイル」)を用意した。
 (第2光学調整層の形成)
 紫外線硬化型アクリル樹脂と、酸化ジルコニウム(ZnO)粒子(平均粒径20nm)とからなる紫外線硬化型樹脂組成物(第2光学組成物)を、固形分濃度が5質量%になるようにMIBKで希釈して、紫外線硬化型樹脂組成物の希釈液を調製した。次いで、希釈液を、透明基材の上面に塗布し、乾燥させて、紫外線硬化型樹脂組成物をフィルム形状に形成した。次いで、紫外線硬化型樹脂組成物に紫外線を照射して硬化させた。
 これにより、厚み200nmの第2光学調整層を透明基材の上面全面に形成した。
 (第1光学調整層の形成)
 熱硬化型エポキシ樹脂100質量部とエポキシ樹脂用硬化剤1質量部とからなる熱硬化性樹脂組成物(第1光学組成物)を、固形分濃度が0.8質量%となるように、MIBKで熱硬化性樹脂組成物を希釈して、熱硬化性樹脂組成物の希釈液を調製した。次いで、希釈液を第2光学調整層の上面に塗布し、195℃で1分間、加熱することにより、希釈液を乾燥して、熱硬化性樹脂組成物を硬化させた。
 これにより、厚み25nmの第1光学調整層を第2光学調整層の上面全面に形成した。
 (脱ガス処理)
 透明基材、第2光学調整層および第1光学調整層からなる積層フィルムを、DCマグネトロンスパッタ装置へ装着し、加熱した成膜ロールに密着および走行させながら巻き取った。積層フィルムを走行させながら、DCマグネトロンスパッタ装置に備えられる排気装置(ターボ分子ポンプなど)により、雰囲気の真空度を1×10-4Paとした。
 (無機物層の形成)
 DCマグネトロンスパッタリング法により、SiO(二酸化ケイ素)からなる、厚み2nmの無機物層を、第1光学調整層の上面に形成した。
 なお、スパッタリング条件は、以下の通りであった。
 ターゲット材料:Si
 ガス:ArおよびO:(O流量比30%(/ArおよびOの合計流量))
 減圧度:0.2Pa
 (透明導電層の形成)
 真空スパッタ装置の真空度を維持したまま、DCマグネトロンスパッタリング法により、ITOからなる、厚み26nmの透明導電層を、無機物層の上面に形成した。なお、無機物層は、非晶質であった。
 なお、スパッタリング条件は、以下の通りであった。
 ターゲット材料:酸化スズ濃度10質量%のITO
 ガス:ArおよびO(O流量比:0.1%(/ArおよびOの合計流量))
 減圧度:0.4Pa
 (結晶化)
 次いで、透明基材の上に、第2光学調整層と、第1光学調整層と、無機物層と、非晶質の透明導電層とが順に形成された積層フィルムを、DCマグネトロンスパッタ装置から取り出して、150℃のオーブン内で120分加熱処理した。これにより、透明導電層を結晶化させた。これにより、透明基材の上に、第2光学調整層と、第1光学調整層と、無機物層と、結晶質の透明導電層とが順に形成された透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例2
 第2光学調整層の厚みを100nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例3
 第2光学調整層の厚みを300nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例4
 第1光学調整層の厚みを5nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例5
 第1光学調整層の厚みを35nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例6
 SiO(一酸化ケイ素)からなる無機物層を形成した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
 つまり、スパッタリング条件の以下の通りに変更した。
 ターゲット材料:Si
 ガス:ArおよびO:(O流量比15%(/ArおよびOの合計流量))
 減圧度:0.2Pa
  実施例7
 第1光学調整層に、中空ナノシリカ粒子(平均粒子径45nm)を含有させた以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
 つまり、第1光学調整層を、以下の通りに形成した。
 すなわち、中空ナノシリカ粒子含有アクリレート樹脂(シリカ粒子の平均粒子径45nm、シリカナノ粒子の含有量80質量%)とMIBKとを混合して、固形分濃度が1.5質量%である粒子含有樹脂混合液を調製した。この粒子含有樹脂混合液に対して5分間超音波分散を実施し、各成分を均一に分散させた。次いで、粒子含有樹脂混合液を、第2光学調整層の上面にバーコーターを用いて塗工し、80℃のオーブンで1分間乾燥した後、UV照射(積算光量300mJ)することにより、第1光学調整層(厚み25nm、粒子含有光学調整層)を形成した。
  実施例8
 無機物層の厚みを10nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例9
 無機物層の厚みを12nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例10
 第2光学調整層を形成しなかった以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図3参照)。
  実施例11
 第2光学調整層の厚みを90nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  実施例12
 第2光学調整層の厚みを350nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  比較例1
 無機物層を形成しなかった以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した。
 つまり、透明導電性フィルムは、透明基材と、第2光学調整層と、第1光学調整層と、透明導電層とのみからなる。透明導電層は、第1光学調整層の上面に接触していた。
  比較例2
 第2光学調整層を形成せず、また、第1光学調整層の厚みを3nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図3参照)。
  比較例3
 第2光学調整層を形成せず、また、第1光学調整層の厚みを40nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図3参照)。
  比較例4
 第1光学調整層の厚みを3nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  比較例5
 第1光学調整層の厚みを40nmに変更した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
  比較例6
 まず、実施例1における第1光学調整層を形成する処方で、第2光学調整層を形成し、その後、実施例1における第2光学調整層を形成する処方で、第1光学調整層を形成した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した。
  比較例7
 無機物層としてNb層を形成した以外は、実施例1と同様に処理して透明導電性フィルムを製造した(図1参照)。
 つまり、スパッタリング条件の以下の通りに変更した。
 ターゲット材料:Nb
 ガス:ArおよびO:(O流量比30%(/ArおよびOの合計流量))
 減圧度:0.2Pa
 (厚みの測定)
A. 第2光学調整層の厚み(TB)、第1光学調整層の厚み(TC)、および、無機物層の厚み(TD)
 各実施例および各比較例の透明導電性フィルムにおいて、第2光学調整層の厚み(TB)と、第1光学調整層の厚み(TC)と、無機物層の厚み(TD)とのそれぞれを、透過型電子顕微鏡(TEM)による断面観察により、測定した。結果を表1および表2に示す。
B.透明導電層の厚み(TE)
 各実施例および各比較例の透明導電性フィルムにおいて、透明導電層の厚み(TE)を、以下の通りに、X線反射率を測定することにより、算出した。
 すなわち、X線反射率法を測定原理とし、以下の測定条件にて粉末X線回折装置(リガク社製、「RINT-2000」)にてX線反射率を測定し、取得した測定データを解析ソフト(リガク社製、「GXRR3」)で解析することで算出した。解析条件は以下の条件とし、透明基材と密度7.1g/cmの透明導電層との2層モデルを採用し、透明導電層の厚み(TE)と表面粗さとを変数として、最小自乗フィッティングを実施し、透明導電層の厚みを算出した。結果を表1および表2に示す。
 [測定条件]
光源: Cu-Kα線(波長:1,5418Å)、40kV、40mA
光学系: 平行ビーム光学系
発散スリット: 0.05mm
受光スリット: 0.05mm
単色化・平行化: 多層ゲーベルミラー使用
測定モード: θ/2θスキャンモード
測定範囲(2θ): 0.3~2.0°
 [解析条件]
解析手法: 最小自乗フィッティング
解析範囲(2θ): 2θ=0.3~2.0°
C. 透明基材の厚みTA
 透明基材の厚みTAについては、用意した透明基材のカタログに記載の数値をそのまま採用した。
D. 厚みの比
 厚みの比、すなわち、TB/TA、TC/TB、TD/TC、TE/TDを、それぞれ算出した。結果を表1および表2に示す。
 (屈折率の測定)
 各実施例および各比較例の透明導電性フィルムにおいて、第2光学調整層の屈折率(nB)と、第1光学調整層の屈折率(nC)と、無機物層の屈折率(nD)と、透明導電層の屈折率(nE)とのそれぞれの屈折率を、アッベ屈折率計により測定した。
 なお、透明基材の屈折率(nA)については、用意した透明基材のカタログに記載の数値をそのまま採用した。結果を表1および表2に示す。
 また、屈折率の比、すなわち、nB/nA、nC/nA、nD/nCを、それぞれ算出した。また、「nC×1.13」値を算出した。結果を表1および表2に示す。
 (耐クラック性(損傷抑制))
 各実施例および各比較例の透明導電性フィルムを、以下の操作により、耐クラック性(損傷抑制)を、下記の基準に基づいて、評価した。
 すなわち、作製した透明導電フィルムを6cm×6cmで切り出し、切り出した透明導電フィルムの透明導電層の表面に幅1mmのポリイミドテープを10mm間隔でストライプ状に面内に3本貼付した。続いて、この状態で50℃、10質量%の塩酸(HCl)に含浸させ、透明導電層をエッチングした(図2および図4参照)。その後、ポリイミドテープを透明導電性フィルムから剥がし、150℃で、30分間で乾燥させた後、厚さ700μmのガラス板に、透明な糊を用いて貼付した。具体的には、透明導電層を糊を介してガラス板に対して貼着した。この状態で、85℃85%RH環境下へ一定時間静止し、その後、レーザー顕微鏡で20倍の倍率で透明導電層にクラック(損傷)が発生していないかを観察した。
  基準
 ○:85℃85%RH環境下で、120時間経過後および240時間経過後のいずれにおいても、クラックの発生がない。
 △:85℃85%RH環境下で、120時間経過後でクラックの発生がないが、240時間経過後で、クラックの発生がある。
 ×:85℃85%RH環境下で、120時間経過後および240時間経過後のいずれにおいても、クラックの発生がある。
 (耐擦傷性)
 各実施例および各比較例の透明導電性フィルムを、以下の操作により、耐擦傷性を、下記の基準に基づいて、評価した。
 140℃、90分間加熱した透明導電性フィルムを5cm×11cmの長方形で切り出し、長辺側の両端部5mm部分に銀ペーストを塗着して、48時間自然乾燥させた。次に透明導電性フィルムにおける透明基材の下面を、粘着剤付ガラス板に貼付し、擦傷性評価用サンプルを得た。次いで、10連式ペン試験機(エム・ティー・エム社製)を用いて、下記条件で、前記擦傷性評価用サンプルの短辺側における中央位置(2.5cm位置)で長辺方向に10cmの長さで前記擦傷性評価用サンプルの透明導電層表面を擦った。擦る前の擦傷性評価用サンプルの抵抗値(R0)と、擦った後の擦傷性評価用サンプルの抵抗値(R20)とを、擦傷性評価用サンプルの長辺側における中央位置(5.5cm位置)で両端部の銀ペースト部にテスターをあてることで測定し、抵抗変化率(R20/R0)を求めることで耐擦傷性を評価した。
 擦傷子:アンティコンゴールド(コンテック社製)
 荷重:127g/cm
 擦傷速度:13cm/秒(7.8m/分)
 擦傷回数:20回(往復10回)
 ○:抵抗変化率が1.5以下
 △:抵抗変化率が1.5を超え、2.5以下
 ×:抵抗変化率が2.5を超える
 (透明性)
 各実施例および各比較例の透明導電性フィルムの透過XYZ座標における透過Yを測定することにより、透明性を、下記の基準に基づいて、評価した。
 具体的には、測定装置は、DOT-3C(高速積分球式分光透過率測定器、村上色彩技術研究所社製)もしくはその同等機種を用いた。透明導電性フィルムの、透明導電層側から入光させ、透明基材側から透過スペクトルを得た。続いて、スペクトルから透過Y値を算出した。その際、使用光源は、JIS Z 8716に規定のD65光源および視野角は2度とした。
  基準
 ○:透過Yが88以上であった。
 ×:透過Yが88未満であった。
 (配線パターンの視認抑制(見栄え))
 配線パターン視認性は以下の操作で評価を行った。5cmx10cmの透明導電フィルムの透明導電層の表面に、透明導電性フィルムの短辺方向に沿って、ストライプ状に幅1mmのポリイミドテープを2mm間隔で貼付し、50℃、10質量%の塩酸に5分間含浸させた。これによって、図2に示すように、透明導電層を、ストライプ形状のパターン部を有する配線パターンに形成した。
 その後、ポリイミドテープを剥がし、透明導電層を黒板に貼付して配線パターン視認性評価用のサンプルを作製した。
 その後、配線パターンを観察して、視認抑制(見栄え)を、下記の基準に基づいて、評価した。
  基準
 ○:導電層のパターンがほとんど視認されない。
 △:導電層のパターンがほとんど視認されないが、角度を振ると視認されることがある。
 ×:導電層のパターンが容易に視認される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記特許請求の範囲に含まれる。
 透明導電性フィルムは、例えば、タッチパネルに用いられる。
1    透明導電性フィルム
2    透明基材
3    第2光学調整層
4    第1光学調整層
5    無機物層
6    透明導電層
ABV  絶対値(=|nC×1.13|)
nA   屈折率(透明基材)
nB   屈折率(第2光学調整層)
nC   屈折率(第1光学調整層)
nD   屈折率(無機物層)
TB   厚み(第2光学調整層)
TC   厚み(第1光学調整層)
TE   厚み(透明導電層)

Claims (6)

  1.  順に、透明基材と、第1光学調整層と、無機物層と、透明導電層とを備え、
     前記第1光学調整層は、前記透明基材の屈折率よりも低い屈折率を有し、10nm以上、35nm以下の厚みを有し、
     前記無機物層は、前記第1光学調整層の屈折率に1.13を乗じた値の絶対値よりも低いまたは前記絶対値と同じ屈折率を有することを特徴とする、透明導電性フィルム。
  2.  前記透明基材と、前記第1光学調整層との間に配置される第2光学調整層をさらに備え、
     前記第2光学調整層は、前記透明基材の屈折率よりも高い屈折率を有することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電性フィルム。
  3.  前記第2光学調整層は、100nm以上、300nm以下の厚みを有することを特徴とする、請求項2に記載の透明導電性フィルム。
  4.  前記無機物層は、1.5nm以上、10nm以下の厚みを有することを特徴とする、請求項1に記載の透明導電性フィルム。
  5.  前記透明導電層の厚みが、25nm以上であることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電性フィルム。
  6.  前記第1光学調整層が、樹脂のみからなることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電性フィルム。
PCT/JP2015/057213 2014-04-30 2015-03-11 透明導電性フィルム WO2015166724A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020167005363A KR20160146638A (ko) 2014-04-30 2015-03-11 투명 도전성 필름
US15/037,288 US10186346B2 (en) 2014-04-30 2015-03-11 Transparent conductive film
CN201580002254.XA CN105659198B (zh) 2014-04-30 2015-03-11 透明导电性薄膜
JP2016506928A JP6082841B2 (ja) 2014-04-30 2015-03-11 透明導電性フィルム

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014093487 2014-04-30
JP2014-093487 2014-04-30
JP2014-104184 2014-05-20
JP2014104609 2014-05-20
JP2014104184 2014-05-20
JP2014-104609 2014-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015166724A1 true WO2015166724A1 (ja) 2015-11-05

Family

ID=54358464

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/057213 WO2015166724A1 (ja) 2014-04-30 2015-03-11 透明導電性フィルム
PCT/JP2015/057212 WO2015166723A1 (ja) 2014-04-30 2015-03-11 透明導電性フィルム

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/057212 WO2015166723A1 (ja) 2014-04-30 2015-03-11 透明導電性フィルム

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10186346B2 (ja)
JP (3) JP6207633B2 (ja)
KR (2) KR20160146492A (ja)
CN (2) CN105659198B (ja)
TW (2) TWI665092B (ja)
WO (2) WO2015166724A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6412539B2 (ja) 2015-11-09 2018-10-24 日東電工株式会社 光透過性導電フィルムおよび調光フィルム
CN106843623A (zh) * 2016-12-22 2017-06-13 张家港康得新光电材料有限公司 一种电阻式触摸屏
WO2019012733A1 (ja) * 2017-07-10 2019-01-17 東山フイルム株式会社 透明導電性フィルム用の光学調整層付きハードコートフィルム、および透明導電性フィルム
KR102375637B1 (ko) * 2017-08-08 2022-03-17 미쓰이금속광업주식회사 산화물 소결체 및 스퍼터링 타깃
JP2019200910A (ja) * 2018-05-16 2019-11-21 日東電工株式会社 透明導電性ガラス
JP7116994B2 (ja) * 2018-06-27 2022-08-12 ロック技研工業株式会社 Itoフィルム及び透明導電性フィルム
JP7320510B2 (ja) 2018-08-01 2023-08-03 株式会社カネカ 透明電極付き基板およびその製造方法
JP7305342B2 (ja) * 2018-12-17 2023-07-10 日東電工株式会社 導電性フィルム
JP7300855B2 (ja) * 2019-03-13 2023-06-30 日東電工株式会社 フィルム積層体、および、パターニング導電性フィルムの製造方法
JP2020167047A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 日東電工株式会社 ヒータ
JP7492916B2 (ja) * 2019-06-27 2024-05-30 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
CN110230031B (zh) * 2019-06-28 2021-03-02 中北大学 一种宽频带无源耐高温柔性振动传感器及其制备工艺
CN115769109A (zh) * 2020-05-15 2023-03-07 大日本印刷株式会社 防眩膜和图像显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006126604A1 (ja) * 2005-05-26 2006-11-30 Gunze Limited 透明面状体及び透明タッチスイッチ
JP2013507682A (ja) * 2009-10-08 2013-03-04 エルジー イノテック カンパニー リミテッド タッチパネル用板状部材及びその製造方法
JP2014073614A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Nof Corp 色調補正フィルムとそれを用いた透明導電性フィルム、及び透明粘着層を積層した透明導電性粘着フィルム
JP2014096241A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Daicel Corp 透明導電性シート及びタッチパネル
WO2014080742A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 日本電気硝子株式会社 透明導電層付き光学部材
JP5637327B1 (ja) * 2014-03-18 2014-12-10 大日本印刷株式会社 中間基材フィルム、低屈折率層付き中間基材フィルム、およびタッチパネルセンサ

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002029830A1 (fr) * 2000-09-29 2002-04-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrat transparent a revetement anti-reflet conducteur multicouches,
JP2002163933A (ja) 2000-11-27 2002-06-07 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル
JP2002371355A (ja) 2001-06-14 2002-12-26 Nitto Denko Corp 透明薄膜の製造方法
TWI290328B (en) * 2002-05-23 2007-11-21 Nof Corp Transparent conductive laminated film and touch panel
WO2004105055A1 (ja) * 2003-05-26 2004-12-02 Nippon Soda Co., Ltd. 透明導電膜付透光性基板
JP4889195B2 (ja) * 2003-09-26 2012-03-07 住友金属鉱山株式会社 ガスバリア性透明樹脂基板、ガスバリア性透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示素子、およびガスバリア性透明樹脂基板の製造方法
JP4861707B2 (ja) 2006-01-20 2012-01-25 日東電工株式会社 透明導電積層体
TW200834610A (en) 2007-01-10 2008-08-16 Nitto Denko Corp Transparent conductive film and method for producing the same
CN101578667B (zh) * 2007-01-16 2011-07-06 帝人株式会社 透明导电性层压体及其形成的触摸面板
JP4667471B2 (ja) * 2007-01-18 2011-04-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル
JP5160325B2 (ja) 2008-07-16 2013-03-13 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP2011076932A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 透明導電性フィルム及びタッチパネル
TW201129831A (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Ushine Photonics Corp Transparent conductive laminate comprising visual light adjustment layers
JP5504083B2 (ja) * 2010-07-16 2014-05-28 京セラ株式会社 無線基地局及び通信制御方法
US20130095308A1 (en) * 2010-09-17 2013-04-18 Lg Hausys, Ltd. Transparent conductive film having excellent visibility and method of manufacturing the same
JP5699352B2 (ja) * 2010-11-11 2015-04-08 北川工業株式会社 透明導電フィルム
JP5543907B2 (ja) 2010-12-24 2014-07-09 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP6023402B2 (ja) 2010-12-27 2016-11-09 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP2012203701A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネル部材、透明電極層付き基板、基板積層型タッチパネル部材、および、上記タッチパネル部材または上記基板積層型タッチパネル部材を用いた座標検出装置
JP5382820B2 (ja) * 2011-06-22 2014-01-08 株式会社麗光 光学調整フィルム、並びにそれを使用して得る透明導電フィルム、透明導電積層体、及びタッチパネル
JP5540204B2 (ja) 2011-11-17 2014-07-02 北川工業株式会社 透明導電積層体
TWI491754B (zh) 2011-11-28 2015-07-11 Nitto Denko Corp Method for manufacturing transparent conductive film
JP6001943B2 (ja) * 2012-07-17 2016-10-05 株式会社カネカ 無機薄膜付き導電材用基板、透明電極付き基板及びその製造方法
WO2014020656A1 (ja) * 2012-07-30 2014-02-06 株式会社麗光 透明導電フィルム及びタッチパネル
JP6328984B2 (ja) 2013-05-22 2018-05-23 日東電工株式会社 両面透明導電性フィルムおよびタッチパネル
CN103632755A (zh) 2013-12-04 2014-03-12 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 透明导电膜及其制作方法和光学调整层
JP5683734B1 (ja) 2014-07-01 2015-03-11 グンゼ株式会社 透明導電性積層体、タッチパネル、および透明導電性積層体の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006126604A1 (ja) * 2005-05-26 2006-11-30 Gunze Limited 透明面状体及び透明タッチスイッチ
JP2013507682A (ja) * 2009-10-08 2013-03-04 エルジー イノテック カンパニー リミテッド タッチパネル用板状部材及びその製造方法
JP2014073614A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Nof Corp 色調補正フィルムとそれを用いた透明導電性フィルム、及び透明粘着層を積層した透明導電性粘着フィルム
JP2014096241A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Daicel Corp 透明導電性シート及びタッチパネル
WO2014080742A1 (ja) * 2012-11-26 2014-05-30 日本電気硝子株式会社 透明導電層付き光学部材
JP5637327B1 (ja) * 2014-03-18 2014-12-10 大日本印刷株式会社 中間基材フィルム、低屈折率層付き中間基材フィルム、およびタッチパネルセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
US20170047144A1 (en) 2017-02-16
TWI665092B (zh) 2019-07-11
US10186346B2 (en) 2019-01-22
CN105659198A (zh) 2016-06-08
WO2015166723A1 (ja) 2015-11-05
CN105659198B (zh) 2019-06-18
KR20160146638A (ko) 2016-12-21
US10002687B2 (en) 2018-06-19
TW201545898A (zh) 2015-12-16
JP6207633B2 (ja) 2017-10-04
TW201601930A (zh) 2016-01-16
JP2017053038A (ja) 2017-03-16
CN105452520A (zh) 2016-03-30
JPWO2015166724A1 (ja) 2017-04-20
TWI665091B (zh) 2019-07-11
JPWO2015166723A1 (ja) 2017-04-20
KR20160146492A (ko) 2016-12-21
JP6082841B2 (ja) 2017-02-15
US20160155531A1 (en) 2016-06-02
CN105452520B (zh) 2019-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6082841B2 (ja) 透明導電性フィルム
JP6654865B2 (ja) 非晶質透明導電性フィルム、ならびに、結晶質透明導電性フィルムおよびその製造方法
KR101460919B1 (ko) 점착제층이 형성된 수지 필름, 적층 필름 및 터치 패널
TWI694004B (zh) 透明導電性薄膜
KR102558619B1 (ko) 투명 도전성 필름
JP6563228B2 (ja) 透明導電性フィルム
JP6923415B2 (ja) 透明導電性フィルムおよび透明導電性フィルム積層体
JP6425598B2 (ja) 透明導電性フィルム及びタッチパネル
JP2020128054A (ja) 導電性フィルムおよびタッチパネル
JP2006258897A (ja) 反射防止膜付き透明基材
WO2019116719A1 (ja) 透明導電性フィルム
KR102709818B1 (ko) 광학 적층체, 물품
JP6553950B2 (ja) 透明導電性フィルムおよびその製造方法
JP2020075364A (ja) 導電性フィルムおよびタッチパネル

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15786813

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016506928

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167005363

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15037288

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15786813

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1