TW201545898A - 透明導電性膜 - Google Patents

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Rie Kawakami
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Tomotake Nashiki
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Abstract

本發明之透明導電性膜1依序包含透明基材2、第1光學調整層4、無機物層5、及透明導電層6。第1光學調整層4具有低於透明基材2之折射率nA之折射率nC，且具有10nm以上且35nm以下之厚度TC。無機物層5具有低於第1光學調整層4之折射率nC乘以1.13所獲得之值之絕對值｜nC×1.13｜的折射率nD。

Description

透明導電性膜
本發明係關於一種透明導電性膜，詳細而言係關於一種用於觸控面板用膜等之透明導電性膜。
先前，已知有將具備具有特定圖案形狀之透明導電層之透明導電性膜用於觸控面板之顯示器顯示部。
例如提出有於透明膜基材之單面或兩面依序形成有第1透明介電體層、第2透明介電體層、及經圖案化之透明導電層之透明導電性膜(例如參照專利文獻1)。
於專利文獻1之透明導電性膜中，透明導電層之圖案部與圖案開口部之差異得到抑制，外觀良好。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-27294號公報
但是，於專利文獻1中所記載之透明導電性膜中，存在容易於透明導電層產生龜裂之不良情況。
本發明之目的在於提供一種可抑制配線圖案之視認並且可抑制對透明導電層產生損傷之透明導電性膜。
本發明之透明導電性膜之特徵在於：依序包含透明基材、第1光學調整層、無機物層、及透明導電層，並且上述第1光學調整層具有低於上述透明基材之折射率的折射率，且具有10nm以上且35nm以下之厚度，上述無機物層具有低於上述第1光學調整層之折射率乘以1.13所獲得之值之絕對值或與上述絕對值相同之折射率。
該透明導電性膜由於包含具有特定折射率及厚度之第1光學調整層、及具有特定折射率之無機物層，故而可抑制對透明導電層產生損傷，並且抑制配線圖案之視認，且具有優異之耐擦傷性及優異之透明性。
又，本發明之透明導電性膜較佳為進而包含配置於上述透明基材與上述第1光學調整層之間之第2光學調整層，且上述第2光學調整層具有高於上述透明基材之折射率的折射率。
於該透明導電性膜中，可進一步抑制配線圖案之視認，並且具有更優異之耐擦傷性。
又，於本發明之透明導電性膜中，較佳為上述第2光學調整層具有100nm以上且300nm以下之厚度。
於該透明導電性膜中，由於第1光學調整層之厚度為上述特定範圍內，故而可進一步抑制配線圖案之視認，並且具有更優異之耐擦傷性。
又，於本發明之透明導電性膜中，較佳為上述無機物層具有1.5nm以上且10nm以下之厚度。
於該透明導電性膜中，由於無機物層之厚度為特定範圍內，故而可進一步抑制對透明導電層產生損傷。
又，於本發明之透明導電性膜中，較佳為上述透明導電層之厚度為25nm以上。
若透明導電層之厚度為上述特定值以上，則容易對透明導電層產 生損傷。但是，本發明之透明導電性膜由於包含上述第1光學調整層及無機物層，故而可有效地抑制透明導電層之上述損傷。
又，於本發明之透明導電性膜中，較佳為上述第1光學調整層僅由樹脂所構成。
於該透明導電性膜中，由於第1光學調整層僅由樹脂所構成，故而可有效地抑制透明導電層之上述損傷。
根據本發明之透明導電性膜，可抑制對透明導電層產生損傷，並且抑制配線圖案之視認，且具有優異之耐擦傷性及優異之透明性。
1‧‧‧透明導電性膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧第2光學調整層
4‧‧‧第1光學調整層
5‧‧‧無機物層
6‧‧‧透明導電層
7‧‧‧圖案部
8‧‧‧非圖案部
ABV‧‧‧絕對值(=｜nC×1.13｜)
L‧‧‧圖案部之寬度
nA‧‧‧折射率(透明基材)
nB‧‧‧折射率(第2光學調整層)
nC‧‧‧折射率(第1光學調整層)
nD‧‧‧折射率(無機物層)
S‧‧‧鄰接之圖案部之間隔(非圖案部之寬度)
TA‧‧‧厚度(透明基材)
TB‧‧‧厚度(第2光學調整層)
TC‧‧‧厚度(第1光學調整層)
TD‧‧‧厚度(無機物層)
TE‧‧‧厚度(透明導電層)
圖1表示本發明之透明導電性膜之第1實施形態(具備第2光學調整層之態樣)之剖視圖。
圖2表示將透明導電層形成為配線圖案之第1實施形態之透明導電性膜之剖視圖。
圖3表示本發明之透明導電性膜之第2實施形態(不具備第2光學調整層之態樣)之剖視圖。
圖4表示將透明導電層形成為配線圖案之第2實施形態之透明導電性膜之剖視圖。
<第1實施形態>
於圖1中，紙面上下方向為上下方向(厚度方向之一例，第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側，第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側，第1方向另一側)。具體而言，依據各圖之方向箭頭。
1.透明導電性膜
透明導電性膜1形成為具有特定厚度之膜形狀(包括片材形狀)，沿與厚度方向正交之特定方向(面方向)延伸，且具有平坦之上表面及平 坦之下表面。透明導電性膜1例如為圖像顯示裝置中所包含之觸控面板用基材等之一零件，即，並非圖像顯示裝置。即，透明導電性膜1係用以製作圖像顯示裝置等之零件，不包含LCD模組等圖像顯示元件，係作為單獨之零件進行流通而可於產業上利用之器件。
具體而言，如圖1所示，透明導電性膜1包含：透明基材2、配置於透明基材2上之第2光學調整層3、配置於第2光學調整層3上之第1光學調整層4、配置於第1光學調整層4上之無機物層5、及配置於無機物層5上之透明導電層6。即，於透明導電性膜1中，於透明基材2上依序配置有第2光學調整層3、第1光學調整層4、無機物層5、及透明導電層6。
透明導電性膜1較佳為僅由透明基材2、第2光學調整層3、第1光學調整層4、無機物層5、及透明導電層6所構成。以下，對各層進行詳述。
2.透明基材
透明基材2係透明導電性膜1之最下層，且係確保透明導電性膜1之機械強度之支持材料。透明基材2係將透明導電層6與第2光學調整層3、第1光學調整層4及無機物層5一併加以支持。
透明基材2例如為具有透明性之高分子膜。作為高分子膜之材料，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)、例如聚乙烯、聚丙烯、環烯烴聚合物等烯烴樹脂、例如聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、三聚氰胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素樹脂、聚苯乙烯樹脂、降烯樹脂等。該等高分子膜可單獨使用或併用2種以上。就透明性、耐熱性、機械特性等觀點而言，較佳可列舉聚酯樹脂，更佳可列舉PET。
透明基材2之折射率nA例如為1.45以上，較佳為1.55以上，又，例如為1.80以下，較佳為1.70以下。透明基材2之折射率nA例如係利用阿貝折射計而測定。
關於透明基材2之厚度TA，就機械強度、耐擦傷性、將透明導電性膜1製成觸控面板用膜時之觸點特性等觀點而言，例如為2μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為150μm以下。
再者，亦可於透明基材2之下表面視需要而設置硬塗層、抗黏連層、易接著層、接著劑層、隔離件等。
3.第2光學調整層3
第2光學調整層3係如下光學調整層：與下述第1光學調整層4及無機物層5一併參照圖2將透明導電層6於以後之步驟中形成為配線圖案後，以圖案部7與非圖案部8之差異不被識別之方式(即以抑制配線圖案之視認之方式)調整透明導電性膜1之光學物性。又，第2光學調整層3亦為用以使透明導電層6之上表面(即透明導電性膜1之表面)不易產生擦傷(即獲得優異之耐擦傷性)之擦傷保護層。
第2光學調整層3具有膜形狀(包括片材形狀)，例如以與透明基材2之上表面接觸之方式配置於透明基材2之整個上表面。
第2光學調整層3係由第2光學組合物所製備。
第2光學組合物例如含有樹脂。第2光學組合物較佳為含有樹脂及粒子。第2光學組合物更佳為僅由樹脂及粒子所構成。
作為樹脂，可列舉硬化性樹脂、熱塑性樹脂(例如聚烯烴樹脂)等，較佳可列舉硬化性樹脂。
作為硬化性樹脂，例如可列舉藉由照射活性能量線(具體而言為紫外線、電子束等)而硬化之活性能量線硬化性樹脂、例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂等，較佳可列舉活性能量線硬化性樹脂。
活性能量線硬化性樹脂例如可列舉分子中含有具有聚合性碳-碳 雙鍵之官能基的聚合物。作為此種官能基，例如可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基(甲基丙烯醯基及/或丙烯醯基)等。
作為活性能量線硬化性樹脂，例如可列舉於側鏈含有官能基之(甲基)丙烯酸系樹脂(丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂)等。
該等樹脂可單獨使用或併用2種以上。
關於樹脂之含有比率，相對於第2光學組合物，例如為50質量%以上，較佳為40質量%以上，又，例如為95質量%以下，較佳為90質量%以下。
作為粒子，例如可列舉無機粒子、有機粒子等。作為無機粒子，例如可列舉：二氧化矽粒子(包括中空奈米二氧化矽粒子)、例如包含氧化鋯、氧化鈦等之金屬氧化物粒子、例如碳酸鈣等碳酸鹽粒子等。作為有機粒子，例如可列舉交聯丙烯酸系樹脂粒子等。
作為粒子，較佳可列舉無機粒子，更佳可列舉金屬氧化物粒子，進而較佳可列舉氧化鋯粒子(ZnO2)。
粒子之平均粒徑例如為5nm以上，較佳為10nm以上，又，例如為500nm以下，較佳為100nm以下。
粒子之平均粒徑例如係使用Beckman Coulter公司製造之庫爾特粒子計數器，藉由庫爾特計數法而測定。
粒子之含有比率相對於樹脂100質量份，例如為5質量份以上，較佳為10質量份以上，又，例如為100質量份以下，較佳為65質量份以下。又，粒子之含有比率相對於第2光學組合物，例如為5質量%以上，較佳為10質量%以上，又，例如為50質量%以下，較佳為40質量%以下。
第2光學調整層3例如具有高於透明基材2之折射率nA之折射率nB。第2光學調整層3之折射率nB例如係利用阿貝折射計而測定。
另一方面，於第2光學調整層3之折射率nB低於透明基材2之折射率nA或與其相同之情形時，有透明導電性膜1之光學特性(具體而言為 配線圖案之視認抑制)降低之情形。
第2光學調整層3之折射率nB相對於透明基材2之折射率nA之比(nB/nA)超過1，較佳為1.01以上，更佳為1.05以上，又，例如為1.50以下。
又，第2光學調整層3之折射率nB減去透明基材2之折射率nA所獲得之值(差nB-nA)例如為0.01以上，較佳為0.05以上，又，例如為0.50以下，較佳為0.20以下。
具體而言，第2光學調整層3之折射率nB例如為1.50以上，較佳為1.60以上，又，例如為1.80以下，較佳為1.75以下。
若第2光學調整層3之折射率nB、比(nB/nA)及/或差(nB-nA)超過上述下限，則可抑制透明導電性膜1之光學特性(具體而言為配線圖案之視認抑制)之降低。
第2光學調整層3之厚度TB例如為100nm以上，較佳為120nm以上，更佳為150nm以上，進而較佳為180nm以上，例如為300nm以下，較佳為280nm以下，更佳為250nm以下，進而較佳為220nm以下，尤佳為200nm以下。第2光學調整層3之厚度TB例如係藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而測定。
第2光學調整層3之厚度TB相對於透明基材2之厚度TA之比(TB/TA)例如為0.0020以上，較佳為超過0.0020，更佳為0.0030以上，又，例如未達0.0070，較佳為未達0.0060，更佳為0.0050以下。
若第2光學調整層3之厚度TB及/或比(TB/TA)為上述下限以上，則可獲得優異之耐擦傷性。另一方面，若第2光學調整層3之厚度TB為上述上限以下，則可抑制配線圖案之視認。
4.第1光學調整層
第1光學調整層4係如下光學調整層：與第2光學調整層3及無機物層5一併，為了抑制透明導電層6之配線圖案之視認，並且對透明導電 性膜1確保優異之透明性，而調整透明導電性膜1之光學物性。
第1光學調整層4具有膜形狀(包括片材形狀)，例如以與第2光學調整層3之上表面接觸之方式配置於第2光學調整層3之整個上表面。
第1光學調整層4係由第1光學組合物所製備。
第1光學組合物例如含有樹脂，較佳為實質上由樹脂所構成，更佳為僅由樹脂所構成。即，第1光學組合物(進而第1光學調整層4)較佳為實質上不含有粒子。
作為樹脂，例如自第2光學組合物中所例示之樹脂中進行選擇。作為樹脂，較佳可列舉熱硬化性樹脂。
作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚系樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。較佳可列舉環氧樹脂、三聚氰胺樹脂，更佳可列舉環氧樹脂。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型等雙酚型環氧樹脂、例如苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型等酚醛清漆型環氧樹脂、例如異氰尿酸三縮水甘油酯型、乙內醯脲型等含氮環型環氧樹脂、例如萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、縮水甘油基醚型環氧樹脂、二環型環氧樹脂、酯型環氧樹脂、該等之改性物或氫化物等。
又，可於環氧樹脂中調配硬化劑，而製備成含有環氧樹脂及硬化劑之環氧樹脂組合物。作為硬化劑，例如可列舉：聚胺系硬化劑、醯胺系硬化劑、酸酐系硬化劑、二醯肼系硬化劑、脲系硬化劑、咪唑系硬化劑、咪唑啉系硬化劑等環氧樹脂用硬化劑。
關於硬化劑之調配比率，相對於環氧樹脂100質量份，例如為0.05質量份以上，較佳為0.1質量份以上，又，例如為3.0質量份以下，較佳為1.0質量份以下。
作為第1光學組合物之較佳態樣而記載之所謂「實質上不含有粒 子」，意指可以雜質之形式含有超微量之粒子作為粒子，於該情形時，相對於第1光學組合物之全部固形物成分，粒子之含有比率例如未達1質量%，較佳為未達0.1質量%。
另一方面，第1光學組合物例如可含有樹脂及粒子。
作為粒子可適當選擇，較佳可列舉二氧化矽粒子等。
粒子之含有比率相對於樹脂100質量份，例如為11質量份以上，較佳為42質量份以上，又，例如為150質量份以下，較佳為110質量份以下。又，粒子之含有比率相對於第1光學組合物，例如為10質量%以上，較佳為30質量%以上，又，例如為60質量%以下，較佳為55質量%以下。
第1光學調整層4具有低於透明基材2之折射率nA之折射率nC。第1光學調整層4之折射率nC例如係利用阿貝折射計而測定。
另一方面，於第1光學調整層4之折射率nC高於透明基材2之折射率nA或與其相同之情形時，透明導電性膜1之光學特性(具體而言為配線圖案之視認抑制)降低。
第1光學調整層4之折射率nC相對於透明基材2之折射率nA之比(nC/nA)未達1，較佳為0.99以下，更佳為0.95以下，又，例如為0.80以上。
自透明基材2之折射率nA減去第1光學調整層4之折射率nC所獲得之值(差nA-nC)例如為0.01以上，較佳為0.05以上，更佳為0.10以上，又，例如為0.30以下，較佳為0.25以下。
具體而言，第1光學調整層4之折射率nC例如未達1.60，較佳為1.55以下，更佳為1.53以下，又，例如為1.20以上，較佳為1.30以上。
另一方面，若第1光學調整層4之折射率nC、比(nC/nA)及/或差(nA-nC)超過上述下限，則可抑制透明導電性膜1之光學特性(具體而言為圖案之視認抑制)之降低。
第1光學調整層4之厚度TC為10nm以上且35nm以下。第1光學調 整層4之厚度TB例如係藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而測定。
另一方面，若第1光學調整層4之厚度TC未達10nm，則無法確保透明導電性膜1之優異之透明性。另一方面，若第1光學調整層4之厚度TC超過35nm，則無法抑制透明導電層6之配線圖案之視認。
又，第1光學調整層4之厚度TC較佳為15nm以上。
進而，第1光學調整層4之厚度TC相對於第2光學調整層3之厚度TB之比(TC/TB)例如為0.020以上，較佳為0.050以上，更佳為0.100以上，進而較佳為0.120以上，又，例如為0.500以下，較佳為0.200以下，更佳為0.250以下，進而較佳為0.150以下。
若第1光學調整層4之厚度TC及/或比(TC/TB)為上述下限以上，則可確保優異之透明性。另一方面，若第1光學調整層4之厚度TC為上述上限以下，則可抑制透明導電層6之配線圖案之視認。
5.無機物層
無機物層5係與上述第2光學調整層3及第1光學調整層4一併，為了抑制透明導電層6之配線圖案之視認而調整透明導電性膜1之光學物性的光學調整層(第3光學調整層)。
無機物層5具有膜形狀(包括片材形狀)，例如以與第1光學調整層4之上表面接觸之方式配置於第1光學調整層4之整個上表面。
無機物層5係由具有特定光學物性之無機物所製備。
作為無機物，例如可列舉氧化物、氟化物等。
作為氧化物，可列舉：氧化矽(具體而言為二氧化矽(SiO2)、一氧化矽(SiO)等)、氧化鋁(Al2O3)等。
作為氟化物，例如可列舉：氟化鈉(NaF)、六氟鋁酸三鈉(Na3AlF6)、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)等氟化鹼金屬、例如氟化鈣(CaF2)、氟化鋇(BaF2)等氟化鹼土金屬、例如氟化鑭(LaF3)、氟化鈰(CeF)等氟化稀 土類等。
無機物可單獨使用或併用2種以上。
作為無機物，就確保所需之折射率nD(見下文)之觀點而言，較佳可列舉氧化物，更佳可列舉二氧化矽(SiO2：折射率1.47)。
無機物層5具有低於第1光學調整層4之折射率nC乘以1.13所獲得之值之絕對值ABV(=｜nC×1.13｜)或相同之折射率nD。無機物層5之折射率nD例如係利用阿貝折射計而測定。
另一方面，於具有無機物層5之折射率nD高於上述絕對值ABV之折射率nD之情形時，無法抑制透明導電層6之配線圖案之視認。
較佳為具有低於第1光學調整層4之折射率nC乘以1.13所獲得之值(=nC×1.13)或相同之折射率nD。藉由使無機物層5之折射率nD收斂於上述範圍內，可抑制第1光學調整層4與無機物層5之間之反射，結果提高配線圖案之視認抑制。
具體而言，無機物層5之折射率nD例如為1.30以上，較佳為1.40以上，又，例如為2.00以下，較佳為1.90以下，更佳為1.80以下，進而較佳為1.72以下，尤佳為1.60以下，最佳為1.50以下。
無機物層5之折射率nD相對於第1光學調整層4之折射率nC之比(nD/nC)例如為0.800以上，又，例如為1.500以下，較佳為1.100以下。
若無機物層5之折射率nD及/或比(nD/nC)為上述下限以上，則可抑制光學特性之降低。另一方面，若無機物層5之nD及/或比(nD/nC)為上述上限以下，則可抑制配線圖案之視認。
無機物層5之厚度TD例如為20nm以下，較佳為15nm以下，更佳為13nm以下，進而較佳為10nm以下，又，例如為1.0nm以上，較佳為1.5nm以上。無機物層5之厚度TD係藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而測定。
又，無機物層5之厚度TD相對於第1光學調整層4之厚度TC之比 (TD/TC)例如超過0.050，較佳為0.060以上，更佳為0.070以上，又，例如為0.500以下，較佳為0.450以下，更佳為0.350以下，進而較佳為0.120以下，尤佳為0.100以下。
若無機物層5之上述厚度TD及/或比(TD/TC)為上述上限以下，則透明導電性膜1之透明性優異，又，可使無機物層5及透明導電層6之總厚度變薄，抑制對透明導電層6所施加之應力增加，而抑制對透明導電層6產生損傷。另一方面，若無機物層5之上述厚度TD及/或比(TD/TC)為上述下限以上，則可抑制配線圖案之視認，又，可抑制自第2光學調整層3及第1光學調整層4產生氣體，而抑制透明導電層6之損傷。
6.透明導電層
透明導電層6係參照圖2於以後之步驟中形成為配線圖案而用於形成圖案部7之導電層。
如圖1所示，透明導電層6係透明導電性膜1之最上層，且具有膜形狀(包括片材形狀)。
作為形成透明導電層6之材料，例如可列舉包含選自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W所組成之群中之至少1種金屬之金屬氧化物。於金屬氧化物中，可視需要進而摻雜上述群中所例示之金屬原子。
作為材料，較佳可列舉銦錫複合氧化物(ITO)、銻錫複合氧化物(ATO)等，更佳可列舉ITO。
材料可為結晶質及非晶質中之任一者，又，亦可為結晶質及非晶質之混合體。材料較佳為結晶質。
透明導電層6之折射率nE例如為1.70以上，較佳為1.80以上，又，例如為2.10以下，較佳為2.00以下。透明導電層6之折射率nE例如利用阿貝折射計而測定。
透明導電層6之厚度TE例如為15nm以上，較佳為20nm以上，更 佳為25nm以上，又，例如為50nm以下，較佳為35nm以下。
透明導電層6之厚度TE係藉由利用粉末X射線繞射裝置測定X射線反射率而算出，其詳情於下述實施例中進行說明。
透明導電層6之厚度TE相對於無機物層5之厚度TD之比(TE/TD)例如為5以上，較佳為8以上，又，例如為20以下，較佳為15以下。
若透明導電層6之厚度TE及/或比(TE/TD)為上述下限以上，則可獲得用於接插面板時適宜之低電阻之透明導電層6。另一方面，若透明導電層6之厚度TE及/或比(TE/TD)為上述上限以下，可抑制對透明導電層6所施加之應力，可抑制於透明導電層6中產生龜裂等損傷之風險。
7.透明導電性膜之製造方法
其次，對製造透明導電性膜1之方法進行說明。
於製造透明導電性膜1時，例如將第2光學調整層3、第1光學調整層4、無機物層5及透明導電層6以上述順序配置(積層)於透明基材2上。
於該方法中，參照圖1，首先準備透明基材2。
繼而，藉由例如濕式將第2光學組合物配置於透明基材2之上表面。
具體而言，首先製備將第2光學組合物利用溶劑稀釋而成之稀釋液，繼而將稀釋液塗佈於第2光學調整層3之上表面，並使稀釋液乾燥。
作為溶劑，例如可列舉有機溶劑、水系溶劑(具體而言為水)等，較佳可列舉有機溶劑。作為有機溶劑，可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇等醇化合物、例如丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮(MIBK)等酮化合物、例如乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯化合物、例如甲苯、二甲苯等芳香族化合物等。較佳可列舉酮化合物。溶劑可單獨使用或併用2種以上。
利用溶劑以稀釋液中之固形物成分濃度成為例如0.5質量%以上且5.0質量%以下之方式將第2光學組合物進行稀釋。
作為塗佈方法，例如可列舉：噴注塗佈法、模嘴塗佈法、旋轉塗 佈法、噴塗法、凹版塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法等。
乾燥溫度例如為60℃以上，較佳為80℃以上，例如為250℃以下，較佳為200℃以下。
乾燥時間例如為1.0分鐘以上，較佳為2.0分鐘以上，例如為1.0小時以下，較佳為0.5小時以下。
藉由上述塗佈及乾燥，而於透明基材2之上表面將第2光學組合物形成為膜形狀。
其後，於第2光學組合物含有活性能量線硬化性樹脂之情形時，藉由於稀釋液之乾燥後照射活性能量線，而使活性能量線硬化性樹脂硬化。
藉此，於透明基材2之整個上表面形成第2光學調整層3。
繼而，藉由例如濕式將第1光學組合物配置於第2光學調整層3之上表面。
具體而言，首先製備將第1光學組合物利用溶劑稀釋而成之稀釋液，繼而將稀釋液塗佈於透明基材2之上表面，並使稀釋液乾燥。
作為稀釋液中之固形物成分濃度、溶劑、塗佈方法及乾燥方法，可列舉與第2光學組合物之稀釋液中所例示之該等方法相同者。
再者，於第1光學組合物含有熱硬化性樹脂之情形時，可藉由上述乾燥，進行溶劑之乾燥並且使熱硬化性樹脂熱硬化。
藉此，於第2光學調整層3之上表面形成第1光學調整層4。
其後，視需要藉由將透明基材、第2光學調整層及第1光學調整層放置於例如1×10-1Pa以下、較佳為1×10-3Pa以下之減壓環境下，而進行脫氣處理。脫氣處理係使用下文詳述之乾式裝置中所具備之排氣裝置(具體而言，包含渦輪分子泵等)而實施。
繼而，藉由例如乾式將無機物層5配置於第1光學調整層4之上表面。
作為乾式，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法等。較佳可列舉濺鍍法。具體而言，可列舉磁控濺鍍法。
於採用濺鍍法之情形時，作為靶材，可列舉上述無機物。
作為濺鍍法中所使用之氣體，例如可列舉氬氣等惰性氣體。
又，於由氧化物製備無機物層5之情形時，採用反應性濺鍍法。於反應性濺鍍中，使用氧化物所含有之元素作為靶材，於反應性濺鍍中，導入氧氣等反應性氣體作為氣體，於反應性濺鍍之過渡時，使元素反應(具體而言為氧化)。於該情形時，反應性氣體之流量相對於惰性氣體及反應性氣體之合計流量之百分率例如為0.1%以上且60%以下。
於利用反應性濺鍍將無機物層5形成(或成膜)於第1光學調整層4之上表面之情形時，可藉由監測電漿之發光強度、或反應性濺鍍時之放電電壓，控制過渡區域，而提高成膜速率。此外，亦可藉由控制電漿之發光強度等，而控制無機物層5之氧化數(進而無機物層5之折射率nD)。
濺鍍法中所使用之電源例如可為DC電源、MF電源及RF電源中之任一者，又，亦可為該等之組合。
藉此，於第1光學調整層4之整個上表面形成無機物層5。
繼而，藉由例如乾式將透明導電層6配置於無機物層5之整個上表面。
作為乾式，可列舉與上述相同之方法，較佳可列舉濺鍍法，更佳可列舉磁控濺鍍法。
於採用濺鍍法之情形時，作為靶材，可列舉上述金屬氧化物。
濺鍍法中所使用之氣體及流量與上述相同。
藉此，將透明導電層6配置於無機物層5之上表面。
其後，視需要使透明導電層6結晶化。於使透明導電層6結晶化 時，例如對透明導電層6進行加熱。
透明導電性膜1之透明導電層6之比電阻例如為3.0×10-4Ω‧cm以下，又，例如為1.1×10-4Ω‧cm以上。
藉此，獲得如圖1所示般包含透明基材2、第2光學調整層3、第1光學調整層4、無機物層5、及透明導電層6之透明導電性膜1。
透明導電性膜1之總厚度例如為2μm以上，較佳為20μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為150μm以下。
再者，於上述製造方法中，可利用捲對捲方式，一面搬送透明基材2，一面於該透明基材2之上表面依序形成第2光學調整層3、第1光學調整層4、無機物層5及透明導電層6，又，亦可利用分批方式形成該等層之一部分或全部。
對於該透明導電性膜1，其後，如圖2所示般，藉由蝕刻將透明導電層6形成為配線圖案，而於無機物層5上形成圖案部7及非圖案部8。於非圖案部8中，無機物層5之上表面自圖案部7露出。各圖案部7之寬度L例如為10μm以上且500μm以下，又，鄰接之圖案部7之間隔S(即非圖案部8之寬度S)例如為10μm以上且500μm以下。
其後，透明導電性膜1例如包含於圖像顯示裝置中。
該透明導電性膜1例如尤其可用於觸控面板用基材。作為觸控面板之形式，可列舉：光學方式、超音波方式、靜電電容方式、電阻膜方式等各種方式，尤其可適宜地用於靜電電容方式之觸控面板。
8.作用效果
該透明導電性膜1由於包含具有特定折射率nC及厚度TC之第1光學調整層4、及具有特定折射率nD之無機物層5，故而可抑制對透明導電層6產生損傷，並且抑制透明導電層6之配線圖案(圖案部7，參照圖2)之視認，且具有優異之耐擦傷性及優異之透明性。
又，該透明導電性膜1由於進而包含配置於透明基材2與第1光學 調整層4之間之第2光學調整層3，且第2光學調整層3具有高於透明基材2之折射率nA之折射率nB，故而可進一步抑制配線圖案之視認，並且具有更優異之耐擦傷性。
又，於該透明導電性膜1中，由於第2光學調整層3之厚度TB為上述特定範圍內，故而可進一步抑制配線圖案之視認，並且具有更優異之耐擦傷性。
又，於該透明導電性膜1中，由於無機物層5之厚度TD為特定範圍內，故而可進一步抑制對透明導電層6產生損傷。
又，於該透明導電性膜1中，由於無機物層5之厚度TD為特定範圍內，故而可進一步抑制對透明導電層6產生損傷。
又，若透明導電層6之厚度nE為上述25nm以上，則容易對透明導電層6產生損傷。預測其係透明導電層6之下層包含大量雜質氣體之情形，或因熱所引起之線膨脹率越高變得越明顯。但是，該透明導電性膜1由於包含上述特定之第1光學調整層4及無機物層5，故而不易於透明導電層6之下層包含雜質氣體，由於無機物層5之膨脹率較低，故而可有效地抑制透明導電層6之上述損傷。
若第1光學調整層4包含粒子，則有如下情形：由於因粒子所引起之凹凸會導致無機物層5及透明導電層6中局部之應力增大，故而無法有效地抑制透明導電層6之損傷。但是，於該透明導電性膜1中，於第1光學調整層4僅由樹脂所構成之情形時，可抑制上述應力增大，因此可有效地抑制透明導電層6之損傷。
<變化例>
於第1實施形態中，使第2光學調整層3與透明基材2之上表面接觸，但並不限定於此。例如雖未圖示，但亦可不使第2光學調整層3與透明基材2之上表面接觸，而使其他層介於其等之間。
於第1實施形態中，使第1光學調整層4與第2光學調整層3之上表 面接觸，但並不限定於此。例如亦可不使第1光學調整層4與第2光學調整層3之上表面接觸，而使其他層介於其等之間。
於第1實施形態中，使無機物層5與第1光學調整層4之上表面接觸，但並不限定於此。例如亦可不使無機物層5與第1光學調整層4之上表面接觸，而使其他層介於其等之間。
<第2實施形態>
於第2實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標記相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
如圖3所示，透明導電性膜1依序包含透明基材2、第1光學調整層4、無機物層5、及透明導電層6。即，透明導電性膜1包含透明基材2、配置於透明基材2上之第1光學調整層4、配置於第1光學調整層4上之無機物層5、及配置於無機物層5上之透明導電層6。即，第2實施形態之透明導電性膜1不包含於第1實施形態之透明導電性膜1中配置於透明基材2與第1光學調整層4之間之第2光學調整層3。較佳為透明導電性膜1僅由透明基材2、第1光學調整層4、無機物層5、及透明導電層6所構成。
第1光學調整層4例如以與透明基材2之上表面接觸之方式配置於透明基材2之整個上表面。
於製造第2實施形態之透明導電性膜1時，例如將第1光學調整層4、無機物層5及透明導電層6以上述順序配置(積層)於透明基材2上。
根據第2實施形態之透明導電性膜1，可發揮出與第1實施形態之透明導電性膜1相同之作用效果。
尤其是圖3所示之第2實施形態之透明導電性膜1由於與圖1所示之第1實施形態之透明導電性膜1不同，不包含第2光學調整層3，故而可降低製造成本，並且簡便地獲得透明導電性膜1。進而，可謀求透明導電性膜1之薄型化。
另一方面，圖1所示之第1實施形態之透明導電性膜1由於與圖1所示之第2實施形態之透明導電性膜1不同，包含第2光學調整層3，故而可獲得優異之耐擦傷性。
<變化例>
於第2實施形態中，使第1光學調整層4與透明基材2之上表面接觸，但並不限定於此。例如雖未圖示，但亦可不使第1光學調整層4與透明基材2之上表面接觸，而使其他層介於其等之間。
[實施例]
以下，揭示實施例及比較例更具體地說明本發明。再者，本發明並不受實施例及比較例任何限定。又，以下之記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等之具體數值可替代為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(作為「以下」、「未達」而定義之數值)或下限值(作為「以上」、「超過」而定義之數值)。
實施例1
(透明基材之準備)
作為透明基材，準備厚度50μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(三菱樹脂公司製造，商品名「DIAFOIL」)。
(第2光學調整層之形成)
對於包含紫外線硬化型丙烯酸系樹脂及氧化鋯(ZnO2)粒子(平均粒徑20nm)之紫外線硬化型樹脂組合物(第2光學組合物)，以固形物成分濃度成為5質量%之方式利用MIBK進行稀釋，而製備紫外線硬化型樹脂組合物之稀釋液。繼而，將稀釋液塗佈於透明基材之上表面，並使其乾燥，將紫外線硬化型樹脂組合物形成為膜形狀。繼而，對紫外線硬化型樹脂組合物照射紫外線而使其硬化。
藉此，於透明基材之整個上表面形成厚度200nm之第2光學調整 層。
(第1光學調整層之形成)
對於包含熱硬化型環氧樹脂100質量份及環氧樹脂用硬化劑1質量份之熱硬化性樹脂組合物(第1光學組合物)，以固形物成分濃度成為0.8質量%之方式利用MIBK將熱硬化性樹脂組合物進行稀釋，而製備熱硬化性樹脂組合物之稀釋液。繼而，將稀釋液塗佈於第2光學調整層之上表面，藉由於195℃下加熱1分鐘，而使稀釋液乾燥，使熱硬化性樹脂組合物硬化。
藉此，於第2光學調整層之整個上表面形成厚度25nm之第1光學調整層。
(脫氣處理)
將包含透明基材、第2光學調整層及第1光學調整層之積層膜安裝於DC磁控濺鍍裝置內，一面使其與經加熱之成膜輥密接並移行，一面捲取。一面使積層膜移行，一面藉由DC磁控濺鍍裝置中所包含之排氣裝置(渦輪分子泵等)將環境之真空度設為1×10-4Pa。
(無機物層之形成)
藉由DC磁控濺鍍法於第1光學調整層之上表面形成包含SiO2(二氧化矽)之厚度2nm之無機物層。
再者，濺鍍條件如下所述。
靶材料：Si
氣體：Ar及O2(O2流量比30%(/Ar及O2之合計流量))
減壓度：0.2Pa
(透明導電層之形成)
於維持真空濺鍍裝置之真空度之狀態下，藉由DC磁控濺鍍法於無機物層之上表面形成包含ITO之厚度26nm之透明導電層。再者，無機物層為非晶質。
再者，濺鍍條件如下所述。
靶材料：氧化錫濃度10質量%之ITO
氣體：Ar及O2(O2流量比：0.1%(/Ar及O2之合計流量))
減壓度：0.4Pa
(結晶化)
繼而，將於透明基材上依序形成有第2光學調整層、第1光學調整層、無機物層、及非晶質之透明導電層之積層膜自DC磁控濺鍍裝置內取出，並於150℃之烘箱內進行加熱處理120分鐘。藉此，使透明導電層結晶化。藉此，製造於透明基材上依序形成有第2光學調整層、第1光學調整層、無機物層、及結晶質之透明導電層之透明導電性膜(參照圖1)。
實施例2
將第2光學調整層之厚度變更為100nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例3
將第2光學調整層之厚度變更為300nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例4
將第1光學調整層之厚度變更為5nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例5
將第1光學調整層之厚度變更為35nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例6
形成包含SiO(一氧化矽)之無機物層，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
即，濺鍍條件變更為如下所述。
靶材料：Si
氣體：Ar及O2(O2流量比15%(/Ar及O2之合計流量))
減壓度：0.2Pa
實施例7
使第1光學調整層中含有中空奈米二氧化矽粒子(平均粒徑45nm)，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
即，以如下方式形成第1光學調整層。
即，將含有中空奈米二氧化矽粒子之丙烯酸酯樹脂(二氧化矽粒子之平均粒徑45nm，二氧化矽奈米粒子之含量80質量%)與MIBK混合，而製備固形物成分濃度為1.5質量%之含有粒子之樹脂混合液。對該含有粒子之樹脂混合液實施5分鐘超音波分散，而使各成分均勻地分散。繼而，使用棒式塗佈機將含有粒子之樹脂混合液塗佈於第2光學調整層之上表面，並於80℃之烘箱中乾燥1分鐘後，進行UV照射(累計光量300mJ)，藉此形成第1光學調整層(厚度25nm，含有粒子之光學調整層)。
實施例8
將無機物層之厚度變更為10nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例9
將無機物層之厚度變更為12nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例10
不形成第2光學調整層，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖3)。
實施例11
將第2光學調整層之厚度變更為90nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
實施例12
將第2光學調整層之厚度變更為350nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
比較例1
不形成無機物層，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜。
即，透明導電性膜僅由透明基材、第2光學調整層、第1光學調整層、及透明導電層所構成。透明導電層係與第1光學調整層之上表面接觸。
比較例2
不形成第2光學調整層，又，將第1光學調整層之厚度變更為3nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖3)。
比較例3
不形成第2光學調整層，又，將第1光學調整層之厚度變更為40nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖3)。
比較例4
將第1光學調整層之厚度變更為3nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
比較例5
將第1光學調整層之厚度變更為40nm，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
比較例6
首先，根據實施例1中之形成第1光學調整層之配方形成第2光學調整層，其後，根據實施例1中之形成第2光學調整層之配方形成第1光學調整層，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜。
比較例7
形成Nb2O5層作為無機物層，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而製造透明導電性膜(參照圖1)。
即，濺鍍條件變更為如下所述。
靶材料：Nb
氣體：Ar及O2(O2流量比30%(/Ar及O2之合計流量))
減壓度：0.2Pa
(厚度之測定)
A.第2光學調整層之厚度(TB)、第1光學調整層之厚度(TC)、及無機物層之厚度(TD)
對於各實施例及各比較例之透明導電性膜，藉由利用穿透式電子顯微鏡(TEM)之剖面觀察而測定第2光學調整層之厚度(TB)、第1光學調整層之厚度(TC)、及無機物層之厚度(TD)之各者。將結果示於表1及表2。
B.透明導電層之厚度(TE)
對於各實施例及各比較例之透明導電性膜，藉由以如下方式測定X射線反射率而算出透明導電層之厚度(TE)。
即，藉由以下方式算出：以X射線反射率法作為測定原理，於以下之測定條件下利用粉末X射線繞射裝置(Rigaku公司製造，「RINT-2000」)測定X射線反射率，並利用解析軟體(Rigaku公司製造，「GXRR3」)對所取得之測定資料進行解析。解析條件係設為以下條件，採用透明基材與密度7.1g/cm3之透明導電層之2層模型，將透明導電層 之厚度(TE)與表面粗糙度設為變數，實施最小平方擬合，而算出透明導電層之厚度。將結果示於表1及表2。
[測定條件]
光源：Cu-Kα射線(波長：1,5418Å)，40kV，40mA
光學系統：平行光束光學系統
發散狹縫：0.05mm
受光狹縫：0.05mm
單色化‧平行化：使用多層Goebel鏡
測定模式：θ/2θ掃描模式
測定範圍(2θ)：0.3~2.0°
[解析條件]
解析方法：最小平方擬合
解析範圍(2θ)：2θ=0.3~2.0°
C.透明基材之厚度TA
關於透明基材之厚度TA，直接採用所準備之透明基材之目錄中所記載之數值。
D.厚度之比
分別算出厚度之比、即TB/TA、TC/TB、TD/TC、TE/TD。將結果示於表1及表2。
(折射率之測定)
對於各實施例及各比較例之透明導電性膜，利用阿貝折射計而測定第2光學調整層之折射率(nB)、第1光學調整層之折射率(nC)、無機物層之折射率(nD)、及透明導電層之折射率(nE)之各者之折射率。
再者，關於透明基材之折射率(nA)，直接採用所準備之透明基材之目錄中所記載之數值。將結果示於表1及表2。
又，分別算出折射率之比、即nB/nA、nC/nA、nD/nC。又，算出 「nC×1.13」值。將結果示於表1及表2。
(耐龜裂性(損傷抑制))
對於各實施例及各比較例之透明導電性膜，藉由以下操作並基於下述基準而評估耐龜裂性(損傷抑制)。
即，將所製作之透明導電膜以6cm×6cm切出，並於所切出之透明導電膜之透明導電層之表面將3條寬度1mm之聚醯亞胺帶以間隔10mm於面內貼附為條紋狀。繼而，使其於該狀態下浸漬於50℃、10質量%之鹽酸(HCl)中，對透明導電層進行蝕刻(參照圖2及圖4)。其後，將聚醯亞胺帶自透明導電性膜剝離，並於150℃下乾燥30分鐘後，使用透明之糊劑貼附於厚度700μm之玻璃板上。具體而言，經由糊劑將透明導電層貼合於玻璃板上。於該狀態下於85℃、85%RH環境下靜止一定時間，其後利用雷射顯微鏡以20倍之倍率觀察透明導電層中是否產生龜裂(損傷)。
基準
○：於85℃、85%RH環境下經過120小時後及經過240小時後之任一情形均未產生龜裂。
△：於85℃、85%RH環境下經過120小時後未產生龜裂，但經過240小時後產生裂痕。
×：於85℃、85%RH環境下經過120小時後及經過240小時後之任一情形均產生龜裂。
(耐擦傷性)
對於各實施例及各比較例之透明導電性膜，藉由以下操作並基於下述基準而評估耐擦傷性。
將於140℃下加熱90分鐘後之透明導電性膜切出5cm×11cm之長方形，於長邊側之兩端部5mm部分塗敷銀漿，並使其自然乾燥48小時。其次，將透明導電性膜之透明基材之下表面貼附於附有黏著劑之 玻璃板上，而獲得擦傷性評估用樣品。繼而，使用10連式筆試驗機(MTM公司製造)，於下述條件下於上述擦傷性評估用樣品之短邊側之中央位置(2.5cm位置)向長邊方向以10cm之長度摩擦上述擦傷性評估用樣品之透明導電層表面。藉由於擦傷性評估用樣品之長邊側之中央位置(5.5cm位置)使測試機與兩端部之銀漿部接觸，測定摩擦前之擦傷性評估用樣品之電阻值(R0)及摩擦後之擦傷性評估用樣品之電阻值(R20)，求出電阻變化率(R20/R0)，藉此評估耐擦傷性。
擦拭布：Anticon Gold(Contec公司製造)
荷重：127g/cm2
擦傷速度：13cm/秒(7.8m/分鐘)
擦傷次數：20次(往返10次)
○：電阻變化率為1.5以下
△：電阻變化率超過1.5且為2.5以下
×：電阻變化率超過2.5
(透明性)
藉由對各實施例及各比較例之透明導電性膜之透過XYZ座標之透過Y進行測定，基於下述基準評估透明性。
具體而言，測定裝置係使用DOT-3C(高速積分球式分光透過率測定器，村上色彩技術研究所公司製造)或其同等機種。使光自透明導電性膜之透明導電層側入射，並自透明基材側獲得透過光譜。繼而，根據光譜算出透過Y值。此時，使用光源係設為JIS Z 8716中所規定之D65光源，且視野角係設為2度。
基準
○：透過Y為88以上。
×：透過Y未達88。
(配線圖案之視認抑制(外觀))
配線圖案視認性係藉由以下操作進行評估。於5cm×10cm之透明導電膜之透明導電層之表面，沿透明導電性膜之短邊方向以間隔2mm將寬度1mm之聚醯亞胺帶貼附為條紋狀，並使其於50℃、10質量%之鹽酸中浸漬5分鐘。藉此，如圖2所示般，將透明導電層形成為具有條紋形狀之圖案部之配線圖案。
其後，將聚醯亞胺帶剝離，並將透明導電層貼附於黑板而製作配線圖案視認性評估用樣品。
其後，觀察配線圖案，基於下述基準而評估視認抑制(外觀)。
基準
○：幾乎未視認到導電層之圖案。
△：幾乎未視認到導電層之圖案，但若搖擺角度則有視認到之情形。
×：容易視認到導電層之圖案。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，並非限定性地進行解釋。該技術領域之從業者明瞭之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。
[產業上之可利用性]
透明導電性膜例如可用於觸控面板。
1‧‧‧透明導電性膜
2‧‧‧透明基材
3‧‧‧第2光學調整層
4‧‧‧第1光學調整層
5‧‧‧無機物層
6‧‧‧透明導電層
TA‧‧‧厚度(透明基材)
TB‧‧‧厚度(第2光學調整層)
TC‧‧‧厚度(第1光學調整層)
TD‧‧‧厚度(無機物層)
TE‧‧‧厚度(透明導電層)

Claims (6)

  1. 一種透明導電性膜，其特徵在於：依序包含透明基材、第1光學調整層、無機物層、及透明導電層，並且上述第1光學調整層具有低於上述透明基材之折射率的折射率，且具有10nm以上且35nm以下之厚度，上述無機物層具有低於上述第1光學調整層之折射率乘以1.13所獲得之值之絕對值或與上述絕對值相同之折射率。
  2. 如請求項1之透明導電性膜，其進而包含配置於上述透明基材與上述第1光學調整層之間之第2光學調整層，上述第2光學調整層具有高於上述透明基材之折射率的折射率。
  3. 如請求項2之透明導電性膜，其中上述第2光學調整層具有100nm以上且300nm以下之厚度。
  4. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述無機物層具有1.5nm以上且10nm以下之厚度。
  5. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述透明導電層之厚度為25nm以上。
  6. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述第1光學調整層僅由樹脂所構成。
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