JPWO2015166723A1 - 透明導電性フィルム - Google Patents

Abstract

透明導電性フィルム１は、透明基材２と、透明基材２の厚み方向一方側に配置され、樹脂層からなる第１光学調整層４と、第１光学調整層４の厚み方向一方側に、第１光学調整層４と接触するように、配置される無機物層５と、無機物層５の厚み方向一方側に配置される透明導電層６とを備える。無機物層５の厚みが、１０ｎｍ以下であり、透明導電層６の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下である。

Description

本発明は、透明導電性フィルム、詳しくは、タッチパネル用フィルムなどに用いられる透明導電性フィルムに関する。

従来から、画像表示装置は、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）などからなる透明配線層が形成されたタッチパネル用フィルムを備えることが知られている。タッチパネル用フィルムは、一般的に、ＩＴＯ層などを透明基材に積層した透明導電性フィルムにおいて、ＩＴＯ層を配線パターンにパターニングすることにより製造される（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１には、透明基材、高屈折率層、低屈折率層および透明配線層を有し、低屈折率層および透明配線層は、それぞれの表面が凹凸面を構成しており、透明配線層が形成されている領域と形成されていない領域との双方において、ヘーズが０．８〜２．０％である透明導電積層体が開示されている。この透明導電積層体では、透明配線層が目立たないように形成されている。

特開２０１３−１０７２１４号公報

近年、画像表示装置の大型化および薄膜化の要求に伴い、透明導電性フィルムの大型化および薄膜化の要求も高まっている。しかるに、透明導電性フィルムのＩＴＯ層を大型化や薄膜化すると、ＩＴＯ層全体または一部の電気抵抗が増加し、その結果、タッチパネルの感度などの諸機能が低下するという不具合が生じる。したがって、ＩＴＯ層の比抵抗の低減（低抵抗化）が求められている。

しかしながら、特許文献１では、ＩＴＯ層の低抵抗化を図ることができない。

本発明の目的は、比抵抗に優れる透明導電性フィルムを提供することにある。

本発明の透明導電性フィルムは、透明基材と、前記透明基材の厚み方向一方側に配置され、樹脂層からなる第１光学調整層と、前記第１光学調整層の厚み方向一方側に、前記第１光学調整層と接触するように、配置される無機物層と、前記無機物層の厚み方向一方側に配置される透明導電層とを備え、前記無機物層の厚みが、１０ｎｍ以下であり、前記透明導電層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下であることを特徴としている。

また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第１光学調整層の厚みが、２００ｎｍ未満であることが好適である。

また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第１光学調整層は、粒子を実質的に含有していないことが好適である。

また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記無機物層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、０．２０ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下であることが好適である。

また、本発明の透明導電性フィルムは、前記透明基材の厚み方向一方側かつ前記第１光学調整層の厚み方向他方側に配置され、前記第１光学調整層の屈折率と異なる第２光学調整層をさらに備えることが好適である。

また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記第１光学調整層の屈折率が、前記第２光学調整層の屈折率よりも低いことが好適である。

また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記透明導電層の厚みが、２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好適である。

また、本発明の透明導電性フィルムでは、前記透明導電層の比抵抗が、１．１×１０^−４Ω・ｃｍ以上２．５×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることが好適である。

本発明の透明導電性フィルムでは、透明基材と、第１光学調整層と、厚みが１０ｎｍ以下である無機物層と、透明導電層とを備え、透明導電層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが１．４０ｎｍ以下であるため、透明導電層の比抵抗が低減しており、比抵抗に優れる。

図１は、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の側断面図を示す。 図２は、本発明の透明導電性フィルムの他の実施形態（第２光学調整層を備えない実施形態）の側断面図を示す。

図１において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向、第１方向）であって、紙面上側が、上側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面下側が、下側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。

透明導電性フィルム１は、所定の厚みを有するフィルム形状（シート形状を含む）をなし、厚み方向と直交する所定方向（面方向）に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。透明導電性フィルム１は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材などの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性フィルム１は、画像表示装置などを作製するための部品であり、ＬＣＤモジュールなどの画像表示素子を含まず、後述する透明基材２と第２光学調整層３と第１光学調整層４と無機物層５と透明導電層６とからなり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

具体的には、図１に示すように、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、第２光学調整層３と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とを備える。

透明基材２は、例えば、透明性を有する高分子フィルムである。高分子フィルムの材料としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの（メタ）アクリル樹脂、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ノルボルネン樹脂などが挙げられる。これら高分子フィルムは、単独使用または２種以上併用することができる。透明性、耐熱性、機械特性などの観点から、好ましくは、ポリエステル樹脂が挙げられる。

透明基材２の厚みは、機械的強度、耐擦傷性、タッチパネル用基材とした際の打点特性などの観点から、例えば、２μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

第２光学調整層３は、例えば、透明基材２の上面（厚み方向一方側の表面）に配置されている。具体的には、第２光学調整層３の下面が、透明基材２の上面に接触している。

第２光学調整層３は、第２樹脂組成物から形成される樹脂層である。

第２樹脂組成物は、例えば、樹脂を含有する。第２樹脂組成物は、好ましくは、樹脂と、粒子とを含有し、さらに好ましくは、樹脂と粒子とからなる。

樹脂としては特に限定されないが、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂（例えば、ポリオレフィン樹脂）などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。

硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線（具体的には、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。

活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素−炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基（メタクリロイル基および／またはアクリロイル基）などが挙げられる。

活性エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、官能基含有（メタ）アクリル樹脂（アクリル樹脂および／またはメタクリル樹脂）などが挙げられる。

これら樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。

樹脂の含有割合は、第２樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。

粒子としては、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。無機粒子としては、例えば、シリカ粒子、例えば、酸化ジルコニウム、酸化チタンなどからなる金属酸化物粒子、例えば、炭酸カルシウムなどの炭酸塩粒子などが挙げられる。有機粒子としては、例えば、架橋アクリル樹脂粒子などが挙げられる。

粒子としては、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、金属酸化物粒子、さらに好ましくは、酸化ジルコニウム粒子（ＺｎＯ_２）が挙げられる。

粒子の平均粒子径は、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下である。

本発明において、粒子の平均粒子径は、ベックマン・コールター社製のコールターマルチサイザーを用いて、コールターカウント法にて測定することができる。

第２光学調整層３の屈折率は、例えば、１．５０以上であり、好ましくは、１．６０以上であり、また、例えば、１．８０以下、好ましくは、１．７５以下である。

本発明において、屈折率は、アッベ屈折率計により測定される。

第２光学調整層３の厚みは、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、３０ｎｍ以上、好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００ｎｍ以下、好ましくは、５００ｎｍ以下である。

第２光学調整層３の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により測定される。

第１光学調整層４は、例えば、第２光学調整層３の上面に配置されている。具体的には、第１光学調整層４の下面が、第２光学調整層３の上面に接触している。

第１光学調整層４は、第１樹脂組成物から形成される樹脂層である。

第１樹脂組成物は、樹脂を含有し、好ましくは、実質的に樹脂からなり、より好ましくは、樹脂からなる。

樹脂としては、例えば、第２樹脂組成物で例示した樹脂から選択される。樹脂として、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、エポキシ樹脂、メラミン樹脂が挙げられ、より好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂としては、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂などが挙げられ、具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型などのビスフェノール型エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型エポキシ樹脂、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート型、ヒダントイン型などの含窒素環型エポキシ樹脂、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロ型エポキシ樹脂、エステル型エポキシ樹脂、これらの変性物または水素添加物などが挙げられる。

また、エポキシ樹脂には、熱硬化型樹脂用などの硬化剤を配合して、エポキシ樹脂および硬化剤をエポキシ樹脂組成物として調製することができる。

硬化剤としては特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂用硬化剤として、アミン系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ジヒドラジド系硬化剤、尿素系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、イミダゾリン系硬化剤などが挙げられる。

硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、例えば、０．５質量部以上、好ましくは、１．０質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、９質量部以下である。

第１樹脂組成物（ひいては、第１光学調整層４）は、好ましくは、粒子を実質的に含有していない。これにより、第１光学調整層４の上面を平滑にできるため、無機物層５および透明導電層６をより一層平滑にでき、透明導電層６の比抵抗をさらに低減することができる。

粒子としては、第２樹脂組成物で上述した粒子と同一のものが挙げられる。

第１樹脂組成物において、粒子を実質的に含有していないとは、第１樹脂組成物の全固形分に対して、粒子の含有割合が、例えば、１質量％未満、好ましくは、０．５質量％未満、より好ましくは、０．１質量％未満、さらに好ましくは、０質量％であることを意味する。

第１光学調整層４の屈折率は、第２光学調整層３の屈折率と異なっている。第１光学調整層４の屈折率と、第２光学調整層３の屈折率との差は、例えば、０．１０以上０．６０以下である。

好ましくは、第１光学調整層４の屈折率は、第２光学調整層３の屈折率よりも低い。すなわち、好ましくは、第２光学調整層３を高屈折率層とし、第１光学調整層４を、高屈折率層の屈折率よりも低い屈折率を備える低屈折率層とする。これにより、透明導電性フィルム１の透明導電層６をパターニングして配線パターンを形成した際に、配線パターンと配線パターン以外の部分とに生じる反射率差や色相差を低減し、配線パターンの視認を抑制することができる。

第１光学調整層４の屈折率は、具体的には、例えば、１．６０未満、好ましくは、１．５５以下であり、また、例えば、１．２０以上、好ましくは、１．３０以上である。

第１光学調整層４の上面の表面粗さは、例えば、１．５ｎｍ以下、好ましくは、１．０ｎｍ以下であり、また、例えば、０．１ｎｍ以上である。

第１光学調整層４の厚みは、例えば、２００ｎｍ未満、好ましくは、１００ｎｍ以下、より好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上である。第１光学調整層４の厚みを上記下限以下とすることにより、第１光学調整層４の上面を平滑にするとともに、第１光学調整層４内部から放出されて透明導電層６に侵入するガスの放出量を低減できる。これにより、透明導電層６の比抵抗をより確実に低減することができる。

第１光学調整層４の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により測定される。

第２光学調整層３の厚みに対する第１光学調整層４の厚みの比（第１光学調整層４／第２光学調整層３）は、配線パターンの視認抑制の観点から、例えば、０．０１以上であり、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、１．５０以下、好ましくは、１．００以下である。

無機物層５は、第１光学調整層４の上面に配置されている。具体的には、無機物層５の下面が、第１光学調整層４の上面に接触している。

無機物層５を構成する無機物としては特に限定されないが、例えば、ＮａＦ、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２などのフッ化アルカリ金属、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２などのフッ化アルカリ土類金属、例えば、ＬａＦ_３、ＣｅＦなどのフッ化希土類、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３などの酸化物などが挙げられる。無機物は、単独使用または２種以上併用することができる。

配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、好ましくは、酸化物が挙げられ、より好ましくは、ＳｉＯ_２が挙げられる。

無機物層５の厚みは、１０ｎｍ以下である。好ましくは、４ｎｍ以下、より好ましくは、３ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、２ｎｍ以上である。

厚みが上記範囲である無機物層５を第１光学調整層４の上面に密着して配置することにより、無機物層５の上面の表面粗さを低減し、無機物層５の上面に配置される透明導電層６の下面および上面を平滑にすることができる。その結果、透明導電層６の比抵抗を低減することができる。

これは、無機物層５を第１光学調整層４に形成する場合、無機物層５を構成する無機物は、まず第１光学調整層４の凹凸の凹部（隙間）を埋めるように配置（形成）されるため、ごく薄い無機物層５では、その上面では平滑となる（表面粗さが小さくなる）ように、無機物が配置されることに起因するものと推察される。一方、上記上限を上回る厚みとなるように無機物層５を形成し続けると、無機物は、やがて、その上面が第１光学調整層４上面の形（凹凸）に沿うように形成され始め、その結果、無機物層５の上面にも凹凸が生じ始めるものと推察される。

無機物層５の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により測定される。

光学調整層（第２光学調整層３および第１光学調整層４）の厚みに対する無機物層５の厚みの比（無機物層５／光学調整層）は、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、０．００１以上であり、好ましくは、０．００５以上であり、また、例えば、０．３０以下、好ましくは、０．２５以下である。

第１光学調整層４の厚みに対する無機物層５の厚みの比（無機物層５／第１光学調整層４）は、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、０．０２以上であり、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、２．００以下、好ましくは、１．００以下である。

無機物層５の上面の表面粗さは、例えば、０．７０ｎｍ以下、好ましくは、０．６０ｎｍ以下、より好ましくは、０．５０ｎｍ以下であり、また、例えば、０．２０ｎｍ以上である。無機物層５の上面の表面粗さを上記上限以下とすることにより、透明導電層６をより一層平滑にでき、透明導電層６の比抵抗を低減することができる。一方、無機物層５の表面粗さを上記下限以上とすることにより、加熱または加湿加熱処理時に発生する透明導電層６のクラックを抑制することができる。

本発明において、表面粗さは、原子間力顕微鏡により測定される。

透明導電層６は、無機物層５の上面に配置される。具体的には、透明導電層６の下面が、無機物層５の上面に接触している。

透明導電層６の材料としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む金属酸化物が挙げられる。金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子をドープしていてもよい。

透明導電層６の材料は、好ましくは、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）などが挙げられ、より好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。

透明導電層６の材料としてＩＴＯを用いる場合、酸化スズ（ＳｎＯ２）含有量は、酸化スズおよび酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）の合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下である。酸化スズの含有量を上記下限以上とすることにより、ＩＴＯ層の耐久性をより一層良好にすることができる。酸化スズの含有量を上記上限以下とすることにより、ＩＴＯ層の結晶転化を容易にし、透明性や比抵抗の安定性を向上させることができる。

本明細書中における「ＩＴＯ」とは、少なくともインジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）とを含む複合酸化物であればよく、これら以外の追加成分を含んでもよい。追加成分としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ以外の金属元素が挙げられ、具体的には、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｗ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｇａなどが挙げられる。

透明導電層６の厚みは、例えば、１５ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上、より好ましくは、２５ｎｍ以上であり、また、例えば、５０ｎｍ以下、好ましくは、４０ｎｍ以下、より好ましくは、３５ｎｍ以下である。透明導電層６の厚みを上記下限以上とすることにより、加熱処理する際にＩＴＯ層などの透明導電層６をより均一に結晶転化することができる。一方、透明導電層６の厚みを上記上限以下とすることにより、透明導電層６上面の表面粗さ上昇による比抵抗の増大を抑えることができ、また、室温でのＩＴＯ層などの透明導電層６の自然結晶化を抑制することができる。

透明導電層６の厚みは、例えば、粉末Ｘ線回折装置にてＸ線反射率を測定することにより算出される。

無機物層５の厚みに対する透明導電層６の厚みの比（透明導電層６／無機物層５）は、配線パターンの視認抑制、低抵抗の観点から、例えば、２．０以上であり、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、３０以下、好ましくは、１０以下、より好ましくは、９以下である。

透明導電層６は、結晶質および非晶質のいずれであってもよく、また、結晶質および非晶質の混合体であってもよい。透明導電層６は、好ましくは、結晶質からなり、より具体的には、結晶質ＩＴＯ層である。これにより、透明導電層６の透明性を向上させ、また、透明導電層６の比抵抗をより一層低減させることができる。

透明導電層６の上面の表面粗さは、１．４０ｎｍ以下である。好ましくは、０．９０ｎｍ以下、より好ましくは、０．７０ｎｍ以下、さらに好ましくは、０．４０ｎｍ未満である。透明導電層６の表面粗さが上記上限を上回ると、透明導電層６の上面の凹凸が大きくなるため、透明導電層６の比抵抗が増大する。

なお、透明基材２の下面（厚み方向他方側の表面）には、必要に応じて、ハードコート層、ブロッキング防止層、易接着層、接着剤層、セパレータなどが設けられていてもよい。

次いで、透明導電性フィルム１を製造する方法を説明する。

透明導電性フィルム１を製造するには、例えば、透明基材２の上に、第２光学調整層３、第１光学調整層４、無機物層５および透明導電層６を順に設ける。以下、詳述する。

まず、公知または市販の透明基材２を用意する。

その後、必要に応じて、透明基材２および第２光学調整層３の密着性の観点から、透明基材２の表面に、例えば、スパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を実施することができる。また、溶剤洗浄、超音波洗浄などにより透明基材２を除塵、清浄化することができる。

次いで、透明基材２に第２樹脂組成物を湿式塗工することにより、透明基材２の上面に第２光学調整層３を形成する。

具体的には、第２樹脂組成物を溶媒で希釈した第２希釈液を調製し、続いて、第２希釈液を透明基材２の上面に塗布して、第２希釈液を乾燥する。

溶媒としては特に限定されないが、例えば、有機溶媒、水系溶媒（具体的には、水）などが挙げられ、好ましくは、有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール化合物、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）などのケトン化合物、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル化合物、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族化合物などが挙げられる。好ましくは、ケトン化合物が挙げられる。溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。

希釈液における固形分濃度は、例えば、０．５質量％以上５．０質量％以下である。

塗布方法としては、例えば、ファンテンコート法、ダイコート法、スピンコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、バーコート法などが挙げられる。

乾燥温度としては、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、例えば、２５０℃以下、好ましくは、２００℃以下である。

乾燥時間としては、例えば、１．０分以上、好ましくは、２．０分以上であり、例えば、１．０時間以下、好ましくは、０．５時間以下である。

上記した塗布および乾燥により、透明基材２の上面に、第２樹脂組成物をフィルム状に形成する。

その後、第２樹脂組成物の樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合は、第２希釈液の乾燥後に、活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギー線硬化性樹脂を硬化させる。

なお、第２樹脂組成物の樹脂として、熱硬化性樹脂を含有する場合は、この乾燥工程により、溶媒の乾燥とともに、熱硬化性樹脂を熱硬化することができる。

次いで、第２光学調整層３に第１樹脂組成物を例えば湿式塗工することにより、第２光学調整層３の上面に第１光学調整層４を形成する。

具体的には、第１樹脂組成物を溶媒で希釈した第１希釈液を調製し、続いて、第１希釈液を第２光学調整層３の上面に塗布して、第１希釈液を乾燥する。

溶媒、希釈方法、塗布方法および乾燥方法としては、第２樹脂組成物の第２希釈液で例示した溶媒、塗布方法などと同一のものが挙げられる。

なお、第１樹脂組成物の樹脂として、熱硬化性樹脂を含有する場合は、この乾燥工程により、溶媒の乾燥とともに、熱硬化性樹脂を熱硬化することができる。

一方、第１樹脂組成物の樹脂が活性エネルギー線硬化性樹脂を含有する場合は、第１希釈液の乾燥後に、活性エネルギー線を照射することにより、活性エネルギー線硬化性樹脂を硬化することができる。

次いで、第１光学調整層４の上面に、無機物層５を乾式方法により形成する。

乾式方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。具体的には、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。この方法により無機物層５を形成することにより、高密度の無機物層５を形成できる。そのため、高分子フィルムなどの透明基材２から放出される水、有機ガスなどの不純物ガスが透明導電層６に侵入することを抑制でき、透明導電層６の比抵抗を低減することができる。

スパッタリング法を採用する場合、ターゲット材としては、無機物層５を構成する上述の無機物が挙げられ、好ましくは、Ｓｉが挙げられる。

スパッタガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。

また、無機物層５が酸化物を含有する場合は、必要に応じて、酸素ガスなどの反応性ガスを併用することができる。反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの流量比は特に限定しないが、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、０．１流量％以上４０流量％以下である。

スパッタ時の放電気圧は、スパッタリングレートの低下抑制、放電安定性などの観点から、例えば、１Ｐａ以下であり、好ましくは、０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下である。

スパッタリング法に用いる電源は、例えば、ＤＣ電源およびＲＦ電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。

ターゲット材表面の水平磁場の強度は、成膜速度、無機物層に対する不活性ガス（Ａｒ原子など）の取り込み抑制などの観点から、例えば、２０ｍＴ以上、好ましくは、５０ｍＴ以上、さらに好ましくは、７０ｍＴ以上である。

なお、無機物層５の形成前に、脱ガス処理を実施してもよい。これにより、高分子フィルムなどの透明基材２から放出される不純物ガスを除去することができる。

脱ガス処理としては、例えば、真空下に、第２光学調整層３および第１光学調整層４が形成された透明基材２を放置する。真空時の圧力としては、例えば、１×１０^−１Ｐａ以下、好ましくは、１×１０^−３Ｐａ以下である。

次いで、無機物層５の上面に、透明導電層６を形成する。

透明導電層６の形成としては、上述した乾式方法が挙げられ、好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。透明導電層６の形成では、特に好ましくは、マグネトロンスパッタリング法が挙げられる。

スパッタリング法を採用する場合、ターゲット材としては、透明導電層６を構成する上述の金属酸化物が挙げられ、好ましくは、ＩＴＯが挙げられる。ＩＴＯの酸化スズ濃度は、ＩＴＯ層の耐久性、結晶化などの観点から、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、３質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１３質量％以下である。

スパッタガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。また、必要に応じて、酸素ガスなどの反応性ガスを併用することができる。反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの流量比は特に限定しないが、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、０．１流量％以上５流量％以下である。

スパッタ時の放電気圧は、スパッタリングレートの低下抑制、放電安定性などの観点から、例えば、１Ｐａ以下であり、好ましくは、０．１Ｐａ以上０．７Ｐａ以下である。

スパッタリング法に用いる電源は、例えば、ＤＣ電源およびＲＦ電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。

ターゲット材表面の水平磁場の強度は、成膜速度、透明導電層に対する不活性ガス（Ａｒ原子など）の取り込み抑制などの観点から、例えば、２０ｍＴ以上、好ましくは、５０ｍＴ以上、さらに好ましくは、７０ｍＴ以上である。

これにより、透明導電性フィルム１が得られる。

次いで、必要に応じて、透明導電性フィルム１の透明導電層６に対して、結晶転化処理を実施する。

具体的には、透明導電性フィルム１に大気下で加熱処理を実施する。

加熱処理は、例えば、赤外線ヒーター、オーブンなどを用いて実施することができる。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１６０℃以下である。加熱温度を上記範囲内とすることにより、透明基材２の熱損傷および透明基材２から発生する不純物を抑制しつつ、結晶転化を確実にすることができる。

加熱時間は、加熱温度に応じて適宜決定されるが、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。

これにより、結晶化された透明導電層６を備える透明導電性フィルム１が得られる。

このようにして得られる透明導電性フィルム１おける透明導電層６の比抵抗は、例えば、１．１×１０^−４Ω・ｃｍ以上、好ましくは、１．２×１０^−４Ω・ｃｍ以上であり、また、例えば、２．５×１０^−４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、２．０×１０^−４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは、１．８×１０^−４Ω・ｃｍ以下である。

比抵抗は、透明導電層６の表面抵抗を四端子法により測定し、その測定した表面抵抗および透明導電層６の厚みから算出される。

透明導電性フィルム１の総厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

なお、必要に応じて、結晶転化処理の前または後に、公知のエッチングによって透明導電層６をストライプ状などの配線パターンに形成してもよい。

また、上記製造方法では、ロールトゥロール方式にて、透明基材２を搬送させながら、その透明基材２の上面に、第２光学調整層３、第１光学調整層４、無機物層５および透明導電層６を順に形成してもよく、また、これらの層の一部または全部をバッチ方式にて形成してもよい。

そして、この透明導電性フィルム１は、透明基材２、第２光学調整層３と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とをこの順で備えている。そのため、透明基材２から発生される不純物ガス（例えば、結晶転化時に発生）を透明導電層６に到達・侵入することを抑制できる。

また、無機物層５の厚みが１０ｎｍ以下であるため、第１光学調整層４に生じている凹凸を平滑にして、無機物層５の上面ひいては透明導電層６の下面の表面粗さを低減している。

さらには、透明導電層６の上面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下である。

これらにより、この透明導電性フィルム１では、透明導電層６の比抵抗が低減されている。よって、この透明導電性フィルム１によれば、大型化や薄膜化した場合でもあっても、良好な導電特性を備えることができるため、大型や薄型タッチパネル用基材として用いても、タッチパネルの感度などの諸機能の低下を抑制することができる。

この透明導電性フィルム１は、種々の用途に用いることができるが、特にタッチパネル用基材に好適に用いられる。タッチパネルの形式としては、光学方式、超音波方式、静電容量方式、抵抗膜方式などの各種方式が挙げられ、特に静電容量方式のタッチパネルに好適に用いられる。

（変形例）
図１の実施形態では、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、第２光学調整層３と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とを備えているが、例えば、図２に示すように、透明導電性フィルム１は、透明基材２と、第１光学調整層４と、無機物層５と、透明導電層６とから構成することもできる。

すなわち、図２の透明導電性フィルム１では、透明基材２と、透明基材２の上に配置される第１光学調整層４と、第１光学調整層４の上に配置される無機物層５と、無機物層５の上に配置される透明導電層６とを備えており、第２光学調整層３を備えていない。

また、図１の実施形態において、第１光学調整層４を第２光学調整層３の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、第１光学調整層４を第２光学調整層３の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。

また、図１の実施形態において、第２光学調整層３を透明基材２の上面に接触させているが、これに限定されない。例えば、図示しないが、第２光学調整層３を透明基材２の上面に接触させず、それらの間に他の層を介在させることもできる。

本発明では、配線パターンの視認抑制などの観点から、好ましくは、図１の透明導電性フィルム１が挙げられる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

実施例１
（透明基材）
透明基材として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱樹脂社製、商品名「ダイアホイル」、厚み５０μｍ）を用いた。

（第２光学調整層の形成）
紫外線硬化型アクリル樹脂と、酸化ジルコニウム（ＺｎＯ_２）粒子（平均粒径２０ｎｍ）とからなる紫外線硬化型樹脂組成物（第２樹脂組成物）を、固形分濃度が５質量％になるようにメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で希釈して、紫外線硬化型樹脂組成物の第２希釈液を調製した。次いで、第２希釈液を、ＰＥＴフィルムの上面に塗布し、乾燥させて、紫外線硬化型樹脂組成物をフィルム状に形成した。次いで、紫外線硬化型樹脂組成物に紫外線を照射して硬化させた。これにより、厚み２００ｎｍの第２光学調整層をＰＥＴフィルムの上面に形成した。

（第１光学調整層の形成）
熱硬化型エポキシ樹脂１００質量部と熱硬化型樹脂用硬化剤（エポキシ樹脂用硬化剤）１質量部とからなる熱硬化性樹脂組成物（第1樹脂組成物）を、固形分濃度が０．８質量％となるように、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で熱硬化性樹脂組成物を希釈して、熱硬化性樹脂組成物の第１希釈液を調製した。次いで、第１希釈液を第１光学調整層の上面に塗布し、１９５℃で１分間、加熱乾燥および硬化させた。これにより、厚み２５ｎｍの第１光学調整層を第２光学調整層の上面に形成した。

これにより、第１光学調整層と第２光学調整層とＰＥＴフィルムとを備える光学調整層形成ＰＥＴフィルムを得た。

（脱ガス処理）
上記で得られた光学調整層形成ＰＥＴフィルムを真空スパッタ装置へ装着し、加熱した成膜ロールに密着および走行させながら巻き取った。フィルムを走行させながら、クライオコイルとターボ分子ポンプとを備えた排気システムにより、雰囲気の真空度を１×１０^−４Ｐａとした。

（無機物層の形成）
真空を維持したまま、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、脱ガス処理した光学調整層形成ＰＥＴフィルムの第１光学調整層の上面に、無機物層としてＳｉＯ_２層を形成した。スパッタリング法では、Ｓｉをターゲット材として用い、ＡｒおよびＯ_２（Ｏ_２流量比３０％）を導入した減圧雰囲気（０．２Ｐａ）に設定し、水平磁場を１００ｍＴに調整した。形成されたＳｉＯ_２層は、厚みが１ｎｍであった。

（ＩＴＯ層の形成）
真空を維持したまま、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、上記で得られたフィルム（ＳｉＯ_２層／第１光学調整層／第２光学調整層／ＰＥＴフィルム）のＳｉＯ_２層の上面に、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）層を形成した。スパッタリング法では、酸化スズ濃度１０質量％のＩＴＯをターゲット材として用い、ＡｒおよびＯ_２（Ｏ_２流量比０．５％）を導入した減圧雰囲気（０．４Ｐａ）に設定し、水平磁場を１００ｍＴに調整した。形成されたＩＴＯ層は、非晶質であり、厚みが２６ｎｍであった。

（結晶転化処理）
次いで、上記で得られた非晶質ＩＴＯ層が形成されたフィルムを、スパッタ装置内から取り出して、１５０℃のオーブン内で１２０分加熱処理した。これにより、透明導電層として結晶質ＩＴＯ層（厚み２６ｎｍ）が形成された実施例１の透明導電性フィルムを製造した（図１参照）。

実施例２
無機物層（ＳｉＯ_２層）の厚みを２ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

実施例３
無機物層（ＳｉＯ_２層）の厚みを３ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

実施例４
無機物層（ＳｉＯ_２層）の厚みを４ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

実施例５
無機物層（ＳｉＯ_２層）の厚みを６ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

実施例６
無機物層（ＳｉＯ_２層）の厚みを９ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

実施例７
第２光学調整層を形成しなかった以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

実施例８
第１光学調整層の厚みを１００ｎｍとした以外は、実施例７と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

比較例１
無機物層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

比較例２〜４
無機物層の厚みを、それぞれ、１１ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

比較例５
第１光学調整層を以下に記載するように形成した以外は、比較例１と同様にして透明導電性フィルムを得た。

中空ナノシリカ粒子含有アクリレート樹脂（シリカの平均粒子径４５ｎｍ、シリカ含有量８０質量％）とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）とを混合して、固形分濃度が１．５質量％である粒子含有樹脂混合液を調製した。この粒子含有樹脂混合液に対して５分間超音波分散を実施し、各成分を均一に分散させた。この分散させた粒子含有樹脂混合液を、第２光学調整層の上面にバーコーターを用いて塗工し、８０℃のオーブンで１分間乾燥した後、ＵＶ照射（積算光量３００ｍＪ）することにより、第１光学調整層（厚み２５ｎｍ、粒子含有光学調整層）を形成した。

比較例６
第１光学調整層を、上記比較例５に記載の第１光学調整層（厚み２５ｎｍ、粒子含有光学調整層）とした以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

比較例７
ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、第２光学調整層として、厚み２０ｎｍのＮｂ_２Ｏ_５層を形成し、第１光学調整層として、厚み２５ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３層を形成した以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

（無機物層、第１光学調整層および第２光学調整層の厚さ）
透明導電性フィルムの断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定することにより、無機物層、第１光学調整層および第２光学調整層の厚さを測定した。

（第１光学調整層および第２光学調整層の屈折率）
第１光学調整層および第２光学調整層を形成した後に、それぞれ、アタゴ社製のアッベ屈折率計を用い、２５．０℃の条件下、測定面に対して測定光（波長：５８９．３ｎｍ）を入射させるようにして、屈折計に示される規定の測定方法により測定を実施した。結果を表１に示す。

（透明導電層の厚みの測定）
透明導電層（ＩＴＯ層）の厚みは、Ｘ線反射率法を測定原理とし、以下の測定条件にて粉末Ｘ線回折装置（リガク社製、「ＲＩＮＴ−２０００」）にてＸ線反射率を測定し、取得した測定データを解析ソフト（リガク社製、「ＧＸＲＲ３」）で解析することで算出した。解析条件は以下の条件とし、ＰＥＴフィルムと密度７．１ｇ／ｃｍ^３のＩＴＯ層との２層モデルを採用し、ＩＴＯ層の厚みと表面粗さを変数として、最小自乗フィッティングを実施し、透明導電層の厚みを解析した。結果を表１に示す。

［測定条件］
光源： Ｃｕ−Ｋα線（波長：１，５４１８Å）、４０ｋＶ、４０ｍＡ
光学系： 平行ビーム光学系
発散スリット： ０．０５ｍｍ
受光スリット： ０．０５ｍｍ
単色化・平行化： 多層ゲーベルミラー使用
測定モード： θ／２θスキャンモード
測定範囲（２θ）： ０．３〜２．０°
［解析条件］
解析手法： 最小自乗フィッティング
解析範囲（２θ）： ２θ＝０．３〜２．０°
（表面粗さの測定）
第１光学調整層、透明導電層および無機物層の表面粗さ（ｎｍ）は、原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、「Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ ３１００」、以下ＡＦＭとする。）を用い、常温下でＴａｐｐｉｎｇ ＡＦＭモードにおける形状像を１μｍ平方で測定した。そのとき得られた形状像から装置付属のソフトのオフラインモードで自動計算される面内の算術平均粗さＲａを求めた。結果を表１に示す。

（比抵抗の測定）
透明導電層の表面抵抗（Ω／□）を、ＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４年）に準じて四端子法により測定した。この測定により得られた表面抵抗、および、上記で算出した透明導電層の厚みから、透明導電層の比抵抗を算出した。結果を表１に示す。

なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記特許請求の範囲に含まれる。

本発明の透明導電性フィルムは、各種産業製品に用いることができ、例えば、画像表示装置に組み込まれるタッチパネル用フィルムなどに好適に用いられる。

１ 透明導電性フィルム
２ 透明基材
３ 第２光学調整層
４ 第１光学調整層
５ 無機物層
６ 透明導電層

以下に実施例、参考例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例、参考例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

参考例７
第２光学調整層を形成しなかった以外は、実施例３と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

参考例８
第１光学調整層の厚みを１００ｎｍとした以外は、参考例７と同様にして透明導電性フィルムを製造した。

なお、上記発明は、本発明の例示の実施形態として提供したが、これは単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。当該技術分野の当業者によって明らかな本発明の変形例は、後記特許請求の範囲に含まれる。

Claims (8)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の厚み方向一方側に配置され、樹脂層からなる第１光学調整層と、
   前記第１光学調整層の厚み方向一方側に、前記第１光学調整層と接触するように、配置される無機物層と、
   前記無機物層の厚み方向一方側に配置される透明導電層と
   を備え、
   前記無機物層の厚みが、１０ｎｍ以下であり、
   前記透明導電層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、１．４０ｎｍ以下であることを特徴とする、透明導電性フィルム。
2. 前記第１光学調整層の厚みが、２００ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
3. 前記第１光学調整層は、粒子を実質的に含有していないことを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
4. 前記無機物層の厚み方向一方側の表面の表面粗さが、０．２０ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
5. 前記透明基材の厚み方向一方側かつ前記第１光学調整層の厚み方向他方側に配置され、前記第１光学調整層の屈折率と異なる第２光学調整層をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
6. 前記第１光学調整層の屈折率が、前記第２光学調整層の屈折率よりも低いことを特徴とする、請求項５に記載の透明導電性フィルム。
7. 前記透明導電層の厚みが、２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。
8. 前記透明導電層の比抵抗が、１．１×１０^−４Ω・ｃｍ以上２．５×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電性フィルム。

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