JP6066154B2 - 透明導電性フィルムの製造方法 - Google Patents
透明導電性フィルムの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6066154B2 JP6066154B2 JP2015555884A JP2015555884A JP6066154B2 JP 6066154 B2 JP6066154 B2 JP 6066154B2 JP 2015555884 A JP2015555884 A JP 2015555884A JP 2015555884 A JP2015555884 A JP 2015555884A JP 6066154 B2 JP6066154 B2 JP 6066154B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- layer
- conductive layer
- indium
- tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 33
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 18
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 216
- 239000010408 film Substances 0.000 description 112
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 72
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 26
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/42—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
- H01B3/421—Polyesters
- H01B3/426—Polycarbonates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/42—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes polyesters; polyethers; polyacetals
- H01B3/427—Polyethers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
特許文献1:特開2012−134085号公報
フィルム基材2は、取り扱い性に必要な強度を有し、かつ可視光領域において透明性を有する高分子フィルムである。高分子フィルムとしては、透明性、耐熱性、表面平滑性に優れたフィルムが好ましく用いられ、例えば、その材料として、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート、などの単一成分の高分子または他の成分との共重合高分子等が挙げられる。中でも、透明性、機械特性に優れることからポリエチレンテレフタレート(PET)やポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリシクロオレフィン、ポリカーボネート等が特に好適である。また、高分子フィルムは強度の観点から延伸処理が行われていることが好ましく、二軸延伸処理されていることがより好ましい。延伸処理としては特に限定されず、公知の延伸処理を採用することができる。基材の厚みは、特に限定されないものの、2μm〜200μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜150μmの範囲内であることがより好ましく、20μm〜150μmの範囲内であることがさらに好ましい。フィルムの厚みが2μm未満であると、機械的強度が不足し、フィルムをロール状にして非晶質透明導電層を連続的に成膜する操作が困難になる場合がある。一方、フィルムの厚みが200μmを超えると、結晶質透明導電層の耐擦傷性やタッチパネルを形成した場合の打点特性等の向上が図れない場合がある。
上記結晶質透明導電層は、フィルム基材上に形成された非晶質透明導電層を所定条件で加熱による結晶転化処理することにより得られる。これら結晶質透明導電層は、所定の透明導電体からなり、透明導電体を形成する材料は、特に限定されず、In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、Wからなる群より選択される少なくとも1種の金属の金属酸化物が好適に用いられる。当該金属酸化物には、必要に応じて、さらに上記群に示された金属原子を含んでいてもよい。例えばインジウム−スズ複合酸化物(ITO)、アンチモン−スズ複合酸化物(ATO)などが好ましく用いられ、ITOが特に好ましく用いられる。
また、フィルム基材2と結晶質透明導電層3との間には、誘電体層やハードコート層等のアンダーコート層が形成されていてもよい。このうちフィルム基材2の結晶質透明導電層形成面側の表面に形成される誘電体層は、導電層としての機能を有さないものであり、表面抵抗値が、例えば1×106Ω/□以上(単位:ohms per square)であり、好ましくは1×107Ω/□以上、さらに好ましくは1×108Ω/□以上である。なお、誘電体層の表面抵抗値の上限は特にない。一般的には、誘電体層の表面抵抗値の上限は測定限界である1×1013Ω/□程度であるが、1×1013Ω/□を超えるものであってもよい。
前記有機物もしくは前記無機物と前記有機物の混合物からなる有機系誘電体層は、ウェット成膜法(例えば、グラビア塗工法)によりフィルム基材上に形成することが好ましい。ウェットコートすることにより、フィルム基材の表面粗さを小さくすることができ、比抵抗の低減に寄与することができる。有機系誘電体層の厚みは、好適な範囲で適宜設定できるが、15nm〜1500nmが好ましく、20nm〜1000nmがより好ましく、20nm〜800nmが最も好ましい。上記範囲に設定することで表面粗さを十分抑制することができる。また、屈折率が0.01以上異なる2種以上の前記有機物もしくは前記無機物と前記有機物の混合物を複数積層した有機系誘電体層であっても良い。
前記無機物からなる無機誘電体層は、真空成膜法(例えば、スパッタリング法や真空蒸着法)によりフィルム基材2上に形成することが好ましい。真空成膜法で、密度の高い無機誘電体層を形成することで、スパッタリングで非晶質透明導電層3を形成する際、高分子フィルム基材から放出される水や有機ガス等の不純物ガスを抑制することができる。その結果、非晶質透明導電層内に取り込まれる不純物ガス量を低減することができ、結晶転化後の比抵抗の抑制に寄与することができる。無機誘電体層の厚みは、2.5nm〜100nmが好ましく、3nm〜50nmがより好ましく、4nm〜30nmが最も好ましい。上記範囲に設定することで不純物ガスの放出を十分に抑制することができる。また、屈折率が0.01以上異なる2種以上の無機物を複数積層した無機誘電体層であっても良い。
スパッタリング直後(as-deposited)かつ結晶転化処理前の非晶質透明導電層のキャリア密度をna、同非晶質透明導電層のホール移動度をμaとしたとき、キャリア密度na×1019は(10〜60)×1019/cm3、ホール移動度μaは10〜25cm2/V・sである。また、非晶質透明導電層の厚さは、15nm〜40nmであり、非晶質透明導電層の比抵抗は、4.0×10−4Ω・cm〜2.0×10−3Ω・cmである。
加熱による結晶転化処理後の結晶質透明導電層のキャリア密度をnc、ホール移動度をμcとしたとき、キャリア密度nc×1019は(80〜150)×1019/cm3、ホール移動度μcは20〜40cm2/V・sである。また、この結晶質透明導電層の比抵抗は、1.1×10−4Ω・cm〜3.0×10−4Ω・cmである。
また本発明では、上記非晶質透明導電層のキャリア密度na×1019、ホール移動度μa、上記結晶質透明導電層のキャリア密度nc×1019、ホール移動度μcで表される式L={(nc−na)2+(μc−μa)2}1/2の左辺Lを透明導電層の移動距離と定義する。この移動距離Lは50〜150であり、好ましくは65〜150である。この移動距離Lが50より小さいと、低抵抗化が十分でない。また、移動距離Lが150を超えるには、180℃以上の高温での結晶転化処理、あるいは120分以上の長時間の結晶転化処理が必要であり、高分子フィルム基材で達成することは困難である。
次に、上記のように構成される透明導電性フィルムの製造方法を説明する。なお、以下に説明する製造方法は例示であり、本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、これに限られるものではない。
スパッタリング時にDC電源にRF(高周波)を重畳することより、発生するプラズマ密度が上昇し、プラズマ密度の上昇に伴って、スパッタ粒子(アルゴンなど)のイオン化効率が上昇する。そしてイオン化効率を高くすることにより、低電圧・高電流の条件で透明導電膜の成膜を実現することができる。
さらに、成膜するフィルム基材に対して平行な方向に磁場を高くすると、より多くの電子がターゲット近傍に捕獲されるようになり、イオン化効率がより向上し、より低電圧・高電流のスパッタを実現することが可能となる。
[実施例1]
厚み50μmのPETフィルム(三菱樹脂製、商品名「ダイアホイル」)からなる基材の一方の面側に、厚み35nmの熱硬化樹脂(有機系誘電体層)を形成したフィルム基材を、真空スパッタ装置に設置し、真空度が1×10−4Pa以下となるよう十分に真空排気した。次いで、DCマグネトロンスパッタリング法を用いて、有機系誘電体層の上に厚さ5nmのAl2O3からなる無機誘電体層を形成した。その後、Ar及びO2(流量比はAr:O2=99.9:0.1)を導入した真空雰囲気下(0.40Pa)で、10重量%の酸化スズと90重量%の酸化インジウムとの焼結体をターゲットとして用いて、水平磁場を100mTとするRF重畳DCマグネトロンスパッタリング法(放電電圧150V、RF周波数13.56MHz、DC電力に対するRF電力の比(RF電力/DC電力)は0.8)により、厚み20nmのインジウム−スズ複合酸化物層からなる非晶質透明導電層を形成した。この非晶質透明導電層上に、Ar及びO2(流量比はAr:O2=99.9:0.1)を導入した真空雰囲気下(0.40Pa)で、3重量%の酸化スズと97重量%の酸化インジウムとの焼結体をターゲットとして用いて、水平磁場を100mTとするRF重畳DCマグネトロンスパッタリング法(放電電圧150V、RF周波数13.56MHz、DC電力に対するRF電力の比(RF電力/DC電力)は0.8)により、厚み5nmのインジウム−スズ複合酸化物層からなる非晶質透明導電層を形成した。作成した透明導電性フィルムは、150℃温風オーブンで加熱し、結晶転化処理を行った。
[実施例2]
実施例1において、10重量%の酸化スズと90重量%の酸化インジウムとの焼結体をターゲットとして用いて厚み25nmの単層の非晶質透明導電層を形成したこと以外は、実施例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[実施例3]
実施例2において、有機系誘電体層を形成していない基材を用いた事以外は、実施例2と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[実施例4]
実施例3において、無機誘電体層を形成していない基材を用いた事以外は、実施例3と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[実施例5]
実施例4において、スパッタリング時のDC電力に対するRF電力の比(RF電力/DC電力)を0.4にした事以外は実施例4と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[実施例6]
実施例5において、PETフィルム基材の一方の面側に厚み35nmの有機系誘電体層を形成したフィルム基材を用い、スパッタリング時のDC電力に対するRF電力の比(RF電力/DC電力)を0、即ちRFを重畳しないで非晶質透明導電層を形成した事以外は実施例5と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[実施例7]
実施例6において、10重量%の酸化スズと90重量%の酸化インジウムとの焼結体をターゲットとして用いて厚み20nmの非晶質透明導電層を形成し、この上に3重量%の酸化スズと97重量%の酸化インジウムとの焼結体をターゲットとして用いて厚み5nmの非晶質透明導電層を形成した事以外は、実施例5と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[比較例1]
実施例6において、水平磁場が30mTの通常磁場のDCマグネトロンスパッタ装置を用い、スパッタリング時の放電電圧を430Vに変えた事以外は、実施例6と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[比較例2]
実施例7において、水平磁場が30mTの通常磁場のDCマグネトロンスパッタ装置を用い、スパッタリング時の放電電圧を430Vに変えた事以外は、実施例7と同様にして透明導電性フィルムを得た。
[比較例3]
比較例1において、スズ酸化物の割合が3wt%のインジウム―スズ複合酸化物ターゲット(住友金属鉱山社製)に変更した事以外は、比較例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。
高分子フィルム基材上にITO層が形成された透明積層体を、150℃の熱風オーブンで加熱して結晶転化処理を行い、濃度5wt%の塩酸に15分間浸漬した後、水洗・乾燥し、15mm間の端子間抵抗をテスタにて測定した。本明細書においては、塩酸への浸漬・水洗・乾燥後に、15mm間の端子間抵抗が10kΩを超えない場合、ITO層の結晶転化が完了したものとした。また、加熱時間60分ごとに上記測定を実施し、結晶転化完了が確認できた時間を結晶転化時間として評価した。
(2)ITO層の厚み(膜厚)の評価
ITO層の厚みは、X線反射率法を測定原理とし、以下の測定条件にて粉末X線回折装置(リガク社製、「RINT−2000」)にてX線反射率を測定し、取得した測定データを解析ソフト(リガク社製、「GXRR3」)で解析することで算出した。解析条件は以下の条件とし、フィルム基材と密度7.1g/cm3のITO層の2層モデルを採用し、ITO層の厚みと表面粗さを変数として、最小自乗フィッティングを行い、ITO層の厚みを解析した。
(測定条件)
光源: Cu−Kα線(波長:1,5418Å)、40kV、40mA
光学系: 平行ビーム光学系
発散スリット: 0.05mm
受光スリット: 0.05mm
単色化・平行化: 多層ゲーベルミラー使用
測定モード:θ/2θスキャンモード
測定範囲(2θ):0.3〜2.0°
(解析条件)
解析手法: 最小自乗フィッティング
解析範囲(2θ): 2θ=0.3〜2.0°
(キャリア密度、ホール移動度の測定方法)
ホール効果測定システム(バイオラッド製、商品名「HL5500PC」)を用いて測定を行った。キャリア密度は、上記方法で求めたITO層の厚みを用いて算出した。
(移動距離の算出)
算出されたスパッタ処理後アニール処理前のキャリア密度とホール移動度、およびアニール処理後のキャリア密度とホール移動度から、上述した式を用いて移動距離Lを算出した。
2 基板
2a 主面
3 透明導電層
4 透明導電性フィルム
5 透明導電層
Claims (11)
- 高分子フィルム基材を準備する工程と、
前記高分子フィルム基材上に、インジウム−スズ複合酸化物からなる非晶質透明導電層をRF重畳DCマグネトロンスパッタリングにより形成する工程と、
前記非晶質透明導電層を結晶質に結晶転化処理する工程とを有し、
前記非晶質透明導電層のキャリア密度をna×1019、ホール移動度をμa、前記結晶質透明導電層のキャリア密度をnc×1019、ホール移動度をμcとし、移動距離Lを{(nc−na)2+(μc−μa)2}1/2としたとき、
前記結晶質転化処理前の前記非晶質透明導電層のキャリア密度na×1019が(10〜60)×1019/cm3、ホール移動度μaが10〜25cm2/V・sであり、
前記結晶質転化処理後の前記結晶質透明導電層のキャリア密度nc×1019が(80〜150)×1019/cm3、ホール移動度μcが20〜40cm2/V・sであり、
前記移動距離Lが50〜150であることを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記結晶転化処理する工程は、温度110〜180℃、120分以内で、前記非晶質透明導電層を結晶転化することを特徴とする、請求項1記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 前記非晶質透明導電層の厚さが15nm〜40nmであり、
前記非晶質透明導電層の比抵抗が4.0×10−4Ω・cm〜2.0×10−3Ω・cmであり、
前記結晶質透明導電層の比抵抗が1.1×10−4Ω・cm〜3.0×10−4Ω・cmであることを特徴とする、請求項1記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記結晶質透明導電層は、インジウム−スズ複合酸化物からなり、{酸化スズ/(酸化インジウム+酸化スズ)}×100(%)で表される酸化スズの割合が0.5〜15重量%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
- 前記結晶質透明導電層を含み、スズの含有量が互いに異なる少なくとも2層のインジウム−スズ複合酸化物層からなる構造を備え、
前記少なくとも2層のインジウム−スズ複合酸化物のうちの少なくとも1層が、インジウム−スズ複合酸化物層が非晶質もしくは結晶質であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記少なくとも2層のインジウム−スズ複合酸化物層は、前記高分子フィルム基材側から、第一のインジウム−スズ複合酸化物層、第二のインジウム−スズ複合酸化物層が、この順に積層された2層構造であり、
前記第一のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズ含有量が6重量%〜15重量%であり、
前記第二のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズ含有量が0.5重量%〜5.5重量%であることを特徴とする、請求項5記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記少なくとも2層のインジウム−スズ複合酸化物層は、前記第二のインジウム−スズ複合酸化物層に隣接して第三のインジウム−スズ複合酸化物層が積層された3層構造であり、
前記第一のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズの含有量は0.5重量%〜5.5重量%であり、
前記第二のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズの含有量は6重量%〜15重量%であり、
前記第三のインジウム−スズ複合酸化物層の酸化スズの含有量は0.5重量%〜5.5重量%であることを特徴とする請求項5記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面に、ウェット成膜法にて形成された有機系誘電体層が形成されており、
前記高分子フィルム基材と前記有機系誘電体層と前記結晶質透明導電層とがこの順に形成されていることを特徴とする、請求項1記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面に、真空成膜法にて形成された無機誘電体層が形成されており、
前記高分子フィルム基材と前記無機誘電体層と前記結晶質透明導電層とがこの順に形成されていることを特徴とする、請求項1記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記高分子フィルム基材の少なくとも一方の面に、ウェット成膜法にて形成された有機系誘電体層と、真空成膜法にて形成された無機誘電体層とが形成されており、
前記高分子フィルム基材と前記有機系誘電体層と前記無機誘電体層と前記結晶質透明導電層とが、この順に形成されていることを特徴とする、請求項1記載の透明導電性フィルムの製造方法。 - 前記高分子フィルム基材の材料が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロオレフィン及びポリカーボネートからなる群から選択されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016182843A JP6964401B2 (ja) | 2014-05-20 | 2016-09-20 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014104609 | 2014-05-20 | ||
JP2014104609 | 2014-05-20 | ||
PCT/JP2015/063996 WO2015178297A1 (ja) | 2014-05-20 | 2015-05-15 | 透明導電性フィルム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016182843A Division JP6964401B2 (ja) | 2014-05-20 | 2016-09-20 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6066154B2 true JP6066154B2 (ja) | 2017-01-25 |
JPWO2015178297A1 JPWO2015178297A1 (ja) | 2017-04-20 |
Family
ID=54553969
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015555884A Active JP6066154B2 (ja) | 2014-05-20 | 2015-05-15 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
JP2016182843A Active JP6964401B2 (ja) | 2014-05-20 | 2016-09-20 | 透明導電性フィルム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016182843A Active JP6964401B2 (ja) | 2014-05-20 | 2016-09-20 | 透明導電性フィルム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20160160345A1 (ja) |
JP (2) | JP6066154B2 (ja) |
KR (2) | KR20170008195A (ja) |
CN (1) | CN105473756B (ja) |
TW (1) | TWI554623B (ja) |
WO (1) | WO2015178297A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9657386B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-05-23 | Kaneka Corporation | Transparent conductive film and method for producing same |
JP6211557B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-10-11 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
KR102126707B1 (ko) * | 2016-02-05 | 2020-06-25 | 주식회사 엘지화학 | 스퍼터링 타겟 및 이를 이용한 투명 도전성 필름 |
JP6418708B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-11-07 | 株式会社アルバック | 透明導電膜付き基板の製造方法、透明導電膜付き基板の製造装置、及び透明導電膜付き基板 |
JP6490262B2 (ja) * | 2017-05-09 | 2019-03-27 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電層付きフィルム、調光フィルムおよび調光装置 |
CN110741106A (zh) * | 2017-08-08 | 2020-01-31 | 三井金属矿业株式会社 | 氧化物烧结体及溅射靶 |
WO2020026606A1 (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板およびその製造方法 |
US11991871B2 (en) * | 2018-12-12 | 2024-05-21 | Nitto Denko Corporation | Impedance matching film for radio wave absorber, impedance matching film-attached film for radio wave absorber, radio wave absorber, and laminate for radio wave absorber |
JP7198097B2 (ja) | 2019-01-30 | 2022-12-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
JP7198096B2 (ja) | 2019-01-30 | 2022-12-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
JP7378938B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2023-11-14 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電フィルム |
JP7378937B2 (ja) | 2019-02-22 | 2023-11-14 | 日東電工株式会社 | 光透過性導電フィルム |
JP7320960B2 (ja) | 2019-03-13 | 2023-08-04 | 日東電工株式会社 | フィルム積層体、および、パターニング導電性フィルムの製造方法 |
JP7300855B2 (ja) | 2019-03-13 | 2023-06-30 | 日東電工株式会社 | フィルム積層体、および、パターニング導電性フィルムの製造方法 |
JP2020167414A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 日東電工株式会社 | 電波吸収体用インピーダンス整合膜、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム、電波吸収体、及び電波吸収体用積層体 |
JP7073589B2 (ja) | 2020-03-19 | 2022-05-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電層および透明導電性フィルム |
JP7240513B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-03-15 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
WO2021187579A1 (ja) | 2020-03-19 | 2021-09-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
KR20230004440A (ko) * | 2020-04-20 | 2023-01-06 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광투과성 도전층 및 광투과성 도전 필름 |
JP2022072099A (ja) | 2020-10-29 | 2022-05-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
JPWO2022092190A1 (ja) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | ||
WO2023042848A1 (ja) | 2021-09-17 | 2023-03-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
WO2023042849A1 (ja) | 2021-09-17 | 2023-03-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
JP7534374B2 (ja) | 2022-11-10 | 2024-08-14 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
JP7509852B2 (ja) | 2022-11-10 | 2024-07-02 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086484A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
WO2013183564A1 (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-12 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4010587B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2007-11-21 | 三井化学株式会社 | 透明導電性積層体及びそれを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子 |
JP4397511B2 (ja) * | 1999-07-16 | 2010-01-13 | Hoya株式会社 | 低抵抗ito薄膜及びその製造方法 |
JP4004025B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2007-11-07 | 日東電工株式会社 | 透明導電性積層体およびタッチパネル |
JP3785109B2 (ja) * | 2002-04-08 | 2006-06-14 | 日東電工株式会社 | 透明導電積層体の製造方法 |
JP4861707B2 (ja) | 2006-01-20 | 2012-01-25 | 日東電工株式会社 | 透明導電積層体 |
US20130105301A1 (en) * | 2010-07-06 | 2013-05-02 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and manufacturing method therefor |
JP5101719B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
JP5122670B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2013-01-16 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
CN103548097A (zh) * | 2011-05-20 | 2014-01-29 | 旭硝子株式会社 | 导电膜用原材料、导电膜层叠体、电子仪器及它们的制造方法 |
JP5190554B1 (ja) * | 2011-10-05 | 2013-04-24 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
JP5244950B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2013-07-24 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
JP6014128B2 (ja) * | 2012-05-17 | 2016-10-25 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板およびその製造方法、ならびにタッチパネル |
-
2015
- 2015-05-15 WO PCT/JP2015/063996 patent/WO2015178297A1/ja active Application Filing
- 2015-05-15 KR KR1020167000424A patent/KR20170008195A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-05-15 JP JP2015555884A patent/JP6066154B2/ja active Active
- 2015-05-15 CN CN201580001616.3A patent/CN105473756B/zh active Active
- 2015-05-15 US US14/908,855 patent/US20160160345A1/en not_active Abandoned
- 2015-05-15 KR KR1020227002111A patent/KR20220013022A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-05-20 TW TW104116103A patent/TWI554623B/zh active
-
2016
- 2016-09-20 JP JP2016182843A patent/JP6964401B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-09 US US16/378,775 patent/US20190233939A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012086484A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
WO2013183564A1 (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-12 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015027353; UTSUMI,K. et al: 'Study on In2O3-SnO2 transparent and conductive films prepared by d.c. sputtering using high density' Thin Solid Films Vol.445, 2003, pp.229-234 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160160345A1 (en) | 2016-06-09 |
CN105473756A (zh) | 2016-04-06 |
US20190233939A1 (en) | 2019-08-01 |
JPWO2015178297A1 (ja) | 2017-04-20 |
KR20220013022A (ko) | 2022-02-04 |
JP6964401B2 (ja) | 2021-11-10 |
TWI554623B (zh) | 2016-10-21 |
TW201602375A (zh) | 2016-01-16 |
KR20170008195A (ko) | 2017-01-23 |
JP2017071850A (ja) | 2017-04-13 |
WO2015178297A1 (ja) | 2015-11-26 |
CN105473756B (zh) | 2019-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6066154B2 (ja) | 透明導電性フィルムの製造方法 | |
KR101269316B1 (ko) | 투명 도전성 필름의 제조 방법 | |
TWI397927B (zh) | A transparent conductive film, a method of manufacturing the same, and a touch panel having the same | |
JP5699352B2 (ja) | 透明導電フィルム | |
EP2701161B1 (en) | Transparent conductive film | |
JP5244950B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
KR20200078719A (ko) | 도전성 적층체, 패턴 배선이 형성된 투명 도전성 적층체, 및 광학 디바이스 | |
JP6419091B2 (ja) | 透明電極付き基板およびその製造方法 | |
CN110033879A (zh) | 透明导电性薄膜及其制造方法 | |
TW201301310A (zh) | 導電膜用素材、導電膜積層體、電子機器及其等之製造方法 | |
CN107004463A (zh) | 透明导电性薄膜以及使用其的触摸传感器 | |
JP6674991B2 (ja) | 透明導電性フィルム及びその製造方法 | |
JP6261540B2 (ja) | 透明導電性フィルム及びその製造方法 | |
WO2014157312A1 (ja) | 透明導電積層フィルムおよびその製造方法 | |
TW201545176A (zh) | 積層體、導電性積層體、及電子機器 | |
JP5805129B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP2015114130A (ja) | フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、フィルムセンサを作製するために用いられる積層体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151116 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20151116 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160325 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160920 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20160920 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161004 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20161011 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20161104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161213 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6066154 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |