JP6419091B2 - 透明電極付き基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、フィルム基板(以下、透明フィルム基材ともいう)100上に下地層200が形成され、下地層200上に透明電極薄膜300が形成された透明電極付き基板を示している。下地層200と透明電極薄膜300とは接している。図2に示すように、透明電極薄膜300は、層301,302のような複数層の構成でもよい。図3に示すように、透明フィルム基材100と下地層200との間にコーティング層400が設けられていてもよい。コーティング層400は、透明フィルム基材100の保護や、透明フィルム基材100中に含まれる低分子量成分の拡散抑制、光学膜厚調整等を目的として設けられる。図3ではコーティング層400が透明フィルム基材100の片面にのみ形成されているが、両面にコーティング層が形成されていてもよい。
以下、透明電極付き基板の製造方法に沿って、本発明をさらに説明する。上記の透明電極付き基板の製造方法では、透明フィルム基材100が用いられる(基材準備工程)。透明フィルム基材100上に誘電体下地層200が形成された後(下地層形成工程)、誘電体下地層200上に透明電極薄膜300が形成される(透明電極薄膜形成工程)。
透明フィルム基材100を構成する透明フィルムは、少なくとも可視光領域で無色透明であり、透明電極薄膜の形成温度における耐熱性を有していれば、その材料は特に限定されない。透明フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフテレート(PBT)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等が挙げられる。中でも、ポリエステル系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましく用いられる。
誘電体下地層200の形成方法は、生産性の観点からスパッタリング法が好ましく、中でもマグネトロンスパッタリング法が好ましい。スパッタ製膜は、製膜室(チャンバー)内に、アルゴンや窒素等の不活性ガスおよび酸素ガスを含むキャリアガスが導入されながら行われる。導入ガスは、アルゴンと酸素の混合ガスが好ましい。アルゴンと酸素は、所定の混合比のガスを予め用意してもよいし、それぞれのガスを流量制御装置(マスフローコントローラ)により流量を制御した後に混合してもよい。なお、混合ガスには、本発明の機能を損なわない限りにおいて、その他のガスが含まれていてもよい。製膜室内の圧力(全圧)は、0.1Pa〜1.0Paが好ましく、0.15Pa〜0.8Paがより好ましい。
透明電極薄膜300の形成方法は、生産性の観点からスパッタリング法が好ましく、中でもマグネトロンスパッタリング法が好ましい。
結晶化工程では、透明電極付き基板が120〜170℃に加熱されることが好ましい。
膜中に酸素を十分に取り込み、結晶化時間を短縮するためには、結晶化は大気中等の酸素含有雰囲気下で行われることが好ましい。真空中や不活性ガス雰囲気下でも結晶化は進行するが、低酸素濃度雰囲気下では、酸素雰囲気下に比べて結晶化に長時間を要する傾向がある。
本発明の透明電極付き基板は、ディスプレイや発光素子、光電変換素子等の透明電極として用いることができ、タッチパネル用の透明電極として好適に用いられる。中でも、透明電極薄膜が低抵抗であることから、静電容量方式タッチパネルに好ましく用いられる。
以下の方法により、透明フィルム基材上に、下地層および透明電極薄膜が、巻取式スパッタリング装置を用いて連続して製膜された。
ウレタン系樹脂からなるハードコート層が両面に形成された厚み188μmのPETフィルムの一方の面上に、スパッタリング法により下地層を形成した。酸化インジウム・スズ(酸化スズ含有量10重量%)をターゲットとして用い、酸素とアルゴンの混合ガスを装置内に導入しながら、酸素分圧1.0×10−1Pa、製膜室内圧力0.2Pa、基板温度0℃、パワー2kWの条件で製膜を行った。膜厚は3nmであった。
下地層上に透明電極薄膜を形成し、透明電極付き基板を作製した。酸化インジウム・スズ(酸化スズ含有量10重量%)をターゲットとして用い、酸素とアルゴンの混合ガスを装置内に導入しながら、酸素分圧3.3×10−2Pa、製膜室内圧力0.2Pa、基板温度0℃、パワー12kWの条件で製膜を行った。膜厚は22nmであった。
この透明電極付き基板を、150℃で1時間熱処理を行った。顕微鏡観察によってほぼ完全に結晶化されていることが確認された(結晶化度100%)。
別途、下地層のみの製膜を行い、表面の抵抗測定の結果から抵抗率を算出したところ、1.6×102Ωcmであった。また、AFMを用いて1μm四方の形状測定を行い、形状から結晶粒の存在を確認し、TEMによる格子像観察から、5nm以上の短距離の秩序を確認した。
製膜したフィルムを、25℃・50%RHの環境に1週間放置し、その時のシート抵抗を測定することで評価した。シート抵抗が低下していることと結晶化が進んでいることとを等価とした。
上記実施例A1において、下地層および透明電極薄膜の製膜条件を表1に示すように変更して、製膜および結晶化が行われた。表1中、nITO(n=1,3,5,7,10)は、酸化スズをn重量%含有する酸化インジウムを意味する(以下の実施例および比較例においても同じ)。
実施例A4では、図3に示すように、透明フィルム基材100上にコーティング層400を形成した。コーティング層400は、以下のように形成した。アクリル樹脂(商品名:ダイヤナールBR−102、三菱レイヨン製)をメチルセロソルブに溶解した。固形分濃度は30重量%とした。この樹脂溶液に、酸化ジルコニウム(商品名:ジルコニア粒子TZ−3Y−E、東ソー製)を、アクリル樹脂に対して1重量%添加して十分に撹拌することで、塗布液を作製した。この塗布液をバーコート法により、3μmの厚みに塗布し、125℃で15分間乾燥させることで、1μm厚の樹脂層を形成した。透明フィルム基材100のコーティング層400形成面上に、実施例A1と同様にして、下地層および透明電極薄膜の製膜が行われ、その後、結晶化が行われた。
図2に示すように2層の透明電極薄膜を形成した。下地層および透明電極薄膜の製膜条件を表1に示す。それ以外は、実施例A1と同様にして、下地層および透明電極薄膜の製膜および結晶化が行われた。
上記実施例A1において、下地層および透明電極薄膜の製膜時のターゲットの種類および製膜条件を表1に示すように変更して、製膜および結晶化が行われた。酸化亜鉛は、化学量論的な酸化亜鉛(ZnO)よりも酸素を少なくしたもの(ZnO0.5)を用いた。酸化イットリウムは、化学量論的な酸化イットリウム(Y2O3)よりも酸素を少なくしたもの(Y2O2.5)を用いた。
下地層が製膜されず、PETフィルムの一方の面上に、スパッタリング法により透明電極薄膜が形成された。それ以外は、実施例A1と同様にして、結晶化が行われた。
200:誘電体下地層(下地層)
300:透明電極薄膜
400:コーティング層
Claims (11)
- フィルム基板上に、透明導電性酸化物からなる透明電極薄膜が形成された透明電極付き基板であって、
前記フィルム基板と前記透明電極薄膜との間には、酸化インジウムを主成分として含有する下地層が形成されており、
前記下地層と前記透明電極薄膜とは接しており、
前記透明電極薄膜は非晶質であり、
前記下地層は誘電体かつ結晶質である、透明電極付き基板。 - 前記下地層の膜厚が2〜15nmである、請求項1に記載の透明電極付き基板。
- 前記透明電極薄膜は、酸化インジウムを主成分として含有する、請求項1または2に記載の透明電極付き基板。
- 前記透明電極薄膜の膜厚が15〜30nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明電極付き基板。
- 前記透明電極薄膜は低抵抗粒子を有しており、原子間力顕微鏡を用いた電流像測定により求められる前記低抵抗粒子の径が、前記透明電極薄膜の膜内部で最大値を示す、請求項1〜4のいずれか1項に記載の透明電極付き基板。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の透明電極付き基板の製造方法であって、
前記下地層および前記透明電極薄膜は、いずれも酸素ガスを用いてマグネトロンスパッタリング法で製膜され、かつ、前記下地層の製膜時にチャンバー内に導入する酸素量は、前記透明電極薄膜の製膜時にチャンバー内に導入する酸素量の3倍以上である、透明電極付き基板の製造方法。 - フィルム基板上に、透明導電性酸化物からなる透明電極薄膜が形成された透明電極付き基板であって、
前記フィルム基板と前記透明電極薄膜との間には、金属酸化物を主成分として含有する下地層が形成されており、
前記下地層と前記透明電極薄膜とは接しており、
前記透明電極薄膜は非晶質であり、
前記下地層は誘電体かつ結晶質であり、前記下地層の膜厚が2〜15nmである、透明電極付き基板。 - 前記金属酸化物は、酸化亜鉛である、請求項7に記載の透明電極付き基板。
- 前記金属酸化物は、酸化イットリウムである、請求項7に記載の透明電極付き基板。
- 前記透明電極薄膜は、酸化インジウムを主成分として含有する、請求項7〜9のいずれか1項に記載の透明電極付き基板。
- 前記下地層の膜厚が2〜5nmである、請求項7〜10のいずれか1項に記載の透明電極付き基板。
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WO2021020457A1 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Agc株式会社 | 光学層、太陽電池モジュール、建築用外壁材及び建造物 |
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