CN115667573A - 透光性导电性片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

透光性导电性片(1)的制造方法中，通过对多个靶(51)、(52)、(53)、(54)分别施加电力的多次溅射，于基材片(2)形成透光性导电层(3)。该方法具备下述工序：第一工序，对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟‑锡复合氧化物形成的第一靶(51)施加电力，于基材片(2)形成内侧层(6)；以及，第二工序，对由铟‑锡复合氧化物形成的第二靶(52)、由铟‑锡复合氧化物形成的第三靶(53)及由铟‑锡复合氧化物形成的第四靶(54)分别施加电力，于内侧层(6)形成外侧层(22)。第一靶(51)的电力密度P1相对于第二靶(52)、第三靶(53)及第四靶(54)的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。

Description

透光性导电性片的制造方法
技术领域
本发明涉及透光性导电性片的制造方法。
背景技术
迄今，已知有在基材薄膜的表面具备由ITO形成的透明导电膜的透明导电性薄膜。
例如提出了通过2次溅射在基材薄膜的上表面依次层叠下层和上层的方法。(例如参见下述专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平8-174746号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，对透明导电膜要求低的电阻率。然而，专利文献1中记载的透明导电膜存在无法满足上述要求的不利情况。
本发明提供具备低电阻率的透光性导电层的透光性导电性片的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明(1)包括一种透光性导电性片的制造方法，该制造方法具备通过对多个靶分别施加电力的多次溅射而在基材片的厚度方向的一面形成透光性导电层的工序，前述形成透光性导电层的工序具备下述工序：第一工序，对第一靶施加电力，在前述基材片的前述厚度方向的一面形成内侧层，前述第一靶包括在前述多个靶中，包含氧化铟和氧化锡，由氧化锡的含有率超过8质量％的铟-锡复合氧化物形成；以及，第二工序，对前述第一靶以外的靶施加电力，在前述内侧层的厚度方向的一面形成外侧层，前述第一靶的电力密度P1相对于前述多个靶的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下。
该透光性导电性片的制造方法由于第一靶的电力密度P1相对于多个靶的总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下，因此能够形成比内侧层更致密的外侧层，由此能够减小透光性导电层的电阻率。结果，能够制造具备低电阻率的透光性导电层的透光性导电性片。
此外，该透光性导电性片的制造方法由于对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟-锡复合氧化物形成的第一靶施加电力来形成内侧层，因此能够充分减小透光性导电层的电阻率。
本发明(2)包括(1)所述的透光性导电性片的制造方法，前述第一工序在包含反应性气体的溅射气体的气氛下进行溅射，前述第二工序在包含反应性气体的溅射气体的气氛下进行溅射，前述第一工序当中的前述溅射气体中的反应性气体的比例R1相对于前述第二工序当中的前述溅射气体中的反应性气体的比例R2之比(R1/R2)为1以下。
本发明(3)包括(1)或(2)所述的透光性导电性片的制造方法，其中，在前述第二工序之后，还具备使前述透光性导电层结晶的第三工序。
发明的效果
根据本发明的制造方法，能够制造具备低电阻率的透光性导电层的透光性导电性片。
附图说明
图1是本发明的透光性导电性片的制造方法的一个实施方式中使用的溅射装置的示意图。
图2是利用图1的溅射装置制造的透光性导电性片的剖视图。
图3是图1所示的溅射装置的变形例的示意图。
图4是利用图3的溅射装置制造的透光性导电性片的剖视图。
图5是实施例1的TEM照片的图像处理图。
图6是比较例1的TEM照片的图像处理图。
具体实施方式
(本发明的透光性导电性片的制造方法的一个实施方式)
参照图1～图2对本发明的透光性导电性片的制造方法的一个实施方式进行说明。
透光性导电性片1的制造方法具备通过对多个靶51、52、53、54分别施加电力的溅射而在基材片2的厚度方向的一面形成透光性导电层3的工序。需要说明的是，该实施方式中，多个靶51、52、53、54包括第一靶51、第二靶52、第三靶53以及第四靶54。
(溅射装置)
首先，对溅射中使用的溅射装置30进行说明。如图1所示，溅射装置30依次具备输送部35、溅射部36以及卷取部37。
输送部35具备输送辊38。
溅射部36具备成膜辊40、第一成膜室41以及多个成膜室42、43、44。该实施方式中，多个成膜室42、43、44为第二成膜室42、第三成膜室43以及第四成膜室44。
成膜辊40具备以将成膜辊40冷却的方式构成的未图示的冷却装置。
第一成膜室41容纳第一靶51、第一气体供给机61以及第一泵91的排出口。第一靶51、第一气体供给机61以及第一泵91的排出口相对于成膜辊40隔开间隔地配置。在第一成膜室41中，在第一靶51的与成膜辊40相反的一侧配置有未图示的磁铁。磁铁的磁场强度以第一靶51上的水平磁场强度例如为10mT以上且200mT以下的方式调节。
第一靶51的材料为ITO(铟-锡复合氧化物)。ITO包含氧化铟和氧化锡。
ITO中的氧化锡的含有率超过8质量％。另一方面，如果氧化锡的含有率为8质量％以下，则无法充分减小透光性导电层3的电阻率。
ITO中的氧化锡的含有率优选为8.5质量％以上，更优选为9质量％以上，进一步优选为9.5质量％以上，此外，例如为30质量％以下，优选为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下。如果氧化锡的含有率为上述上限以下，则能够稳定地减小电阻率。
ITO中的氧化铟的含有率为氧化锡的含有率的剩余部分。
需要说明的是，ITO根据需要，可以掺杂有微量(例如为5质量％以下)的选自由Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd及W组成的组中的至少1种。
第一靶51的材料包含导电性氧化物的烧结体。通过将第一靶51设置于溅射装置30，对第一靶51施加规定的电力密度P1，可以对第一靶51的构成材料进行溅射。
第一气体供给机61以向第一成膜室41供给溅射气体的方式构成。作为溅射气体，可列举出：例如氮气、氩气、氪气、氙气等非活性气体，例如包含非活性气体和氧气等反应性气体的混合气体等，优选列举出混合气体。如果溅射气体为混合气体，则第一气体供给机61包括第一非活性气体供给机71和第一反应性气体供给机72，分别自它们向第一成膜室41供给非活性气体和反应性气体。
第二成膜室42在成膜辊40的周向上与第一成膜室41相邻地配置。第二成膜室42容纳作为靶的一个例子的第二靶52、第二气体供给机62以及第二泵92的排出口。第二靶52、第二气体供给机62以及第二泵92的排出口相对于成膜辊40隔开间隔地配置。在第二成膜室42中，在第二靶52的与成膜辊40相反的一侧配置有未图示的磁铁。磁铁的磁场强度以第二靶52上的水平磁场强度例如为10mT以上且200mT以下的方式调节。
第二靶52的材料为ITO。对ITO中的氧化锡的含有率没有特别限定。ITO中的氧化锡的含有率例如为1质量％以上，优选为5质量％以上，进一步优选超过8质量％，此外，例如为30质量％以下，优选为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下。适宜的是，第二靶52的材料中的氧化锡的含有率与第一靶51的材料中的氧化锡的含有率相同。
第二靶52的材料包含导电性氧化物的烧结体。通过将第二靶52设置于溅射装置30，对第二靶52施加规定的电力密度P2，可以对第二靶52的构成材料进行溅射。
第二气体供给机62以向第二成膜室42供给溅射气体的方式构成。作为溅射气体，例如可列举出上述非活性气体、上述混合气体，优选列举出混合气体。如果溅射气体为混合气体，则第二气体供给机62包括第二非活性气体供给机73和第二反应性气体供给机74，分别自它们向第二成膜室42供给非活性气体和反应性气体。
第三成膜室43在成膜辊40的周向上与第三成膜室43相邻，配置在第二成膜室42的与第一成膜室41相反的一侧。第三成膜室43容纳作为靶的一个例子的第三靶53、第三气体供给机63以及第三泵93的排出口。第三靶53、第三气体供给机63以及第三泵93的排出口相对于成膜辊40隔开间隔地配置。在第三成膜室43中，在第三靶53的与成膜辊40相反的一侧配置有未图示的磁铁。磁铁的磁场强度以水平磁场强度例如为10mT以上且200mT以下的方式调节。
第三靶53的材料为ITO。对ITO中的氧化锡的含有率没有特别限定。ITO中的氧化锡的含有率例如为1质量％以上，优选为5质量％以上，进一步优选超过8质量％，此外，例如为30质量％以下，优选为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下。适宜的是，第三靶53的材料中的氧化锡的含有率与第一靶51的材料中的氧化锡的含有率相同。
第三靶53的材料包含导电性氧化物的烧结体。通过将第三靶53设置于溅射装置30，对第三靶53施加规定的电力密度P3，可以对第三靶53的构成材料进行溅射。
第三气体供给机63以向第三成膜室43供给溅射气体的方式构成。作为溅射气体，例如可列举出上述非活性气体、上述混合气体，优选列举出混合气体。如果溅射气体为混合气体，则第三气体供给机63包括第三非活性气体供给机75和第三反应性气体供给机76，分别自它们向第三成膜室43供给非活性气体和反应性气体。
第四成膜室44在成膜辊40的周向上与第三成膜室43相邻，配置在第三成膜室43的与第二成膜室42相反的一侧。由此，溅射部36中，第一成膜室41、第二成膜室42、第三成膜室43以及第四成膜室44在周向上依次配置。第四成膜室44容纳作为靶的一个例子的第四靶54、第四气体供给机64以及第四泵94的排出口。第四靶54、第四气体供给机64以及第四泵94的排出口相对于成膜辊40隔开间隔地配置。在第四成膜室44中，在第四靶54的与成膜辊40相反的一侧配置有未图示的磁铁。磁铁的磁场强度以水平磁场强度例如为10mT以上且200mT以下的方式调节。
第四靶54的材料为ITO。对ITO中的氧化锡的含有率没有特别限定。ITO中的氧化锡的含有率例如为1质量％以上，优选为5质量％以上，进一步优选超过8质量％，此外，例如为30质量％以下，优选为25质量％以下，更优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下。适宜的是，第四靶54的材料中的氧化锡的含有率与第一靶51的材料中的氧化锡的含有率相同。
第四靶54的材料包含导电性氧化物的烧结体。通过将第四靶54设置于溅射装置30，对第四靶54施加规定的电力密度P4，可以对第四靶54的构成材料进行溅射。
第四气体供给机64以向第四成膜室44供给溅射气体的方式构成。作为溅射气体，例如可列举出上述非活性气体、上述混合气体，优选列举出混合气体。如果溅射气体为混合气体，则第四气体供给机64包括第四非活性气体供给机77和第四反应性气体供给机78，分别自它们向第四成膜室44供给非活性气体和反应性气体。
卷取部37具备卷取辊39。
(于基材片形成透光性导电层的工序)
接着，对利用溅射装置30于基材片2形成透光性导电层3的工序进行具体说明。
该工序首先准备基材片2。
基材片2具有厚度，沿与厚度方向正交的面方向延伸。具体而言，基材片2具有沿面方向延伸的薄膜形状。基材片2具有柔性。
基材片2至少包括基材层4。具体而言，基材片2沿厚度方向的一侧依次具备基材层4和硬涂层5。需要说明的是，在该一个实施方式中，透光性导电性片1所具备的基材片2的数量为1。
基材层4具有沿面方向延伸的薄膜形状。基材层4形成基材片2的厚度方向的另一面。对基材层4的材料没有特别限定，例如可列举出聚合物、玻璃等。优选列举出聚合物。作为聚合物，可列举出：例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物(COP)等烯烃树脂，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂，例如聚丙烯酸酯和/或聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯树脂)，例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等树脂，优选列举出聚酯树脂，更优选列举出PET。基材层4的厚度例如为1μm以上，优选为10μm以上，更优选为30μm以上，此外，例如为300μm以下，优选为100μm以下，更优选为75μm以下。
硬涂层5为用于使透光性导电层3不易产生划伤的划伤保护层。硬涂层5形成基材片2的厚度方向的一面。硬涂层5与基材层4的厚度方向的一整面接触。作为硬涂层5的材料，可列举出日本特开2016-179686号公报中记载的硬涂层组合物(丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂等)的固化物。硬涂层5的厚度例如为0.1μm以上，优选为0.5μm以上，此外，例如为10μm以下，优选为5μm以下。
(基材的物性)
基材片2的厚度例如为1μm以上，优选为10μm以上，更优选为15μm以上，进一步优选为30μm以上，此外，例如为310μm以下，优选为210以下，更优选为110μm以下，进一步优选为80μm以下。
基材片2的总透光率(JIS K 7375-2008)例如为60％以上，优选为80％以上，更优选为85％以上，此外，例如为100％以下。
(基材片在溅射装置上的安装)
接着，将基材片2安装于溅射装置30。具体而言，将基材片2搭在输送辊38、成膜辊40以及卷取辊39上。
接着，一边驱动第一泵91，一边自第一气体供给机61向第一成膜室41供给溅射气体。如果溅射气体为混合气体，则混合气体中的反应性气体相对于非活性气体的比R1按体积基准计例如为0.001以上，优选为0.005以上，此外，例如为0.2以下，优选为0.1以下。第一成膜室41的压力例如为0.01Pa以上且1Pa以下。
一边驱动第二泵92，一边自第二气体供给机62向第二成膜室42供给溅射气体。如果溅射气体为混合气体，则混合气体中的反应性气体相对于非活性气体的比R2按体积基准计例如为0.001以上，优选为0.005以上，此外，例如为0.2以下，优选为0.1以下。第一成膜室41当中的混合气体中的反应性气体的比例R1相对于第二成膜室42当中的混合气体中的反应性气体的比例R2之比(比例R1相对于比例R2之比)(R1/R2)例如为3.0以下，优选为2以下，更优选为1以下，更优选为0.9以下，进一步优选为0.8以下，特别优选为0.7以下，此外，例如为0.01以上，优选为0.1以上，更优选为0.5以上。如果R1/R2为上述下限以上，则能够更进一步降低透光性导电层3的电阻率。第二成膜室42的压力例如为0.01Pa以上且1Pa以下。
一边驱动第三泵93，一边自第三气体供给机63向第三成膜室43供给溅射气体。如果溅射气体为混合气体，则混合气体当中的反应性气体的比例R3与上述第二成膜室42当中的反应性气体的比例R2相同。第三成膜室43的压力例如为0.01Pa以上且1Pa以下。
一边驱动第四泵94，一边自第四气体供给机64向第四成膜室44供给溅射气体。如果溅射气体为混合气体，则混合气体当中的反应性气体的比例R4与上述第二成膜室42当中的反应性气体的比例R2相同。第四成膜室44的压力例如为0.01Pa以上且1Pa以下。
此外，驱动冷却装置，将成膜辊40(的表面)冷却。成膜辊40的温度(表面温度)例如为20℃以下，优选为10.0℃以下，优选为0.0℃以下，此外，例如-50℃以上，优选为-25℃以上。
(对各靶施加电力以及各成膜室中开始溅射)
分别对第一靶51、第二靶52、第三靶53以及第四靶54施加电力。具体而言，对第一靶51以电力密度P1施加电力。对第二靶52以电力密度P2施加电力。对第三靶53以电力密度P3施加电力。对第四靶54以电力密度P4施加电力。
需要说明的是，对分别施加于第一靶51、第二靶52、第三靶53以及第四靶54的电源没有特别限定，例如可列举出DC、RF等。电源优选为DC。
第一靶51的电力密度P1相对于第一靶51的电力密度P1、第二靶52的电力密度P2、第三靶53的电力密度P3、第四靶54的电力密度P4的总电力密度P(＝P1+P2+P3+P4)之比(P1/P)为0.20以下。另一方面，如果第一靶51的电力密度P1相对于总电力密度P之比(P1/P)超过0.20，则无法减小透光性导电层3的电阻率。第一靶51的电力密度P1相对于总电力密度P之比(P1/P)优选为0.18以下，更优选为0.15以下，进一步优选为0.10以下，特别优选为0.05以下。
此外，第一靶51的电力密度P1相对于总电力密度P之比(P1/P)例如为0.001以上，优选为0.01以上。如果第一靶51的电力密度P1相对于总电力密度P之比(P1/P)为上述下限以上，则能够确实地实施第一成膜室41中的溅射。
第三靶53的电力密度P3与第二靶52的电力密度P2近似，第四靶54的电力密度P4与第三靶53的电力密度P3近似。优选电力密度P2、电力密度P3以及电力密度P4相同。
电力密度P1例如为0.1W/cm2以上，此外，例如为10W/cm2以下。电力密度P2、电力密度P3以及电力密度P4分别例如为0.1W/cm2以上，此外，例如为15W/cm2以下。
接着，通过驱动输送辊38、成膜辊40以及卷取辊39，将基材片2自输送辊38送出。基材片2一边与成膜辊40的表面接触，一边依次移经第一成膜室41、第二成膜室42、第三成膜室43以及第四成膜室44。此时，基材片2通过与成膜辊40的表面接触而被冷却。
在第一靶51的附近，通过对第一靶51以电力密度P1施加电力，将溅射气体电离，生成电离气体。接着，电离气体与第一靶51碰撞，将第一靶51的ITO敲出形成颗粒，颗粒附着(沉积)于基材片2，形成内侧层6(第一工序)。
接着，在第二靶52的附近，通过对第二靶52以电力密度P2施加电力，将溅射气体电离，生成电离气体。接着，电离气体与第二靶52碰撞，将第二靶52的ITO敲出形成颗粒，颗粒附着(沉积)于内侧层6，形成第一层7。
接着，在第三靶53的附近，通过对第三靶53以电力密度P3施加电力，将溅射气体电离，生成电离气体。接着，电离气体与第三靶53碰撞，将第三靶53的ITO敲出形成颗粒，颗粒附着(沉积)于第一层7，形成第二层8。
接着，在第四靶54的附近，通过对第四靶54以电力密度P4施加电力，将溅射气体电离，生成电离气体。接着，电离气体与第四靶54碰撞，将第四靶54的ITO敲出形成颗粒，颗粒附着(沉积)于第二层8，形成第三层9(第二工序)。
通过第二工序形成由第一层7、第二层8以及第三层9构成的外侧层22。即，该外侧层22沿厚度方向的一侧依次具备与内侧层6接触的第一层7以及第二层8、第三层9，相互邻接的层相接触。
第一靶51的电力密度P1相对于总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下，即，总电力密度P相对于第一靶51的电力密度P1要格外地高。因此，内侧层6的膜质与外侧层22的膜质不同，因此，内侧层6与第一层7的边界有时可通过例如TEM等而清楚地观察到。
内侧层6的厚度例如为1nm以上，优选为2nm以上，此外，例如为30nm以下，优选为20nm以下。内侧层6的厚度相对于透光性导电层3的厚度的比例如为0.005以上，优选为0.01以上，此外，例如为0.2以下，优选为0.1以下。
由第一层7、第二层8以及第三层9构成的外侧层22的总厚度例如为10nm以上，优选为30nm以上，更优选为50nm以上，此外，例如为480nm以下，优选为250nm以下，更优选为200nm以下，进一步优选为145nm以下。外侧层22的厚度相对于透光性导电层3的厚度之比为内侧层6的厚度相对于透光性导电层3的厚度之比的剩余部分。
需要说明的是，第一层7和第二层8的边界无法明确地观察到。第二层8和第三层9的边界无法明确地观察到。
于是，上述内侧层6和外侧层22形成透光性导电层3。内侧层6形成在透光性导电层3的厚度方向的另一面。外侧层22与内侧层6的厚度方向的一整面接触。
透光性导电层3的厚度例如为15nm以上，优选为超过30nm，更优选为40nm以上，进一步优选为50nm以上，更进一步优选为80nm以上，特别优选超过100nm，此外，例如为500nm以下，优选为300nm以下，更优选小于300nm，进一步优选为200nm以下，更进一步优选小于150nm。
刚成膜后的透光性导电层3例如为非晶。
由此，可得到沿厚度方向依次具备基材片2和透光性导电层3的透光性导电性片1。需要说明的是，由于透光性导电层3为非晶，因此透光性导电性片1可以作为非晶透光性导电性片10获得。
然后，根据需要而使透光性导电层3结晶(第三工序)。
要想使透光性导电层3结晶，例如对非晶透光性导电性片10进行加热。加热温度例如为80℃以上，优选为110℃以上，更优选为140℃以上，进一步优选为160℃以上，此外，例如为250℃以下，优选小于200℃，更优选为180℃以下，此外，加热时间例如为1分钟以上，优选为5分钟以上，更优选为1小时以上，进一步优选为1.5小时以上，此外，例如为5小时以下，优选为3小时以下。或者，也可以将非晶透光性导电性片10在常温下长时间放置。例如，将非晶透光性导电性片10在20℃以上且40℃以下的气氛下放置例如500小时以上、优选为1500小时以上，此外，例如3000小时以下。
(透光性导电层的物性)
透光性导电层3(具体为结晶的透光性导电层3)的总透光率(JIS K7375-2008)例如为60％以上，优选为80％以上，更优选为85％以上，此外，例如为100％以下。
透光性导电层3(具体为结晶的透光性导电层3)的表面电阻例如为200Ω/□以下，优选为100Ω/□以下，更优选为50Ω/□以下，进一步优选为20Ω/□以下，此外，例如超过0Ω/□。表面电阻依据JIS K7194利用四端子法进行测定。
透光性导电层3(具体为结晶质的透光性导电层3)的电阻率例如为4.0×10-4Ωcm以下，优选为2.5×10-4Ωcm以下，更优选为2.3×10-4Ωcm以下，进一步优选为2.2×10-4Ωcm以下，更进一步优选为2.1×10-4Ωcm以下，此外，例如超过0Ωcm，进一步为0.1×10-4Ωcm以上，进一步为0.5×10-4Ωcm以上，进一步为1.0×10-4Ωcm以上。电阻率是用表面电阻乘以厚度而得到的。
(透光性导电性片的物性)
透光性导电性片1的厚度例如为1μm以上，优选为10μm以上，更优选为20μm以上，进一步优选为40μm以上，此外，例如为310μm以下，优选为210μm以下，更优选为120μm以下，进一步优选为90μm以下。
透光性导电性片1的总透光率(JIS K 7375-2008)例如为60％以上，优选为80％以上，更优选为85％以上，此外，例如为100％以下。
(透光性导电性片的用途)
该透光性导电性片1(具备结晶的透光性导电层3的透光性导电性片)可用于各种物品。作为物品，例如可用于触摸传感器、电磁波屏蔽体、调光元件(例如PDLC、PNLC、SPD等电压驱动型调光元件，例如电致变色(EC)等电流驱动型调光元件)、光电转换元件(以有机薄膜太阳能电池、染料敏化太阳能电池为代表的太阳能电池元件的电极等)、热射线控制构件(例如近红外线反射和/或吸收构件，例如远红外线反射和/或吸收构件)、天线构件(透光性天线)、加热器构件(透光性加热器)、图像显示装置、照明等。
物品具备透光性导电薄膜10以及与各物品对应的构件。
这种物品通过将透光性导电薄膜10以及与各物品对应的构件固定来得到。
具体而言，例如经由固着功能层将透光性导电薄膜10中的透光性导电层1(包括具有图案形状的透光性导电层1)和与各物品对应的构件固定。
作为固着功能层，例如可列举出粘合层和粘接层。
作为固着功能层，只要具有透明性，就可以没有特别材料限制地使用。固着功能层优选由树脂形成。作为树脂，例如可列举出：丙烯酸类树脂、有机硅树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚酰胺树脂、聚乙烯基醚树脂、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烃树脂、环氧树脂、氟树脂、天然橡胶以及合成橡胶。特别是从光学透明性优异并显示出适度的润湿性、聚集性及粘接性等粘合特性、且耐候性及耐热性等也优异的角度来看，作为树脂，优选选择丙烯酸类树脂。
在形成固着功能层的树脂中，为了抑制透光性导电层1的腐蚀及迁移，也可以添加公知的防腐蚀剂及防迁移剂(例如日本特开2015-022397号中公开的材料)。此外，在固着功能层(形成固着功能层的树脂)中，为了抑制物品在屋外使用时的劣化，可以添加公知的紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂，例如可列举出：二苯甲酮化合物、苯并三唑化合物、水杨酸化合物、草酰苯胺化合物、氰基丙烯酸酯化合物以及三嗪化合物。
此外，也可以经由固着功能层将透光性导电薄膜10中的树脂层11以及与各物品对应的构件固定。在这种情况下，在透光性导电薄膜10中，透光性导电层1(包括具有图案形状的透光性导电层1)会露出。因此，也可以在透光性导电层1的厚度方向的一面配置覆盖层。
覆盖层是被覆透光性导电层1的层，能够提高透光性导电层1的可靠性，抑制由损伤导致的功能劣化。
覆盖层的材料优选为电介质。覆盖层由树脂及无机材料的混合物形成。作为树脂，可列举出在固着功能层中例示的树脂。作为无机材料，可列举出在后述的中间层的材料中例示的材料。
此外，在上述树脂及无机材料的混合物中，从与上述固着功能层同样的角度来看，也可以添加防腐蚀剂、防迁移剂以及紫外线吸收剂。
上述物品由于具备上述透光性导电薄膜10，因此可靠性优异。具体而言，触摸传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽体构件、图像显示装置、加热器构件以及照明由于具备上述透光性导电薄膜10而可靠性优异。
(一个实施方式的作用效果)
然后，该透光性导电性片1的制造方法中，由于第一靶51的电力密度P1相对于总电力密度P之比(P1/P)为0.20以下，因此能够形成结晶性高的内侧层6，由此，能够减小透光性导电层3的透光性导电层。结果，能够制造具备低电阻率的透光性导电层3的透光性导电性片1。
此外，该透光性导电性片1的制造方法中，由于对由氧化锡的含有率超过8质量％的铟-锡复合氧化物形成的第一靶51施加电力来形成内侧层6，因此能够充分减小透光性导电层3的电阻率。
此外，由于第一成膜室41的溅射气体中的反应性气体的比例R1相对于第二成膜室42的溅射气体中的反应性气体的比例R2之比(R1/R2)为1以下，因此能够提高内侧层6的结晶性，结果，能够制造具备电阻率更低的透光性导电层3的透光性导电性片1。
此外，该透光性导电性片1的制造方法中，由于具备使透光性导电层3结晶的第三工序，因此能够制造具备电阻率更低的透光性导电层3的透光性导电性片1。
(变形例)
在变形例中，对于与一个实施方式同样的构件及工序，标以相同的附图标记，省略其详细说明。此外，变形例除非有特别记载，能够发挥与一个实施方式同样的作用效果。进而，可以将一个实施方式及其变形例适当组合。
构成溅射气体的非活性气体可以是单一的非活性气体，也可以是多种非活性气体混合而得的混合非活性气体。具体而言，例如非活性气体可以仅仅是氩气，此外，非活性气体也可以是氩气、氪气、氙气以任意比例混合而得的混合非活性气体。
此外，向各成膜室供给的非活性气体的种类也可以各自不同。例如可以是第一气体供给机61的非活性气体为氩气，此外，第二气体供给机62的非活性气体为氪气。
多个靶的数量可以为2、3、或5以上。如果多个靶的数量为2，则总电力密度P为P1+P2。该变形例中，如图3所示，溅射装置30仅具备第一成膜室41和第二成膜室42。由图3所示的溅射装置30形成的透光性导电层3如图4所示，沿厚度方向的一侧依次配置内侧层6和外侧层22。
基材片2还可以具备其他功能层。例如，如图2的虚线所示，可以具备在基材层4的厚度方向的另一面配置的抗粘连层25。
如果多个靶的数量为3，则总电力密度P为P1+P2+P3。
如果多个靶的数量为5，则总电力密度P为P1+P2+P3+P4+P5。
作为一个实施方式，公开了将成膜辊40(的表面)冷却的制造方法。另一方面，在变形例中将成膜辊40的温度升温。成膜辊40的温度例如超过20℃且为180℃以下。
实施例
以下，给出实施例及比较例对本发明进行更具体的说明。需要说明的是，在以下记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以替代为上述“具体实施方式”中记载的、与它们对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等对应记载的上限值(以“以下”、“小于”的形式定义的数值)或下限值(以“以上”、“超过”的形式定义的数值)。此外，在以下记载中没有特别提及的情况下，“份”及“％”为质量基准。
实施例1
在由长条的PET薄膜(东丽株式会社制造、厚度50μm)形成的基材层4的厚度方向的一面，涂布包含丙烯酸类树脂的紫外线固化性的硬涂层组合物，照射紫外线使其固化，形成厚度为2μm的硬涂层5。由此，准备具备基材层4和硬涂层5的基材片2。
接着，将基材片2安装于溅射装置30。将成膜辊40的温度设定为-8℃。驱动第一泵91、第二泵92、第三泵93以及第四泵94。在溅射装置30中，第一靶51、第二靶、第三靶53以及第四靶54的材料均为氧化铟与氧化锡的烧结体。烧结体中的氧化锡浓度为10质量％。
自第一非活性气体供给机71向第一成膜室41供给氩气，自第一反应性气体供给机72向第一成膜室41供给氧气。第一成膜室41的气压为0.4Pa。第一成膜室41的混合气体(氩气及氧气)中的氧气相对于氩气的比例R1(体积基准)为0.010。对第一靶51以电力密度P1(0.7W/cm2)施加电力，对第一靶51进行溅射。第一靶51上的水平磁场强度为90mT。施加于第一靶51的电源使用DC。
自第二非活性气体供给机73向第二成膜室42供给氩气，自第二反应性气体供给机74向第二成膜室42供给氧气。第二成膜室42的气压为0.4Pa。第二成膜室42的混合气体(氩气及氧气)中的氧气相对于氩气的比例R2(体积基准)为0.017。对第二靶52以电力密度P2(5.0W/cm2)施加电力，对第二靶52进行溅射。第二靶52上的水平磁场强度为90mT。施加于第二靶52的电源使用DC。
自第三非活性气体供给机75向第三成膜室43供给氩气，自第三反应性气体供给机76向第三成膜室43供给氧气。第三成膜室43的气压为0.4Pa。第三成膜室43的混合气体(氩气及氧气)中的氧气相对于氩气的比例R4(体积基准)为0.017。对第三靶53以电力密度P2(5.0W/cm2)施加电力，对第三靶53进行溅射。第三靶53上的水平磁场强度为90mT。施加于第三靶53的电源使用DC。
自第四非活性气体供给机77向第四成膜室44供给氩气，自第四反应性气体供给机78向第四成膜室44供给氧气。第四成膜室44的气压为0.4Pa。第四成膜室44的混合气体(氩气及氧气)中的氧气相对于氩气的比例R4(体积基准)为0.017。对第四靶54以电力密度P2(5.0W/cm2)施加电力，对第四靶54进行溅射。第四靶54上的水平磁场强度为90mT。施加于第四靶54的电源使用DC。
第一靶51的电力密度P1相对于第一靶51的电力密度P1、第二靶52的电力密度P2、第三靶53的电力密度P3以及第四靶54的电力密度P4的总电极密度P之比(P1/P＝P1/(P1+P2+P3+P4))为0.04。
由此，在基材片2的厚度方向的一侧依次形成内侧层6和外侧层22。内侧层6与外侧层22形成非晶的透光性导电层3。由此，制造沿厚度方向的一侧依次具备基材片2和透光性导电层3的透光性导电性片1(非晶透光性导电性片10)。
实施例2～实施例6、比较例1、比较例2
将第一靶51的氧化锡的浓度、各靶的电力密度(P1、P2、P3、P4)、混合气体中的氧的比例R1～R4、内侧层6及外侧层22的总厚度等按照表1进行变更，除此之外与实施例1同样进行，制造透光性导电性片1(非晶透光性导电性片10)。
(评价)
将各实施例及各比较例的透光性导电性片1用热风烘箱以165℃加热2小时，使透光性导电层3结晶。对于该透光性导电层3评价以下项目。将结果记载于表1。
(表面电阻)
利用依据JIS K7194(1994年)的四端子法测定透光性导电层3的表面电阻。
(电阻率)
用透光性导电层3的表面电阻乘以透光性导电层3的厚度来得到电阻率。
(内侧层等的鉴定和厚度)
利用FIB微量取样法处理透光性导电性片1使截面露出，然后实施截面的FE-TEM观察。
FIB装置：Hitachi,Ltd.制造FB2200、加速电压：10kV
FE-TEM装置：JEOL Ltd.制造JEM-2800、加速电压：200kV
将实施例1的TEM照片示于图5。将比较例1的TEM照片示于图6。
[表1]
Figure BDA0003963211280000181
需要说明的是，作为本发明的例示的实施方式给出了上述发明，但这仅仅是简单的例示，不应做限定性解释。该技术领域的技术人员所清楚的本发明的变形例包括在权利要求的保护范围中。
产业上的可利用性
透光性导电性片例如用于触摸传感器、调光元件、光电转换元件、热射线控制构件、天线、电磁波屏蔽体构件、图像显示装置、加热器构件以及照明。
附图标记说明
1 透光性导电性片
2 基材片
3 透光性导电层
6 内侧层
22 外侧层
30 溅射装置
51 第一靶
P1 第一靶的电力密度
P 总电力密度
R1 混合气体中的氧气的比例(第一工序)
R2 混合气体中的氧气的比例(第二工序)

Claims (3)

1.一种透光性导电性片的制造方法，其特征在于，该制造方法具备通过对多个靶分别施加电力的多次溅射而在基材片的厚度方向的一面形成透光性导电层的工序，
所述形成透光性导电层的工序具备下述工序：
第一工序，对第一靶施加电力，在所述基材片的所述厚度方向的一面形成内侧层，所述第一靶包括在所述多个靶中，包含氧化铟和氧化锡，由所述氧化锡的含有率超过8质量％的铟-锡复合氧化物形成；以及，
第二工序，对除所述第一靶以外的靶施加电力，在所述内侧层的厚度方向的一面形成外侧层，
所述第一靶的电力密度P1相对于所述多个靶的总电力密度P之比即P1/P为0.20以下。
2.根据权利要求1所述的透光性导电性片的制造方法，其特征在于，所述第一工序在包含反应性气体的溅射气体的气氛下进行溅射，
所述第二工序在包含反应性气体的溅射气体的气氛下进行溅射，
所述第一工序当中的所述溅射气体中的反应性气体的比例R1相对于所述第二工序当中的所述溅射气体中的反应性气体的比例R2之比即R1/R2为1以下。
3.根据权利要求1或2所述的透光性导电性片的制造方法，其特征在于，在所述第二工序之后，还具备使所述透光性导电层结晶的第三工序。
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