JP3214586B2 - 透明導電フィルム及びその製造方法 - Google Patents
透明導電フィルム及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3214586B2 JP3214586B2 JP32743893A JP32743893A JP3214586B2 JP 3214586 B2 JP3214586 B2 JP 3214586B2 JP 32743893 A JP32743893 A JP 32743893A JP 32743893 A JP32743893 A JP 32743893A JP 3214586 B2 JP3214586 B2 JP 3214586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- thin film
- conductive film
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低抵抗で安定性の高い
透明導電フィルム、及びその製造方法に関するものであ
る。
透明導電フィルム、及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高分子フィルム上に透明かつ低抵抗な化
合物を付着させた透明導電フィルムは、その導電性を利
用した用途、例えば、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプ
レイといったフラットディスプレイや、太陽電池等の透
明電極、ブラウン管の窓の透明静電、或は、電磁シール
ド板、発熱体等の電気、電子分野の用途に広く使用され
ている。又、このような透明導電薄膜の中で、選択透過
性を有するものは、その赤外光反射特性を利用して、太
陽エネルギー利用のためのコレクター用窓材や建物、自
動車等の熱線反射材としても利用されている。
合物を付着させた透明導電フィルムは、その導電性を利
用した用途、例えば、液晶ディスプレイ、ＥＬディスプ
レイといったフラットディスプレイや、太陽電池等の透
明電極、ブラウン管の窓の透明静電、或は、電磁シール
ド板、発熱体等の電気、電子分野の用途に広く使用され
ている。又、このような透明導電薄膜の中で、選択透過
性を有するものは、その赤外光反射特性を利用して、太
陽エネルギー利用のためのコレクター用窓材や建物、自
動車等の熱線反射材としても利用されている。
【０００３】これらの透明導電薄膜としては、一般的に
は、酸化すず（ＳｎＯ2 ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ
3 ）、酸化インジウム・すず（ＩＴＯ）、或は、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を中心としたものが代表的であり、真空蒸
着法、スパッター法、ＣＶＤ法、スプレー法等により作
成できることが知られている。これらの化合物膜は、適
当な作成条件とすることで、実用可能な特性（表面抵抗
数Ω／□〜数ＭΩ／□、可視光透過率７０〜９５％）
をもつ透明導電薄膜とできることが知られている。
は、酸化すず（ＳｎＯ2 ）、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ
3 ）、酸化インジウム・すず（ＩＴＯ）、或は、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を中心としたものが代表的であり、真空蒸
着法、スパッター法、ＣＶＤ法、スプレー法等により作
成できることが知られている。これらの化合物膜は、適
当な作成条件とすることで、実用可能な特性（表面抵抗
数Ω／□〜数ＭΩ／□、可視光透過率７０〜９５％）
をもつ透明導電薄膜とできることが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の透明
導電フィルムは、次のような課題を有していた。プラス
チック基材上に酸化インジウムや酸化錫等の透明導電薄
膜を形成する場合、プラスチック基材は一般的に２００
℃以上の高温に耐えられないため、比較的低温、例えば
２００℃以下で透明導電膜を形成する必要がある。さら
にプラスチック基材と透明導電薄膜の界面との整合性が
悪いため、２００℃以下といった低温で基材上に成長さ
せた透明導電薄膜は、例えば４５０℃〜５００℃の高温
で成長させた膜に比べると、一般に膜の比抵抗が大きい
という欠点を有する。これは、低温で作成された透明導
電薄膜の構造が非晶質であるためといわれている。さら
に、この非晶質構造は準安定状態であるため、抵抗特性
が経時的に変化するという問題がある。また、プラスチ
ック基材との界面の整合性が悪いために薄膜の付着力が
小さいという問題も存在する。
導電フィルムは、次のような課題を有していた。プラス
チック基材上に酸化インジウムや酸化錫等の透明導電薄
膜を形成する場合、プラスチック基材は一般的に２００
℃以上の高温に耐えられないため、比較的低温、例えば
２００℃以下で透明導電膜を形成する必要がある。さら
にプラスチック基材と透明導電薄膜の界面との整合性が
悪いため、２００℃以下といった低温で基材上に成長さ
せた透明導電薄膜は、例えば４５０℃〜５００℃の高温
で成長させた膜に比べると、一般に膜の比抵抗が大きい
という欠点を有する。これは、低温で作成された透明導
電薄膜の構造が非晶質であるためといわれている。さら
に、この非晶質構造は準安定状態であるため、抵抗特性
が経時的に変化するという問題がある。また、プラスチ
ック基材との界面の整合性が悪いために薄膜の付着力が
小さいという問題も存在する。
【０００５】一方、このような透明導電薄膜を、安定か
つ低抵抗の結晶状態にするためには、成膜時に基板温度
を高くしたり、成膜後に熱処理を行う方法等も提案され
ているが、プラスチック基材上では、基板温度、熱処理
温度を高くするにも限界があり、結晶化させても得られ
る特性は不十分で余り優れたものではなかった。また、
プラスチック基材上への低抵抗で付着力の強い透明導電
薄膜の形成方法として珪素、アルミニウムやチタン化合
物の薄膜を下地膜とする方法が提案されている（特開昭
58-172810)が、低抵抗といってもまだ不十分であり、さ
らに性能の安定性も十分なものではなかった。本発明
は、かかる欠点を改善することを目的として鋭意検討の
結果、透明導電薄膜と整合性の良い下地化合物膜として
酸化セリウムを透明導電膜との界面に介在させることに
より、低温形成膜ながら上記欠点が改善されることを見
出し、本発明として提案するに至ったものである。
つ低抵抗の結晶状態にするためには、成膜時に基板温度
を高くしたり、成膜後に熱処理を行う方法等も提案され
ているが、プラスチック基材上では、基板温度、熱処理
温度を高くするにも限界があり、結晶化させても得られ
る特性は不十分で余り優れたものではなかった。また、
プラスチック基材上への低抵抗で付着力の強い透明導電
薄膜の形成方法として珪素、アルミニウムやチタン化合
物の薄膜を下地膜とする方法が提案されている（特開昭
58-172810)が、低抵抗といってもまだ不十分であり、さ
らに性能の安定性も十分なものではなかった。本発明
は、かかる欠点を改善することを目的として鋭意検討の
結果、透明導電薄膜と整合性の良い下地化合物膜として
酸化セリウムを透明導電膜との界面に介在させることに
より、低温形成膜ながら上記欠点が改善されることを見
出し、本発明として提案するに至ったものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、低抵抗で安定
性の優れた透明導電フィルムを提供せんとするものであ
る。すなわち、本発明は、プラスチック基材上に透明導
電薄膜を設けた透明導電フィルムにおいて、該透明導電
薄膜の下地膜として結晶性を有する無機物質、例えば酸
化セリウム等を設けたことを特徴とする透明導電フィル
ムであり、その製造方法である。
性の優れた透明導電フィルムを提供せんとするものであ
る。すなわち、本発明は、プラスチック基材上に透明導
電薄膜を設けた透明導電フィルムにおいて、該透明導電
薄膜の下地膜として結晶性を有する無機物質、例えば酸
化セリウム等を設けたことを特徴とする透明導電フィル
ムであり、その製造方法である。
【０００７】本発明におけるプラスチック基材とは、有
機高分子を溶融押出しをして、必要に応じ、長手方向、
および、または、幅方向に延伸、冷却、熱固定を施した
フィルムであり、有機高分子としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタート、ポリエチ
レン−２、６−ナフタレート、ナイロン６、ナイロン
４、ナイロン６６、ナイロン１２、ポリ塩化ビニール、
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニールアルコール、全芳香
族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリスルフォン、ポリッフェニレンスル
フィド、ポリフェニレンオキサイドなどがあげられる。
また、これらの（有機重合体）有機高分子は他の有機重
合体を少量共重合をしたり、ブレンドしたりしてもよ
い。これらの中で本発明においてもっとも用いられてい
るのは、ポリエチレンテレフタート等である。
機高分子を溶融押出しをして、必要に応じ、長手方向、
および、または、幅方向に延伸、冷却、熱固定を施した
フィルムであり、有機高分子としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタート、ポリエチ
レン−２、６−ナフタレート、ナイロン６、ナイロン
４、ナイロン６６、ナイロン１２、ポリ塩化ビニール、
ポリ塩化ビニリデン、ポリビニールアルコール、全芳香
族ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエ
ーテルイミド、ポリスルフォン、ポリッフェニレンスル
フィド、ポリフェニレンオキサイドなどがあげられる。
また、これらの（有機重合体）有機高分子は他の有機重
合体を少量共重合をしたり、ブレンドしたりしてもよ
い。これらの中で本発明においてもっとも用いられてい
るのは、ポリエチレンテレフタート等である。
【０００８】さらにこの有機高分子には、公知の添加
剤、例えば、紫外線吸収剤、帯電防止剤、可塑剤、滑
剤、着色剤などが添加されていてもよく、その透明度は
特に限定するものではないが、透明度を重要視する用途
に使用する場合には、５０％以上の透過率をもつものが
好ましい。本発明のプラスチックフィルムは、本発明の
目的を損なわない限りにおいて、薄膜層を積層するに先
行して、該フィルムをコロナ放電処理、グロー放電処
理、その他の表面粗面化処理を施してもよく、また、公
知のアンカーコート処理、印刷、装飾が施されていても
よい。本発明のプラスチックフィルムは、その厚さとし
てはとくに制限はないが、３〜５００μｍの範囲が好ま
しく、さらに好ましくは８〜３００μｍの範囲である。
本発明品は、そのままで使用されてもよいが、他の有機
高分子のフィルム、または薄層をラミネートまたはコー
ティングして使用してもよい。
剤、例えば、紫外線吸収剤、帯電防止剤、可塑剤、滑
剤、着色剤などが添加されていてもよく、その透明度は
特に限定するものではないが、透明度を重要視する用途
に使用する場合には、５０％以上の透過率をもつものが
好ましい。本発明のプラスチックフィルムは、本発明の
目的を損なわない限りにおいて、薄膜層を積層するに先
行して、該フィルムをコロナ放電処理、グロー放電処
理、その他の表面粗面化処理を施してもよく、また、公
知のアンカーコート処理、印刷、装飾が施されていても
よい。本発明のプラスチックフィルムは、その厚さとし
てはとくに制限はないが、３〜５００μｍの範囲が好ま
しく、さらに好ましくは８〜３００μｍの範囲である。
本発明品は、そのままで使用されてもよいが、他の有機
高分子のフィルム、または薄層をラミネートまたはコー
ティングして使用してもよい。
【０００９】本発明における透明導電薄膜としては、透
明性、及び、導電特性を合わせもつ材料であれば特に制
限はないが、代表的なものとしては、酸化インジウム、
酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化
スズ−アンチモン、酸化亜鉛、酸化亜鉛−アルミニウム
薄膜等がある。これらの化合物薄膜は、適当な作成条件
とすることで、透明性と導電性をあわせもつ（表面抵抗
数Ω／□〜数ＭΩ／□、可視光透過率６０〜９５％）
透明導電薄膜となることが知られている。なお、これら
の透明導電薄膜の膜厚としては、８０〜８０００Å（オ
ングストローム）程度とするのが望ましく、更に望まし
くは１００〜５０００Åである。本発明における透明導
電薄膜の作成法としては、真空蒸着、スパッター、ＣＶ
Ｄ、イオンプレーテイング法、スプレー法等が知られて
いる。本発明では、透明導電薄膜の作成法を特に限定す
るものではないが、下地膜をドライプロセスで作成する
ため、透明導電薄膜も同様に、真空蒸着、スパッター法
等のドライプロセスが望ましい。例えばスパッタ法の場
合は化合物タ−ゲットを用いた通常のスパッタ、あるい
は金属タ−ゲットを用いた反応性スパッタなどが用いら
れる。この時、反応性ガスとして酸素、窒素、水蒸気等
を導入したり、オゾン添加、イオンアシスト等の手段を
併用してもよい。また、基板温度については、本発明に
おいては、特に上げずとも、結晶質の良好な特性の透明
導電膜が得られるが、本発明の目的を損なわないかぎり
において、基板温度を上下させるなど作製条件を変更し
てもよい。蒸着、ＣＶＤ法等の他の作製法においても同
様である。
明性、及び、導電特性を合わせもつ材料であれば特に制
限はないが、代表的なものとしては、酸化インジウム、
酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化
スズ−アンチモン、酸化亜鉛、酸化亜鉛−アルミニウム
薄膜等がある。これらの化合物薄膜は、適当な作成条件
とすることで、透明性と導電性をあわせもつ（表面抵抗
数Ω／□〜数ＭΩ／□、可視光透過率６０〜９５％）
透明導電薄膜となることが知られている。なお、これら
の透明導電薄膜の膜厚としては、８０〜８０００Å（オ
ングストローム）程度とするのが望ましく、更に望まし
くは１００〜５０００Åである。本発明における透明導
電薄膜の作成法としては、真空蒸着、スパッター、ＣＶ
Ｄ、イオンプレーテイング法、スプレー法等が知られて
いる。本発明では、透明導電薄膜の作成法を特に限定す
るものではないが、下地膜をドライプロセスで作成する
ため、透明導電薄膜も同様に、真空蒸着、スパッター法
等のドライプロセスが望ましい。例えばスパッタ法の場
合は化合物タ−ゲットを用いた通常のスパッタ、あるい
は金属タ−ゲットを用いた反応性スパッタなどが用いら
れる。この時、反応性ガスとして酸素、窒素、水蒸気等
を導入したり、オゾン添加、イオンアシスト等の手段を
併用してもよい。また、基板温度については、本発明に
おいては、特に上げずとも、結晶質の良好な特性の透明
導電膜が得られるが、本発明の目的を損なわないかぎり
において、基板温度を上下させるなど作製条件を変更し
てもよい。蒸着、ＣＶＤ法等の他の作製法においても同
様である。
【００１０】本発明において、下地膜である結晶無機物
質例えば酸化セリウム薄膜の作製法としては、真空蒸着
法、スパッター法、イオンプレーテイングなどのＰＶＤ
法（物理蒸着法）、或いは、ＣＶＤ法（化学蒸着法）な
どが適宜用いられるが、膜厚の制御の点からするとスパ
ッタ法がもっとも望ましい。下地膜の膜厚としては、５
０Å以上あればよく、望ましくは、１００Å以上５００
０Å以下である。なお、酸化セリウム中には、特性が損
なわれない範囲で微量（全成分に対して３％程度）の他
成分を含んでも良い。本発明の下地膜である例えば無機
物質酸化セリウム薄膜は、直接透明導電膜と接触してお
ればよく、酸化セリウム膜の下地膜の更に下については
特に限定はない。例えば酸化珪素、酸化アルミニウム薄
膜などを酸化セリウム膜の更に下にバリア層として設け
てもよいし、また何もつけずに酸化セリウム膜が直接プ
ラスチック基材に接してもよい。本発明においては下地
膜である酸化セリウム薄膜が、直接透明導電膜と接触し
ておれば、該透明導電膜の構造が非晶質ではなく結晶質
になり、低抵抗で安定性の優れた透明導電フィルムを作
製することができる。
質例えば酸化セリウム薄膜の作製法としては、真空蒸着
法、スパッター法、イオンプレーテイングなどのＰＶＤ
法（物理蒸着法）、或いは、ＣＶＤ法（化学蒸着法）な
どが適宜用いられるが、膜厚の制御の点からするとスパ
ッタ法がもっとも望ましい。下地膜の膜厚としては、５
０Å以上あればよく、望ましくは、１００Å以上５００
０Å以下である。なお、酸化セリウム中には、特性が損
なわれない範囲で微量（全成分に対して３％程度）の他
成分を含んでも良い。本発明の下地膜である例えば無機
物質酸化セリウム薄膜は、直接透明導電膜と接触してお
ればよく、酸化セリウム膜の下地膜の更に下については
特に限定はない。例えば酸化珪素、酸化アルミニウム薄
膜などを酸化セリウム膜の更に下にバリア層として設け
てもよいし、また何もつけずに酸化セリウム膜が直接プ
ラスチック基材に接してもよい。本発明においては下地
膜である酸化セリウム薄膜が、直接透明導電膜と接触し
ておれば、該透明導電膜の構造が非晶質ではなく結晶質
になり、低抵抗で安定性の優れた透明導電フィルムを作
製することができる。
【００１１】次に、実施例をあげて説明する。 （実施例１）ＰＥＴフィルム（東洋紡（株）Ｅ５１０
０：１００μｍ厚）上に透明導電薄膜の下地膜として、
酸化セリウム薄膜（５０〜１５００Å厚）をつけた。作
成方法は高周波マグネトロンスパッター法であり、ター
ゲットとして酸化セリウムの焼結ターゲット（大きさ
１００×４００ｍｍ）を用いた。作成条件としては、ス
パッター時の真空圧はＡｒガスを導入して、３ｍＴｏｒ
ｒ一定とし、スパッター電力（４００〜１０００Ｗ）と
フィルムの送り速度（０．５〜２ｍ／ｍｉｎ）を変える
ことで所定の膜厚とした。次に、この上にＩｎ−Ｓｎ
（５ｗｔ％）金属ターゲットを用いて、ＤＣ反応性スパ
ッター法で、ＩＴＯ膜を成膜した。条件としてはスパッ
ター時の真空圧４ｍＴｏｒｒ一定とし、スパッター電流
（１〜５Ａ）とフィルムの送り速度（０．５〜２ｍ／ｍ
ｉｎ）を変えることで２００または１０００Åの膜厚と
した。酸化度は、ＡｒとＯ2 の混合ガスを導入すること
で酸化雰囲気をコントロールした。また、基板温度は特
に上げなかった。（表１：実施例１−１〜８）
０：１００μｍ厚）上に透明導電薄膜の下地膜として、
酸化セリウム薄膜（５０〜１５００Å厚）をつけた。作
成方法は高周波マグネトロンスパッター法であり、ター
ゲットとして酸化セリウムの焼結ターゲット（大きさ
１００×４００ｍｍ）を用いた。作成条件としては、ス
パッター時の真空圧はＡｒガスを導入して、３ｍＴｏｒ
ｒ一定とし、スパッター電力（４００〜１０００Ｗ）と
フィルムの送り速度（０．５〜２ｍ／ｍｉｎ）を変える
ことで所定の膜厚とした。次に、この上にＩｎ−Ｓｎ
（５ｗｔ％）金属ターゲットを用いて、ＤＣ反応性スパ
ッター法で、ＩＴＯ膜を成膜した。条件としてはスパッ
ター時の真空圧４ｍＴｏｒｒ一定とし、スパッター電流
（１〜５Ａ）とフィルムの送り速度（０．５〜２ｍ／ｍ
ｉｎ）を変えることで２００または１０００Åの膜厚と
した。酸化度は、ＡｒとＯ2 の混合ガスを導入すること
で酸化雰囲気をコントロールした。また、基板温度は特
に上げなかった。（表１：実施例１−１〜８）
【００１２】（表面抵抗の測定法）抵抗特性の測定には
４端針法を用いた。測定機としては、三菱油化（株）
（Ｌｏｔｅｓｔ ＡＰＭＣＰ−Ｔ４００）を用い測定し
た。
４端針法を用いた。測定機としては、三菱油化（株）
（Ｌｏｔｅｓｔ ＡＰＭＣＰ−Ｔ４００）を用い測定し
た。
【００１３】（Ｘ線回折の方法）結晶性の測定は高強力
Ｘ線回折装置 リガク（株）製 Ｒｏｔａｆｌｅｘ（Ｒ
ＡＤ−ＲＡＣ）を用い測定した。Ｘ線の発生条件として
は、Ｃｕの管球を用い、励起電圧、電流を ４０ＫＶ，
１４０ｍＡとした。得られたサンプルの比抵抗は、８×
１０-4Ωｃｍ以下であった。更に、Ｘ線回折で結晶性を
チェックすると、２θ＝３０度と５０度付近に酸化イン
ジウムの結晶のピーク（２２２）（４４０）が観測さ
れ、結晶質になっていることが解った。（図１）
Ｘ線回折装置 リガク（株）製 Ｒｏｔａｆｌｅｘ（Ｒ
ＡＤ−ＲＡＣ）を用い測定した。Ｘ線の発生条件として
は、Ｃｕの管球を用い、励起電圧、電流を ４０ＫＶ，
１４０ｍＡとした。得られたサンプルの比抵抗は、８×
１０-4Ωｃｍ以下であった。更に、Ｘ線回折で結晶性を
チェックすると、２θ＝３０度と５０度付近に酸化イン
ジウムの結晶のピーク（２２２）（４４０）が観測さ
れ、結晶質になっていることが解った。（図１）
【００１４】（比較例１）（実施例１）と同様に、ＰＥ
Ｔフィルム上にＩＴＯ膜を成膜し、透明導電フィルムを
作成した。この時に、下地膜は形成せず、ＰＥＴフィル
ム上に直接ＩＴＯ膜を付けた。スパッター条件は、（実
施例１）と同様にし、薄膜厚を２００と１０００Åとし
た。（表１：比較例１−１〜２）
Ｔフィルム上にＩＴＯ膜を成膜し、透明導電フィルムを
作成した。この時に、下地膜は形成せず、ＰＥＴフィル
ム上に直接ＩＴＯ膜を付けた。スパッター条件は、（実
施例１）と同様にし、薄膜厚を２００と１０００Åとし
た。（表１：比較例１−１〜２）
【００１５】（比較例２）ＥＢ蒸着法を用い、ＰＥＴフ
ィルム上に透明導電膜の下地膜として酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタンを所定の膜厚につけ、さらにＩ
ＴＯ膜を実施例１と同様にスパッタ法でつけた。ＩＴＯ
膜の膜厚は４８０Åとした。（表１：比較例２−１〜
３） 比較例１、２で得られた透明導電膜をＸ線回折で結晶性
を調べたが、結晶のピークは観測されず、非晶質である
ことがわかった。また、実施例のサンプルの抵抗特性が
８×１０-4Ωｃｍ以下になっているのに対し、比較例の
抵抗特性は１５×１０-4Ωｃｍ以上であり、劣っている
ことが解った。
ィルム上に透明導電膜の下地膜として酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、酸化チタンを所定の膜厚につけ、さらにＩ
ＴＯ膜を実施例１と同様にスパッタ法でつけた。ＩＴＯ
膜の膜厚は４８０Åとした。（表１：比較例２−１〜
３） 比較例１、２で得られた透明導電膜をＸ線回折で結晶性
を調べたが、結晶のピークは観測されず、非晶質である
ことがわかった。また、実施例のサンプルの抵抗特性が
８×１０-4Ωｃｍ以下になっているのに対し、比較例の
抵抗特性は１５×１０-4Ωｃｍ以上であり、劣っている
ことが解った。
【００１６】（実施例２） １２５μｍ厚のＰＥＴフィルム（東洋紡Ｅ５１００）上
に、透明導電薄膜の下地層として、表２に記載の膜厚で
酸化セリウム薄膜（５０〜５００Å）を設けた。次に、
この上にＳｎＯ2（Ｓｂ：５ｗｔ％）の焼結ターゲット
を用い、高周波スパッター法によって、酸化スズ−アン
チモン系透明導電膜（２００又は１０００Å厚）を成膜
した。作製条件としては、スパッター時の真空圧４ｍＴ
ｏｒｒ、スパッター電力（１ＫＷ）一定とし、フィルム
の送り速度（０．４〜２ｍ／ｍｉｎ）を変えることで所
定の膜厚とした。酸化度は、ＡｒとＯ2の混合ガスを導
入することで酸化雰囲気をコントロールした。また、こ
の時基板温度は特に上げなかった。このようにして得ら
れたサンプルの比抵抗を実施例１と同様に測定した。
（表２：実施例２−１〜６） また、結晶性も調べたところ、結晶のピークが観測さ
れ、結晶質であることがわかった。
に、透明導電薄膜の下地層として、表２に記載の膜厚で
酸化セリウム薄膜（５０〜５００Å）を設けた。次に、
この上にＳｎＯ2（Ｓｂ：５ｗｔ％）の焼結ターゲット
を用い、高周波スパッター法によって、酸化スズ−アン
チモン系透明導電膜（２００又は１０００Å厚）を成膜
した。作製条件としては、スパッター時の真空圧４ｍＴ
ｏｒｒ、スパッター電力（１ＫＷ）一定とし、フィルム
の送り速度（０．４〜２ｍ／ｍｉｎ）を変えることで所
定の膜厚とした。酸化度は、ＡｒとＯ2の混合ガスを導
入することで酸化雰囲気をコントロールした。また、こ
の時基板温度は特に上げなかった。このようにして得ら
れたサンプルの比抵抗を実施例１と同様に測定した。
（表２：実施例２−１〜６） また、結晶性も調べたところ、結晶のピークが観測さ
れ、結晶質であることがわかった。
【００１７】（比較例３）（実施例２）と同様に、ＰＥ
Ｔフィルム上に酸化スズ−アンチモン系透明導電膜を成
膜し、透明導電フィルムを作成した。この時に、下地膜
なしでＰＥＴフィルム上に直接透明導電膜を付けたサン
プル（比較例３−１〜２）と下地膜として酸化珪素、酸
化アルミニウム、酸化チタン薄膜を所定の膜厚につけ、
さらに透明導電膜をつけたサンプル（比較例３−３〜
５）を作製した。このようにして得られたサンプルの比
抵抗を実施例１と同様に測定した。（表２） その結果、実施例のサンプルの抵抗特性が１０×１０-4
Ωｃｍ以下になっているのに対し、比較例の抵抗特性は
３５×１０-4Ωｃｍ以上であり劣っていることが解っ
た。更に、結晶性も調べたが、結晶のピークは観測され
ず、非晶質であることがわかった。次に熱的安定性を調
べるために、実施例１−３と比較例１−２、２−１のサ
ンプルを８０℃の恒温槽中に放置した。その結果、実施
例のサンプルは１０００時間放置後も安定しているが、
比較例のサンプルは徐々に変化し、１０００時間後には
抵抗値が２倍以上に増加した。（図２） 次に同じサンプルについて、打鍵テスト（１００００
回）をおこなったところ、実施例のサンプルの抵抗特性
は安定しているが、比較例のサンプルは１．５〜２倍に
も抵抗値が上昇し、安定性が劣ることがわかった。（図
３）
Ｔフィルム上に酸化スズ−アンチモン系透明導電膜を成
膜し、透明導電フィルムを作成した。この時に、下地膜
なしでＰＥＴフィルム上に直接透明導電膜を付けたサン
プル（比較例３−１〜２）と下地膜として酸化珪素、酸
化アルミニウム、酸化チタン薄膜を所定の膜厚につけ、
さらに透明導電膜をつけたサンプル（比較例３−３〜
５）を作製した。このようにして得られたサンプルの比
抵抗を実施例１と同様に測定した。（表２） その結果、実施例のサンプルの抵抗特性が１０×１０-4
Ωｃｍ以下になっているのに対し、比較例の抵抗特性は
３５×１０-4Ωｃｍ以上であり劣っていることが解っ
た。更に、結晶性も調べたが、結晶のピークは観測され
ず、非晶質であることがわかった。次に熱的安定性を調
べるために、実施例１−３と比較例１−２、２−１のサ
ンプルを８０℃の恒温槽中に放置した。その結果、実施
例のサンプルは１０００時間放置後も安定しているが、
比較例のサンプルは徐々に変化し、１０００時間後には
抵抗値が２倍以上に増加した。（図２） 次に同じサンプルについて、打鍵テスト（１００００
回）をおこなったところ、実施例のサンプルの抵抗特性
は安定しているが、比較例のサンプルは１．５〜２倍に
も抵抗値が上昇し、安定性が劣ることがわかった。（図
３）
【００１８】
【発明の効果】すなわち、本発明は、プラスチック基材
上に透明導電薄膜を設けた透明導電フィルムにおいて、
該透明導電薄膜の下地膜として酸化セリウムを設けるこ
とによって低抵抗で安定性の優れた透明導電フィルムを
提供できる。
上に透明導電薄膜を設けた透明導電フィルムにおいて、
該透明導電薄膜の下地膜として酸化セリウムを設けるこ
とによって低抵抗で安定性の優れた透明導電フィルムを
提供できる。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【図１】図１はＸ線回折による透明導電膜の結晶性測定
の一例を示す。
の一例を示す。
【図２】図２は抵抗特性の熱的安定性をみるための放置
試験の結果の一例を示す。
試験の結果の一例を示す。
【図３】図３は抵抗特性の実用安定性をみるための打鍵
試験の結果の一例を示す。
試験の結果の一例を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−79644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−79645（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−79646（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−252733（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 H01B 5/14
Claims (2)
- 【請求項１】 プラスチック基材上に透明導電薄膜を設
けた透明導電フィルムにおいて、該透明導電薄膜の下地
膜として酸化セリウム薄膜を設け、かつ前記透明導電薄
膜の構造が結晶質であることを特徴とする透明導電フィ
ルム。 - 【請求項２】 プラスチック基材上に透明導電薄膜を設
けた透明導電フィルムにおいて、該透明導電膜薄膜の下
地膜として酸化セリウム薄膜を設けて前記透明導電薄膜
の構造を結晶質とすることを特徴とする透明導電フィル
ムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32743893A JP3214586B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32743893A JP3214586B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07178863A JPH07178863A (ja) | 1995-07-18 |
| JP3214586B2 true JP3214586B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=18199176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32743893A Expired - Fee Related JP3214586B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 透明導電フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214586B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2992820B1 (ja) * | 1998-09-16 | 1999-12-20 | 株式会社麗光 | 透明電磁波シールドフイルム |
| JP5190854B2 (ja) * | 2011-05-10 | 2013-04-24 | 株式会社麗光 | 透明導電フィルム及び透明導電積層体並びにタッチパネル |
| JP6261988B2 (ja) | 2013-01-16 | 2018-01-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| JP5976846B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2016-08-24 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| JP6215062B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-10-18 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムの製造方法 |
| JP6261987B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2018-01-17 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| WO2015115237A1 (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-06 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32743893A patent/JP3214586B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07178863A (ja) | 1995-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100270485B1 (ko) | 투명도전성적층체 및 그것을 사용한 el발광소자 | |
| JP5432501B2 (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法 | |
| JP2525475B2 (ja) | 透明導電性積層体 | |
| JPH03183759A (ja) | 積層プラスチックフイルムおよびその製造方法 | |
| JPH0864034A (ja) | 透明導電性積層体 | |
| JP3214586B2 (ja) | 透明導電フィルム及びその製造方法 | |
| WO2019211510A1 (en) | Method for producing a polymer film | |
| WO2022091829A1 (ja) | 透明導電圧電フィルムおよびタッチパネル | |
| KR101884643B1 (ko) | 아연이 도핑된 주석산화물계 투명 전도성 산화물, 이를 이용한 다층 투명 전도막 및 그 제조 방법 | |
| JP3947950B2 (ja) | 透明導電性フィルム、透明タッチパネルおよび液晶表示素子 | |
| JPH04230906A (ja) | 透明導電積層体 | |
| JP2002343150A (ja) | 透明導電性フィルム及びその製造方法 | |
| KR100989409B1 (ko) | 다층구조 플렉시블 투명전극 및 그 제조방법 | |
| JPS61183809A (ja) | 透明導電性積層体及びその製造方法 | |
| JPS61167546A (ja) | 積層フイルム | |
| JP2000108244A (ja) | 透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体 | |
| Singh et al. | Indium Tin Oxide (ITO) films on flexible substrates for organic light emitting diodes | |
| JP4423515B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびエレクトロルミネッセンスパネル | |
| KR101174359B1 (ko) | 금속층을 포함하는 다성분 금속산화물계 투명전극 및 그 제조방법 | |
| JP3654841B2 (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 | |
| JP2004247220A (ja) | 積層体、電極および画像表示素子 | |
| JP3662958B2 (ja) | タッチパネル | |
| WO2023042848A1 (ja) | 透明導電性フィルム | |
| JP2526642B2 (ja) | 透明導電性フイルム | |
| JP2874978B2 (ja) | 透明導電性積層体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080727 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080727 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090727 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090727 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130727 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |