JPH0864034A - 透明導電性積層体 - Google Patents
透明導電性積層体Info
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- JPH0864034A JPH0864034A JP20213094A JP20213094A JPH0864034A JP H0864034 A JPH0864034 A JP H0864034A JP 20213094 A JP20213094 A JP 20213094A JP 20213094 A JP20213094 A JP 20213094A JP H0864034 A JPH0864034 A JP H0864034A
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- tin oxide
- film
- crystalline
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】透過率、屈曲耐久性の向上。
【構成】有機高分子成形物上に非晶質のインジウム−錫
酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱に
よる熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質に転化
させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の
結晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５〜１０
０ｎｍの範囲である。
酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱に
よる熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質に転化
させて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の
結晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５〜１０
０ｎｍの範囲である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機高分子成形物上に
透明導電層を形成してなる透明導電性積層体に関する。
透明導電層を形成してなる透明導電性積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化社会の到来と共に、光とエレ
クトロニクスの両方の特徴を利用した部品、機器の進歩
は著しい。またマイクロコンピュータの飛躍的普及にと
もない、コンピュータ周辺機器の革新はめざましい。こ
れらのコンピュータ入力装置としてアナログ方式の透明
デジタイザーの開発が進んでいる。この構成部品の一形
態として、有機高分子成形物上に透明導電層を形成して
なる透明導電性積層体が用いられる。
クトロニクスの両方の特徴を利用した部品、機器の進歩
は著しい。またマイクロコンピュータの飛躍的普及にと
もない、コンピュータ周辺機器の革新はめざましい。こ
れらのコンピュータ入力装置としてアナログ方式の透明
デジタイザーの開発が進んでいる。この構成部品の一形
態として、有機高分子成形物上に透明導電層を形成して
なる透明導電性積層体が用いられる。
【０００３】そうした透明導電層としては、金属薄膜タ
イプ（Au、Pd等）、金属酸化物薄膜タイプ（ＩＴＯ、Ｃ
ＴＯ、SnＯ2 、TiＯ2 等）、多層薄膜タイプ（TiＯX ／
Ag／TiＯX 等）等を用いることができる。そうしてこれ
らの中でも透明性、導電性、機械特性等の基本特性は、
金属酸化物タイプが優れている。さらに金属酸化物タイ
プのなかでも、インジウム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）とス
ズ金属酸化物とからなるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜
は、透明性、導電性が特に優れており、さらに電極パタ
ーン化が容易（エッチング特性が優れている）などの特
徴を有する点が優れている。
イプ（Au、Pd等）、金属酸化物薄膜タイプ（ＩＴＯ、Ｃ
ＴＯ、SnＯ2 、TiＯ2 等）、多層薄膜タイプ（TiＯX ／
Ag／TiＯX 等）等を用いることができる。そうしてこれ
らの中でも透明性、導電性、機械特性等の基本特性は、
金属酸化物タイプが優れている。さらに金属酸化物タイ
プのなかでも、インジウム金属酸化物（In2 Ｏ3 ）とス
ズ金属酸化物とからなるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜
は、透明性、導電性が特に優れており、さらに電極パタ
ーン化が容易（エッチング特性が優れている）などの特
徴を有する点が優れている。
【０００４】ところで最近は薄膜形成技術の進歩によ
り、耐熱性のあまりない有機高分子成形物上に透明導電
層を形成できるようになった。中でもスパッタリング法
は、長時間にわたって成膜が可能、長時間膜形成を行っ
ても組成ずれがない、幅広化が容易などの特徴を有し、
最も利用されている技術の一つである。そして上述のＩ
ＴＯ膜も、スパッタリング法で形成することも知られて
いる。さらには、有機高分子上にインジウム−錫低級酸
化物を形成した後、ＩＴＯ膜に転化せしめる方法もこれ
までに提案されている。
り、耐熱性のあまりない有機高分子成形物上に透明導電
層を形成できるようになった。中でもスパッタリング法
は、長時間にわたって成膜が可能、長時間膜形成を行っ
ても組成ずれがない、幅広化が容易などの特徴を有し、
最も利用されている技術の一つである。そして上述のＩ
ＴＯ膜も、スパッタリング法で形成することも知られて
いる。さらには、有機高分子上にインジウム−錫低級酸
化物を形成した後、ＩＴＯ膜に転化せしめる方法もこれ
までに提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】こうした透明導電性積
層体においては、タッチパネル等の使用形態より、ペン
入力時の高荷重耐久性（屈曲耐久性）、高い光線透過
率、低消費電力実現のために３００〜１０００Ω／□の
シート抵抗値、高度の耐久性および信頼性が、例えばア
ナログ方式の透明デジタイザーの入力素子等において要
求されている。しかし、スパッタリング法によりＩＴＯ
膜を形成してなる導電性積層体は、アナログ式の透明デ
ジタイザーの入力素子に用いた場合、ペン入力時の高荷
重耐久性（屈曲耐久性）において、断線による導通不良
が発生すると言う実用上大きな問題があることが明かに
なった。
層体においては、タッチパネル等の使用形態より、ペン
入力時の高荷重耐久性（屈曲耐久性）、高い光線透過
率、低消費電力実現のために３００〜１０００Ω／□の
シート抵抗値、高度の耐久性および信頼性が、例えばア
ナログ方式の透明デジタイザーの入力素子等において要
求されている。しかし、スパッタリング法によりＩＴＯ
膜を形成してなる導電性積層体は、アナログ式の透明デ
ジタイザーの入力素子に用いた場合、ペン入力時の高荷
重耐久性（屈曲耐久性）において、断線による導通不良
が発生すると言う実用上大きな問題があることが明かに
なった。
【０００６】そこで本発明は、かかる現状に鑑みなされ
たもので、高分子成形物上に透明導電層を設けたペン入
力時の高荷重耐久性（屈曲耐久性）、光線透過率および
信頼性の優れた導電性積層体を得ることを目的とする。
たもので、高分子成形物上に透明導電層を設けたペン入
力時の高荷重耐久性（屈曲耐久性）、光線透過率および
信頼性の優れた導電性積層体を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の透明導電性積層
体は、有機高分子成形物上に非晶質のインジウム−錫酸
化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱によ
る熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質に転化さ
せて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結
晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５〜１００
ｎｍの範囲であることを特徴としている。
体は、有機高分子成形物上に非晶質のインジウム−錫酸
化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に加熱によ
る熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質に転化さ
せて形成した透明導電性積層体において、熱処理後の結
晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５〜１００
ｎｍの範囲であることを特徴としている。
【０００８】すなわち本発明者らは、結晶粒径について
鋭意研究した結果、スパッタリング法で形成し、しかる
後に加熱処理を行ったインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）
膜は、結晶粒径の小さい程比抵抗を大きくでき又、耐屈
曲性を向上できることを見いだした。その際の熱処理温
度としては、１００〜２５０℃が好ましい。
鋭意研究した結果、スパッタリング法で形成し、しかる
後に加熱処理を行ったインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）
膜は、結晶粒径の小さい程比抵抗を大きくでき又、耐屈
曲性を向上できることを見いだした。その際の熱処理温
度としては、１００〜２５０℃が好ましい。
【０００９】本発明における透明導電膜は、上述のよう
に熱処理後の結晶質のＩＴＯの結晶粒径を１５ｎｍ〜１
００ｎｍの範囲とする事により、アナログ方式透明タブ
レットの入力素子に用いても筆記耐久性（屈曲耐久性）
に優れ、高荷重下におけるＩＴＯ膜の断線を皆無にでき
る。
に熱処理後の結晶質のＩＴＯの結晶粒径を１５ｎｍ〜１
００ｎｍの範囲とする事により、アナログ方式透明タブ
レットの入力素子に用いても筆記耐久性（屈曲耐久性）
に優れ、高荷重下におけるＩＴＯ膜の断線を皆無にでき
る。
【００１０】ここで結晶粒径は、透過型電子顕微鏡下で
観察される多角形状または長円形状の各領域における、
対角線または直径の最大のものと定義する。これは例え
ば次の方法で測定できる。まずポリエステルフィルム上
に、スパッタリングあるいは蒸着でＩＴＯ膜を形成す
る。これをシャーレに静置し、ヘキサフルオロイソプロ
パノールを静に注ぎ、ポリエステルフィルムを溶解除去
する。そして白金製のメッシュでＩＴＯの薄膜をすくい
取り、透過型電子顕微鏡のサンプルステージに固定す
る。これを５万倍ほどの倍率で写真撮影する。そして写
真乾板上にて観察される多角形あるいは長円の形状をし
た結晶の各領域における対角線あるいは長径の最大のも
のを粒径とする。
観察される多角形状または長円形状の各領域における、
対角線または直径の最大のものと定義する。これは例え
ば次の方法で測定できる。まずポリエステルフィルム上
に、スパッタリングあるいは蒸着でＩＴＯ膜を形成す
る。これをシャーレに静置し、ヘキサフルオロイソプロ
パノールを静に注ぎ、ポリエステルフィルムを溶解除去
する。そして白金製のメッシュでＩＴＯの薄膜をすくい
取り、透過型電子顕微鏡のサンプルステージに固定す
る。これを５万倍ほどの倍率で写真撮影する。そして写
真乾板上にて観察される多角形あるいは長円の形状をし
た結晶の各領域における対角線あるいは長径の最大のも
のを粒径とする。
【００１１】本発明に用いられる透明導電層は透明性等
の観点から主としてインジウム−錫酸化物からなる。そ
の際ＩＴＯ膜の厚みは、１０〜５０ｎｍが好ましく、よ
り好ましくは１５〜３０ｎｍであるのが良い。またシー
ト抵抗は、３００〜１０００Ω／□が好ましく、より好
ましくは４００〜７００Ω／□である。また可視光線透
過率としては、８０％以上が好ましく、より好ましくは
８２％以上である。
の観点から主としてインジウム−錫酸化物からなる。そ
の際ＩＴＯ膜の厚みは、１０〜５０ｎｍが好ましく、よ
り好ましくは１５〜３０ｎｍであるのが良い。またシー
ト抵抗は、３００〜１０００Ω／□が好ましく、より好
ましくは４００〜７００Ω／□である。また可視光線透
過率としては、８０％以上が好ましく、より好ましくは
８２％以上である。
【００１２】本発明における有機高分子を構成する有機
化合物としては、耐熱性を有する透明な化合物であれば
特に限定しないが、耐熱性としては１００℃以上が好ま
しく、より好ましくは１３０℃以上のものである。これ
には例えば、ポリエーテルスルホン、ポリスルホンを始
めとし、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−
２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリジアリル
フタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル系樹
脂等が上げられる等が挙げられる。もちろんこれらはホ
モポリマー、コポリマーとして、また単独またはブレン
ドとしても使用しうる。
化合物としては、耐熱性を有する透明な化合物であれば
特に限定しないが、耐熱性としては１００℃以上が好ま
しく、より好ましくは１３０℃以上のものである。これ
には例えば、ポリエーテルスルホン、ポリスルホンを始
めとし、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン−
２，６−ナフタレンジカルボキシレート、ポリジアリル
フタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル系樹
脂等が上げられる等が挙げられる。もちろんこれらはホ
モポリマー、コポリマーとして、また単独またはブレン
ドとしても使用しうる。
【００１３】かかる有機高分子化合物の形状は特に限定
されるものではないが、通常、シート状、フィルム状の
ものが好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能
であり、また連続生産が可能であるため、特に好まし
い。更に、フィルムのものが使用される場合において
は、フィルムの厚さは、６〜５００μｍが好ましく、さ
らには１２〜２００μｍが好ましい。
されるものではないが、通常、シート状、フィルム状の
ものが好ましく、中でもフィルム状のものは巻取り可能
であり、また連続生産が可能であるため、特に好まし
い。更に、フィルムのものが使用される場合において
は、フィルムの厚さは、６〜５００μｍが好ましく、さ
らには１２〜２００μｍが好ましい。
【００１４】これらのフィルムまたはシートは、透明性
を損なわない程度において顔料を添加したり、また表面
加工、例えばコーティングによる粗面加工を施してもよ
い。また、これらのフィルムまたはシートは、単独でも
ラミネートして用いてもよい。さらに、透明導電層との
密着性などを向上させるため、透明導電層形成まえに有
機高分子成形物上に中間層を形成しても良い。この中間
層としては、例えば有機硅素化合物、チタンアルキルエ
ステル、ジルコニウムアルキルエステルなどの有機金属
化合物の加水分解により形成された層が好ましく用いら
れる。あるいはこの中間層は、多層構成としても良い。
を損なわない程度において顔料を添加したり、また表面
加工、例えばコーティングによる粗面加工を施してもよ
い。また、これらのフィルムまたはシートは、単独でも
ラミネートして用いてもよい。さらに、透明導電層との
密着性などを向上させるため、透明導電層形成まえに有
機高分子成形物上に中間層を形成しても良い。この中間
層としては、例えば有機硅素化合物、チタンアルキルエ
ステル、ジルコニウムアルキルエステルなどの有機金属
化合物の加水分解により形成された層が好ましく用いら
れる。あるいはこの中間層は、多層構成としても良い。
【００１５】こうした中間層は、有機高分子成形物上に
塗布後、乾燥し、加熱、イオンボンバードあるいは紫外
線、β線、γ線などの放射線により硬化させる。その際
中間層の塗布には、透明有機高分子成形物や塗工液の形
状、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラ
ビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ーなどの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、
浸漬法などが用いられる。
塗布後、乾燥し、加熱、イオンボンバードあるいは紫外
線、β線、γ線などの放射線により硬化させる。その際
中間層の塗布には、透明有機高分子成形物や塗工液の形
状、性質に応じてドクターナイフ、バーコーター、グラ
ビアロールコーター、カーテンコーター、ナイフコータ
ーなどの公知の塗工機械を用いる塗工法、スプレー法、
浸漬法などが用いられる。
【００１６】そしてこの中間層の厚さとしては、１０〜
１００ｎｍが望ましく、特に２０〜９０ｎｍが好まし
い。これが、１０ｎｍ未満の場合には、連続層を形成し
ないため密着性などの向上効果がない。また１００ｎｍ
を越えると、クラックや剥離を生じたりして好ましくな
い。
１００ｎｍが望ましく、特に２０〜９０ｎｍが好まし
い。これが、１０ｎｍ未満の場合には、連続層を形成し
ないため密着性などの向上効果がない。また１００ｎｍ
を越えると、クラックや剥離を生じたりして好ましくな
い。
【００１７】また、本発明における導電性積層体の透明
導電層上に、耐スクラッチ性を向上させるなどの目的の
ために保護層を積層させても良い。かかる保護層として
は、TiＯ2 、SnＯ2 、Al2 Ｏ3 、SiＯ2 、ZrＯ2 、Zn
Ｏ、Ta2 Ｏ5 などの透明酸化物、Si3 Ｎ4 、AlSiＮなど
の窒化物あるいはアクリロニトリル系樹脂、スチレン系
樹脂、アクリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、シア
ノエチル化ブルランなどのシアノエチル化多糖類などの
透明な有機化合物重合体あるいは、有機硅素化合物、チ
タンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル
などの有機金属化合物などを用いることができる。かか
る保護層の厚さは、透明導電層の特性を低下させない範
囲で任意に設けることが可能である。
導電層上に、耐スクラッチ性を向上させるなどの目的の
ために保護層を積層させても良い。かかる保護層として
は、TiＯ2 、SnＯ2 、Al2 Ｏ3 、SiＯ2 、ZrＯ2 、Zn
Ｏ、Ta2 Ｏ5 などの透明酸化物、Si3 Ｎ4 、AlSiＮなど
の窒化物あるいはアクリロニトリル系樹脂、スチレン系
樹脂、アクリレート系樹脂、ポリエステル系樹脂、シア
ノエチル化ブルランなどのシアノエチル化多糖類などの
透明な有機化合物重合体あるいは、有機硅素化合物、チ
タンアルキルエステル、ジルコニウムアルキルエステル
などの有機金属化合物などを用いることができる。かか
る保護層の厚さは、透明導電層の特性を低下させない範
囲で任意に設けることが可能である。
【００１８】また、本発明における導電性積層体は、有
機高分子成形物の両面に必要に応じて中間層を介して透
明導電層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高
分子成形物の片面に必要に応じて中間層を介して透明導
電層を積層した構成において透明導電層を積層した面と
反対面において、透明性を損なわない範囲で接着性、表
面硬度、光学特性などを改善する目的で、例えば前述し
た中間層や保護層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、
硫化物層、炭化物層や有機物層を設けても良い。
機高分子成形物の両面に必要に応じて中間層を介して透
明導電層を積層した構成にしてもよく、あるいは有機高
分子成形物の片面に必要に応じて中間層を介して透明導
電層を積層した構成において透明導電層を積層した面と
反対面において、透明性を損なわない範囲で接着性、表
面硬度、光学特性などを改善する目的で、例えば前述し
た中間層や保護層と同種の層や、酸化物層、窒化物層、
硫化物層、炭化物層や有機物層を設けても良い。
【００１９】本発明の方法は、スパッタリング法に限定
されず、他の公知の薄膜形成方法例えばイオンプレーテ
ィング法などにも適用することができるが、幅方向での
制御性がよく、高速成膜が可能であるスパッタリング法
が好ましい。
されず、他の公知の薄膜形成方法例えばイオンプレーテ
ィング法などにも適用することができるが、幅方向での
制御性がよく、高速成膜が可能であるスパッタリング法
が好ましい。
【００２０】本発明で得られる導電性積層体は、低消費
電力アナログ方式透明タブレットの入力素子に適してい
るだけでなく、例えばエレクトロルミネッセンス用電
極、電子写真、帯電防止材料、面状発熱体、固体ディス
プレー、光メモリー、光電変換素子、光通信、光情報処
理、太陽エネルギー利用材料などと広い用途を有する。
電力アナログ方式透明タブレットの入力素子に適してい
るだけでなく、例えばエレクトロルミネッセンス用電
極、電子写真、帯電防止材料、面状発熱体、固体ディス
プレー、光メモリー、光電変換素子、光通信、光情報処
理、太陽エネルギー利用材料などと広い用途を有する。
【００２１】
【実施例１〜２、比較例】１７５μｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物のブタ
ノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液（濃度
０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１４０℃で１
分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであった。この
フィルムを直流方式マグネトロンスパッタ装置内の基板
保持台に固定し、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気し
た。その後、Ar／Ｏ2 混合ガス（Ar８０％）を槽内に導
入し、真空度を０．２７Paに保った後、In／Sn合金（Sn
５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリ
ング法により堆積速度を変えて作成した後、１５０℃に
保った熱風乾燥機により加熱処理を行い実施例１〜２及
び比較例１の結晶粒径を有するインジウム−錫酸化物を
形成した。
レフタレートフィルムの両面に、有機硅素化合物のブタ
ノール，イソプロパノール混合アルコール水溶液（濃度
０．６重量％）をバーコーターで塗布し、１４０℃で１
分間乾燥した。乾燥後の膜厚は３０ｎｍであった。この
フィルムを直流方式マグネトロンスパッタ装置内の基板
保持台に固定し、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気し
た。その後、Ar／Ｏ2 混合ガス（Ar８０％）を槽内に導
入し、真空度を０．２７Paに保った後、In／Sn合金（Sn
５重量％）よりなるターゲットを用い反応性スパッタリ
ング法により堆積速度を変えて作成した後、１５０℃に
保った熱風乾燥機により加熱処理を行い実施例１〜２及
び比較例１の結晶粒径を有するインジウム−錫酸化物を
形成した。
【００２２】そして得られたサンプルについて、透明導
電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。また、サン
プルのシート抵抗値を２端子法により測定した。また、
このシート抵抗値と膜厚との積より比抵抗を求めた。さ
らに、５５０ｎｍにおける光線透過率、耐屈曲耐久性、
及び耐屈曲耐久性試験後のサンプルの断線の程度を調べ
た。なお、耐屈曲耐久性は、透明導電層が外側になる様
に、φ６ｍｍの丸棒の周囲に沿って１００ｇの荷重をか
け１分間変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させ
る前の抵抗値Ｒ０の比Ｒ／Ｒ０と定義する。結果を表１
に示す。
電層の膜構造を透過型電子顕微鏡で調べた。また、サン
プルのシート抵抗値を２端子法により測定した。また、
このシート抵抗値と膜厚との積より比抵抗を求めた。さ
らに、５５０ｎｍにおける光線透過率、耐屈曲耐久性、
及び耐屈曲耐久性試験後のサンプルの断線の程度を調べ
た。なお、耐屈曲耐久性は、透明導電層が外側になる様
に、φ６ｍｍの丸棒の周囲に沿って１００ｇの荷重をか
け１分間変形させて元に戻した後の抵抗値Ｒと変形させ
る前の抵抗値Ｒ０の比Ｒ／Ｒ０と定義する。結果を表１
に示す。
【００２３】
【実施例３】１７５μｍのポリエチレンテレフタレート
フイルムの片面にプライマー塗工（信越化学製 商品名
「ＰＣ−７Ａ」）をメチルイソブチルケトンと酢酸ｎブ
チルが１：１の比で混合された溶媒で希釈した後１３５
℃で４分間乾燥させた後、ハードコート材料として日本
精化製の商品名「ＮＳＣ−２４５１」をイソプロパノー
ルで希釈して塗工後、１３５℃で３分間乾燥させてハー
ドコート層が形成されたポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを得た。プライマー層の膜厚は０．５μｍであ
り、ハードコート層の膜厚は８μｍであった。
フイルムの片面にプライマー塗工（信越化学製 商品名
「ＰＣ−７Ａ」）をメチルイソブチルケトンと酢酸ｎブ
チルが１：１の比で混合された溶媒で希釈した後１３５
℃で４分間乾燥させた後、ハードコート材料として日本
精化製の商品名「ＮＳＣ−２４５１」をイソプロパノー
ルで希釈して塗工後、１３５℃で３分間乾燥させてハー
ドコート層が形成されたポリエチレンテレフタレートフ
ィルムを得た。プライマー層の膜厚は０．５μｍであ
り、ハードコート層の膜厚は８μｍであった。
【００２４】かかるポリエチレンテレフタレートフィル
ムのハードコートが形成されていない面に有機珪素化合
物（日本曹達製 商品名「アトロンＮＳｉ」）をイソプ
ロピルアルコールで希釈して塗工し１３０℃で３分間乾
燥させて、約５０ｎｍの厚さの下塗り層を形成した。透
明導電膜は、実施例１で用いたものと同じスパッタリン
グ装置を用い、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気した
後Ar／Ｏ2 の混合ガス（Ar ９８．５％）を導入し真空
度を４．０ｍPaに保持させた後充填度In2 Ｏ3／SnＯ2
（SnＯ2 ５mol ％）の酸化物ターゲットに、１．２Ｗ
／ｃｍ2 の直流電力を投入して反応性スパッタを行い、
しかる後真空槽から取り出して大気中で１５０℃に保持
した熱風乾燥機にて加熱処理を行い形成した。
ムのハードコートが形成されていない面に有機珪素化合
物（日本曹達製 商品名「アトロンＮＳｉ」）をイソプ
ロピルアルコールで希釈して塗工し１３０℃で３分間乾
燥させて、約５０ｎｍの厚さの下塗り層を形成した。透
明導電膜は、実施例１で用いたものと同じスパッタリン
グ装置を用い、真空度６．７ｍPaまで真空槽を排気した
後Ar／Ｏ2 の混合ガス（Ar ９８．５％）を導入し真空
度を４．０ｍPaに保持させた後充填度In2 Ｏ3／SnＯ2
（SnＯ2 ５mol ％）の酸化物ターゲットに、１．２Ｗ
／ｃｍ2 の直流電力を投入して反応性スパッタを行い、
しかる後真空槽から取り出して大気中で１５０℃に保持
した熱風乾燥機にて加熱処理を行い形成した。
【００２５】得られた透明導電フィルムの特性を実施例
１と同じ評価方法にて評価を実施した。結果を表１に記
す。
１と同じ評価方法にて評価を実施した。結果を表１に記
す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】表１にも示したように、本発明によれば
好ましいシート抵抗値が得られ、なおかつ透過率、屈曲
耐久性に優れた透明導電性積層体を、有機高分子形成物
上に透明導電層を設けた構成において得ることができ
る。こうした透明導電性積層体は、アナログ方式透明デ
ジタイザーの入力素子用等に大変有用な物である。
好ましいシート抵抗値が得られ、なおかつ透過率、屈曲
耐久性に優れた透明導電性積層体を、有機高分子形成物
上に透明導電層を設けた構成において得ることができ
る。こうした透明導電性積層体は、アナログ方式透明デ
ジタイザーの入力素子用等に大変有用な物である。
Claims (3)
- 【請求項１】 有機高分子成形物上に非晶質のインジウ
ム−錫酸化物からなる透明導電層を形成し、しかる後に
加熱による熱処理によりインジウム−錫酸化物を結晶質
に転化させて形成した透明導電性積層体において、熱処
理後の結晶質のインジウム−錫酸化物の結晶粒径が１５
〜１００ｎｍの範囲であることを特徴とする透明導電性
積層体。 - 【請求項２】 熱処理温度が、１００〜２５０℃である
ことを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。 - 【請求項３】 結晶質のインジウム−錫酸化物層の膜厚
が、１０〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求
項１〜２のいずれかに記載の透明導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20213094A JPH0864034A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 透明導電性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP20213094A JPH0864034A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 透明導電性積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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ID=16452468
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP20213094A Pending JPH0864034A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 透明導電性積層体 |
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Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002041243A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜 |
| US6603085B2 (en) | 2000-03-28 | 2003-08-05 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Transparent conductive film, transparent conductive sheet and touchpanel |
| JP2004010911A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜の形成方法及びた透明導電膜を有する物品 |
| JP2005183310A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Sony Corp | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルとこれらの製造方法 |
| JP2005205903A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル |
| JP2006202756A (ja) * | 2006-01-20 | 2006-08-03 | Nitto Denko Corp | 透明導電積層体 |
| EP2053079A2 (en) | 2007-10-22 | 2009-04-29 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
| US7763151B2 (en) | 2003-08-29 | 2010-07-27 | Nitto Denko Corporation | Process for producing transparent conductive laminate |
| WO2011046094A1 (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性積層フィルム |
| WO2011048996A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP2011203762A (ja) * | 2011-07-14 | 2011-10-13 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2012086484A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| CN102789828A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 智盛全球股份有限公司 | 导电性膜层结构及其触控面板 |
| WO2013100031A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 積水化学工業株式会社 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル |
| US8597475B2 (en) | 2002-04-08 | 2013-12-03 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and process of producing the same |
| US8610857B2 (en) | 2001-03-29 | 2013-12-17 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal display having transparent conductive film on interlayer insulating film formed by coating |
| JP2014194788A (ja) * | 2014-04-24 | 2014-10-09 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルム及びタッチパネル |
| JP2015056337A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東ソー株式会社 | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
| US9096921B2 (en) | 2008-09-26 | 2015-08-04 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Transparent conductive film and touch panel |
| JP2015207299A (ja) * | 2010-12-27 | 2015-11-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP20213094A patent/JPH0864034A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603085B2 (en) | 2000-03-28 | 2003-08-05 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Transparent conductive film, transparent conductive sheet and touchpanel |
| JP2002041243A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電膜 |
| US8610857B2 (en) | 2001-03-29 | 2013-12-17 | Nlt Technologies, Ltd. | Liquid crystal display having transparent conductive film on interlayer insulating film formed by coating |
| US8597475B2 (en) | 2002-04-08 | 2013-12-03 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive laminate and process of producing the same |
| JP2004010911A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電膜の形成方法及びた透明導電膜を有する物品 |
| US7763151B2 (en) | 2003-08-29 | 2010-07-27 | Nitto Denko Corporation | Process for producing transparent conductive laminate |
| JP2005183310A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Sony Corp | 透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルとこれらの製造方法 |
| JP2005205903A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル |
| JP2006202756A (ja) * | 2006-01-20 | 2006-08-03 | Nitto Denko Corp | 透明導電積層体 |
| EP2053079A2 (en) | 2007-10-22 | 2009-04-29 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
| US9428625B2 (en) | 2007-10-22 | 2016-08-30 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film, method for production thereof and touch panel therewith |
| TWI381400B (zh) * | 2007-10-22 | 2013-01-01 | Nitto Denko Corp | A transparent conductive film, a method for manufacturing the same, and a touch panel provided with the same |
| US9096921B2 (en) | 2008-09-26 | 2015-08-04 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Transparent conductive film and touch panel |
| WO2011046094A1 (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性積層フィルム |
| WO2011048996A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP2012134085A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-07-12 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| WO2012086484A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| JP2015207299A (ja) * | 2010-12-27 | 2015-11-19 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| JP2016179686A (ja) * | 2010-12-27 | 2016-10-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびその製造方法 |
| CN102789828A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 智盛全球股份有限公司 | 导电性膜层结构及其触控面板 |
| JP2011203762A (ja) * | 2011-07-14 | 2011-10-13 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2013100031A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 積水化学工業株式会社 | 光透過性導電性フィルム及びそれを有する静電容量型タッチパネル |
| JP2015056337A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東ソー株式会社 | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
| JP2014194788A (ja) * | 2014-04-24 | 2014-10-09 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルム及びタッチパネル |
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