JP2001164382A - 導電性光選択透過シート - Google Patents
導電性光選択透過シートInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた導電性を有し、かつ、可視光透過率が
良好なプラスチックシートを提供する。 【解決手段】 プラスチックからなる透明な基体シート
（１）上に、導電性の金属（例えばＣｕ）薄膜（２）と
その上下に積層された金属窒化物（例えばＡｌＮ）から
なるセラミック薄膜（３，４）とで構成される積層膜
（５）を設けてなる導電性光選択透過シート。好ましく
は、スパッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギース
パッタ法により、金属薄膜（２）は膜厚１〜５０ｎｍ
に、セラミック薄膜（３，４）は膜厚１０〜５００ｎｍ
に成膜する。
良好なプラスチックシートを提供する。 【解決手段】 プラスチックからなる透明な基体シート
（１）上に、導電性の金属（例えばＣｕ）薄膜（２）と
その上下に積層された金属窒化物（例えばＡｌＮ）から
なるセラミック薄膜（３，４）とで構成される積層膜
（５）を設けてなる導電性光選択透過シート。好ましく
は、スパッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギース
パッタ法により、金属薄膜（２）は膜厚１〜５０ｎｍ
に、セラミック薄膜（３，４）は膜厚１０〜５００ｎｍ
に成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性光選択透過
シートに関し、より詳細には導電性と光選択透過性に優
れる高機能プラスチックシートに関する。
シートに関し、より詳細には導電性と光選択透過性に優
れる高機能プラスチックシートに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、導電性と光選択透過性を有する導電性光選択透過シ
ートとしては、例えば、透明なシート上にＩＴＯ（酸化
インジウム錫）薄膜を成膜したものがあり、フラットパ
ネルディスプレイの透明電極、ディフロスタや透明ヒー
ター等の面発熱体、タッチパネル等の面スイッチ、赤外
線反射膜及び透明フレキシブル回路等に広く利用されて
いる。
り、導電性と光選択透過性を有する導電性光選択透過シ
ートとしては、例えば、透明なシート上にＩＴＯ（酸化
インジウム錫）薄膜を成膜したものがあり、フラットパ
ネルディスプレイの透明電極、ディフロスタや透明ヒー
ター等の面発熱体、タッチパネル等の面スイッチ、赤外
線反射膜及び透明フレキシブル回路等に広く利用されて
いる。
【０００３】また、最近では、携帯電話やテレビのブラ
ウン管から発生する電磁波対策として、技術開発が非常
に要望されている。これに対して、上記のＩＴＯ薄膜
や、金属薄膜と金属酸化物薄膜とを積層した薄膜が検討
されているが、可視光透過率と導電性とを十分高いレベ
ルで両立したものは得られていないのが実情である。
ウン管から発生する電磁波対策として、技術開発が非常
に要望されている。これに対して、上記のＩＴＯ薄膜
や、金属薄膜と金属酸化物薄膜とを積層した薄膜が検討
されているが、可視光透過率と導電性とを十分高いレベ
ルで両立したものは得られていないのが実情である。
【０００４】本発明は、かかる実情に鑑みてなされたも
のであり、優れた導電性と良好な光選択透過機能を持つ
プラスチックシートを提供することを目的とする。
のであり、優れた導電性と良好な光選択透過機能を持つ
プラスチックシートを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】導電性の金属膜は、膜厚
を薄くすることにより光を透過するようになるが、膜表
面での反射が大きいため、金属薄膜単独では十分な可視
光透過率が得られない。本発明者らは、このような金属
薄膜の膜表面での反射を抑えるために、比較的屈折率の
高いセラミック薄膜で金属薄膜を挟み込むことにより、
導電性を確保しながら可視光透過率を向上できることに
着目して鋭意検討した結果、上記セラミック薄膜として
金属窒化物からなる薄膜を用いることにより、可視光透
過率と導電性を高いレベルで両立できることを見出し本
発明を完成するに至った。
を薄くすることにより光を透過するようになるが、膜表
面での反射が大きいため、金属薄膜単独では十分な可視
光透過率が得られない。本発明者らは、このような金属
薄膜の膜表面での反射を抑えるために、比較的屈折率の
高いセラミック薄膜で金属薄膜を挟み込むことにより、
導電性を確保しながら可視光透過率を向上できることに
着目して鋭意検討した結果、上記セラミック薄膜として
金属窒化物からなる薄膜を用いることにより、可視光透
過率と導電性を高いレベルで両立できることを見出し本
発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明の導電性光選択透過シー
トは、プラスチックからなる透明な基体シート上に、導
電性の金属薄膜とその上下に積層された金属窒化物から
なるセラミック薄膜とで構成される積層膜を設けたもの
である。
トは、プラスチックからなる透明な基体シート上に、導
電性の金属薄膜とその上下に積層された金属窒化物から
なるセラミック薄膜とで構成される積層膜を設けたもの
である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施に関連する
事項について説明する。
事項について説明する。
【０００８】上記基体シートとしては、透光性の良好な
各種の高分子フィルム及びシートを用いることができ
る。シートを構成する高分子は、特に限定されないが、
例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカ
ーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、トリ
アセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリ塩化ビニール（Ｐ
ＶＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）等が
挙げられる。
各種の高分子フィルム及びシートを用いることができ
る。シートを構成する高分子は、特に限定されないが、
例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカ
ーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰ
Ｓ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、トリ
アセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリ塩化ビニール（Ｐ
ＶＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）等が
挙げられる。
【０００９】該基体シートの光透過率としては、波長５
５０ｎｍの可視光透過率で８５％以上であることが好ま
しい。基体シートの厚みは、特に限定されないが、通常
は５〜２５０μｍのものが用いられる。
５０ｎｍの可視光透過率で８５％以上であることが好ま
しい。基体シートの厚みは、特に限定されないが、通常
は５〜２５０μｍのものが用いられる。
【００１０】上記金属薄膜は、導電性光選択透過シート
に高い導電性を付与するために、面抵抗値（膜表面１ｃ
ｍ２平方当たり面積抵抗値をいう。以下同じ。）が１６
Ω以下の優れた導電性を有することが好ましい。金属薄
膜の面抵抗値は、１０Ω以下であることがより好まし
く、さらに好ましくは１Ω以下である。
に高い導電性を付与するために、面抵抗値（膜表面１ｃ
ｍ２平方当たり面積抵抗値をいう。以下同じ。）が１６
Ω以下の優れた導電性を有することが好ましい。金属薄
膜の面抵抗値は、１０Ω以下であることがより好まし
く、さらに好ましくは１Ω以下である。
【００１１】該金属薄膜は、光透過性を阻害しないよう
に、一般に極薄膜と呼ばれる非常に薄い膜で構成され
る。詳細には、金属薄膜は、膜厚が１〜５０ｎｍである
金属極薄膜であることが好ましい。５０ｎｍを越える
と、高い光透過性を確保することが困難となり、また、
１ｎｍ未満では、優れた導電性を得にくくなる。
に、一般に極薄膜と呼ばれる非常に薄い膜で構成され
る。詳細には、金属薄膜は、膜厚が１〜５０ｎｍである
金属極薄膜であることが好ましい。５０ｎｍを越える
と、高い光透過性を確保することが困難となり、また、
１ｎｍ未満では、優れた導電性を得にくくなる。
【００１２】該金属薄膜を構成する金属は、単一元素の
金属でも、２種類以上の金属の合金でもよい。具体的に
は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）等が挙げられ、その中でも、低コスト
で比抵抗が小さいという観点からＣｕが特に好ましい。
金属でも、２種類以上の金属の合金でもよい。具体的に
は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）等が挙げられ、その中でも、低コスト
で比抵抗が小さいという観点からＣｕが特に好ましい。
【００１３】上記セラミック薄膜は、金属薄膜の膜表面
での反射を抑えて良好な可視光透過率を得るために、屈
折率が比較的高く透明な金属窒化物からなる。詳細に
は、セラミック薄膜は、屈折率が１．４〜２．５である
ことが好ましい。屈折率が１．４未満では、金属薄膜の
膜表面での反射を効果的に抑えることが困難であり、
２．５を越えると、可視光透過率を十分に確保すること
が困難となる。屈折率の下限はより好ましくは１．７で
あり、上限はより好ましくは２．３である。また、セラ
ミック薄膜は、基体シート上に単独成膜した状態での可
視光透過率（波長５５０ｎｍ）が７５％以上であること
が好ましく、より好ましくは８０％以上である。光透過
率が７５％未満では、セラミック薄膜により導電性光選
択透過シートとしての光透過率を下げてしまうことにな
る。
での反射を抑えて良好な可視光透過率を得るために、屈
折率が比較的高く透明な金属窒化物からなる。詳細に
は、セラミック薄膜は、屈折率が１．４〜２．５である
ことが好ましい。屈折率が１．４未満では、金属薄膜の
膜表面での反射を効果的に抑えることが困難であり、
２．５を越えると、可視光透過率を十分に確保すること
が困難となる。屈折率の下限はより好ましくは１．７で
あり、上限はより好ましくは２．３である。また、セラ
ミック薄膜は、基体シート上に単独成膜した状態での可
視光透過率（波長５５０ｎｍ）が７５％以上であること
が好ましく、より好ましくは８０％以上である。光透過
率が７５％未満では、セラミック薄膜により導電性光選
択透過シートとしての光透過率を下げてしまうことにな
る。
【００１４】このような金属窒化物としては、窒化アル
ミニウム、窒化シリコン、窒化ガリウム、窒化インジウ
ム、窒化錫、窒化亜鉛等が挙げられ、その中でも、屈折
率が比較的大きく、可視光透過率が高いという観点から
窒化アルミニウムが特に好ましい。
ミニウム、窒化シリコン、窒化ガリウム、窒化インジウ
ム、窒化錫、窒化亜鉛等が挙げられ、その中でも、屈折
率が比較的大きく、可視光透過率が高いという観点から
窒化アルミニウムが特に好ましい。
【００１５】該セラミック薄膜は、膜厚が１０〜５００
ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍ未満では、反射防
止効果を十分に得にくく、５００ｎｍを越えると、光の
干渉効果により透過率を十分に確保しにくくなる。な
お、セラミック薄膜は、通常、金属薄膜よりも厚く形成
される。
ｎｍであることが好ましい。１０ｎｍ未満では、反射防
止効果を十分に得にくく、５００ｎｍを越えると、光の
干渉効果により透過率を十分に確保しにくくなる。な
お、セラミック薄膜は、通常、金属薄膜よりも厚く形成
される。
【００１６】図１に示すように、これらの薄膜は、プラ
スチックの基体シート（１）上に積層した状態に形成さ
れており、積層は、金属薄膜（２）の上下両側をセラミ
ック薄膜（３，４）で挟んだサンドイッチ構造とされて
いる。すなわち、図１に示す１実施形態に係る導電性光
選択透過シートでは、基体シート（１）の上面に、セラ
ミック薄膜（３）を成膜し、その上に金属薄膜（２）、
さらにその上にセラミック薄膜（４）を順次に積層した
３層構造の積層膜（５）が形成されている。
スチックの基体シート（１）上に積層した状態に形成さ
れており、積層は、金属薄膜（２）の上下両側をセラミ
ック薄膜（３，４）で挟んだサンドイッチ構造とされて
いる。すなわち、図１に示す１実施形態に係る導電性光
選択透過シートでは、基体シート（１）の上面に、セラ
ミック薄膜（３）を成膜し、その上に金属薄膜（２）、
さらにその上にセラミック薄膜（４）を順次に積層した
３層構造の積層膜（５）が形成されている。
【００１７】なお、セラミック薄膜（４）の上に、さら
に金属薄膜とセラミック薄膜を形成して５層構造の積層
膜を形成してもよく、さらにこれを繰り返して、金属薄
膜とセラミック薄膜が交互に積層された多層構造の積層
膜を形成してもよい。また、基体シート（１）上にアン
ダーコート層を設けて、その上に上記積層膜を形成して
もよい。また、上記積層膜上に別のトップコート層を設
けてもよい。
に金属薄膜とセラミック薄膜を形成して５層構造の積層
膜を形成してもよく、さらにこれを繰り返して、金属薄
膜とセラミック薄膜が交互に積層された多層構造の積層
膜を形成してもよい。また、基体シート（１）上にアン
ダーコート層を設けて、その上に上記積層膜を形成して
もよい。また、上記積層膜上に別のトップコート層を設
けてもよい。
【００１８】これらの金属薄膜とセラミック薄膜の成膜
方法としては、真空蒸着法やスパッタ法等の物理的蒸着
（ＰＶＤ）法、及び、化学的蒸着（ＣＶＤ）法などを挙
げることができるが、より好ましくは、ＰＶＤ法の一種
である低エネルギースパッタ法を用いることである。低
エネルギースパッタ法は、通常−３００Ｖよりも低電
圧、詳細には−５０〜−３００Ｖのスパッタ電圧でスパ
ッタリングする成膜方法である。この低エネルギースパ
ッタ法によれば、プラスチックからなる基体シート上に
低温プロセスで成膜を行うことができる。また、通常の
ＰＶＤ法に比べて、欠陥が少なく、結晶性の良好な金属
極薄膜が得られ、金属薄膜の導電性と膜表面の平滑性を
向上することができる。さらに、表面が平滑で屈折率の
比較的大きな金属窒化物のセラミック薄膜を形成するこ
とができ、また、該セラミック薄膜を金属薄膜の表面に
凹凸損傷を与えることなく積層することができる。
方法としては、真空蒸着法やスパッタ法等の物理的蒸着
（ＰＶＤ）法、及び、化学的蒸着（ＣＶＤ）法などを挙
げることができるが、より好ましくは、ＰＶＤ法の一種
である低エネルギースパッタ法を用いることである。低
エネルギースパッタ法は、通常−３００Ｖよりも低電
圧、詳細には−５０〜−３００Ｖのスパッタ電圧でスパ
ッタリングする成膜方法である。この低エネルギースパ
ッタ法によれば、プラスチックからなる基体シート上に
低温プロセスで成膜を行うことができる。また、通常の
ＰＶＤ法に比べて、欠陥が少なく、結晶性の良好な金属
極薄膜が得られ、金属薄膜の導電性と膜表面の平滑性を
向上することができる。さらに、表面が平滑で屈折率の
比較的大きな金属窒化物のセラミック薄膜を形成するこ
とができ、また、該セラミック薄膜を金属薄膜の表面に
凹凸損傷を与えることなく積層することができる。
【００１９】図２には、このような低エネルギースパッ
タ法による成膜を行うことができる成膜装置の一例を示
している。この装置は、円筒形の真空槽（10）内に、シ
ート保持板（12）とターゲット（14）とを左右に相対向
させて配し、その間にプラズマ（16）が形成されるよう
に、上下にプラズマ発生機構のアノード（18）とカソー
ドフィラメント（20）及び安定化電極（22）とを配し、
さらに、プラズマ（16）を閉じ込めるための磁場発生用
コイル（24）を設けて構成されている。この装置は、比
較的高真空で成膜することができ、しかも、ターゲット
（14）に印加するスパッタ電圧を、プラズマ発生機構と
独立に制御することができるため、０Ｖ〜−１，５００
Ｖと低電圧から高電圧までのスパッタ電圧でのスパッタ
リングが可能である。
タ法による成膜を行うことができる成膜装置の一例を示
している。この装置は、円筒形の真空槽（10）内に、シ
ート保持板（12）とターゲット（14）とを左右に相対向
させて配し、その間にプラズマ（16）が形成されるよう
に、上下にプラズマ発生機構のアノード（18）とカソー
ドフィラメント（20）及び安定化電極（22）とを配し、
さらに、プラズマ（16）を閉じ込めるための磁場発生用
コイル（24）を設けて構成されている。この装置は、比
較的高真空で成膜することができ、しかも、ターゲット
（14）に印加するスパッタ電圧を、プラズマ発生機構と
独立に制御することができるため、０Ｖ〜−１，５００
Ｖと低電圧から高電圧までのスパッタ電圧でのスパッタ
リングが可能である。
【００２０】この成膜装置を用いてセラミック薄膜を成
膜する際には、セラミック薄膜を構成する金属窒化物の
金属をターゲット（14）に用い、シート保持板（12）に
基体シートをセットして、真空槽（10）を真空ポンプ
（26）により真空排気し、スパッタガスと、反応性ガス
として窒素ガスとを、真空槽（10）に所定量加えて、−
５０〜−３００Ｖの所定のスパッタ電圧で、所定時間、
スパッタリングすればよい。また、金属薄膜を成膜する
際には、金属薄膜を構成する金属をターゲット（14）に
用いて、真空槽（10）を真空ポンプ（26）により真空排
気し、スパッタガスを真空槽（10）に所定量加えて、−
５０〜−３００Ｖの所定のスパッタ電圧で、所定時間、
スパッタリングすればよい。
膜する際には、セラミック薄膜を構成する金属窒化物の
金属をターゲット（14）に用い、シート保持板（12）に
基体シートをセットして、真空槽（10）を真空ポンプ
（26）により真空排気し、スパッタガスと、反応性ガス
として窒素ガスとを、真空槽（10）に所定量加えて、−
５０〜−３００Ｖの所定のスパッタ電圧で、所定時間、
スパッタリングすればよい。また、金属薄膜を成膜する
際には、金属薄膜を構成する金属をターゲット（14）に
用いて、真空槽（10）を真空ポンプ（26）により真空排
気し、スパッタガスを真空槽（10）に所定量加えて、−
５０〜−３００Ｖの所定のスパッタ電圧で、所定時間、
スパッタリングすればよい。
【００２１】このようにして得られた本発明の導電性光
選択透過シートは、優れた導電性を有し、しかも、可視
光透過率が高く、紫外線及び赤外線を遮断し得るとい
う、良好な光選択透過機能を有する。特に、セラミック
薄膜として窒化アルミニウムを、金属薄膜として銅を選
択して、これらの薄膜を低エネルギースパッタ法により
形成した場合には、後記の実施例で示されているよう
に、面抵抗値が数Ω以下、かつ、可視光透過率が８０％
以上であるプラスチック製の導電性光選択透過シートを
低コストで得ることができる。
選択透過シートは、優れた導電性を有し、しかも、可視
光透過率が高く、紫外線及び赤外線を遮断し得るとい
う、良好な光選択透過機能を有する。特に、セラミック
薄膜として窒化アルミニウムを、金属薄膜として銅を選
択して、これらの薄膜を低エネルギースパッタ法により
形成した場合には、後記の実施例で示されているよう
に、面抵抗値が数Ω以下、かつ、可視光透過率が８０％
以上であるプラスチック製の導電性光選択透過シートを
低コストで得ることができる。
【００２２】また、表面にセラミック薄膜を備えること
からプラスチックシートの耐擦傷性、耐薬品性及び耐候
性が改善される。さらに、金属薄膜上に形成されたセラ
ミック薄膜により金属薄膜の酸化を防止することができ
る。
からプラスチックシートの耐擦傷性、耐薬品性及び耐候
性が改善される。さらに、金属薄膜上に形成されたセラ
ミック薄膜により金属薄膜の酸化を防止することができ
る。
【００２３】このようにして得られた本発明の導電性光
選択透過シートは、フラットパネルディスプレイの透明
電極、ディフロスタや透明ヒーター等の面発熱体、タッ
チパネル等の面スイッチ、赤外線反射膜及び透明フレキ
シブル回路等の用途は勿論のこと、さらに、プラズマデ
ィスプレイやテレビのブラウン管等から発生する電磁波
のシールドや、次世代液晶ディスプレイの透明電極など
といった用途にも好適に用いることができる。
選択透過シートは、フラットパネルディスプレイの透明
電極、ディフロスタや透明ヒーター等の面発熱体、タッ
チパネル等の面スイッチ、赤外線反射膜及び透明フレキ
シブル回路等の用途は勿論のこと、さらに、プラズマデ
ィスプレイやテレビのブラウン管等から発生する電磁波
のシールドや、次世代液晶ディスプレイの透明電極など
といった用途にも好適に用いることができる。
【００２４】
【実施例】試験例１ 基体シートとして５０ｍｍ×５０ｍｍ×５０μｍのＰＥ
Ｔフィルム（波長５５０ｎｍの可視光透過率＝９５％）
を用いて、図２に示す成膜装置により低エネルギースパ
ッタ法で、該シート上に膜厚５０ｎｍのＣｕ薄膜を形成
した。詳細には、Ｃｕをターゲット（14）として、上記
ＰＥＴフィルムを脱脂、洗滌、乾燥後、シート保持板
（12）にセットし、真空槽（10）内を１０−８Torr以下
に真空排気し、流量調節器（28）により、スパッタガス
であるＡｒガスの流量を調節しながら加えて、真空槽
（10）内を１．５×１０−３Torrに設定し、スパッタ電
圧−３００Ｖで、５分間スパッタリングして、膜厚５０
ｎｍのＣｕ薄膜を形成した。
Ｔフィルム（波長５５０ｎｍの可視光透過率＝９５％）
を用いて、図２に示す成膜装置により低エネルギースパ
ッタ法で、該シート上に膜厚５０ｎｍのＣｕ薄膜を形成
した。詳細には、Ｃｕをターゲット（14）として、上記
ＰＥＴフィルムを脱脂、洗滌、乾燥後、シート保持板
（12）にセットし、真空槽（10）内を１０−８Torr以下
に真空排気し、流量調節器（28）により、スパッタガス
であるＡｒガスの流量を調節しながら加えて、真空槽
（10）内を１．５×１０−３Torrに設定し、スパッタ電
圧−３００Ｖで、５分間スパッタリングして、膜厚５０
ｎｍのＣｕ薄膜を形成した。
【００２５】得られたシートについて、面抵抗値と、波
長５５０ｎｍの可視光透過率とを測定した。結果を表１
に示す。
長５５０ｎｍの可視光透過率とを測定した。結果を表１
に示す。
【００２６】試験例２〜６ 表１に示すスパッタ電圧及びスパッタ時間で、試験例１
と同様にして、ＰＥＴフィルム上にＣｕ薄膜を形成し
た。得られた試験例２〜６のシートについて、試験例１
と同様にして、面抵抗値と可視光透過率を測定した。結
果を表１に示す。
と同様にして、ＰＥＴフィルム上にＣｕ薄膜を形成し
た。得られた試験例２〜６のシートについて、試験例１
と同様にして、面抵抗値と可視光透過率を測定した。結
果を表１に示す。
【００２７】
【表１】 試験例７〜８ 試験例１と同じＰＥＴフィルムを用いて、図２に示す成
膜装置により低エネルギースパッタ法で、該シート上に
膜厚１００ｎｍのＡｌＮ薄膜を形成した。詳細には、Ａ
ｌをターゲット（14）として、真空槽（10）内を１０
−８Torr以下に真空排気し、流量調節器（28）により、
スパッタガスであるＡｒガスの流量を調節しながら加え
て、真空槽（10）内を１．５×１０−３Torrに設定し、
さらに、反応性ガスであるＮ２ガスを８×１０−４Torr
だけ混合して、スパッタ電圧−３００Ｖと−１５０Ｖ
で、それぞれ２０分間と３０分間スパッタリングして、
膜厚１００ｎｍのＡｌＮ薄膜を形成した。
膜装置により低エネルギースパッタ法で、該シート上に
膜厚１００ｎｍのＡｌＮ薄膜を形成した。詳細には、Ａ
ｌをターゲット（14）として、真空槽（10）内を１０
−８Torr以下に真空排気し、流量調節器（28）により、
スパッタガスであるＡｒガスの流量を調節しながら加え
て、真空槽（10）内を１．５×１０−３Torrに設定し、
さらに、反応性ガスであるＮ２ガスを８×１０−４Torr
だけ混合して、スパッタ電圧−３００Ｖと−１５０Ｖ
で、それぞれ２０分間と３０分間スパッタリングして、
膜厚１００ｎｍのＡｌＮ薄膜を形成した。
【００２８】得られたシートについて、屈折率と、波長
５５０ｎｍの可視光透過率とを測定した。結果を表２に
示す。
５５０ｎｍの可視光透過率とを測定した。結果を表２に
示す。
【００２９】
【表２】 表１，２に示すように、低エネルギースパッタ法で成膜
した薄膜は、欠陥が少なく、結晶性がよいと考えられる
ことから、面抵抗値の小さい導電性に優れたＣｕ薄膜が
得られ、また、表面の平滑性が高い光学特性に優れるＡ
ｌＮ薄膜が得られることが分かった。特に、スパッタ電
圧を−１５０Ｖまで低電圧化した場合には、これらの効
果がより一層発現されることが分かった。
した薄膜は、欠陥が少なく、結晶性がよいと考えられる
ことから、面抵抗値の小さい導電性に優れたＣｕ薄膜が
得られ、また、表面の平滑性が高い光学特性に優れるＡ
ｌＮ薄膜が得られることが分かった。特に、スパッタ電
圧を−１５０Ｖまで低電圧化した場合には、これらの効
果がより一層発現されることが分かった。
【００３０】実施例１ 上記した試験例の方法と同様に低エネルギースパッタ法
を用いて、ＰＥＴフィルム上に、表３に示す膜厚で、Ａ
ｌＮ薄膜、Ｃｕ薄膜及びＡｌＮ薄膜を順次に積層して、
実施例１の導電性光選択透過シートを作成した。スパッ
タ電圧は−１５０Ｖとした。
を用いて、ＰＥＴフィルム上に、表３に示す膜厚で、Ａ
ｌＮ薄膜、Ｃｕ薄膜及びＡｌＮ薄膜を順次に積層して、
実施例１の導電性光選択透過シートを作成した。スパッ
タ電圧は−１５０Ｖとした。
【００３１】得られた導電性光選択透過シートについ
て、面抵抗値と、波長５５０ｎｍの可視光透過率とを測
定した。結果を表３に示す。
て、面抵抗値と、波長５５０ｎｍの可視光透過率とを測
定した。結果を表３に示す。
【００３２】実施例２〜４ 実施例１と同様にして、表３に示す膜厚で、ＡｌＮ／Ｃ
ｕ／ＡｌＮの積層膜を形成して、実施例２〜４の導電性
光選択透過シートを作成した。スパッタ電圧は、いずれ
も−１５０Ｖとした。得られた導電性光選択透過シート
について、面抵抗値と、波長５５０ｎｍの可視光透過率
とを測定した。結果を表３に示す。
ｕ／ＡｌＮの積層膜を形成して、実施例２〜４の導電性
光選択透過シートを作成した。スパッタ電圧は、いずれ
も−１５０Ｖとした。得られた導電性光選択透過シート
について、面抵抗値と、波長５５０ｎｍの可視光透過率
とを測定した。結果を表３に示す。
【００３３】
【表３】 比較例１，２ セラミック薄膜として、金属窒化物薄膜を用いる代わり
に、金属酸化物である酸化チタン薄膜を用いて、その他
は実施例１と同様にして、低エネルギースパッタ法によ
り、ＴｉＯ２／Ｃｕ／ＴｉＯ２の積層膜を形成して、比
較例１，２の導電性光選択透過シートを作成した。得ら
れた導電性光選択透過シートについて、面抵抗値と、波
長５５０ｎｍの可視光透過率とを測定した。結果を表３
に示す。
に、金属酸化物である酸化チタン薄膜を用いて、その他
は実施例１と同様にして、低エネルギースパッタ法によ
り、ＴｉＯ２／Ｃｕ／ＴｉＯ２の積層膜を形成して、比
較例１，２の導電性光選択透過シートを作成した。得ら
れた導電性光選択透過シートについて、面抵抗値と、波
長５５０ｎｍの可視光透過率とを測定した。結果を表３
に示す。
【００３４】表３に示すように、実施例１〜４の導電性
光選択透過シートでは、比較例１，２の導電性光選択透
過シートに比べて、導電性と可視光透過率とが高いレベ
ルで両立されていた。特に、実施例１では、面抵抗値が
１Ω以下で、かつ、可視光透過率が８０％以上であり、
極めて優れた電気特性と光学特性を有するプラスチック
シートが得られた。
光選択透過シートでは、比較例１，２の導電性光選択透
過シートに比べて、導電性と可視光透過率とが高いレベ
ルで両立されていた。特に、実施例１では、面抵抗値が
１Ω以下で、かつ、可視光透過率が８０％以上であり、
極めて優れた電気特性と光学特性を有するプラスチック
シートが得られた。
【００３５】図３に、実施例１の導電性光選択透過シー
トについての光透過率の波長依存性を示した。図に示す
ように、波長５５０ｎｍを中心とする可視光領域では、
概ね８０％以上の透過率が確保されていたのに対し、紫
外光領域では透過率２０％以下、赤外光領域では透過率
２５％以下であり、十分な光選択透過機能を持つことが
確認された。
トについての光透過率の波長依存性を示した。図に示す
ように、波長５５０ｎｍを中心とする可視光領域では、
概ね８０％以上の透過率が確保されていたのに対し、紫
外光領域では透過率２０％以下、赤外光領域では透過率
２５％以下であり、十分な光選択透過機能を持つことが
確認された。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
優れた導電性と光選択透過機能を有し、耐擦傷性、耐薬
品性及び耐候性が良好なプラスチックシートを提供する
ことができる。
優れた導電性と光選択透過機能を有し、耐擦傷性、耐薬
品性及び耐候性が良好なプラスチックシートを提供する
ことができる。
【図１】本発明の１実施形態に係る導電性光選択透過シ
ートの断面図である。
ートの断面図である。
【図２】導電性光選択透過シートを成膜する成膜装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】実施例１の導電性光選択透過シートについての
光透過率の波長依存性を示すグラフである。
光透過率の波長依存性を示すグラフである。
１……基体シート ２……金属薄膜 ３，４……セラミック薄膜 ５……積層膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 五十嵐 忠則 大阪府大阪市平野区加美鞍作１丁目10番36 号 ヒラノ光音株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA08 BA48 BA58 BC09 BD00 CA05 DC03 DC32 4K044 AA16 AB02 BA06 BA18 BB04 BB15 BC14 CA13
Claims (6)
- 【請求項１】プラスチックからなる透明な基体シート上
に、導電性の金属薄膜とその上下に積層された金属窒化
物からなるセラミック薄膜とで構成される積層膜を設け
てなる導電性光選択透過シート。 - 【請求項２】前記金属薄膜の膜厚が１〜５０ｎｍであ
り、前記セラミック薄膜の膜厚が１０〜５００ｎｍであ
る請求項１記載の導電性光選択透過シート。 - 【請求項３】前記金属薄膜は、面抵抗値が１０Ω以下で
あり、 前記セラミック薄膜は、屈折率が１．４〜２．５である
請求項２記載の導電性光選択透過シート。 - 【請求項４】前記セラミック薄膜が窒化アルミニウムか
らなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性光選
択透過シート。 - 【請求項５】前記金属薄膜が銅からなる請求項１〜４の
いずれか１項に記載の導電性光選択透過シート。 - 【請求項６】前記金属薄膜と前記セラミック薄膜が、ス
パッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギースパッタ
法により形成された請求項１〜５のいずれか１項に記載
の導電性光選択透過シート。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34454899A JP4510967B2 (ja) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | 導電性光選択透過シート |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34454899A JP4510967B2 (ja) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | 導電性光選択透過シート |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001164382A true JP2001164382A (ja) | 2001-06-19 |
| JP4510967B2 JP4510967B2 (ja) | 2010-07-28 |
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ID=18370136
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|---|---|---|---|
| JP34454899A Expired - Lifetime JP4510967B2 (ja) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | 導電性光選択透過シート |
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-
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- 1999-12-03 JP JP34454899A patent/JP4510967B2/ja not_active Expired - Lifetime
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