JP5190554B1 - 透明導電性フィルム - Google Patents

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Abstract

【課題】フィルム基材上にインジウムスズ酸化物膜を形成した透明導電性フィルムにおいて、インジウムスズ酸化物の結晶化処理を、フィルム基材の耐熱温度以下の低温で、短時間で行ない、表面抵抗値が低い透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明導電性フィルム１０は、２つの主面をもつフィルム基材１１と、フィルム基材１１の一方の主面に形成された透明導電膜１２を備える。透明導電膜１２は、フィルム基材１１側から、第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５が、この順に積層された３層膜である。第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量より少ない。第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量より少ない。
【選択図】図１

Description

本発明はインジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide：ITO）膜を用いた透明導電性フィルムに関する。
ガラス基板上に、インジウムスズ酸化物（Indium Tin Oxide：ITO）の３層膜を有する透明電極板が知られている（例えば、特許文献１：特開平８−４３８４０）。特許文献１の透明電極板においては、１層目と３層目のインジウムスズ酸化物の酸化スズ（ＳｎＯ２）含有量が、２層目のインジウムスズ酸化物の酸化スズ含有量より多い。これによって、透明電極板の表面抵抗値を低くすることができる。
インジウムスズ酸化物のスパッタリング膜は非晶質であるため、そのまま（as deposition）では表面抵抗値が高い。表面抵抗値を低くするため、インジウムスズ酸化物を加熱処理（結晶化処理）して、結晶化させる必要がある。特許文献１において、結晶化処理の温度と時間は、例えば、２００℃、６０分である。
しかし、ガラス基板の代わりにフィルム基材を用いる場合、フィルム基材の耐熱性が低いため、ガラス基板の場合のような高い温度（２００℃程度）で結晶化処理をすることができない。そのため、フィルム基材を用いた場合、従来のインジウムスズ酸化物の３層膜の構成では、インジウムスズ酸化物の結晶化処理ができない、あるいは、結晶化処理に非常に時間がかかるという問題がある。
特開平８−４３８４０号公報
本発明の目的は、フィルム基材上にインジウムスズ酸化物膜を形成した透明導電性フィルムにおいて、インジウムスズ酸化物の結晶化処理を、フィルム基材の耐熱温度以下の低温（例えば、１４０℃）で、短時間（例えば、６０分）で行ない、表面抵抗値を低く（例えば、２００Ω／□（ohms per square）以下）することである。
（１）本発明の透明導電性フィルムは、２つの主面をもつフィルム基材と、フィルム基材の一方の主面に形成された透明導電膜を備える。透明導電膜は、フィルム基材側から、第一のインジウムスズ酸化物層、第二のインジウムスズ酸化物層、および第三のインジウムスズ酸化物層が、この順に積層された３層膜である。第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量より少ない。第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量より少ない。
（２）本発明の透明導電性フィルムにおいて、第一のインジウムスズ酸化物層の厚さは第二のインジウムスズ酸化物層の厚さより薄い。第三のインジウムスズ酸化物層の厚さは第二のインジウムスズ酸化物層の厚さより薄い。
（３）本発明の透明導電性フィルムにおいて、第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は１重量％〜５重量％である。第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は６重量％〜１５重量％である。第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は１重量％〜５重量％である。
（４）本発明の透明導電性フィルムにおいて、第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量と第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量の差は３重量％〜１０重量％である。第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量と第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量の差は３重量％〜１０重量％である。
（５）本発明の透明導電性フィルムにおいて、第一のインジウムスズ酸化物層の厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍである。第二のインジウムスズ酸化物層の厚さは１０ｎｍを超え３０ｎｍ以下である。第三のインジウムスズ酸化物層の厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍである。
（６）本発明の透明導電性フィルムにおいて、第二のインジウムスズ酸化物層の厚さと第一のインジウムスズ酸化物層の厚さの差は２ｎｍ〜２０ｎｍである。第二のインジウムスズ酸化物層の厚さと第三のインジウムスズ酸化物層の厚さの差は２ｎｍ〜２０ｎｍである。
（７）本発明の透明導電性フィルムにおいて、透明導電膜の第一のインジウムスズ酸化物層、第二のインジウムスズ酸化物層、および第三のインジウムスズ酸化物層は、それぞれ、インジウムスズ酸化物の非晶質層を加熱処理により結晶化させた結晶質層である。
（８）本発明の透明導電性フィルムにおいて、透明導電膜の厚さ（第一のインジウムスズ酸化物層の厚さ＋第二のインジウムスズ酸化物層の厚さ＋第三のインジウムスズ酸化物層の厚さ）は、１４ｎｍ〜５０ｎｍである。
（９）本発明の透明導電性フィルムにおいて、フィルム基材の材料はポリエチレンテレフタレート、ポリシクロオレフィン、またはポリカーボネートである。
（１０）本発明の透明導電性フィルムにおいて、フィルム基材の厚さは１０μｍ〜２００μｍである。
本発明により、フィルム基材上にインジウムスズ酸化物膜を形成した透明導電性フィルムにおいて、インジウムスズ酸化物の結晶化処理を低温（例えば、結晶化温度１４０℃）、短時間（例えば、結晶化時間６０分）で行ない、表面抵抗値を低く（例えば、２００Ω／□以下）することができる。
本発明の透明導電性フィルムの断面模式図
［本発明の透明導電性フィルム］
本発明の透明導電性フィルム１０は、図１に示すように、２つの主面をもつフィルム基材１１と、フィルム基材１１の一方の主面に形成された透明導電膜１２を備える。透明導電膜１２は、フィルム基材１１側から、第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、および第三のインジウムスズ酸化物層１５が、この順に積層された３層膜である。
本発明に用いられる第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、および第三のインジウムスズ酸化物層１５は、それぞれ、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に酸化スズ（ＳｎＯ２）がドープされた化合物層である。本発明に用いられる透明導電膜１２において、第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量より少ない。また、第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量より少ない。
本発明の透明導電性フィルム１０においては、例えば、１４０℃、６０分という低温・短時間の加熱処理（結晶化処理）により、表面抵抗値を２００Ω／□以下とすることができる。さらに、表面抵抗値を１００Ω／□〜１５０Ω／□まで低くすることも可能である。
本発明の透明導電性フィルム１０が投影型静電容量方式タッチパネルに用いられる場合、透明導電性フィルム１０の透明導電膜１２は、好ましくはパターニングされる。フィルム基材１１上には、透明導電膜１２のパターンを埋設するように、粘着剤層が設けられる。このような構成によれば、多点タッチ入力の検出が可能になり、誘電率を調整して、検出性能を高くすることができる。
［フィルム基材］
本発明に用いられるフィルム基材１１は、透明性と耐熱性に優れたものが好ましく、そのような性能を備えたものであれば、材質は限定されない。フィルム基材１１の厚さは、品質の良い透明導電膜１２を作製する観点から、好ましくは１０μｍ〜２００μｍであり、より好ましくは２０μｍ〜５０μｍである。フィルム基材１１の材料は、好ましくはポリエチレンテレフタレート、ポリシクロオレフィン、またはポリカーボネートである。フィルム基材１１は、その表面に易接着層やハードコート層を備えていてもよい。
［透明導電膜］
本発明に用いられる透明導電膜１２は、フィルム基材１１側から、第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、および第三のインジウムスズ酸化物層１５がこの順に積層された３層膜である。本発明に用いられる第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５は、それぞれ、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に酸化スズ（ＳｎＯ２）がドープされた化合物層である。
第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量より少ない。また、第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズ含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズ含有量より少ない。
本発明に用いられる透明導電膜１２の第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５は、それぞれ代表的には、インジウムスズ酸化物の非晶質層を加熱処理（結晶化処理）により結晶化（多結晶）させた結晶質層である。
本発明に用いられる透明導電膜１２の厚さ（第一のインジウムスズ酸化物層１３の厚さ＋第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さ＋第三のインジウムスズ酸化物層１５の厚さ）は、好ましくは１４ｎｍ〜５０ｎｍであり、さらに好ましくは１８ｎｍ〜４１ｎｍである。
一般的に、インジウムスズ酸化物層は、酸化スズの含有量が多いほど表面抵抗値が低くなるが、反面、結晶化温度が高くなり結晶化時間が長くなる傾向がある。ところが、本発明の透明導電性フィルム１０は、酸化スズの含有量が多い第二のインジウムスズ酸化物層１４を、酸化スズの含有量が少ない第一のインジウムスズ酸化物層１３、および酸化スズの含有量が少ない第三のインジウムスズ酸化物層１５で挟む構造である。第一のインジウムスズ酸化物層１３および第三のインジウムスズ酸化物層１５は酸化スズの含有量が少ないため、結晶化温度が低く結晶化時間が短い。第二のインジウムスズ酸化物層１４は酸化スズの含有量が多いため単独では結晶化温度が高く結晶化時間が長い。しかし第二のインジウムスズ酸化物層１４は結晶化温度が低く結晶化時間が短い第一のインジウムスズ酸化物層１３および第三のインジウムスズ酸化物層１５に挟まれて積層されている。そのため第二のインジウムスズ酸化物層１４は、第一のインジウムスズ酸化物層１３および第三のインジウムスズ酸化物層１５の影響を受けて、単独の場合より結晶化温度が低くなり、結晶化時間が短くなる。これにより、本発明の透明導電性フィルム１０においては、第二のインジウムスズ酸化物層１４の結晶化温度を低くし、結晶化時間を短縮することができる。
詳しくは、フィルム基材１１側に、酸化スズの含有量が少ない第一のインジウムスズ酸化物層１３を設けることにより、成膜過程（スパッタリング）において、フィルム基材１１から発生する揮発成分が、透明導電膜１２の結晶化を妨げることが防止できる（酸化スズの含有量が少ないと揮発成分による結晶化の阻害を受けにくい）。また、空気に接する側に、酸化スズの含有量が少ない第三のインジウムスズ酸化物層１５を設けることにより、透明導電膜１２の結晶化が始まるまでの時間を短縮することができる（酸化スズの含有量が少ないと結晶化しやすい）。その結果第二のインジウムスズ酸化物層１４を含む透明導電膜１２全体の結晶化が促進され、低温、短時間の結晶化処理により、表面抵抗値を低くすることができる。
酸化スズの含有量（重量％）は、｛酸化スズの重量／（酸化インジウムの重量＋酸化スズの重量）｝×１００（％）で表わす。第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズの含有量は、好ましくは１重量％〜５重量％であり、より好ましくは２重量％〜４重量％である。第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズの含有量は、好ましくは６重量％〜１５重量％であり、より好ましくは８重量％〜１２重量％である。第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズの含有量は、好ましくは１重量％〜５重量％であり、より好ましくは２重量％〜４重量％である。
第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズの含有量と、第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズの含有量は、同一でもよいし、異なっていてもよい。第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズの含有量と第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズの含有量の差は、好ましくは３重量％〜１０重量％であり、より好ましくは５重量％〜８重量％である。第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズの含有量と第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズの含有量の差は、好ましくは３重量％〜１０重量％であり、より好ましくは５重量％〜８重量％である。
第一のインジウムスズ酸化物層１３の厚さは、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍであり、より好ましくは１．５ｎｍ〜８ｎｍである。第一のインジウムスズ酸化物層１３の厚さは、第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さより薄いことが好ましい。第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さは、好ましくは１０ｎｍを超え３０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１２ｎｍ〜３０ｎｍであり、より好ましくは１５ｎｍ〜２５ｎｍである。第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さは、第一のインジウムスズ酸化物層１３の厚さおよび第三のインジウムスズ酸化物層１５の厚さより厚いことが好ましい。第三のインジウムスズ酸化物層１５の厚さは、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍであり、より好ましくは１．５ｎｍ〜８ｎｍである。第三のインジウムスズ酸化物層１５の厚さは、第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さより薄いことが好ましい。
第一のインジウムスズ酸化物層１３の厚さと、第三のインジウムスズ酸化物層１５の厚さは、同一でもよいし、異なっていてもよい。第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さと第一のインジウムスズ酸化物層１３の厚さの差は、好ましくは２ｎｍ〜２０ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１７ｎｍである。第二のインジウムスズ酸化物層１４の厚さと第三のインジウムスズ酸化物層１５の厚さの差は、好ましくは２ｎｍ〜２０ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１７ｎｍである。
第一のインジウムスズ酸化物層１３の酸化スズの含有量と厚さ、第二のインジウムスズ酸化物層１４の酸化スズの含有量と厚さ、第三のインジウムスズ酸化物層１５の酸化スズの含有量と厚さを上記の範囲、および上記の差とすることにより、透明導電膜１２の結晶化がより促進され、より低温、より短時間の加熱処理により、表面抵抗値を低くすることができる。
［製造方法］
本発明の透明導電性フィルム１０の製造方法の一例を説明する。まず、５００ｍ〜５，０００ｍ巻の長尺のフィルム基材１１のロールをスパッタリング装置内に入れる。フィルム基材１１のロールを一定速度で巻き戻しながら、スパッタリング法により、フィルム基材１１の片面に、第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５を連続的に形成する。
スパッタリング法においては、低圧気体（例えば低圧アルゴンガス）中で発生させたプラズマ中の陽イオンを、インジウムスズ酸化物の焼成体ターゲット（負電極）に衝突させ、焼成体ターゲット表面から飛散した物質をフィルム基材１１上に付着させる。この際、スパッタリング装置内に、酸化スズの含有量の異なるインジウムスズ酸化物の焼成体ターゲットを、少なくとも３個設置することにより、３層のインジウムスズ酸化物層（第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５）を連続的に形成することができる。スパッタリング後（熱処理前）の第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５は、いずれも非晶質層である。
３層のインジウムスズ酸化物層（第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５）が形成された長尺のフィルム基材１１は、一旦、巻回してロールにされる。
長尺のフィルム基材１１のロールは、巻き戻されながら、加熱オーブン内に連続的に搬送されて、３層のインジウムスズ酸化物層（第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５）が加熱処理される。加熱温度（結晶化温度）は、好ましくは１４０℃〜１７０℃であり、加熱時間（結晶化時間）は、好ましくは３０分〜６０分である。加熱処理によって、第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５は、非晶質から結晶質に変化する。
このようにして、フィルム基材１１側から、第一のインジウムスズ酸化物層１３、第二のインジウムスズ酸化物層１４、第三のインジウムスズ酸化物層１５がこの順に積層された透明導電膜１２を有する、長尺の透明導電性フィルム１０が得られる。
［実施例１］
厚さ２３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に、メラミン樹脂を含む熱硬化性樹脂のアンダーコート層（厚さ３０ｎｍ）が形成された、長尺のフィルム基材のロールを準備した。この長尺のフィルム基材のロールを、アルゴンガス８０体積％と酸素ガス２０体積％からなる、ガス圧０．４Ｐａの雰囲気のスパッタリング装置にセットした。
長尺のフィルム基材のロールを一定速度で巻き戻しながら、フィルム基材の片側表面に、第一のインジウムスズ酸化物の非晶質層（酸化スズの含有量３．３重量％、厚さ５．２ｎｍ）、第二のインジウムスズ酸化物の非晶質層（酸化スズの含有量１０重量％、厚さ１５．６ｎｍ）、第三のインジウムスズ酸化物の非晶質層（酸化スズの含有量３．３重量％、厚さ５．２ｎｍ）を順次形成し、トータル厚さ２６ｎｍの透明導電膜を形成した。
３層のインジウムスズ酸化物の非晶質層からなる透明導電膜が形成された長尺のフィルム基材を、一旦巻回してロールにした。このロールを巻き戻しながら、１４０℃の加熱オーブン内に連続的に搬送して、加熱処理（結晶化処理）を行なった。
この結果、長尺のフィルム基材上に透明導電膜を有する透明導電性フィルムを得た。透明導電膜は、フィルム基材側から、第一のインジウムスズ酸化物層（結晶質層）、第二のインジウムスズ酸化物層（結晶質層）、第三のインジウムスズ酸化物層（結晶質層）がこの順に積層された３層膜である。第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの重量％、厚さは、加熱処理前と同じである。第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの重量％、厚さは、加熱処理前と同じである。第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの重量％、厚さは、加熱処理前と同じである。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値および結晶化時間を、表１に示す。
［実施例２］
第一のインジウムスズ酸化物の非晶質層の厚さを６．５ｎｍとし、第二のインジウムスズ酸化物の非晶質層の厚さを１３ｎｍとし、第三のインジウムスズ酸化物の非晶質層の厚さを６．５ｎｍとした。これ以外は実施例１と同様の方法により透明導電性フィルムを作成した。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値および結晶化時間を、表１に示す。
［実施例３］
第一のインジウムスズ酸化物の非晶質層の厚さを７．８ｎｍとし、第二のインジウムスズ酸化物の非晶質層の厚さを１０．４ｎｍとし、第三のインジウムスズ酸化物の非晶質層の厚さを７．８ｎｍとした。これ以外は実施例１と同様の方法により透明導電性フィルムを作成した。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値および結晶化時間を、表１に示す。
［比較例１］
第一のインジウムスズ酸化物の非晶質層の酸化スズの含有量を１０重量％、厚さを５．２ｎｍとした。第二のインジウムスズ酸化物の非晶質層の酸化スズの含有量を３．３重量％、厚さを１５．６ｎｍとした。第三のインジウムスズ酸化物の非晶質層の酸化スズの含有量を１０重量％、厚さを５．２ｎｍとした。透明導電膜のトータル厚さ２６ｎｍは実施例１と同じである。上記以外は、実施例１と同様の方法により、透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値を表１に示す。比較例１の透明導電膜は結晶化しなかった。
［比較例２］
透明導電膜を３層から２層に変更した。第一のインジウムスズ酸化物の非晶質層（フィルム基材に接する層）の酸化スズの含有量を３．３重量％、厚さを１５．６ｎｍとした。第二のインジウムスズ酸化物の非晶質層（空気に接する層）の酸化スズの含有量を１０重量％、厚さを１０．４ｎｍとした。透明導電膜のトータル厚さ２６ｎｍは実施例１と同じである。上記以外は、実施例１と同様の方法により、透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値および結晶化時間を、表１に示す。
［比較例３］
透明導電膜を３層から１層に変更した。インジウムスズ酸化物の非晶質層の酸化スズの含有量を１０重量％、厚さを２６ｎｍとした。透明導電膜の厚さ２６ｎｍは実施例１と同じである。上記以外は、実施例１と同様の方法により、透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値を表１に示す。比較例３の透明導電膜は結晶化しなかった。
［比較例４］
透明導電膜を３層から１層に変更した。インジウムスズ酸化物の非晶質層の酸化スズの含有量を３．３重量％、厚さを２６ｎｍとした。透明導電膜の厚さ２６ｎｍは実施例１と同じである。上記以外は、実施例１と同様の方法により、透明導電性フィルムを作製した。得られた透明導電性フィルムの、表面抵抗値および結晶化時間を、表１に示す。
Figure 0005190554
［評価］
表１に示すように、本発明の透明導電性フィルムの実施例１〜３において、第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量より少ない。また、第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は、第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量より少ない。さらに、第一のインジウムスズ酸化物層の厚さは、第二のインジウムスズ酸化物層の厚さより薄い。また、第三のインジウムスズ酸化物層の厚さは、第二のインジウムスズ酸化物層の厚さより薄い。これらの総合的な効果によって、本発明の透明導電性フィルムは、低温の加熱結晶化処理でも、短時間で表面抵抗値を低くすることができた。
［測定方法］
［表面抵抗値］
一般的な４端子法を用いて、表面抵抗値を測定した。
［結晶化時間］
表面抵抗値がほぼ一定となる時間を結晶化時間と考えた。
［酸化スズの含有量］
スパッタリング装置に設置したインジウムスズ酸化物の焼成体ターゲットの酸化スズ含有量を、インジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量とした。
［膜厚］
透過型電子顕微鏡（日立製作所製H-7650）を用いてインジウムスズ酸化物層の断面を観察し、インジウムスズ酸化物層の膜厚を測定した。
本発明の透明導電性フィルムの用途に制限は無いが、投影型の静電容量方式タッチパネルに好適に用いられる。
１０ 透明導電性フィルム
１１ フィルム基材
１２ 透明導電膜
１３ 第一のインジウムスズ酸化物層
１４ 第二のインジウムスズ酸化物層
１５ 第三のインジウムスズ酸化物層

Claims (10)

  1. ２つの主面をもつフィルム基材と、前記フィルム基材の一方の主面に形成された透明導電膜を備えた透明導電性フィルムであって、
    前記透明導電膜は、前記フィルム基材側から、第一のインジウムスズ酸化物層、第二のインジウムスズ酸化物層、および第三のインジウムスズ酸化物層が、この順に積層された３層膜であり、
    前記第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量は、前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量より少なく、
    前記第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量は、前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズ含有量より少ないことを特徴とする透明導電性フィルム。
  2. 前記第一のインジウムスズ酸化物層の厚さは前記第二のインジウムスズ酸化物層の厚さより薄く、前記第三のインジウムスズ酸化物層の厚さは前記第二のインジウムスズ酸化物層の厚さより薄いことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
  3. 前記第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は１重量％〜５重量％であり、
    前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は６重量％〜１５重量％であり、
    前記第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量は１重量％〜５重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電性フィルム。
  4. 前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量と前記第一のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量の差は３重量％〜１０重量％であり、
    前記第二のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量と前記第三のインジウムスズ酸化物層の酸化スズの含有量の差は３重量％〜１０重量％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
  5. 前記第一のインジウムスズ酸化物層の厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍであり、前記第二のインジウムスズ酸化物層の厚さは１０ｎｍを超え３０ｎｍ以下であり、前記第三のインジウムスズ酸化物層の厚さは１ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
  6. 前記第二のインジウムスズ酸化物層の厚さと前記第一のインジウムスズ酸化物層の厚さの差は２ｎｍ〜２０ｎｍであり、
    前記第二のインジウムスズ酸化物層の厚さと前記第三のインジウムスズ酸化物層の厚さの差は２ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
  7. 前記透明導電膜の前記第一のインジウムスズ酸化物層、前記第二のインジウムスズ酸化物層、および前記第三のインジウムスズ酸化物層は、それぞれ、インジウムスズ酸化物の非晶質層を加熱処理により結晶化させた結晶質層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
  8. 前記透明導電膜の厚さ（前記第一のインジウムスズ酸化物層の厚さ＋前記第二のインジウムスズ酸化物層の厚さ＋前記第三のインジウムスズ酸化物層の厚さ）は、１４ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
  9. 前記フィルム基材の材料が、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロオレフィン、またはポリカーボネートであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
  10. 前記フィルム基材の厚さは１０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の透明導電性フィルム。
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