WO2017057262A1 - 導電性基板 - Google Patents

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WO2017057262A1
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智治 渡邊
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住友金属鉱山株式会社
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    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Definitions

  • the present invention relates to a conductive substrate.
  • the capacitive touch panel converts information on the position of an adjacent object on the panel surface into an electrical signal by detecting a change in capacitance caused by the object adjacent to the panel surface. Since the conductive substrate used for the capacitive touch panel is installed on the surface of the display, the material of the conductive layer of the conductive substrate is required to have low reflectance and be difficult to be visually recognized.
  • the material of the conductive layer used for the conductive substrate for the touch panel a material having low reflectivity and difficult to be visually recognized is used and formed on the transparent substrate or the transparent film.
  • Patent Document 1 a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium-tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on a polymer film has been conventionally used.
  • ITO indium-tin oxide
  • a display with a touch panel has been increased in screen size, and in response to this, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is required to have a large area.
  • ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with an increase in the area of the conductive substrate.
  • Patent Document 2 discloses a step of forming a resist layer on a copper thin film supported by a film, a step of processing at least the resist layer into a striped wiring pattern and a drawing wiring pattern by photolithography, and exposure.
  • a method of manufacturing a film-like touch panel sensor is disclosed which includes a step of removing the copper thin film by etching to form a striped copper wiring and a drawing copper wiring, and a step of blackening the copper wiring.
  • Patent Document 2 employs a method of blackening the copper wiring after forming the striped copper wiring by etching, and there is a problem in productivity because the manufacturing process increases.
  • the manufacturing process of the conductive substrate that can reduce the manufacturing process and obtain high productivity was examined.
  • an object of one aspect of the present invention is to provide a conductive substrate including a metal layer and a blackening layer that can be etched simultaneously.
  • the blackening layer contains a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel,
  • the copper compound includes copper oxide and copper hydroxide,
  • the blackened layer when measured by X-ray photoelectron spectroscopy, When the sum of the peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide obtained using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum is 100, the peak area of the copper oxide is 40 or more.
  • a conductive substrate having a copper hydroxide peak area of 60 or less is provided.
  • a conductive substrate provided with a metal layer and a blackened layer that can be etched simultaneously can be provided.
  • substrate which concerns on embodiment of this invention Sectional drawing of the electroconductive board
  • Sectional drawing in the AA 'line of FIG. Sectional drawing in the AA 'line of FIG. Explanatory drawing of a roll-to-roll sputtering apparatus.
  • the conductive substrate of this embodiment can have a transparent base material, a metal layer, and a blackening layer.
  • the metal layer can be formed on at least one surface of the transparent substrate, and the blackened layer can also be formed on at least one surface of the transparent substrate.
  • the blackening layer contains a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel, and can contain a copper oxide and a copper hydroxide as the copper compound.
  • the black layer as measured by X-ray photoelectron spectroscopy, was determined using Cu 2P 3/2 spectrum and Cu LMM spectrum, the peak area of the copper oxides, and the peak area of copper hydroxide When the sum is 100, the peak area of the copper oxide can be 40 or more and the peak area of the copper hydroxide can be 60 or less.
  • the conductive substrate in the present embodiment is a substrate having a metal layer and a blackened layer on the surface of a transparent base before patterning the metal layer and the like, and a substrate obtained by patterning the metal layer and the like, that is, a wiring substrate. And including. Since the conductive substrate after patterning the metal layer and the blackening layer includes a region where the transparent base material is not covered with the metal layer or the like, the conductive substrate can transmit light and is a transparent conductive substrate.
  • the transparent substrate is not particularly limited, and an insulating film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.
  • a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polyimide film, a polycarbonate film, or a resin film can be preferably used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • COP cycloolefin polymer
  • PEN polyethylene naphthalate
  • polyamide, polyimide, polycarbonate, and the like can be more preferably used as a material for an insulating film that transmits visible light.
  • the thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required when a conductive substrate is used, the capacitance, the light transmittance, and the like.
  • the thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less, and more preferably 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the total light transmittance of the transparent substrate is preferably higher.
  • the total light transmittance is preferably 30% or more, and more preferably 60% or more.
  • the visibility of the display can be sufficiently secured.
  • the total light transmittance of the transparent substrate can be evaluated by the method defined in JIS K 7361-1.
  • the material constituting the metal layer is not particularly limited, and a material having electrical conductivity suitable for the application can be selected.
  • copper is used as the material constituting the metal layer because it has excellent electrical characteristics and is easily etched. It is preferable. That is, the metal layer preferably contains copper.
  • the material constituting the metal layer is, for example, Cu and at least one metal selected from Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Mn, Co, and W.
  • a copper alloy, or a material containing copper and one or more metals selected from the above metals is preferable.
  • the metal layer can be a copper layer made of copper.
  • the method for forming the metal layer is not particularly limited, but is preferably formed without arranging an adhesive between the other member and the metal layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the metal layer is preferably formed directly on the upper surface of another member.
  • the metal layer can be formed on the blackened layer or the upper surface of the transparent substrate. For this reason, the metal layer is preferably formed directly on the blackened layer or the upper surface of the transparent substrate.
  • the metal layer preferably has a metal thin film layer formed by using a dry plating method.
  • a dry-type plating method For example, a vapor deposition method, sputtering method, an ion plating method etc. can be used.
  • the sputtering method is preferably used because the film thickness can be easily controlled.
  • the metal plating layer can be laminated using a wet plating method after the metal thin film layer is formed by dry plating.
  • a metal thin film layer is formed on a transparent substrate or a blackened layer by a dry plating method, the metal thin film layer is used as a power feeding layer, and a metal plating layer is formed by electrolytic plating which is a kind of wet plating method. Can be formed.
  • the metal layer When the metal layer is formed only by the dry plating method as described above, the metal layer can be constituted by a metal thin film layer. Moreover, when a metal layer is formed by combining a dry plating method and a wet plating method, the metal layer can be composed of a metal thin film layer and a metal plating layer.
  • the thickness of the metal layer is not particularly limited, and when the metal layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like.
  • the thickness of the metal layer is preferably 5 ⁇ m or less, and more preferably 3 ⁇ m or less.
  • the metal layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and 150 nm. More preferably, it is the above.
  • a metal layer has a metal thin film layer and a metal plating layer as mentioned above, it is preferable that the sum total of the thickness of a metal thin film layer and the thickness of a metal plating layer is the said range.
  • the thickness of the metal thin film layer is not particularly limited.
  • the thickness is preferably 500 nm or more.
  • the wiring reflects light only by forming the wiring by etching the metal layer on a transparent substrate.
  • the visibility of the display is reduced.
  • methods for providing a blackened layer have been studied.
  • the reactivity of the metal layer and the blackened layer may be greatly different from each other with respect to the etching solution. If the metal layer and the blackened layer are simultaneously etched, the metal layer and the blackened layer can be etched into a desired shape. There was a problem of dimensional variation. For this reason, it is necessary to etch the metal layer and the blackened layer in separate processes in the conductive substrate that has been studied conventionally, and it is difficult to etch the metal layer and the blackened layer simultaneously, that is, in one process. Met.
  • the inventors of the present invention have a blackened layer that can be etched simultaneously with the metal layer, that is, excellent reactivity with the etching solution, and can be patterned into a desired shape even when etched simultaneously with the metal layer, resulting in dimensional variation.
  • a blackening layer that can suppress the above was investigated.
  • the blackening layer contains a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel, and the copper compound contains a copper oxide and a copper hydroxide, thereby reacting to the etching solution of the blackening layer.
  • the present invention was completed.
  • the blackening layer of the conductive substrate according to the present embodiment includes the simple substance and compound of copper and the simple substance and / or compound of nickel, and copper oxide and copper water as the copper compound.
  • An oxide can be included.
  • the nickel compound contained in the blackening layer is not particularly limited, and examples thereof include oxides and / or hydroxides.
  • the blackening layer contains, for example, a simple substance of copper, a copper oxide, and a copper hydroxide, and further contains one or more selected from a simple substance of nickel, a nickel oxide, and a nickel hydroxide. be able to.
  • the blackened layer when the blackened layer contains copper hydroxide, the blackened layer has a color that can suppress the reflection of light on the surface of the metal layer, and can function as a blackened layer.
  • a nickel compound for example, a nickel oxide
  • reflection of light on the surface of the metal layer can be suppressed, and the function as a blackening layer can be enhanced.
  • the reactivity with respect to an etching liquid can be improved, and it can have the reactivity with the etching liquid substantially equivalent to a metal layer.
  • the ratio of each component contained in the blackening layer is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the degree of suppression of light reflection required for the conductive substrate, the degree of reactivity with the etching solution, and the like. It can be selected and is not particularly limited. However, according to the study of the inventors of the present invention, from the viewpoint of sufficiently increasing the reactivity with respect to the etching solution, for example, when the blackened layer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), It is preferable that it is contained in the blackened layer to such an extent that it can be identified as
  • the peak area of the copper oxide and the copper hydroxide obtained by using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum were measured.
  • the peak area (area ratio) of the copper oxide is preferably 40 or more and the peak area (area ratio) of the copper hydroxide is preferably 60 or less.
  • the peak area ratio of the copper oxide was 40.
  • the peak area ratio of a copper hydroxide is 60 or less.
  • the blackened layer contains copper oxide and copper hydroxide at a predetermined ratio, so that the function of suppressing the reflection of light as the blackened layer and the reactivity to the etching solution are particularly enhanced. This is because it is possible to achieve both.
  • the formation method of the blackened layer is not particularly limited, and any method can be selected as long as it can be formed so as to contain the above-described components. However, it is preferable to use the sputtering method because the composition of the blackened layer can be controlled relatively easily so as to contain the above-described components.
  • the blackening layer is preferably formed directly on the upper surface of another member such as a transparent substrate and / or a metal layer without using an adhesive. Then, the blackened layer can be directly formed on the upper surface of another member without using an adhesive by forming the blackened layer by a dry plating method. For this reason, the sputtering method is preferable as the method for forming the blackened layer from such a viewpoint.
  • an alloy target containing nickel and copper can be used.
  • an alloy target made of nickel and copper can be used.
  • a blackening layer can be formed by sputtering using the above-mentioned target while supplying oxygen gas and water vapor into the chamber.
  • a copper compound black containing copper oxide derived from oxygen gas supplied into the chamber and copper in the target, and copper hydroxide derived from water vapor supplied into the chamber and copper in the target. Can be formed.
  • the ratio of the components contained in the blackened layer can be selected by selecting the ratio between the oxygen gas supplied into the chamber and the water vapor.
  • an inert gas, oxygen gas, and water vapor can be simultaneously supplied into the chamber so that the amounts of oxygen and water vapor supplied to the blackening layer can be easily adjusted, and the partial pressures thereof can be adjusted.
  • the inert gas is not particularly limited, and argon or helium can be preferably used.
  • water vapor can be supplied as a mixed gas with an inert gas.
  • the supply ratio of each gas of the inert gas, oxygen gas, and water vapor supplied to the chamber is not particularly limited. It can be arbitrarily selected depending on the case.
  • the peak area of each component obtained using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum is measured.
  • the supply conditions of each gas can be selected so that the ratio is within the above-mentioned preferable range.
  • the thickness of the blackening layer is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the degree of suppression of light reflection required for the conductive substrate.
  • the thickness of the blackened layer is preferably 5 nm or more, for example, and more preferably 20 nm or more.
  • the blackening layer has a function of suppressing light reflection by the metal layer, but when the thickness of the blackening layer is thin, reflection of light by the metal layer may not be sufficiently suppressed. On the other hand, it is preferable to set the thickness of the blackened layer to 5 nm or more because reflection on the surface of the metal layer can be more reliably suppressed.
  • the upper limit value of the thickness of the blackened layer is not particularly limited. However, if the thickness is increased more than necessary, the time required for etching when forming the wiring is increased, resulting in an increase in cost. For this reason, the thickness of the blackened layer is preferably 100 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the conductive substrate of this embodiment can have a transparent base material, a metal layer, and a blackening layer.
  • the order of stacking the metal layer and the blackened layer on the transparent substrate is not particularly limited. Further, a plurality of metal layers and blackening layers can be formed. However, in order to suppress the reflection of light on the surface of the metal layer, it is preferable to dispose the blackening layer on the surface of the surface of the metal layer where the reflection of light is particularly desired to be suppressed.
  • a laminated structure in which the blackened layer is formed on the upper and lower surfaces of the metal layer that is, a structure in which the metal layer is sandwiched between the blackened layers. You can also.
  • FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B show examples of cross-sectional views of the conductive substrate of the present embodiment on a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the metal layer, and the blackening layer.
  • the conductive substrate of the present embodiment can have a structure in which, for example, a metal layer and a blackening layer are laminated in that order from the transparent substrate side on at least one surface of the transparent substrate.
  • the metal layer 12 and the blackening layer 13 may be stacked one by one on the one surface 11a side of the transparent base material 11 one by one. it can.
  • the layers 13A and 13B can be stacked one by one in that order.
  • the order in which the metal layer 12 (12A, 12B) and the blackening layer 13 (13A, 13B) are stacked is not limited to the example of FIGS. 1A and 1B, and the blackening layer 13 is formed from the transparent substrate 11 side. (13A, 13B) and metal layer 12 (12A, 12B) can be laminated in this order.
  • a configuration in which a plurality of blackening layers are provided on one surface side of the transparent substrate 11 may be employed.
  • a structure in which a blackened layer, a metal layer, and a blackened layer are formed in that order from the transparent substrate side on at least one surface of the transparent substrate can be used.
  • the first blackened layer 131, the metal layer 12, and the second blackened layer are formed on the one surface 11a side of the transparent substrate 11. 132 can be stacked in that order.
  • a configuration in which a metal layer, a first blackened layer, and a second blackened layer are laminated on both surfaces of the transparent substrate 11 may be employed.
  • the first blackening layer is formed on one surface 11a side of the transparent base material 11 and on the other surface (the other surface) 11b side.
  • 131A, 131B, metal layers 12A, 12B, and second blackening layers 132A, 132B can be stacked in that order.
  • the layers laminated on the top and bottom of the transparent substrate 11 with the transparent substrate 11 as the symmetry plane are symmetrical.
  • positioned so that it may become was shown, it is not limited to the form which concerns.
  • the configuration on the one surface 11a side of the transparent base material 11 is a form in which the metal layer 12 and the blackening layer 13 are laminated in that order, similarly to the configuration of FIG.
  • the layers stacked above and below may be asymmetrical.
  • the conductive substrate of the present embodiment has been described.
  • the metal layer and the blackened layer are provided on the transparent base material. Reflection can be suppressed.
  • the degree of light reflection of the conductive substrate of this embodiment is not particularly limited.
  • a lower rate is better.
  • the average reflectance (regular reflectance) of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 40% or less, more preferably 30% or less, and particularly preferably 20% or less.
  • the reflectance can be measured by irradiating the blackened layer of the conductive substrate with light. Specifically, for example, when the metal layer 12 and the blackened layer 13 are laminated in this order on one surface 11a side of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 1A, the blackened layer 13 is irradiated so that the blackened layer 13 is irradiated with light.
  • the surface A can be irradiated with light and measured.
  • light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is irradiated to the blackened layer 13 of the conductive substrate as described above, for example, at a wavelength of 1 nm, and the average value of the measured values is the average reflectance of the conductive substrate. It can be.
  • the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example, as described above.
  • the conductive substrate can be configured to have mesh-like wiring.
  • a conductive substrate provided with a mesh-like wiring can be obtained by etching the metal layer and the blackened layer of the conductive substrate of the present embodiment described so far.
  • a mesh-like wiring can be formed by two-layer wiring.
  • FIG. 3 shows a view of the conductive substrate 30 provided with mesh-like wiring as viewed from the upper surface side in the stacking direction of the metal layer and the blackening layer.
  • the conductive substrate 30 shown in FIG. 3 has a transparent base material 11, a plurality of wirings 31A parallel to the Y-axis direction in the drawing, and wirings 31B parallel to the X-axis direction.
  • the wirings 31A and 31B are formed by etching a metal layer, and a blackening layer (not shown) is formed on the upper surface and / or the lower surface of the wirings 31A and 31B.
  • the blackened layer is etched in the same shape as the wirings 31A and 31B.
  • the wiring 31B seen through the transparent base material 11 is also shown in the drawing.
  • the arrangement of the transparent substrate 11 and the wirings 31A and 31B is not particularly limited.
  • positioning with the transparent base material 11 and wiring is shown to FIG. 4A and FIG. 4B.
  • 4A and 4B are cross-sectional views taken along line AA ′ of FIG.
  • wirings 31A and 31B may be arranged on the upper and lower surfaces of the transparent base material 11, respectively.
  • blackened layers 32A and 32B etched in the same shape as the wiring are disposed on the upper surface of the wiring 31A and the lower surface of the wiring 31B, respectively.
  • a pair of transparent base materials 11 is used, wirings 31A and 31B are arranged on the upper and lower surfaces across one transparent base material 11, and one wiring 31B is a transparent base material. 11 may be arranged.
  • blackened layers 32A and 32B etched in the same shape as the wiring are disposed on the upper surfaces of the wirings 31A and 31B.
  • the arrangement of the blackened layer and the metal layer is not limited. Therefore, the arrangement of the blackening layers 32A and 32B and the wirings 31A and 31B can be reversed in either case of FIG. 4A or FIG. 4B.
  • a plurality of blackening layers can be provided, such as further blackening layers provided between the wirings 31 ⁇ / b> A and 31 ⁇ / b> B and the transparent substrate 11.
  • the blackening layer is preferably arranged on the surface of the metal layer surface where light reflection is particularly desired to be suppressed.
  • the positions of the blackening layers 32A and 32B and the positions of the wirings 31A and 31B are preferably reversed.
  • blackening layers may be further provided between the wirings 31A and 31B and the transparent substrate 11, respectively.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3 and 4A includes, for example, metal layers 12A and 12B and blackening layers 13A and 13B on both surfaces of the transparent base material 11 as shown in FIG. 1B. It can be formed from a conductive substrate.
  • the metal layer 12A and the blackened layer 13A on the one surface 11a side of the transparent base material 11 are parallel to the Y-axis direction in FIG. 1B.
  • Etching is performed so that a plurality of linear patterns are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • the X-axis direction in FIG. 1B means a direction parallel to the width direction of each layer.
  • the Y-axis direction in FIG. 1B means a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1B.
  • the metal layer 12B and the blackening layer 13B on the other surface 11b side of the transparent substrate 11 have a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. 1B along the Y-axis direction at predetermined intervals. Etching is performed so as to be arranged.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3 and 4A can be formed.
  • the etching of both surfaces of the transparent substrate 11 can be performed simultaneously. That is, the etching of the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B may be performed simultaneously.
  • the conductive substrate having a blackened layer patterned in the same shape as the wirings 31A and 31B between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11 is the conductive substrate shown in FIG. 2B. It can be produced by etching in the same manner.
  • FIG. 3 can also be formed by using two conductive substrates shown in FIG. 1A or FIG. 2A.
  • a case where the two conductive substrates shown in FIG. 1A are used will be described as an example.
  • a plurality of metal layers 12 and blackening layers 13 are provided in parallel to the X-axis direction. Etching is performed so that the linear patterns are arranged along the Y-axis direction at a predetermined interval. Then, the conductive substrate having mesh-like wiring is obtained by bonding the two conductive substrates so that the linear patterns formed on the respective conductive substrates intersect with each other by the etching process. be able to.
  • the surface to be bonded when the two conductive substrates are bonded is not particularly limited.
  • the surface A in FIG. 1A on which the metal layer 12 or the like is laminated and the surface 11b in FIG. 1A on which the metal layer 12 or the like is not laminated may be bonded to form the structure shown in FIG. 4B. it can.
  • the blackening layer is disposed on the surface of the metal layer surface where light reflection is particularly desired to be suppressed. For this reason, in the conductive substrate shown in FIG. 4B, when it is necessary to suppress the reflection of light from the lower surface side in the figure, the positions of the blackening layers 32A and 32B and the positions of the wirings 31A and 31B are reversed. It is preferable to arrange in. Further, in addition to the blackening layers 32A and 32B, a blackening layer may be further provided between the wirings 31A and 31B and the transparent substrate 11.
  • the surfaces 11b in FIG. 1A where the metal layer 12 or the like of the transparent substrate 11 is not laminated can be bonded together so that the cross section has the structure shown in FIG. 4A.
  • the width of the wiring in the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3, 4A, and 4B, and the distance between the wirings are not particularly limited. Can be selected accordingly.
  • FIG. 3 and 4 show an example in which a mesh-like wiring (wiring pattern) is formed by combining linear wirings, but the present invention is not limited to such a configuration, and a wiring pattern is configured.
  • the wiring can have any shape.
  • the shape of the wiring constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display.
  • a conductive substrate having a mesh-like wiring composed of two layers of wiring can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
  • Method for producing conductive substrate Next, a configuration example of the method for manufacturing the conductive substrate according to the present embodiment will be described.
  • the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment is as follows: A metal layer forming step of forming a metal layer on at least one surface side of the transparent substrate; A blackened layer forming step of forming a blackened layer on at least one surface side of the transparent substrate.
  • a blackening layer containing a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel, and the copper compound containing copper oxide and copper hydroxide is formed.
  • the blackening layer forming step the copper oxide peak area and the copper hydroxide obtained using the Cu 2P 3/2 spectrum and the Cu LMM spectrum when measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) are used.
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the manufacturing method of the conductive substrate of the present embodiment will be described.
  • the conductive substrate described above can be preferably manufactured by the manufacturing method of the conductive substrate of the present embodiment. For this reason, since it can be set as the structure similar to the case of the above-mentioned electroconductive board
  • the order of stacking when the metal layer and the blackened layer are disposed on the transparent base material is not particularly limited. Further, a plurality of metal layers and blackening layers can be formed. For this reason, the order in which the metal layer forming step and the blackened layer forming step are performed and the number of times to perform are not particularly limited, and any number of times and timings may be selected according to the structure of the conductive substrate to be formed. Can be implemented.
  • a metal layer can be formed on at least one surface of the transparent substrate.
  • the type of the transparent base material used for the metal layer forming step or the blackened layer forming step is not particularly limited, but as described above, a resin substrate (resin film) that transmits visible light, a glass substrate, or the like. Etc. can be preferably used.
  • the transparent base material can be cut into an arbitrary size in advance if necessary.
  • the metal layer preferably has a metal thin film layer as described above.
  • the metal layer can also have a metal thin film layer and a metal plating layer.
  • a metal layer formation process can have a process of forming a metal thin film layer, for example by a dry-type plating method.
  • the metal layer forming step includes a step of forming a metal thin film layer by a dry plating method, a step of forming a metal plating layer by an electroplating method which is a kind of wet plating method, using the metal thin film layer as a power feeding layer, You may have.
  • the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer is not particularly limited, and for example, an evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used.
  • a vapor deposition method a vacuum vapor deposition method can be used preferably.
  • the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness is particularly easy to control.
  • the metal thin film layer can be suitably formed using, for example, a roll-to-roll sputtering apparatus.
  • FIG. 5 shows a configuration example of the roll-to-roll sputtering apparatus 50.
  • the roll-to-roll sputtering apparatus 50 includes a casing 51 that houses most of the components.
  • the housing 51 includes an unwinding roll 52, a can roll 53, sputtering cathodes 54a to 54d, a winding roll 55, and the like that supply a base material on which a metal thin film layer is formed.
  • a guide roll, a heater 56, and the like can be arbitrarily provided on the transport path of the base material on which the metal thin film layer is formed.
  • the configuration of the can roll 53 is not particularly limited.
  • the surface of the can roll 53 is finished with hard chrome plating, and a coolant and a heating medium supplied from the outside of the casing 51 are circulated inside the can roll 53 so as to be adjusted to a substantially constant temperature. It is preferable to be configured to be able to.
  • the sputtering cathodes 54a to 54d are preferably magnetron cathode type and are arranged to face the can roll 53.
  • the size of the sputtering cathodes 54a to 54d is not particularly limited, but the width-wise dimension of the substrate on which the metal thin film layer of the sputtering cathodes 54a to 54d is formed may be wider than the width of the substrate on which the metal thin film layer is formed. preferable.
  • the base material on which the metal thin film layer is formed is transported through a roll-to-roll sputtering apparatus 50, which is a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, and the metal thin film is formed by sputtering cathodes 54a to 54d facing the can roll 53. A layer is deposited.
  • targets corresponding to the composition to be formed are attached to the sputtering cathodes 54a to 54d.
  • the inside of the apparatus in which the base material for forming the metal thin film layer is set on the unwinding roll 52 is evacuated by the vacuum pumps 57a and 57b, and then a sputtering gas such as argon is introduced into the casing 51 by the gas supply means 58. can do.
  • the structure of the gas supply means 58 is not specifically limited, it can have a gas storage tank (not shown).
  • mass flow controllers (MFC) 581a and 581b and valves 582a and 582b are provided for each gas type between the gas storage tank and the casing 51 so that the supply amount of each gas into the casing 51 can be controlled.
  • FIG. 5 shows an example in which two sets of mass flow controllers and valves are provided, the number to be installed is not particularly limited, and the number to be installed can be selected according to the number of gas types to be used.
  • the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure adjusting valve 59 provided between the vacuum pump 57b and the casing 51 are adjusted to adjust the inside of the apparatus to, for example, 0. It is preferable to perform film formation while maintaining the pressure at 13 Pa or more and 1.3 Pa or less.
  • the roll-to-roll sputtering apparatus 50 can provide arbitrary members other than the members described above.
  • vacuum gauges 60a and 60b for measuring the degree of vacuum in the casing 51, vent valves 61a and 61b, and the like can be provided.
  • the conditions in the step of forming the metal plating layer by the wet plating method that is, the conditions for the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted.
  • a metal plating layer can be formed by supplying a base material on which a metal thin film layer is formed in a plating tank containing a metal plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
  • the blackened layer forming step is a step of forming a blackened layer on at least one surface side of the transparent substrate as described above.
  • the means for forming the blackening layer is not particularly limited, but a sputtering method can be suitably used. According to the sputtering method, a layer containing a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel, and the copper compound being a copper oxide and a copper hydroxide is relatively easily obtained. This is because it can be formed.
  • the above-described roll-to-roll sputtering apparatus 50 can be used. Since the configuration of the roll-to-roll sputtering apparatus has already been described, the description thereof is omitted here.
  • an alloy target containing nickel and copper is attached to the sputtering cathodes 54a to 54d.
  • the inside of the apparatus which set the base material which forms a blackening layer in the unwinding roll 52 is evacuated by the vacuum pumps 57a and 57b.
  • a sputtering gas containing oxygen gas and water vapor is introduced into the casing 51 by the gas supply means 58.
  • the flow rate of the sputtering gas and the opening of the pressure adjustment valve 59 provided between the vacuum pump 57b and the casing 51 are adjusted to maintain the inside of the apparatus at, for example, 0.13 Pa or more and 13 Pa or less. It is preferred to carry out the membrane.
  • the sputtering gas preferably contains an inert gas, an oxygen gas, and water vapor.
  • the inert gas is not particularly limited, and argon or helium can be preferably used.
  • water vapor can be supplied as a mixed gas with an inert gas.
  • the ratio of oxygen gas and water vapor in the sputtering gas is not particularly limited, and can be selected according to the composition of the blackening layer to be formed.
  • the peak area of the copper oxide, and copper hydroxide when measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for the formed blackening layer, it was determined using Cu 2P 3/2 spectrum and Cu LMM spectrum, the peak area of the copper oxide, and copper hydroxide When the sum of the peak areas of the products is 100, the peak area of the copper oxide is preferably 40 or more and the peak area of the copper hydroxide is preferably 60 or less. For this reason, it is preferable to adjust the supply amount of each gas so that the measurement result of the X-ray photoelectron spectroscopy about the formed blackening layer may become the said result.
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the gas oxide is used so that the copper oxide and the copper hydroxide in the blackened layer are in the above-described desired range over the entire width direction of the conductive substrate. It is preferable to adjust the arrangement of the supply piping.
  • the conductive substrate obtained by the manufacturing method of the conductive substrate demonstrated here can be made into the conductive substrate provided with the mesh-shaped wiring.
  • an etching step of forming a wiring by etching the metal layer and the blackening layer can be further included.
  • a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the conductive substrate.
  • a resist can be formed on the exposed surface A of the blackening layer 13 disposed on the conductive substrate.
  • a method for forming a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is not particularly limited.
  • the resist can be formed by a method similar to a conventional technique such as a photolithography method.
  • the metal layer 12 and the blackened layer 13 can be etched by supplying an etching solution from the upper surface of the resist.
  • a resist having openings of predetermined shapes is formed on the surfaces A and B of the conductive substrate,
  • the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B formed on both surfaces of the transparent substrate 11 may be etched simultaneously.
  • the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B formed on both sides of the transparent substrate 11 can be subjected to an etching process on one side. That is, for example, after the metal layer 12A and the blackened layer 13A are etched, the metal layer 12B and the blackened layer 13B can be etched.
  • the etching solution used in the etching process is not particularly limited, and generally the metal layer An etchant used for etching can be preferably used.
  • the etching solution for example, a mixed aqueous solution of ferric chloride and hydrochloric acid can be used more preferably.
  • the content of ferric chloride and hydrochloric acid in the etching solution is not particularly limited.
  • ferric chloride is contained in a proportion of 5 wt% to 50 wt%, and 10 wt%. More preferably, it is contained in a proportion of 30% by weight or less.
  • the etching solution preferably contains hydrochloric acid in a proportion of 1 wt% or more and 50 wt% or less, and more preferably contains 1 wt% or more and 20 wt% or less. The remainder can be water.
  • the etching solution can be used at room temperature, but it can also be used by heating to increase the reactivity. For example, it can be used by heating to 40 ° C. or more and 50 ° C. or less.
  • two conductive substrates having a metal layer and a blackening layer were bonded to one surface side of the transparent base material 11 shown in FIGS. 1A and 2A to provide a mesh-like wiring.
  • a step of bonding the conductive substrate can be further provided.
  • a method for bonding the two conductive substrates is not particularly limited, and the bonding can be performed using, for example, an adhesive.
  • the blackened layer has excellent reactivity with the etching solution, and the metal layer and the blackened layer can exhibit substantially the same reactivity with the etching solution. For this reason, when the metal layer and the blackened layer are etched simultaneously, the metal layer and the blackened layer can be patterned into a desired shape, and the occurrence of dimensional variations can be suppressed. Therefore, the metal layer and the blackened layer can be etched simultaneously.
  • the blackening layer can suppress the reflection of light by the metal layer.
  • the reflection of light on the surface of the wiring can be suppressed and the visibility of the display can be improved. it can.
  • conductive substrates having the structure of FIG. 2A were produced. Therefore, the surface 132a exposed to the outside of the second blackening layer 132 in FIG. 2A was subjected to Ar ion etching, and a Cu 2P 3/2 spectrum and a Cu LMM spectrum inside 10 nm from the outermost surface were measured. From the obtained spectrum, the peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide when the sum of the peak area of the copper oxide and the peak area of the copper hydroxide was set to 100 were calculated. That is, the peak area ratio of copper oxide and the peak area ratio of copper hydroxide were calculated for copper oxide and copper hydroxide.
  • Reflectance measurement Measurement is performed by obtaining an average reflectance of light in a wavelength range of 400 nm to 700 nm by a spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model: UV-2600) by a regular reflection method with an incident angle of 5 °. It was. Specifically, the regular reflectance at each wavelength is measured by irradiating light in the wavelength range of 400 nm to 700 nm with the wavelength being changed at 1 nm intervals, and the average is reflected from the wavelength of 400 nm to 700 nm. The average rate. In Table 1, it is described simply as reflectance.
  • a conductive substrate having the structure of FIG. 2A is produced. Therefore, the reflectance of the surface 132a exposed to the outside of the second blackening layer 132 in FIG. 2A was measured.
  • Etching test In the etching test, an etching solution composed of 10% by weight of ferric chloride, 1% by weight of hydrochloric acid and the balance water was used.
  • the conductive substrates prepared in each Example and Comparative Example were immersed in an etching solution at a temperature of 25 ° C. for 60 seconds without forming a resist or the like, and then taken out from the etching solution. Thereafter, the etching solution adhering to the conductive substrate was sufficiently washed away by washing with water.
  • the conductive substrate after being immersed in the etching solution and washed with water was visually observed, and the presence or absence of a metal layer and a blackened layer remaining on the transparent substrate was observed.
  • Example preparation conditions As examples and comparative examples, conductive substrates were produced under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation method. [Example 1] A conductive substrate having the structure shown in FIG. 2A was produced.
  • a long polyethylene terephthalate resin (PET) transparent substrate having a width of 500 mm and a thickness of 100 ⁇ m was set on the unwinding roll 52 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG.
  • the transparent base material made of polyethylene terephthalate resin used as the transparent base material was evaluated to have a total light transmittance of 97% when evaluated by the method defined in JIS K 7361-1.
  • a nickel-copper alloy target containing 65 wt% nickel and 35 wt% copper was set on the sputtering cathodes 54a to 54d.
  • the heater 56 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 was heated to 100 ° C., the transparent base material was heated, and water contained in the base material was removed.
  • argon gas, oxygen gas, and water vapor were introduced into the casing 51.
  • the water vapor is introduced as an argon gas containing saturated water at room temperature.
  • Argon gas, oxygen gas, and argon gas containing water are supplied into the casing 51 so that the supply amount shown in Table 1 is obtained, and the pressure in the casing 51 is set to 2 Pa. It was adjusted.
  • the first blackened layer 131 was formed on the transparent substrate so as to have a thickness of 20 nm.
  • the first blackened layer When forming the first blackened layer, sputtering was performed using a nickel-copper alloy target as described above and introducing argon gas, oxygen gas, and water vapor into the casing 51. Therefore, the first blackened layer contains a simple substance and a compound of copper and a simple substance and / or a compound of nickel. (Metal layer forming process) Subsequently, the transparent base material on which the first blackening layer was formed was set on the unwinding roll 52, and the targets set on the sputtering cathodes 54a to 54d were changed to copper targets.
  • a copper plating layer having a thickness of 0.5 ⁇ m was further formed by electrolytic plating.
  • the copper thin film layer was used as a feeding layer. (Blackening layer forming process)
  • the transparent substrate on which the first blackened layer and the metal layer are formed is set on the unwinding roll 52, and the second black is formed on the upper surface of the metal layer 12 under the same conditions as the first blackened layer 131.
  • the formation layer 132 was formed.
  • Example 1 About the produced sample of the conductive substrate, the measurement by the above-mentioned X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the reflectance measurement, and the etching test were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • Example 2 to 4 When forming the first blackened layer and the second blackened layer, the flow rates of argon gas, oxygen gas, and argon gas (argon / water mixed gas) containing moisture supplied into the casing 51 are set.
  • a conductive substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the values shown in Table 1 were used.
  • the peak area ratio of the copper oxide was 40 or more and the peak area ratio of the copper hydroxide was 60 or less, which was obtained from the result of measurement of the blackened layer by XPS. It was confirmed that it was in range.
  • the average reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is 40.0% or less, and the blackened layer sufficiently suppresses reflection of light on the surface of the metal layer. It was confirmed that it was made.
  • the peak area ratio of the copper oxide obtained from the result of measurement by XPS is 39 and 30 and both are less than 40, and the peak area ratio of the copper hydroxide is 61, 70 and 60. It was confirmed that it exceeded.
  • the blackened layer contains a simple substance of copper, a copper oxide, and a copper hydroxide, and a simple substance and / or a compound of nickel, and calculated from the measurement result by XPS, copper oxide, copper It was confirmed that when the hydroxide peak area ratio was in the predetermined range, the reactive property to the etching solution was good. That is, it was confirmed that the blackened layer and the metal layer can be etched simultaneously.

Abstract

透明基材と、　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、　前記黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、　前記銅の化合物が、銅酸化物および銅水酸化物を含み、　前記黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、　Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、前記銅酸化物のピーク面積が４０以上、前記銅水酸化物のピーク面積が６０以下である導電性基板を提供する。

Description

導電性基板
　本発明は、導電性基板に関する。
　静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。
　このため、タッチパネル用導電性基板に用いられる導電層の材料としては反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明フィルム上に形成されている。
　例えば特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム－スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
　ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
　そこで、導電性基板の電気抵抗を抑制するため、導電層として銅メッシュ配線を用い、銅メッシュ配線の表面を黒化処理する方法が提案されている。
　例えば、特許文献２には、フィルムに支持された銅薄膜の上にレジスト層を形成する工程と、フォトリソ法により、少なくともレジスト層をストライプ状配線パターンと引き出し用配線パターンに加工する工程と、露出した銅薄膜をエッチングにより除去しストライプ状銅配線と引き出し用銅配線を形成する工程と、銅配線を黒化処理する工程と、を有するフィルム状タッチパネルセンサーの製造方法が開示されている。
　しかしながら、特許文献２ではエッチングによりストライプ状銅配線を形成した後に、銅配線を黒化処理する方法が採用されており、製造工程が増えるため生産性に問題があった。
　そこで、本発明の発明者らは、透明基材上に金属層及び黒化層を成膜した導電性基板について、金属層及び黒化層をエッチングし、所望の配線パターンを有する導電性基板とすることで製造工程を削減し、高い生産性を得られる導電性基板の製造方法について検討を行った。
日本国特開２００３－１５１３５８号公報 日本国特開２０１３－２０６３１５号公報
　しかしながら、金属層と、黒化層とで、エッチング液に対する反応性が大きく異なっている場合があった。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできない場合や、平面内で均一にエッチングされず寸法ばらつきが生じる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングできないという問題があった。
　上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明の一側面では、
　透明基材と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、
　前記黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、
　前記銅の化合物が、銅酸化物および銅水酸化物を含み、
　前記黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、
　Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、前記銅酸化物のピーク面積が４０以上、前記銅水酸化物のピーク面積が６０以下である導電性基板を提供する。
　本発明の一側面によれば、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ－Ａ´線における断面図。 図３のＡ－Ａ´線における断面図。 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
　以下、本発明の導電性基板、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
　本実施形態の導電性基板は、透明基材と、金属層と、黒化層とを有することができる。そして、金属層は透明基材の少なくとも一方の面上に形成することができ、黒化層についても透明基材の少なくとも一方の面上に形成することができる。また、黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物として、銅酸化物および銅水酸化物を含むことができる。
　そして、黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積を４０以上、銅水酸化物のピーク面積を６０以下とすることができる。
　なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターニングした基板、すなわち配線基板と、を含む。金属層及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
　ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
　透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
　可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
　透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
　透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
　なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１に規定される方法により評価することができる。
　次に金属層について説明する。
　金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、電気特性に優れ、且つエッチング処理のし易さから、金属層を構成する材料として銅を用いることが好ましい。すなわち、金属層は銅を含有することが好ましい。
　金属層が銅を含有する場合、金属層を構成する材料は、例えばＣｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種類以上の金属との銅合金、または銅と上記金属から選ばれる１種類以上の金属とを含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
　金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、他の部材と金属層との間に接着剤を配置しないで形成されていることが好ましい。すなわち、金属層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。なお、金属層は黒化層、または透明基材の上面に形成することができる。このため、金属層は、黒化層、または透明基材の上面に直接形成されていることが好ましい。
　他の部材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は乾式めっき法を用いて成膜された金属薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。
　また金属層をより厚くする場合には、乾式めっきにより金属薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いて金属めっき層を積層をすることができる。具体的には例えば、透明基材または黒化層上に、金属薄膜層を乾式めっき法により形成し、該金属薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっきにより金属めっき層を形成することができる。
　なお、上述の様に乾式めっき法のみで金属層を成膜した場合、金属層は金属薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成した場合、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とにより構成できる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成することができる。
　金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
　ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
　また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
　なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
　次に、黒化層について説明する。
　金属層は金属光沢を有するため、透明基材上に金属層をエッチングして配線を形成するのみでは配線が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきた。しかしながら、金属層と黒化層とでエッチング液に対する反応性が大きく異なる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、金属層や、黒化層について所望の形状にエッチングできず、または寸法ばらつきが生じる等の問題があった。このため、従来検討されている導電性基板では、金属層と黒化層とを別工程でエッチングする必要があり、金属層と黒化層とを同時に、すなわち１つの工程でエッチングすることは困難であった。
　そこで、本発明の発明者らは金属層と同時にエッチングできる黒化層、すなわちエッチング液に対する反応性に優れ、金属層と同時にエッチングを行った場合でも、所望の形状にパターニングでき、寸法ばらつきの発生を抑制できる黒化層について検討を行った。そして、黒化層が銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物が銅酸化物および銅水酸化物を含むことで、黒化層のエッチング液に対する反応性を、金属層の場合とほぼ同等にできることを見出し、本発明を完成させた。
　本実施形態の導電性基板の黒化層は、上述の様に黒化層が銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物として銅酸化物及び銅水酸化物を含むことができる。
　ここで、黒化層に含まれるニッケルの化合物は特に限定されるものではないが、例えば酸化物および／または水酸化物を挙げることができる。このため、黒化層は例えば、銅の単体、銅酸化物、および銅水酸化物を含有し、さらに、ニッケルの単体、ニッケル酸化物、ニッケル水酸化物から選択された１種類以上を含有することができる。
　上述の様に黒化層が銅水酸化物を含有することで、黒化層が金属層表面での光の反射を抑制できる色となり、黒化層としての機能を発揮することができる。また、特にニッケルの化合物、例えばニッケルの酸化物も含有することで金属層表面での光の反射を抑制でき、黒化層としての機能を高めることができる。
　そして、さらに銅酸化物を含有することで、エッチング液に対する反応性を高め、金属層とほぼ同等のエッチング液に対する反応性を有することができる。
　黒化層中に含まれる各成分の割合については特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制の程度や、エッチング液に対する反応性の程度等に応じて任意に選択することができ、特に限定されるものではない。ただし、本発明の発明者らの検討によると、エッチング液に対する反応性を十分に高める観点から、例えば黒化層をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、銅酸化物について、ピークとして識別できる程度に黒化層に含まれていることが好ましい。
　特に、黒化層について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積（面積比）が４０以上、銅水酸化物のピーク面積（面積比）が６０以下であることが好ましい。
　すなわち、ＸＰＳにより黒化層を測定した際のＣｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物及び銅水酸化物のピーク面積に関して、銅酸化物のピーク面積比が４０以上であることが好ましい。また、銅水酸化物のピーク面積比が６０以下であることが好ましい。
　これは、黒化層が、所定の割合で銅酸化物、および銅水酸化物を含有することで、黒化層としての光の反射を抑制する機能と、エッチング液に対する反応性とを特に高めつつ両立できるためである。
　黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、上述の各成分を含有するように形成できる方法であれば任意の方法を選択することができる。ただし、上述の各成分を含有するように黒化層の組成を比較的容易にコントロールできることから、スパッタリング法を用いることが好ましい。
　なお、黒化層は、透明基材および／または金属層等の他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成することが好ましい。そして、黒化層を乾式めっき法で成膜することで、黒化層を他の部材の上面に接着剤を介さずに直接形成できる。このため係る観点からも黒化層の成膜方法はスパッタリング法が好ましい。
　スパッタリング法により、本実施形態の導電性基板の黒化層を成膜する場合、ニッケル及び銅を含有する合金のターゲットを用いることができる。なお、黒化層が、金属成分としてニッケル及び銅以外を含有しない場合には、ニッケル及び銅からなる合金のターゲットを用いることができる。
　そして、チャンバー内に酸素ガス及び水蒸気を供給しながら、上述のターゲットを用いてスパッタリング法により黒化層を形成することができる。これにより、銅化合物として、チャンバー内に供給した酸素ガスとターゲット中の銅とに由来する銅酸化物、及びチャンバー内に供給した水蒸気とターゲット中の銅とに由来する銅水酸化物を含む黒化層を形成できる。
　この際、チャンバー内に供給する酸素ガスと、水蒸気との割合を選択することにより、黒化層中に含まれる成分の比率を選択することができる。
　特に、チャンバー内には、黒化層に供給する酸素及び水蒸気の量を調整し易いように、不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを同時に供給し、それぞれの分圧を調整することが好ましい。なお、不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムを好ましく用いることができる。また、水蒸気は不活性ガスとの混合気体として供給することができる。
　上述のように黒化層を成膜する際に、チャンバーに供給する不活性ガス、酸素ガス、水蒸気の、各ガスの供給割合は特に限定されるものではなく、黒化層の目標組成等に応じて任意に選択することができる。
　例えば、予備試験等を行い、成膜した黒化層についてＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた各成分のピーク面積の比が上述の好適な範囲となるように、各ガスの供給条件を選択できる。
　黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。
　黒化層の厚さは例えば５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、金属層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを５ｎｍ以上とすることにより、金属層の表面での反射をより確実に抑制できるため好ましい。
　また、黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くすると、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは１００ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　次に、導電性基板の構成例について説明する。
　上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と金属層と黒化層とを有することができる。この際、金属層と黒化層とについての透明基材上の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。ただし、金属層表面での光の反射を抑制するために、金属層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層を配置することが好ましい。金属層表面での光の反射を特に抑制することが要求される場合、黒化層が金属層の上面及び下面に形成された積層構造、すなわち金属層が黒化層に挟まれた構造とすることもできる。
　具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
　本実施形態の導電性基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から金属層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。
　具体的には例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、金属層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
　また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面側に複数層設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から黒化層と、金属層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。
　具体的には例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、金属層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
　この場合も透明基材１１の両面に金属層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、金属層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
　なお、図１Ｂ、図２Ｂで、透明基材の両面に金属層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ａの構成と同様に、金属層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
　ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に金属層と、黒化層とを設けているため、金属層表面における光の反射を抑制することができる。
　本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合のディスプレイでの配線視認性を抑制するためには、反射率は低い方が良い。例えば、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率（正反射率）の平均は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。
　反射率の測定は、導電性基板の黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように黒化層１３の表面Ａに対して光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率の平均とすることができる。
　本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
　メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
　例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層、および黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。
　図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは金属層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。また、図中透明基材１１を介して見える配線３１Ｂも示している。
　透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ－Ａ´線での断面図に当たる。
　まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａでは配線３１Ａの上面、及び配線３１Ｂの下面には、それぞれ配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
　また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、金属層との配置は限定されるものではない。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間にさらに黒化層を設ける等、黒化層を複数層設けることもできる。
　ただし、黒化層は金属層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間にそれぞれ黒化層をさらに設けてもよい。
　図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を備えた導電性基板から形成することができる。
　図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、図１Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。
　そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。
　以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。また、図４Ａにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターニングされた黒化層を有する導電性基板は、図２Ｂに示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
　図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１Ａにおける表面Ａと、金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂとを貼り合せて、図４Ｂに示した構造となるようにすることもできる。
　なお、黒化層は金属層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化層をさらに設けてもよい。
　また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるようにすることもできる。
　なお、図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
　また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
　このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
　次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。
　本実施形態の導電性基板の製造方法は、
　透明基材の少なくとも一方の面側に金属層を形成する金属層形成工程と、
　透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を形成する黒化層形成工程とを有することができる。
　そして、黒化層形成工程においては、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物が、銅酸化物、及び銅水酸化物を含む黒化層を成膜することができる。
　また、黒化層形成工程では、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積が４０以上、銅水酸化物のピーク面積が６０以下となるように黒化層を成膜できる。
　以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、本実施形態の導電性基板の製造方法により、既述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
　なお、既述のように、本実施形態の導電性基板においては、金属層と黒化層とを透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記金属層形成工程と、黒化層形成工程とを実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
　以下、各工程について説明する。
　まず、金属層形成工程について説明する。
　金属層形成工程においては、透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成できる。
　なお、金属層形成工程、または黒化層形成工程に供する透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
　そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
　金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
　金属薄膜層は例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて好適に成膜することができる。
　以下に、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に金属薄膜層を形成する工程を説明する。
　図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。
　筐体５１内には、金属薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄ、巻取ロール５５等を具備する。また、金属薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロールやヒーター５６等を設けることもできる。
　キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
　スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄの金属薄膜層を成膜する基材の幅方向の寸法は、金属薄膜層を成膜する基材の幅より広いことが好ましい。
　金属薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄで金属薄膜層が成膜される。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて金属薄膜層を成膜する場合、成膜する組成に対応したターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着する。そして、金属薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入することができる。気体供給手段５８の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）５８１ａ、５８１ｂ、及びバルブ５８２ａ、５８２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。スパッタリングガスを筐体５１内に供給する際、スパッタリングガスの流量及び、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ～１０ｍの速度で搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の金属薄膜層を連続的に成膜することができる。
　なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は上述した部材以外にも任意の部材を設けることができる。例えば図５に示したように、筐体５１内の真空度を測定するための真空計６０ａ、６０ｂや、ベントバルブ６１ａ、６１ｂ等を設けることができる。
　次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
　次に、黒化層形成工程について説明する。
　黒化層形成工程は既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に黒化層を成膜する工程である。黒化層の成膜手段は特に限定されるものではないが、スパッタリング法を好適に用いることができる。これは、スパッタリング法によれば、比較的容易に銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、銅の化合物が、銅酸化物、及び銅水酸化物である層を形成できるためである。
　スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いることができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合、例えばニッケル及び銅を含有する合金のターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着する。そして、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ５７ａ、５７ｂにより真空排気する。
　その後、酸素ガスと、水蒸気とを含むスパッタリングガスを気体供給手段５８により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ５７ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ５９の開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
　なお、筐体５１内には、黒化層に供給する酸素及び水蒸気の量を調整し易いように、不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを同時に供給し、それぞれの分圧を調整することが好ましい。従って、スパッタリングガスは不活性ガスと、酸素ガスと、水蒸気とを含有することが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、アルゴンやヘリウムを好ましく用いることができる。また、水蒸気は不活性ガスとの混合気体として供給することができる。
　スパッタリングガス中の酸素ガス及び水蒸気の比率は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成等に応じて選択することができる。
　例えば、成膜した黒化層についてＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した際に、Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、銅酸化物のピーク面積が４０以上、銅水酸化物のピーク面積が６０以下であることが好ましい。このため、成膜した黒化層についてのＸ線光電子分光法の測定結果が上記結果となるように各ガスの供給量を調整をすることが好ましい。
　また、黒化層を成膜する際、導電性基板の幅方向全体に渡って、黒化層中の銅酸化物、および銅水酸化物が例えば上述の所望の範囲となるように、ガスの供給配管の配置を調整しておくことが好ましい。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ～１０ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。
　そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、金属層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。
　係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１Ａに示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法等、従来の技術と同様の方法により形成することができる。
　次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、金属層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。
　なお、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを同時にエッチングしてもよい。
　また、透明基材１１の両側に形成された金属層１２Ａ、１２Ｂ及び黒化層１３Ａ、１３Ｂについて、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。
　本実施形態の導電性基板に形成する黒化層は金属層と同様のエッチング液への反応性を示すため、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に金属層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と塩酸との混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と塩酸との含有量は特に限定されるものではないが、例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
　エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもできる。例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることができる。
　上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
　また、既述のように、図１Ａ、図２Ａに示した透明基材１１の一方の面側に金属層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。
　以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板によれば、黒化層についてもエッチング液に対する反応性が優れており、金属層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことができる。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチング処理した場合に、金属層及び黒化層を所望の形状にパターニングし、寸法ばらつきの発生を抑制できる。従って、金属層及び黒化層を同時にエッチングすることができる。
　また、黒化層は金属層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、配線表面での光の反射を抑制し、ディスプレイの視認性を高めることができる。
　以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
　実施例、比較例において作製した試料について以下の方法により評価を行った。
（１）Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）による測定
　測定は、Ｘ線光電子分光装置（ＰＨＩ社製、形式：ＱｕａｎｔａＳＸＭ）により行った。なお、Ｘ線源には単色化Ａｌ（１４８６．６ｅＶ）を使用した。
　後述のように、以下の各実施例、比較例では、図２Ａの構造を有する導電性基板を作製した。そこで、図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した面１３２ａをＡｒイオンエッチングし、最表面から１０ｎｍ内部のＣｕ　２Ｐ３／２スペクトル、及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを測定した。得られたスペクトルから銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合の、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積を算出した。すなわち、銅酸化物、及び銅水酸化物についての、銅酸化物のピーク面積比、及び銅水酸化物のピーク面積比を算出した。
（２）反射率測定
　測定は、分光光度計（島津製作所製、形式：ＵＶ－２６００）により、入射角５°の正反射法にて波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光の平均反射率を求めた。具体的には、波長４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲の光について、１ｎｍ間隔で波長を変化させて照射することで、各波長における正反射率を測定し、その平均を波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均とした。なお、表１では単に反射率として記載している。
　以下の各実施例、比較例では、図２Ａの構造を有する導電性基板を作製している。このため、図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した面１３２ａの反射率を測定した。
（３）エッチング試験
　エッチング試験では塩化第二鉄を１０重量％、塩酸を１重量％、残部は水からなるエッチング液を用いた。
　各実施例、比較例で作製した導電性基板を、レジスト等は形成せずに、温度２５℃のエッチング液中に６０ｓｅｃ浸漬した後、エッチング液から取り出した。そしてその後、水洗により導電性基板に付着したエッチング液を十分に洗い流した。
　エッチング液に浸漬、水洗した後の導電性基板を目視により観察し、透明基材上に残った金属層および黒化層の有無を観察した。
　金属層および黒化層が残存しない場合、すなわち残渣が確認できない場合には、同時にエッチングできる金属層、および黒化層を備えた導電性基板であることを示している。これに対して金属層と、黒化層との少なくとも一方が残存している場合、すなわち残渣が確認できた場合には、成膜した金属層および黒化層を同時にエッチングできないことを示している。
（試料の作製条件）
　実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
　図２Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。
（黒化層形成工程）
　まず、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの長尺状のポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の巻出ロール５２にセットした。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
　また、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに、ニッケル６５ｗｔ％と、銅３５ｗｔ％とを含有するニッケル－銅合金のターゲットをセットした。
　次にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５６を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
　続いて筐体５１内を１×１０－４Ｐａまで排気した後、筐体５１内に、アルゴンガス、酸素ガス、水蒸気を導入した。なお、水蒸気は室温において飽和水分を含有するアルゴンガスとして導入している。アルゴンガス、酸素ガス、水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）は表１に示す供給量となるように筐体５１内に供給し、筐体５１内の圧力が２Ｐａになるように調整した。
　そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、透明基材上に黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の黒化層１３１を厚さが２０ｎｍとなるように形成した。
　なお、第１の黒化層を成膜する際、上述の様にニッケル－銅合金のターゲットを用い、筐体５１内に、アルゴンガス、酸素ガス、水蒸気を導入してスパッタリングを行った。このため、第１の黒化層は銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有することとなる。
（金属層形成工程）
　続いて、第１の黒化層を成膜した透明基材を巻出ロール５２にセットし、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄにセットしたターゲットを銅のターゲットに変更した。そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の筐体５１内を１×１０－４Ｐａまで排気した後、筐体５１内にアルゴンガスのみを導入し、圧力が０．３Ｐａになるように調整した点以外は第１の黒化層の場合と同様にして第１の黒化層の上面に金属薄膜層として銅薄膜層を厚さが８０ｎｍとなるように形成した。
　銅薄膜層を形成後、さらに電解めっき法により厚さが０．５μｍの銅めっき層を成膜した。なお、銅めっき層を成膜する際には銅薄膜層を給電層として用いた。
（黒化層形成工程）
　続いて、第１の黒化層、及び金属層を成膜した透明基材を巻出ロール５２にセットし、第１の黒化層１３１と同条件で金属層１２の上面に第２の黒化層１３２を形成した。
　作製した導電性基板の試料について、上述のＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）による測定、反射率測定、およびエッチング試験の評価を実施した。結果を表１に示す。
［実施例２～実施例４］
　第１の黒化層、および第２の黒化層を形成する際に、筐体５１内に供給するアルゴンガス、酸素ガス、および水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）の流量を表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。
　結果を表１に示す。
［比較例１、比較例２］
　第１の黒化層、および第２の黒化層を形成する際に、筐体５１内に供給するアルゴンガス、酸素ガス、および水分を含有するアルゴンガス（アルゴン・水分混合ガス）の流量を表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。
　結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１に示した結果によると、実施例１～実施例４の試料において、黒化層をＸＰＳにより評価を行ったところ、銅単体、および銅酸化物、銅水酸化物のピークが確認され、各成分を含有することが確認できた。
　また、実施例１～実施例４の試料においては、黒化層についてＸＰＳにより測定した結果から求めた、銅酸化物のピーク面積比が４０以上、銅水酸化物のピーク面積比が６０以下の範囲にあることが確認できた。
　そして、エッチング試験の結果いずれも残渣がないことを確認できた。
　また、実施例１～実施例４は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０．０％以下となっており、黒化層は金属層表面での光の反射を十分に抑制できていることを確認できた。
　これに対して、比較例１、２の試料においては、黒化層をＸＰＳにより評価を行ったところ、銅単体、および銅酸化物、銅水酸化物のピークが確認され、各成分を含有することが確認できた。
　しかしながら、黒化層について、ＸＰＳにより測定した結果から求めた、銅酸化物のピーク面積比が３９、３０といずれも４０未満であり、銅水酸化物のピーク面積比が６１、７０と６０を超えることが確認できた。
　そして、エッチング試験を実施した際にＰＥＴフィルム上には黒化層の残渣が認められた。すなわち、比較例１、２の導電性基板で形成した黒化層はエッチング液に対する反応性が低く、黒化層と金属層とを同時にエッチングできないことが確認できた。
　以上のように、黒化層が銅の単体、銅酸化物、及び銅水酸化物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、ＸＰＳでの測定結果から算出した、銅酸化物、銅水酸化物のピーク面積比が所定の範囲の場合、エッチング液に対して良好な反応性を示すことを確認できた。すなわち、黒化層と金属層とを同時にエッチングできることを確認できた。
　以上に導電性基板を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１５年９月３０日に日本国特許庁に出願された特願２０１５－１９５１９９号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５－１９５１９９号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０　　　　　　　　　導電性基板
１１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　黒化層
３１Ａ、３１Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　配線

Claims (7)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層とを有し、
    　前記黒化層は、銅の単体および化合物と、ニッケルの単体および／または化合物とを含有し、
    　前記銅の化合物が、銅酸化物および銅水酸化物を含み、
    　前記黒化層について、Ｘ線光電子分光法により測定した際に、
    　Ｃｕ　２Ｐ３／２スペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを用いて求めた、銅酸化物のピーク面積、及び銅水酸化物のピーク面積の和を１００とした場合に、前記銅酸化物のピーク面積が４０以上、前記銅水酸化物のピーク面積が６０以下である導電性基板。
  2. 　前記金属層は銅を含有する請求項１に記載の導電性基板。
  3. 　前記透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から前記金属層と、前記黒化層とがその順に形成された請求項１または２に記載の導電性基板。
  4. 　前記透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から前記黒化層と、前記金属層と、前記黒化層とがその順に形成された請求項１または２に記載の導電性基板。
  5. 　前記黒化層の厚さが１００ｎｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。
  6. 　波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板。
  7. 　メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電性基板。
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