WO2018193940A1 - 導電性基板 - Google Patents

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WO2018193940A1
WO2018193940A1 PCT/JP2018/015267 JP2018015267W WO2018193940A1 WO 2018193940 A1 WO2018193940 A1 WO 2018193940A1 JP 2018015267 W JP2018015267 W JP 2018015267W WO 2018193940 A1 WO2018193940 A1 WO 2018193940A1
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conductive substrate
metal layer
blackening
metal
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PCT/JP2018/015267
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下地　匠
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住友金属鉱山株式会社
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    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Definitions

  • the present invention relates to a conductive substrate.
  • the capacitive touch panel converts information on the position of an adjacent object on the panel surface into an electrical signal by detecting a change in capacitance caused by the object adjacent to the panel surface. Since the conductive substrate used for the capacitive touch panel is installed on the surface of the display, the material of the conductive layer of the conductive substrate is required to have low reflectance and be difficult to be visually recognized.
  • the material of the conductive layer used for the conductive substrate for the touch panel a material having low reflectivity and difficult to be visually recognized is used and formed on the transparent substrate or the transparent film.
  • Patent Document 1 a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium-tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on a polymer film has been conventionally used.
  • ITO indium-tin oxide
  • a display with a touch panel has been increased in screen size, and in response to this, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is required to have a large area.
  • ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with an increase in the area of the conductive substrate.
  • Patent Document 2 discloses a step of forming a resist layer on a copper thin film supported by a film, a step of processing at least the resist layer into a striped wiring pattern and a drawing wiring pattern by photolithography, and exposure.
  • a method of manufacturing a film-like touch panel sensor is disclosed which includes a step of removing the copper thin film by etching to form a striped copper wiring and a drawing copper wiring, and a step of blackening the copper wiring.
  • Patent Document 2 employs a method of blackening the copper wiring after forming the striped copper wiring by etching, and there is a problem in productivity because the manufacturing process increases.
  • the manufacturing process of the conductive substrate that can reduce the manufacturing process and obtain high productivity was examined.
  • an object of one aspect of the present invention is to provide a conductive substrate including a metal layer and a blackening layer that can be etched simultaneously.
  • a transparent substrate A metal layer formed on at least one surface of the transparent substrate; A blackening layer formed on the metal layer, The blackening layer provides a conductive substrate that is a rough plating layer containing nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper.
  • a conductive substrate provided with a metal layer and a blackened layer that can be etched simultaneously can be provided.
  • FIG. 4 is a structural example of a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3. 4 is another configuration example of a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. Explanatory drawing of the amount of side etching.
  • the conductive substrate of this embodiment can have a transparent base material, a metal layer formed on at least one surface of the transparent base material, and a blackening layer formed on the metal layer.
  • the blackening layer can be a rough plating layer containing nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper.
  • the conductive substrate in the present embodiment is a substrate having a metal layer and a blackened layer on the surface of a transparent base before patterning the metal layer, etc., and a substrate obtained by patterning the metal layer, that is, wiring A substrate. Since the conductive substrate after patterning the metal layer and the blackening layer includes a region where the transparent base material is not covered with the metal layer or the like, the conductive substrate can transmit light and is a transparent conductive substrate.
  • the transparent substrate is not particularly limited, and an insulating film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.
  • a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polyimide film, a polycarbonate film, or a resin film can be preferably used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • COP cycloolefin polymer
  • PEN polyethylene naphthalate
  • polyamide, polyimide, polycarbonate, and the like can be more preferably used as a material for an insulating film that transmits visible light.
  • the thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required when a conductive substrate is used, the capacitance, the light transmittance, and the like.
  • the thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less, and more preferably 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the total light transmittance of the transparent substrate is preferably higher.
  • the total light transmittance is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.
  • the visibility of the display can be sufficiently ensured when used for, for example, a touch panel.
  • the total light transmittance of the transparent substrate can be evaluated by the method defined in JIS K 7361-1.
  • the material constituting the metal layer is not particularly limited, and a material having electrical conductivity suitable for the application can be selected.
  • copper is used as the material constituting the metal layer because it has excellent electrical characteristics and is easily etched. It is preferable. That is, the metal layer preferably contains copper.
  • the material constituting the metal layer is, for example, at least selected from the group consisting of Cu (copper) and Ni, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Mn, Co, and W. It is preferable that it is a material containing a copper alloy with one or more kinds of metals, or copper and one or more kinds of metals selected from the above metal group.
  • the metal layer can be a copper layer made of copper.
  • the metal layer when the metal layer contains copper, can be one or more types of layers selected from copper, a metal containing copper, and a copper alloy.
  • the metal layer is preferably a copper layer or a copper alloy layer. This is because the copper or copper alloy layer has particularly high electrical conductivity (conductivity), and wiring can be easily formed by etching. Also, the copper or copper alloy layer is particularly susceptible to side etching, which will be described later, because the side etching can be suppressed in the conductive substrate of this embodiment.
  • the method for forming the metal layer is not particularly limited. However, in order to prevent the light transmittance from being reduced in the exposed portion of the transparent conductive substrate of the patterned conductive substrate, an adhesive is provided between the other member and the metal layer. It is preferable not to arrange them. That is, the metal layer is preferably disposed directly on the upper surface of another member. In addition, a metal layer can be formed and arrange
  • the metal layer preferably has a metal thin film layer formed by using a dry plating method.
  • a dry-type plating method For example, a vapor deposition method, sputtering method, an ion plating method etc. can be used.
  • the sputtering method is preferably used because the film thickness can be easily controlled.
  • the metal plating layer can be laminated using a wet plating method after the metal thin film layer is formed by dry plating.
  • a metal thin film layer is formed on a transparent substrate or an adhesion layer by a dry plating method, the metal thin film layer is used as a power feeding layer, and the metal plating layer is formed by electrolytic plating which is a kind of wet plating method. Can be formed.
  • the metal layer When the metal layer is formed only by the dry plating method as described above, the metal layer can be constituted by a metal thin film layer. Moreover, when a metal layer is formed by combining a dry plating method and a wet plating method, the metal layer can be composed of a metal thin film layer and a metal plating layer.
  • the metal layer is formed directly on the transparent substrate or the adhesion layer by using only the dry plating method or a combination of the dry plating method and the wet plating method to form a metal layer without using an adhesive. be able to.
  • the thickness of the metal layer is not particularly limited, and when the metal layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like.
  • the thickness of the metal layer is preferably 5 ⁇ m or less, and more preferably 3 ⁇ m or less.
  • the metal layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and 150 nm. More preferably, it is the above.
  • a metal layer has a metal thin film layer and a metal plating layer as mentioned above, it is preferable that the sum total of the thickness of a metal thin film layer and the thickness of a metal plating layer is the said range.
  • the thickness of the metal thin film layer is not particularly limited. The thickness is preferably 700 nm or less.
  • the wiring reflects light only by forming the wiring by etching the metal layer on a transparent substrate.
  • the visibility of the display is reduced.
  • methods for providing a blackened layer have been studied.
  • the reactivity of the metal layer and the blackened layer may be greatly different from each other with respect to the etching solution. If the metal layer and the blackened layer are simultaneously etched, the metal layer and the blackened layer can be etched into a desired shape. There was a problem of dimensional variation. For this reason, it is necessary to etch the metal layer and the blackened layer in separate processes in the conductive substrate that has been studied conventionally, and it is difficult to etch the metal layer and the blackened layer simultaneously, that is, in one process. Met.
  • the inventors of the present invention have a blackened layer that can be etched at the same time as the metal layer, that is, excellent reactivity to the etching solution, and can be patterned into a desired shape even when etched at the same time as the metal layer.
  • the blackening layer that can suppress the occurrence was examined.
  • the blackening layer contains nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper, so that the reactivity of the blackening layer with respect to the etching solution can be made substantially equal to that of the metal layer. I found.
  • the blackening layer of the conductive substrate of the present embodiment can contain nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper as described above.
  • the state of copper contained in the blackened layer is not particularly limited, but copper can be contained as one or more selected from, for example, a simple substance of copper and a copper compound.
  • the copper compound include copper oxide and copper hydroxide.
  • the blackening layer contains, for example, a simple substance of nickel, nickel oxide, and nickel hydroxide, and was further selected from a simple substance of copper, that is, metallic copper, copper oxide, and copper hydroxide.
  • a simple substance of nickel, nickel oxide, and nickel hydroxide contains, for example, a simple substance of nickel, nickel oxide, and nickel hydroxide, and was further selected from a simple substance of copper, that is, metallic copper, copper oxide, and copper hydroxide.
  • copper metallic copper, copper oxide, and copper hydroxide.
  • One or more types can be contained.
  • the blackened layer contains nickel oxide and nickel hydroxide, so that the blackened layer has a color that can suppress reflection of light on the surface of the metal layer, and functions as a blackened layer. be able to.
  • the blackened layer contains one or more kinds selected from copper, for example, a simple substance of copper and a copper compound
  • the reactivity of the blackened layer with respect to the etching solution can be made equivalent to that of the metal layer. Therefore, even when the metal layer and the blackened layer are etched at the same time, both layers can be etched into the desired shape, and it is possible to etch uniformly in a plane and suppress the occurrence of dimensional variations. Become. That is, the metal layer and the blackened layer can be etched simultaneously.
  • the ratio of each component contained in the blackening layer is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the degree of suppression of light reflection required for the conductive substrate, the degree of reactivity with the etching solution, and the like. You can choose. However, from the viewpoint of sufficiently increasing the reactivity to the etching solution, for example, the blackened layer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and the number of nickel atoms determined from the Ni 2P spectrum and Cu LMM spectrum is 100. In this case, the ratio of the number of copper atoms is preferably 5 or more and 90 or less.
  • nickel and copper contained in the blackened layer are in a ratio of the number of atoms, and when nickel is 100, copper is preferably 5 or more and 90 or less.
  • the ratio of the number of copper atoms when the number of nickel atoms is 100 is more preferably 7 or more and 90 or less, and further preferably 7 or more and 65 or less.
  • the number of nickel atoms means the number of all nickel atoms contained in the blackened layer, and forms not only nickel but also compounds such as nickel oxide. Including nickel.
  • the nickel 2P spectrum peak separation analysis measured by XPS for the blackened layer was performed, and the calculated nickel simple substance contained in the blackened layer, that is, nickel oxide when the number of atoms of metallic nickel was 100
  • the number of nickel atoms is preferably 15 or more and 280 or less, and the number of nickel atoms in the nickel hydroxide is preferably 10 or more and 220 or less. This is because the blackened layer contains nickel oxide and nickel hydroxide in a predetermined ratio with respect to metallic nickel, thereby suppressing the reflection of light on the surface of the metal layer. This is because the color can be particularly suitable for.
  • the blackened layer is measured by XPS, for example, 10 nm from the outermost surface of the blackened layer is removed by Ar ion etching or the like so that the internal state can be analyzed. preferable.
  • the blackened layer of the conductive substrate of the present embodiment has its surface, specifically the surface opposite to the surface of the blackened layer facing the transparent substrate, that is, when patterning is performed as described later. It is preferable that the surface on which the resist is disposed is a roughened plating layer (roughened layer) having a roughened surface.
  • a conductive substrate in which a metal layer and a blackened layer are laminated in that order on a transparent substrate is arranged by etching a resist having a shape corresponding to a wiring pattern to be formed on the blackened layer, and etching the metal layer.
  • the blackened layer can have a desired pattern.
  • the blackened layer is a roughened plating layer in which the surface of the blackened layer, that is, the surface opposite to the surface facing the transparent substrate is a roughened surface. It was found that the occurrence of side etching can be suppressed. This is because the surface of the blackened layer is a roughened surface, so that the adhesion between the blackened layer and the resist can be improved when the resist is arranged. It is considered that the etching solution can be prevented from entering between.
  • the blackened layer preferably contains one or more types of crystals selected from granular crystals and needle crystals.
  • the blackened layer when the blackened layer includes granular crystals, the blackened layer preferably includes granular crystals having an average crystal grain size of 50 nm to 150 nm.
  • the blackened layer contains granular crystals, and the average crystal grain size is 50 nm or more, thereby improving the adhesion between the blackened layer and the resist by using the surface of the blackened layer as a roughened surface. It is because generation
  • the blackened layer contains granular crystals, and the average crystal grain size is set to 150 nm or less so that the blackened layer has a color particularly suitable for suppressing light reflection on the surface of the metal layer. Because it can.
  • the average crystal grain size is more preferably 70 nm or more and 150 nm or less.
  • the standard deviation ⁇ of the crystal size of the granular crystals is preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more. This means that by setting the standard deviation ⁇ to 10 nm or more, the granular crystals contained in the blackened layer have a certain degree of variation, and the adhesion between the blackened layer and the resist can be particularly improved. Because.
  • the upper limit value of the standard deviation ⁇ of the crystal grain size of the granular crystal is not particularly limited, but can be, for example, 100 nm or less.
  • the crystal grain size of the granular crystal is a circle of the minimum size that completely includes the granular crystal to be measured when the roughened surface of the blackened layer is observed with a scanning electron microscope or the like as described later. Means the diameter.
  • the blackened layer contains needle-like crystals
  • the blackened layer has an average length of 100 nm to 300 nm, an average width of 30 nm to 80 nm, and an average aspect ratio of 2.0 to 4.5. It is preferable that a crystal is included.
  • the blackened layer contains needle-like crystals, the average length is 100 nm or more, the average width is 30 nm or more, and the aspect ratio is 2.0 or more. This is because the adhesion between the resist layer and the resist can be improved, and side etching can be particularly suppressed. Further, the blackened layer contains needle-like crystals, the average length is 300 nm or less, the average width is 80 nm or less, and the average aspect ratio is 4.5 or less, so that the light on the surface of the metal layer can be obtained. This is because the color can be made suitable for suppressing reflection of light.
  • the average length is more preferably 120 nm to 260 nm, the average width is 40 nm to 70 nm, and the average aspect ratio is 2.5 to 4.5.
  • the standard deviation ⁇ of the length, width, and aspect ratio of the acicular crystals is preferably 10 nm or more, 5 nm or more, and 0.5 or more, respectively.
  • the acicular crystals contained in the blackened layer have a certain degree of variation. This is because the adhesion between the resist layer and the resist can be particularly enhanced.
  • the upper limit values of the standard deviation ⁇ of the length, width, and aspect ratio of the acicular crystal are not particularly limited, but can be set to, for example, 100 nm or less, 50 nm or less, and 5 or less, respectively.
  • the length and width of the acicular crystal are the length and the short side of the long side of the acicular crystal, respectively, when the roughened surface of the blackened layer is observed with a scanning electron microscope or the like as described later. It means the length of the side.
  • the aspect ratio is a value obtained by dividing the length by the width.
  • the average grain size, average length, average width, average aspect ratio, and standard deviation ⁇ of the crystals contained in the blackening layer are roughened by, for example, a scanning electron microscope (SEM). It can be measured and calculated from the observed image when the surface is observed.
  • SEM scanning electron microscope
  • Specific conditions for observing the roughened surface of the blackened layer are not particularly limited, but for example, it is preferably enlarged to 50000 times at an arbitrary position.
  • the crystal grain size is measured for 20 granular crystals arbitrarily selected within one field of view, and the average value of the crystal grain sizes of the 20 granular crystals is determined as the average crystal. It can be a grain size. Further, the standard deviation of the crystal grain size can be calculated from the measured value of the crystal grain size of the 20 granular crystals and the calculated average crystal grain size.
  • the aspect ratio can be calculated by measuring the length and width of 20 acicular crystals arbitrarily selected within one field of view.
  • the average values of the length, width, and aspect ratio of the 20 needle-like crystals can be set as the average length, average width, and average aspect ratio.
  • the standard deviation of each of the 20 needle-like crystals can be calculated from the measured values of the length and width, the calculated value of the aspect ratio, and the calculated average length, average width, and average aspect ratio.
  • the position of the observation visual field it is preferable to select the position of the observation visual field so that 20 or more granular crystals or acicular crystals are included in one visual field. However, when 20 visual fields cannot be selected, less than 20 granular crystals are selected.
  • the average crystal grain size, or average length, average width, and average aspect ratio may be calculated using crystals or needle crystals.
  • the size of a crystal such as a granular crystal can be calculated with a scanning electron microscope or the like on the roughened surface of the blackened layer, the above-mentioned granular crystal or needle-shaped crystal is formed on the roughened surface of the blackened layer. It can also be said that the contained crystals.
  • the method for forming the blackened layer is not particularly limited, and any method can be selected as long as it contains the above-described components and can be formed to be a roughened plating layer. However, it is preferable to use a wet method since the composition of the blackened layer can be controlled relatively easily so as to contain the above-described components.
  • the wet method it is particularly preferable to use an electrolytic plating method.
  • the blackening plating solution used when forming the blackening layer by the electrolytic plating method may be prepared so that the blackening layer having the above composition can be formed, and the composition is not particularly limited. Absent.
  • a blackening plating solution containing nickel ions, copper ions, and a pH adjusting agent can be preferably used.
  • the concentration of each component in the blackening plating solution is not particularly limited, and may be arbitrarily selected depending on the degree of suppression of light reflection on the surface of the metal layer required for the formed blackening layer. Can do.
  • the nickel ion concentration in the blackening plating solution is preferably 2.0 g / L or more, and more preferably 3.0 g / L or more. This is because, by setting the nickel ion concentration in the blackening plating solution to 2.0 g / L or more, the blackening layer has a color particularly suitable for suppressing reflection of light on the surface of the metal layer. This is because it is possible to suppress the reflectance.
  • the upper limit of the nickel ion concentration in the blackening plating solution is not particularly limited, but is preferably 20.0 g / L or less, and more preferably 15.0 g / L or less, for example. This is because when the nickel ion concentration in the blackening plating solution is 20.0 g / L or less, the nickel component in the formed blackening layer is prevented from being excessive, and the blackening layer surface is bright nickel. This is because it prevents plating-like surfaces and suppresses the reflectance of the conductive substrate.
  • the copper ion concentration in the blackening plating solution is preferably 0.005 g / L or more, and more preferably 0.008 g / L or more. This is because, when the copper ion concentration in the blackening plating solution is 0.005 g / L or more, the blackening layer has a color particularly suitable for suppressing reflection of light on the surface of the metal layer, and etching of the blackening layer is performed. This is because the reactivity to the liquid is increased, and even when the blackened layer is etched together with the metal layer, it can be patterned into a desired shape.
  • the upper limit value of the copper ion concentration in the blackening plating solution is not particularly limited, but is preferably 4.0 g / L or less, and more preferably 1.02 g / L or less. This is because when the copper ion concentration in the blackening plating solution is 4.0 g / L or less, the reactivity of the formed blackening layer to the etching solution is prevented from becoming too high. This is because the color is particularly suitable for suppressing the reflection of light on the surface of the layer, and the reflectance of the conductive substrate can be suppressed.
  • the supply method of nickel ions and copper ions is not particularly limited, and can be supplied in a salt state, for example.
  • a salt state for example.
  • sulfamate and sulfate can be preferably used.
  • the same kind of salt may be used for each metal element, and different kinds of salts may be used at the same time.
  • a blackening plating solution can be prepared using the same type of salt as nickel sulfate and copper sulfate.
  • a blackening plating solution can also be prepared by simultaneously using different types of salts such as nickel sulfate and copper sulfamate.
  • an alkali metal hydroxide can be preferably used as the pH adjuster. This is because the reflectance of a conductive substrate having a blackened layer formed using the blackened plating solution can be particularly lowered by using an alkali metal hydroxide as a pH adjuster.
  • an alkali metal hydroxide is used as the pH adjuster, the reason why the reflectance of the conductive substrate having a blackened layer formed using the blackened plating solution can be suppressed is not clear. This is probably because the hydroxide ions supplied into the plating solution can promote the precipitation of nickel oxide. By promoting the precipitation of nickel oxide, the blackened layer can have a color particularly suitable for suppressing light reflection on the surface of the metal layer. For this reason, it is presumed that the reflectance of the conductive substrate having the blackened layer can be particularly suppressed.
  • the alkali metal hydroxide that is a pH adjuster for example, one or more selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide, and lithium hydroxide can be used.
  • the alkali metal hydroxide that is a pH adjuster is more preferably one or more selected from sodium hydroxide and potassium hydroxide. This is because sodium hydroxide and potassium hydroxide are particularly easily available and are excellent in cost.
  • the pH of the blackening plating solution of the present embodiment is not particularly limited, but is preferably 4.0 or more and 5.2 or less, and more preferably 4.5 or more and 5.0 or less.
  • the blackening plating solution may further contain a complexing agent.
  • a complexing agent for example, amidosulfuric acid can be preferably used.
  • amidosulfuric acid a blackening layer having a color particularly suitable for suppressing light reflection on the surface of the metal layer can be formed.
  • the content of the complexing agent in the blackening plating solution is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the degree of suppression of reflectance required for the blackening layer to be formed.
  • the concentration of amidosulfuric acid in the blackening plating solution is not particularly limited.
  • it is preferably 1 g / L or more and 50 g / L or less, and preferably 5 g / L or more and 20 g / L.
  • the following is preferable. This is because when the concentration of amidosulfuric acid is 1 g / L or more, the blackened layer has a color particularly suitable for suppressing light reflection on the surface of the metal layer, and the reflectance of the conductive substrate can be suppressed. It is.
  • substrate does not become high even if it adds amide sulfuric acid excessively, it is preferable that it is 50 g / L or less as mentioned above.
  • the shape and size of the crystal contained in the blackened layer can be selected by adjusting the pH of the plating solution and the current density when forming the blackened layer. For example, by increasing the pH of the plating solution or increasing the current density at the time of film formation, acicular crystals are likely to be formed. By lowering the pH of the plating solution or by reducing the current density at the time of film formation, granularity is obtained. Crystals are likely to occur.
  • a preliminary test can be performed, and conditions can be selected so as to obtain a blackened layer containing crystals of a desired shape and size.
  • the thickness of the blackening layer is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the degree of suppression of light reflection required for the conductive substrate.
  • the thickness of the blackening layer is preferably 50 nm or more, for example, and more preferably 70 nm or more.
  • the blackening layer has a function of suppressing light reflection by the metal layer, but when the thickness of the blackening layer is thin, reflection of light by the metal layer may not be sufficiently suppressed.
  • the thickness of the blackened layer is preferably 50 nm or more because reflection on the surface of the metal layer can be more reliably suppressed.
  • the upper limit value of the thickness of the blackened layer is not particularly limited. However, if the thickness is increased more than necessary, the time required for etching when forming the wiring is increased, resulting in an increase in cost. For this reason, the thickness of the blackened layer is preferably 350 nm or less, more preferably 200 nm or less, and even more preferably 150 nm or less.
  • the conductive substrate can be provided with any layer other than the above-mentioned transparent base material, metal layer, and blackening layer.
  • an adhesion layer can be provided.
  • the metal layer can be formed on the transparent substrate, but when the metal layer is directly formed on the transparent substrate, the adhesion between the transparent substrate and the metal layer may not be sufficient. . For this reason, when a metal layer is directly formed on the upper surface of the transparent substrate, the metal layer may be peeled off from the transparent substrate during the production process or use.
  • an adhesion layer can be disposed on the transparent substrate in order to improve the adhesion between the transparent substrate and the metal layer. That is, it can also be set as the electroconductive board
  • the adhesion layer between the transparent substrate and the metal layer By disposing the adhesion layer between the transparent substrate and the metal layer, the adhesion between the transparent substrate and the metal layer can be improved, and the metal layer can be more reliably prevented from peeling from the transparent substrate.
  • the adhesion layer can function as a blackening layer. For this reason, it becomes possible to suppress the reflection of the light of the metal layer by the light from the lower surface side of the metal layer, that is, the transparent base material side.
  • the material constituting the adhesion layer is not particularly limited, the adhesion strength with the transparent base material and the metal layer, the degree of suppression of light reflection on the surface of the required metal layer, and the use of a conductive substrate It can be arbitrarily selected according to the degree of stability to the environment (for example, humidity and temperature).
  • the adhesion layer preferably contains at least one metal selected from, for example, Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn.
  • the adhesion layer may further contain one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen.
  • the adhesion layer can also include a metal alloy containing at least two kinds of metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn. Also in this case, the adhesion layer can further include one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen.
  • a metal alloy containing at least two kinds of metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn a Cu—Ti—Fe alloy is used as a metal alloy containing at least two kinds of metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn.
  • a Cu—Ti—Fe alloy is used as a metal alloy containing at least two kinds of metals selected from Ni, Zn, Mo, Ta, Ti, V, Cr, Fe, Co, W, Cu, Sn, and Mn.
  • the method for forming the adhesion layer is not particularly limited, but it is preferable to form the film by a dry plating method.
  • a dry plating method for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used.
  • the adhesion layer is formed by a dry method, it is more preferable to use a sputtering method because the film thickness can be easily controlled.
  • one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, the reactive sputtering method can be more preferably used.
  • the adhesion layer includes one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen
  • one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen in the atmosphere when forming the adhesion layer Can be added to the adhesion layer.
  • carbon is added to the adhesion layer
  • at least one selected from carbon monoxide gas and carbon dioxide gas is used.
  • oxygen oxygen gas is used.
  • hydrogen hydrogen gas and
  • nitrogen gas can be added to the atmosphere when dry plating is performed.
  • a gas containing one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen is preferably added to an inert gas and used as an atmosphere gas during dry plating.
  • an inert gas For example, argon can be used preferably.
  • the adhesion layer By forming the adhesion layer by the dry plating method as described above, the adhesion between the transparent substrate and the adhesion layer can be enhanced. And since an adhesion layer can contain a metal as a main component, for example, its adhesiveness with a metal layer is also high. For this reason, peeling of a metal layer can be suppressed by arrange
  • the thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but is preferably 3 nm to 50 nm, for example, more preferably 3 nm to 35 nm, and still more preferably 3 nm to 33 nm.
  • the thickness of the adhesion layer is preferably 3 nm or more as described above.
  • the upper limit value of the thickness of the adhesion layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming the wiring are increased, resulting in an increase in cost. Will be invited.
  • the thickness of the adhesion layer is preferably 50 nm or less as described above, more preferably 35 nm or less, and further preferably 33 nm or less.
  • the conductive substrate of the present embodiment can have a transparent base material, a metal layer, and a blackening layer. Further, a layer such as an adhesion layer can be optionally provided.
  • FIGS. 1A and 1B show examples of cross-sectional views of the conductive substrate of the present embodiment on a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the metal layer, and the blackening layer.
  • the conductive substrate of the present embodiment can have a structure in which, for example, a metal layer and a blackening layer are laminated in that order from the transparent substrate side on at least one surface of the transparent substrate.
  • the metal layer 12 and the blackening layer 13 may be stacked one by one on the one surface 11a side of the transparent base material 11 one by one. it can.
  • the blackened layer 13 can have a roughened surface A which is the surface opposite to the surface of the blackened layer 13 facing the transparent substrate 11.
  • the layers 13A and 13B can be stacked one by one in that order.
  • the blackening layers 13A and 13B can make the surface A and the surface B, which are the surfaces opposite to the surfaces facing the transparent substrate 11, roughened surfaces.
  • an adhesion layer may be provided.
  • the adhesion layer 14, the metal layer 12, and the blackening layer 13 are laminated in that order on the one surface 11a side of the transparent base material 11. be able to.
  • an adhesion layer, a metal layer, and a blackening layer are laminated on both surfaces of the transparent substrate 11
  • the adhesion layers 14A and 14B and the metal layers 12A and 12B are respectively formed on the one surface 11a side and the other surface 11b side of the transparent base material 11.
  • the blackening layers 13A and 13B can be stacked in that order.
  • FIG. 1B and FIG. 2B when a metal layer, a blackening layer, etc. are laminated on both surfaces of the transparent substrate, the layers laminated on the upper and lower sides of the transparent substrate 11 with the transparent substrate 11 as a symmetry plane are symmetrical.
  • the configuration on the one surface 11a side of the transparent substrate 11 is the same as the configuration in FIG. 1B, in which the metal layer 12A and the blackening layer 13A are laminated in that order without providing the adhesion layer 14A.
  • the layers laminated on the top and bottom of the transparent substrate 11 may be asymmetrical.
  • substrate of this embodiment by providing a metal layer and a blackening layer on a transparent base material, reflection of the light by a metal layer is suppressed and the reflectance of an electroconductive board
  • the degree of reflectivity of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • the reflectivity is lower. Is good.
  • the average reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 15% or less, and more preferably 10% or less.
  • the reflectance can be measured by irradiating the blackened layer of the conductive substrate with light. Specifically, for example, when the metal layer 12 and the blackened layer 13 are laminated in this order on one surface 11a side of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 1A, the blackened layer 13 is irradiated so that the blackened layer 13 is irradiated with light.
  • the surface A can be irradiated with light and measured.
  • light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is irradiated to the blackened layer 13 of the conductive substrate, for example, at a wavelength of 1 nm as described above, and the average value of the measured values is used as the reflectance of the conductive substrate. be able to.
  • the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel.
  • the conductive substrate can be configured to have mesh-like wiring.
  • the conductive substrate provided with the mesh-like wiring can be obtained by etching the metal layer and the blackening layer of the conductive substrate of the present embodiment described so far, and in some cases, the adhesion layer.
  • a mesh-like wiring can be formed by two-layer wiring.
  • FIG. 3 shows a view of the conductive substrate 30 provided with mesh-like wiring as viewed from the upper surface side in the stacking direction of the metal layer or the like.
  • the transparent substrate and the metal layer are patterned so that the wiring pattern can be easily understood. Description of layers other than the wirings 31A and 31B formed in the same manner is omitted.
  • the wiring 31B seen through the transparent base material 11 is also shown.
  • the conductive substrate 30 shown in FIG. 3 has a transparent base material 11, a plurality of wirings 31A parallel to the Y-axis direction in the drawing, and wirings 31B parallel to the X-axis direction.
  • the wirings 31A and 31B are formed by etching a metal layer, and a blackening layer (not shown) is formed on the upper surface or the lower surface of the wirings 31A and 31B.
  • the blackened layer is etched in the same shape as the wirings 31A and 31B.
  • the arrangement of the transparent substrate 11 and the wirings 31A and 31B is not particularly limited.
  • positioning with the transparent base material 11 and wiring is shown to FIG. 4A and FIG. 4B.
  • 4A and 4B are cross-sectional views taken along line AA ′ of FIG.
  • wirings 31A and 31B may be arranged on the upper and lower surfaces of the transparent base material 11, respectively.
  • blackened layers 32A and 32B etched in the same shape as the wiring are arranged on the upper surface of the wiring 31A and the lower surface of the wiring 31B.
  • a pair of transparent base materials 11 is used, wirings 31A and 31B are arranged on the upper and lower surfaces across one transparent base material 11, and one wiring 31B is a transparent base material. 11 may be arranged. Also in this case, blackened layers 32A and 32B etched in the same shape as the wiring are disposed on the upper surfaces of the wirings 31A and 31B.
  • an adhesion layer can be provided in addition to the metal layer and the blackening layer. Therefore, in either case of FIG. 4A or FIG. 4B, for example, an adhesion layer can be provided between one or both of the wiring 31 ⁇ / b> A and the wiring 31 ⁇ / b> B and the transparent substrate 11. When the adhesion layer is provided, it is preferable that the adhesion layer is also etched in the same shape as the wirings 31A and 31B.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3 and 4A is, for example, a conductive substrate having metal layers 12A and 12B and blackening layers 13A and 13B on both surfaces of the transparent base material 11 as shown in FIG. 1B. It can be formed from a conductive substrate.
  • the metal layer 12A and the blackened layer 13A on the one surface 11a side of the transparent base material 11 are parallel to the Y-axis direction in FIG. 1B.
  • Etching is performed so that a plurality of linear patterns are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • the X-axis direction in FIG. 1B means a direction parallel to the width direction of each layer.
  • the Y-axis direction in FIG. 1B means a direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1B.
  • a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. 1B are arranged along the Y-axis direction at predetermined intervals on the metal layer 12B and the blackening layer 13B on the other surface 11b side of the transparent substrate 11. Etching is performed so as to be disposed.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 3 and 4A can be formed.
  • the etching of both surfaces of the transparent substrate 11 can be performed simultaneously. That is, the etching of the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B may be performed simultaneously.
  • the conductive substrate having an adhesion layer patterned in the same shape as the wirings 31A and 31B between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11 is the conductive substrate shown in FIG. 2B. It can be produced by etching in the same manner.
  • FIG. 3 can also be formed by using two conductive substrates shown in FIG. 1A or FIG. 2A.
  • a case where the two conductive substrates shown in FIG. 1A are used will be described as an example.
  • a plurality of metal layers 12 and blackening layers 13 are provided in parallel to the X-axis direction. Etching is performed so that the linear patterns are arranged along the Y-axis direction at a predetermined interval. Then, the conductive substrate having mesh-like wiring is obtained by bonding the two conductive substrates so that the linear patterns formed on the respective conductive substrates intersect with each other by the etching process. be able to.
  • the surface to be bonded when the two conductive substrates are bonded is not particularly limited.
  • the surface A in FIG. 1A in which the metal layer 12 or the like is laminated and the other surface 11b in FIG. 1A in which the metal layer 12 or the like is not laminated are bonded together so that the structure shown in FIG. 4B is obtained. You can also.
  • the other surfaces 11b in FIG. 1A where the metal layer 12 or the like of the transparent base material 11 is not laminated can be bonded together so that the cross section has the structure shown in FIG. 4A.
  • FIG. 1A a conductive substrate having an adhesion layer patterned in the same shape as the wirings 31A and 31B between the wirings 31A and 31B and the transparent base material 11 is shown in FIG. 1A. It can be manufactured by using the conductive substrate shown in FIG. 2A instead of the conductive substrate.
  • the width of the wiring and the distance between the wirings in the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 3, FIG. 4A and FIG. 4B are not particularly limited. You can choose.
  • the conductive substrate of this embodiment has a blackening layer containing nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper, and the blackening layer and the metal layer Even when simultaneously etching and patterning, the blackened layer and the metal layer can be patterned into a desired shape. Moreover, generation
  • the lower limit value of the wiring width is not particularly limited, but can be 3 ⁇ m or more, for example.
  • 4 ⁇ / b> A, and 4 ⁇ / b> B show examples in which a mesh-like wiring (wiring pattern) is formed by combining linear wirings, but the present invention is not limited to such a form.
  • the wiring that constitutes can be of any shape.
  • the shape of the wiring constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display.
  • a conductive substrate having a mesh-like wiring composed of two layers of wiring can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
  • the conductive substrate of the present embodiment described above has a structure in which a blackening layer is laminated on a metal layer formed on at least one surface of a transparent base material. And since the blackening layer contains the simple substance of nickel, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper, when patterning a metal layer and a blackening layer by an etching, a blackening layer Can be easily patterned into a desired shape.
  • the blackened layer is a roughened plating layer whose surface opposite to the surface facing the transparent substrate is a roughened surface. For this reason, adhesiveness with a resist is high and generation
  • the blackening layer included in the conductive substrate of the present embodiment can be a conductive substrate that sufficiently suppresses reflection of light on the surface of the metal layer and suppresses reflectance. Moreover, the visibility of a display can be improved when used for applications such as a touch panel. (Method for producing conductive substrate) Next, a configuration example of the method for manufacturing the conductive substrate according to the present embodiment will be described.
  • the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment can have the following processes.
  • a blackening layer containing nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper can be formed.
  • the conductive substrate described above can be suitably manufactured by the method for manufacturing a conductive substrate of the present embodiment. For this reason, since it can be set as the structure similar to the case of the above-mentioned electroconductive board
  • the transparent base material used for the metal layer forming step can be prepared in advance.
  • a transparent base material such as an insulating film (resin film) that transmits visible light or a glass substrate can be preferably used as described above.
  • the transparent base material can be cut into an arbitrary size in advance if necessary.
  • the metal layer preferably has a metal thin film layer as described above.
  • the metal layer can also have a metal thin film layer and a metal plating layer.
  • a metal layer formation process can have a process of forming a metal thin film layer, for example by a dry-type plating method.
  • the metal layer forming step includes a step of forming a metal thin film layer by a dry plating method, a step of forming a metal plating layer by an electroplating method which is a kind of wet plating method, using the metal thin film layer as a power feeding layer, You may have.
  • the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer is not particularly limited, and for example, an evaporation method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be used.
  • a vapor deposition method a vacuum vapor deposition method can be used preferably.
  • the dry plating method used in the step of forming the metal thin film layer it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness is particularly easy to control.
  • the conditions in the step of forming the metal plating layer by the wet plating method that is, the conditions for the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted.
  • a metal plating layer can be formed by supplying a base material on which a metal thin film layer is formed in a plating tank containing a metal plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
  • a blackening layer containing nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper can be formed.
  • the blackened layer can be formed by a wet method. Specifically, for example, a blackened layer can be formed on the metal layer by an electrolytic plating method in a plating tank containing the blackened plating solution described above, using the metal layer as a power feeding layer. Thus, by forming a blackened layer by an electrolytic plating method using the metal layer as a power feeding layer, the blackened layer can be formed on the entire surface of the metal layer opposite to the surface facing the transparent substrate.
  • the blackened layer is preferably a roughened plating layer that is a roughened surface on the surface opposite to the surface facing the transparent substrate.
  • the shape and size of the crystal contained in the blackened layer can be selected by adjusting the pH of the blackened plating solution and the current density. For example, by increasing the pH of the plating solution or increasing the current density at the time of film formation, acicular crystals are likely to be formed. By lowering the pH of the plating solution or by reducing the current density at the time of film formation, granularity is obtained. Crystals are likely to occur.
  • a preliminary test can be performed, and conditions can be selected so as to obtain a blackened layer containing crystals of a desired shape and size.
  • an optional step can be further performed in addition to the above-described steps.
  • an adhesion layer forming step of forming an adhesion layer on the surface of the transparent substrate on which the metal layer is formed can be performed.
  • the metal layer forming step can be carried out after the adhesion layer forming step.
  • the metal is formed on the substrate on which the adhesion layer is formed on the transparent substrate in this step.
  • a thin film layer can be formed.
  • the method for forming the adhesion layer is not particularly limited, but it is preferable to form the film by a dry plating method.
  • a dry plating method for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used.
  • the adhesion layer is formed by a dry method, it is more preferable to use a sputtering method because the film thickness can be easily controlled.
  • one or more elements selected from carbon, oxygen, hydrogen, and nitrogen can be added to the adhesion layer, and in this case, the reactive sputtering method can be more preferably used.
  • the conductive substrate obtained by the conductive substrate manufacturing method of the present embodiment can be used for various applications such as a touch panel. And when using for various uses, it is preferable that the metal layer and blackening layer which are contained in the electroconductive board
  • the manufacturing method of the conductive substrate of the present embodiment can include a patterning step of patterning the metal layer and the blackened layer.
  • the patterning step can be a step of patterning the adhesion layer, the metal layer, and the blackening layer.
  • the specific procedure of the patterning step is not particularly limited, and can be performed by an arbitrary procedure.
  • a resist having a desired pattern is arranged on the surface A on the blackening layer 13.
  • a resist placement step can be performed.
  • an etching step of supplying an etching solution to the surface A on the blackened layer 13, that is, the surface side where the resist is disposed can be performed.
  • the etching solution used in the etching step is not particularly limited.
  • the blackened layer formed by the method for manufacturing a conductive substrate according to the present embodiment exhibits almost the same reactivity to the etching solution as the metal layer.
  • the etching liquid used in an etching step is not specifically limited,
  • the etching liquid generally used for the etching of a metal layer can be used preferably.
  • etching solution for example, a mixed aqueous solution containing one or more selected from sulfuric acid, hydrogen peroxide (hydrogen peroxide solution), hydrochloric acid, cupric chloride, and ferric chloride can be preferably used.
  • the content of each component in the etching solution is not particularly limited.
  • the etching solution can be used at room temperature, but it can also be used by heating in order to increase the reactivity. For example, it can be used by heating to 40 ° C. or more and 50 ° C. or less.
  • a patterning process is performed to pattern the conductive substrate 10B in which the metal layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B are stacked on the one surface 11a and the other surface 11b of the transparent substrate 11. it can.
  • a resist placement step of placing a resist having a desired pattern on the surface A and the surface B on the blackening layers 13A and 13B can be performed.
  • an etching step of supplying an etching solution to the surface A and the surface B on the blackening layers 13A and 13B, that is, the surface on which the resist is disposed can be performed.
  • the pattern formed in the etching step is not particularly limited, and can be an arbitrary shape.
  • the pattern is formed so that the metal layer 12 and the blackened layer 13 include a plurality of straight lines or jagged lines (zigzag straight lines) as described above. Can do.
  • a pattern can be formed by the metal layer 12A and the metal layer 12B so as to form a mesh-like wiring.
  • a lamination step of laminating two or more patterned conductive substrates may be performed.
  • laminating for example, by laminating so that the pattern of the metal layer of each conductive substrate intersects, a laminated conductive substrate provided with mesh-like wiring can be obtained.
  • the method of fixing two or more laminated conductive substrates is not particularly limited, but can be fixed by, for example, an adhesive.
  • the conductive substrate obtained by the above-described method for manufacturing a conductive substrate according to this embodiment has a structure in which a blackening layer is stacked on a metal layer formed on at least one surface of a transparent base material. . Since the blackened layer contains nickel alone, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper, as described above, the metal layer and the blackened layer are patterned by etching. In this case, the blackened layer can be easily patterned into a desired shape.
  • the blackened layer is a roughened plating layer whose surface opposite to the surface facing the transparent substrate is a roughened surface. For this reason, adhesiveness with a resist is high and generation
  • the blackening layer included in the conductive substrate obtained by the method for manufacturing the conductive substrate of the present embodiment is a conductive substrate that sufficiently suppresses reflection of light on the surface of the metal layer and suppresses reflectance. Can do. For this reason, when it uses for uses, such as a touch panel, for example, the visibility of a display can be improved.
  • a conductive substrate having the structure of FIG. 1A was produced. Therefore, the surface A exposed to the outside of the blackening layer 13 in FIG. 1A was subjected to Ar ion etching, and the Ni 2P spectrum and Cu LMM spectrum inside 10 nm from the outermost surface were measured. From the obtained spectrum, the ratio of the number of copper atoms when the number of nickel atoms contained in the blackened layer was defined as 100 was calculated. In Table 1, the results are shown as the ratio of metal components.
  • the number of nickel atoms and nickel hydroxide contained in the blackened layer which is nickel oxide when the number of metal nickel atoms is defined as 100, is obtained.
  • the number of nickel atoms was calculated. In Table 1, the results are shown as nickel component ratios.
  • (2) Reflectance measurement The measurement was carried out by installing a reflectance measurement unit in an ultraviolet-visible spectrophotometer (model: UV-2600, manufactured by Shimadzu Corporation).
  • a conductive substrate having the structure shown in FIG. 1A was produced.
  • the reflectance measurement is performed with an incident angle of 5 ° and a light receiving angle of 5 ° with respect to the surface A of the blackened layer 13 of the conductive substrate 10A shown in FIG.
  • the regular reflectance was measured by irradiation, and the average value was defined as the reflectance (average reflectance) of the conductive substrate.
  • a dry film resist (Hitachi Kasei RY3310) was attached to the surface of the blackened layer of the conductive substrate obtained in the following experimental examples by a laminating method.
  • the sample was immersed in an etching solution at 30 ° C. containing 10 wt% sulfuric acid and 3 wt% hydrogen peroxide for 40 seconds. Thereafter, the dry film resist was stripped and removed with an aqueous sodium hydroxide solution.
  • the obtained sample was observed with a 200-fold microscope, and the minimum value of the wiring width of the metal wiring remaining on the conductive substrate was determined.
  • the minimum value of the wiring width of the remaining metal wiring is 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and there is no undissolved residue around the formed metal wiring, it was evaluated as “good”. Moreover, although the minimum value of the remaining metal wiring is 3 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, it is evaluated as ⁇ when a part of the metal wiring is not melted, although there is no practical problem.
  • Table 2 shows the evaluation results, ⁇ , ⁇ , and X.
  • the region was enlarged 50000 times at an arbitrary position on the roughened surface of the blackened layer. Then, the shape of the crystal existing in the observation region was observed. When granular crystals are observed, they are shown in the column of crystal shape in Table 2 as granular and acicular crystals when they are observed.
  • the crystal grain size of the granular crystal means the diameter of the smallest circle that completely includes the granular crystal for measuring the granular crystal.
  • Crystal grain size / length the average value and standard deviation of the crystal grain sizes are described in the column “Crystal grain size / length” in Table 2.
  • a dry film resist (Hitachi Kasei RY3310) was attached to the surface of the blackened layer of the conductive substrate obtained in the following experimental examples by a laminating method. Then, ultraviolet exposure was performed through a photomask, and the resist was further dissolved and developed with a 1% aqueous sodium carbonate solution. As a result, a sample having a plurality of linear pattern resists parallel to each other on the blackened layer was produced.
  • the sample was immersed in an etching solution at 30 ° C. containing 10 wt% sulfuric acid and 3 wt% hydrogen peroxide.
  • a cross section that was parallel to the stacking direction of each layer of the conductive substrate and perpendicular to the linear pattern of the resist was observed without peeling off the resist.
  • a cross-sectional shape in which a patterned metal layer 52, a patterned blackened layer 53, and a resist 54 are laminated on the transparent substrate 51 is observed.
  • the distance L between the end portion 54a in the width direction of the resist and the end portion 52a in the width direction of the patterned metal layer 52 was measured as a side etching amount.
  • Example preparation conditions Conductive substrates were produced under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation method. Any of Experimental Examples 1 to 10 is an example.
  • a conductive substrate having the structure shown in FIG. 1A was produced.
  • Metal layer forming process A copper layer was formed as a metal layer on one surface of a long polyethylene terephthalate resin (PET) transparent substrate having a length of 300 m, a width of 250 mm, and a thickness of 100 ⁇ m.
  • PET polyethylene terephthalate resin
  • the transparent base material made of polyethylene terephthalate resin used as the transparent base material was evaluated to have a total light transmittance of 97% when evaluated by the method defined in JIS K 7361-1.
  • a metal thin film layer forming step and a metal plating layer forming step were performed.
  • the above-mentioned transparent base material was used as a base material, and a copper thin film layer was formed as a metal thin film layer on one surface of the transparent base material.
  • the above-mentioned transparent base material which was previously heated to 60 ° C. to remove moisture, was placed in the chamber of the sputtering apparatus.
  • Electric power was supplied to a copper target set in advance on the cathode of the sputtering apparatus, and a copper thin film layer was formed on one surface of the transparent substrate so as to have a thickness of 0.7 ⁇ m.
  • a copper plating layer was formed as a metal plating layer.
  • the copper plating layer was formed by electroplating so that the thickness of the copper plating layer was 0.3 ⁇ m.
  • a copper layer having a thickness of 1.0 ⁇ m was formed as a metal layer.
  • the following blackened layer forming step was carried out after immersing the substrate having a copper layer having a thickness of 1.0 ⁇ m formed on the transparent base material formed in the metal layer forming step in 20 g / L sulfuric acid for 30 seconds and washing it. .
  • Blackening layer forming process In the blackened layer forming step, a blackened layer was formed on one surface of the copper layer by electrolytic plating using a blackened plating solution.
  • a plating solution containing nickel ions, copper ions, amidosulfuric acid and sodium hydroxide was prepared as a blackening plating solution.
  • Nickel ions and copper ions were supplied to the blackening plating solution by adding nickel sulfate hexahydrate and copper sulfate pentahydrate.
  • each component was added and prepared so that the concentration of nickel ions in the blackening plating solution was 5 g / L, the concentration of copper ions was 0.03 g / L, and the concentration of amidosulfuric acid was 11 g / L.
  • an aqueous sodium hydroxide solution was added to the blackening plating solution to adjust the pH of the blackening plating solution to 4.9.
  • the blackening layer forming step electrolytic plating was performed under the conditions that the temperature of the blackening plating solution was 40 ° C., the current density was 0.10 A / dm 2 , and the plating time was 400 seconds to form a blackening layer.
  • the film thickness of the formed blackened layer was 110 nm.
  • the blackening layer contains simple nickel, nickel oxide, nickel hydroxide, and copper. It was.
  • the evaluation results for the etching characteristics were either ⁇ or ⁇ , and it was confirmed that the conductive substrate was provided with a metal layer and a blackened layer that could be etched simultaneously.
  • the experimental characteristics 1 to 8 in which the copper is 7 or more and 90 or less have the etching characteristics. It was confirmed that the reflectance was 10% or less.
  • the conductive substrates of Experimental Examples 1 to 8 are particularly close to the reactivity of the metal layer and the blackening layer with respect to the etching solution, and particularly capable of suppressing light reflection on the surface of the metal layer. It was confirmed that it had a layer.
  • the blackened layer had granular or needle-like crystals and the occurrence of side etching could be suppressed. That is, the blackened layer is a roughened plating layer whose surface opposite to the surface facing the transparent substrate is a roughened surface, and it was confirmed that the adhesion with the resist was high.

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Abstract

透明基材と、　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、　前記金属層上に形成された黒化層とを有し、　前記黒化層は、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する粗化めっき層である導電性基板を提供する。

Description

導電性基板
　本発明は、導電性基板に関する。
　静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。
　このため、タッチパネル用導電性基板に用いられる導電層の材料としては反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明フィルム上に形成されている。
　例えば特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム－スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
　ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
　そこで、導電性基板の電気抵抗を抑制するため、導電層として銅メッシュ配線を用い、銅メッシュ配線の表面を黒化処理する方法が提案されている。
　例えば、特許文献２には、フィルムに支持された銅薄膜の上にレジスト層を形成する工程と、フォトリソ法により、少なくともレジスト層をストライプ状配線パターンと引き出し用配線パターンに加工する工程と、露出した銅薄膜をエッチングにより除去しストライプ状銅配線と引き出し用銅配線を形成する工程と、銅配線を黒化処理する工程と、を有するフィルム状タッチパネルセンサーの製造方法が開示されている。
　しかしながら、特許文献２ではエッチングによりストライプ状銅配線を形成した後に、銅配線を黒化処理する方法が採用されており、製造工程が増えるため生産性に問題があった。
　そこで、本発明の発明者らは、透明基材上に金属層及び黒化層を成膜した導電性基板について、金属層及び黒化層をエッチングし、所望の配線パターンを有する導電性基板とすることで製造工程を削減し、高い生産性を得られる導電性基板の製造方法について検討を行った。
日本国特開２００３－１５１３５８号公報 日本国特開２０１３－２０６３１５号公報
　しかしながら、金属層と、黒化層とで、エッチング液に対する反応性が大きく異なっている場合があった。このため、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできない場合や、平面内で均一にエッチングされず寸法ばらつきが生じる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングできないという問題があった。
　上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明の一側面では、
　透明基材と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
　前記金属層上に形成された黒化層とを有し、
　前記黒化層は、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する粗化めっき層である導電性基板を提供する。
　本発明の一側面によれば、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ－Ａ´線における断面図の一の構成例。 図３のＡ－Ａ´線における断面図の他の構成例。 サイドエッチング量の説明図。
　以下、本発明の導電性基板、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
　本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、金属層上に形成された黒化層とを有することができる。そして、黒化層は、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する粗化めっき層とすることができる。
　なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターン化する前の、透明基材の表面に金属層、及び黒化層を有する基板と、金属層等をパターニングした基板、すなわち配線基板と、を含む。金属層及び黒化層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
　ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
　透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
　可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
　透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や、静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
　透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
　なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１に規定される方法により評価することができる。
　次に金属層について説明する。
　金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、電気特性に優れ、且つエッチング処理のし易さから、金属層を構成する材料として銅を用いることが好ましい。すなわち、金属層は銅を含有することが好ましい。
　金属層が銅を含有する場合、金属層を構成する材料は、例えばＣｕ（銅）と、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗの金属群から選ばれる少なくとも１種類以上の金属との銅合金、または銅と上記金属群から選ばれる１種類以上の金属とを含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。
　すなわち、金属層が銅を含有する場合、金属層は、銅、銅を含有する金属、銅合金から選択された１種類以上の層とすることができる。金属層が銅を含有する場合、金属層は銅、または銅合金の層であることが好ましい。これは、銅または銅合金の層は、特に電気伝導率（導電性）が高く、エッチング加工により配線形成を容易に行うことができるためである。また、銅または銅合金の層は、特に後述するサイドエッチングが生じやすいところ、本実施形態の導電性基板においてはサイドエッチングを抑制できるためである。
　金属層を形成する方法は特に限定されないが、パターン化した導電性基板の透明基材が露出した部分において、光の透過率を低減させないため、他の部材と金属層との間に接着剤を配置しないようにして形成することが好ましい。すなわち、金属層は、他の部材の上面に直接配置されていることが好ましい。なお、金属層は例えば後述する密着層や、透明基材の上面に形成、配置することができる。このため、金属層は、密着層、または透明基材の上面に直接形成、配置されていることが好ましい。
　他の部材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は乾式めっき法を用いて成膜された金属薄膜層を有することが好ましい。乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えば蒸着法や、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。特に膜厚の制御が容易であることからスパッタリング法を用いることが好ましい。
　また金属層をより厚くする場合には、乾式めっきにより金属薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いて金属めっき層を積層をすることができる。具体的には例えば、透明基材または密着層上に、金属薄膜層を乾式めっき法により形成し、該金属薄膜層を給電層として用い、湿式めっき法の一種である電解めっきにより金属めっき層を形成することができる。
　なお、上述の様に乾式めっき法のみで金属層を成膜した場合、金属層は金属薄膜層により構成できる。また、乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成した場合、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とにより構成できる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて金属層を形成することにより透明基材または密着層上に接着剤を介さずに直接金属層を形成、配置することができる。
　金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
　ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
　また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
　なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層とを有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上７００ｎｍ以下とすることが好ましい。
　次に、黒化層について説明する。
　金属層は金属光沢を有するため、透明基材上に金属層をエッチングして配線を形成するのみでは配線が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきた。しかしながら、金属層と黒化層とでエッチング液に対する反応性が大きく異なる場合があり、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、金属層や、黒化層について所望の形状にエッチングできず、または寸法ばらつきが生じる等の問題があった。このため、従来検討されている導電性基板では、金属層と黒化層とを別工程でエッチングする必要があり、金属層と黒化層とを同時に、すなわち１つの工程でエッチングすることは困難であった。
　そこで、本発明の発明者らは金属層と同時にエッチングできる黒化層、すなわちエッチング液に対する反応性に優れ、金属層と同時にエッチングを行った場合でも、所望の形状にパターン化でき、寸法ばらつきの発生を抑制できる黒化層について検討を行った。そして、黒化層がニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有することで、黒化層のエッチング液に対する反応性を、金属層の場合とほぼ同等にできることを見出した。
　本実施形態の導電性基板の黒化層は、上述の様にニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含むことができる。
　ここで、黒化層に含まれる銅の状態は特に限定されるものではないが、銅は、例えば銅の単体および銅の化合物から選択された１種類以上として含むことができる。銅の化合物としては、例えば銅酸化物や、銅水酸化物等を挙げることができる。
　このため、黒化層は例えば、ニッケルの単体、ニッケル酸化物、およびニッケル水酸化物を含有し、さらに、銅の単体すなわち金属銅と、銅酸化物と、銅水酸化物とから選択された１種類以上を含有することができる。
　上述の様に黒化層がニッケル酸化物、及びニッケル水酸化物を含有することで、黒化層が金属層表面での光の反射を抑制できる色となり、黒化層としての機能を発揮することができる。
　また、黒化層が、銅、例えば銅の単体および銅の化合物から選択された１種類以上も含有することで、黒化層のエッチング液に対する反応性を金属層と同等にすることができる。このため、金属層と、黒化層とを同時にエッチングした場合でも、両層を目的の形状にエッチングすることができ、平面内で均一にエッチングし、寸法ばらつきの発生を抑制することが可能になる。すなわち、金属層と、黒化層とを同時にエッチングすることが可能になる。
　黒化層中に含まれる各成分の割合については特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制の程度や、エッチング液に対する反応性の程度等に応じて任意に選択することができる。ただし、エッチング液に対する反応性を十分に高める観点から、例えば黒化層について、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した、Ｎｉ　２Ｐスペクトル及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルから求めた、ニッケルの原子数を１００とした場合の銅の原子数の比が５以上９０以下であることが好ましい。すなわち、黒化層中に含まれるニッケルと、銅とは、原子数の比率で、ニッケルを１００とした場合に、銅が５以上９０以下であることが好ましい。ニッケルの原子数を１００とした場合の銅の原子数の比は、７以上９０以下であることがより好ましく、７以上６５以下であることがさらに好ましい。
　なお、ここでのニッケルの原子数とは、黒化層中に含まれている全てのニッケルの原子数を意味しており、単体として存在するニッケルだけではなく、ニッケル酸化物等の化合物を形成しているニッケルも含む。
　また、黒化層についてＸＰＳにより測定した、Ｎｉ　２Ｐスペクトルのピーク分離解析を行い、算出した、黒化層に含まれるニッケルの単体、すなわち金属ニッケルの原子数を１００としたときのニッケル酸化物となっているニッケルの原子数は、１５以上２８０以下であることが好ましく、ニッケル水酸化物となっているニッケルの原子数は１０以上２２０以下であることが好ましい。これは、黒化層が、金属ニッケルに対して、所定の割合でニッケル酸化物、およびニッケル水酸化物を含有することで、黒化層を、金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とすることができるからである。
　なお、上述のように黒化層についてＸＰＳにより測定する際には、内部の状態を分析できるように、例えば黒化層の最表面から１０ｎｍをＡｒイオンエッチング等により除去してから測定することが好ましい。
　さらに、本実施形態の導電性基板の黒化層は、その表面、具体的には黒化層の透明基材と対向する面とは反対側の面、すなわち後述するようにパターン化を行う際にレジストを配置する面が粗化面である粗化めっき層（粗化層）であることが好ましい。
　透明基材上に金属層、及び黒化層をその順に積層した導電性基板は、黒化層上に、形成する配線パターンに対応した形状を有するレジストを配置し、エッチングすることで、金属層、及び黒化層を所望のパターンとすることができる。
　ところが、金属層、及び黒化層をエッチングする際、金属層の厚み方向のみではなく、面方向にもエッチングが進行するサイドエッチングが発生する場合がある。そこで、金属層をパターン化した配線について所望の形状が得られるように、サイドエッチング量を考慮してレジストのパターンを所望の配線のパターンから導き出されるパターンよりも太く補正しておくことも考えられる。しかしながら、サイドエッチング量を考慮して、レジストのパターンを太く補正することは、配線パターンの微細化の障害になっていた。
　そこで、本発明の発明者らが検討を行ったところ、黒化層を、黒化層の表面、すなわち透明基材と対向する面とは反対側の面が粗化面である粗化めっき層とすることでサイドエッチングの発生を抑制できることを見出した。これは、黒化層の表面を粗化面とすることで、レジストを配置した際に、黒化層と、レジストとの密着性を高めることができ、エッチングを行う際に黒化層とレジストとの間にエッチング液が入り込むことを抑制できるためと考えられる。
　サイドエッチングの発生を特に抑制する観点から、黒化層は、粒状結晶、および針状結晶から選択される１種類以上の結晶を含むことが好ましい。
　黒化層が粒状結晶を含む場合、黒化層は平均結晶粒サイズが５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の粒状結晶を含むことが好ましい。
　これは、黒化層が粒状結晶を含み、その平均結晶粒サイズを５０ｎｍ以上とすることで、黒化層の表面を粗化面として黒化層とレジストとの密着性を高め、サイドエッチングの発生を特に抑制できるからである。また、黒化層が粒状結晶を含み、その平均結晶粒サイズを１５０ｎｍ以下とすることで、黒化層について、金属層表面での光の反射を抑制するために特に適した色とすることができるからである。黒化層が粒状結晶を含む場合、その平均結晶粒サイズは７０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
　また、黒化層が粒状結晶を含む場合、粒状結晶の結晶粒サイズの標準偏差σは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは標準偏差σを１０ｎｍ以上とすることで、黒化層が含有する粒状結晶について、一定程度以上のばらつきを有することを意味し、黒化層とレジストとの密着性を特に高めることができるからである。粒状結晶の結晶粒サイズの標準偏差σの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００ｎｍ以下とすることができる。
　なお、粒状結晶の結晶粒サイズとは、後述のように走査型電子顕微鏡等で黒化層の粗化面の観察を行った場合に、測定を行う粒状結晶を完全に包摂する最小サイズの円の直径を意味する。
　また、黒化層が針状結晶を含む場合、黒化層は平均長さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、平均幅が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、平均アスペクト比が２．０以上４．５以下の針状結晶を含むことが好ましい。
　これは、黒化層が針状結晶を含み、その平均長さを１００ｎｍ以上、平均幅を３０ｎｍ以上、アスペクト比を２．０以上とすることで、黒化層の表面を粗化面として黒化層とレジストとの密着性を高め、サイドエッチングの発生を特に抑制できるからである。また、黒化層が針状結晶を含み、その平均長さを３００ｎｍ以下、平均幅を８０ｎｍ以下、平均アスペクト比を４．５以下とすることで、黒化層について、金属層表面での光の反射を抑制するために適した色とすることができるからである。
　黒化層が針状結晶を含む場合、その平均長さは１２０ｎｍ以上２６０ｎｍ以下、平均幅は４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、平均アスペクト比は２．５以上４．５以下であることがより好ましい。
　また、黒化層が針状結晶を含む場合、針状結晶の長さ、幅、アスペクト比の標準偏差σは、それぞれ１０ｎｍ以上、５ｎｍ以上、０．５以上であることが好ましい。これは針状結晶の長さ、幅、アスペクト比の標準偏差σを上述の範囲とすることで、黒化層が含有する針状結晶について、一定程度以上のばらつきを有することを意味し、黒化層とレジストとの密着性を特に高めることができるからである。針状結晶の長さ、幅、アスペクト比の標準偏差σの上限値は特に限定されるものではないが、例えばそれぞれ１００ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、５以下とすることができる。
　なお、針状結晶の長さ、幅とは、後述のように走査型電子顕微鏡等で黒化層の粗化面の観察を行った場合に、それぞれ針状結晶の長辺の長さ、短辺の長さを意味する。そして、アスペクト比は、長さを幅で除した値となる。
　黒化層が含有する結晶の平均結晶粒サイズや、平均長さ、平均幅、平均アスペクト比、また標準偏差σは、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により黒化層の粗化面を観察した際の観察画像から測定、算出できる。
　黒化層の粗化面を観察する際の具体的な条件は特に限定されないが、例えば任意の位置で５００００倍に拡大することが好ましい。そして黒化層が粒状結晶を含有する場合、１視野内において任意に選択した２０個の粒状結晶について結晶粒サイズを測定し、該２０個の粒状結晶についての結晶粒サイズの平均値を平均結晶粒サイズとすることができる。また、２０個の粒状結晶の結晶粒サイズの測定値、および算出した平均結晶粒サイズから、結晶粒サイズの標準偏差を算出できる。
　黒化層が針状結晶を含有する場合、同様に１視野内において任意に選択した２０個の針状結晶について長さおよび幅を測定し、アスペクト比を算出することができる。そして、２０個の針状結晶についての長さ、幅、およびアスペクト比の平均値を平均長さ、平均幅、平均アスペクト比とすることができる。また、２０個の針状結晶の長さ、幅の測定値、アスペクト比の計算値、および算出した平均長さ、平均幅、平均アスペクト比から、それぞれの標準偏差を算出できる。
　なお、粒状結晶、もしくは針状結晶について、１視野内に２０個以上含むように観察視野の位置を選択することが好ましいが、２０個となる視野を選択できない場合には、２０個未満の粒状結晶、もしくは針状結晶を用いて、平均結晶粒サイズ、もしくは平均長さ、平均幅、平均アスペクト比を算出しても良い。
　上述のように、黒化層の粗化面について走査型電子顕微鏡等により粒状結晶等の結晶のサイズを算出できるため、上述の粒状結晶や、針状結晶は、黒化層の粗化面に含有される結晶ともいえる。
　黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、上述の各成分を含有し、粗化めっき層となるように形成できる方法であれば任意の方法を選択することができる。ただし、上述の各成分を含有するように黒化層の組成を比較的容易にコントロールできることから、湿式法を用いることが好ましい。
　湿式法としては、特に電解めっき法を用いることが好ましい。
　電解めっき法により黒化層を成膜する際に用いる、黒化めっき液については、上述の組成を有する黒化層を成膜できるように調製すればよく、その組成は特に限定されるものではない。例えば、ニッケルイオンと、銅イオンと、ｐＨ調整剤とを含む黒化めっき液を好ましく用いることができる。
　黒化めっき液中の各成分の濃度は特に限定されるものではなく、成膜した黒化層に要求される金属層表面での光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。
　例えば、黒化めっき液中のニッケルイオン濃度は、２．０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、３．０ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中のニッケルイオン濃度を２．０ｇ／Ｌ以上とすることで、黒化層を金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、導電性基板の反射率を抑制できるからである。
　黒化めっき液中のニッケルイオン濃度の上限値についても特に限定されるものではないが、例えば２０．０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１５．０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中のニッケルイオン濃度を２０．０ｇ／Ｌ以下とすることで、成膜した黒化層中のニッケル成分が過剰になることを抑制し、黒化層表面が光沢ニッケルメッキのような面になることを防止し、導電性基板の反射率を抑制できるからである。
　また、黒化めっき液中の銅イオン濃度は、０．００５ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、０．００８ｇ／Ｌ以上であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中の銅イオン濃度が０．００５ｇ／Ｌ以上の場合、黒化層を金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、黒化層のエッチング液に対する反応性を高め、金属層と共に黒化層をエッチングした場合でも所望の形状にパターン化することができるためである。
　黒化めっき液中の銅イオン濃度の上限値は特に限定されるものではないが、例えば４．０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、１．０２ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中の銅イオン濃度を４．０ｇ／Ｌ以下とすることで、成膜した黒化層のエッチング液に対する反応性が高くなりすぎることを抑制し、黒化層を金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、導電性基板の反射率を抑制できるからである。
　黒化めっき液を調製する際、ニッケルイオンと、銅イオンとの供給方法は特に限定されるものではなく、例えば塩の状態で供給することができる。例えばスルファミン酸塩や、硫酸塩を好適に用いることができる。なお、塩の種類は各金属元素について全て同じ種類の塩でもよく、異なる種類の塩を同時に用いることもできる。具体的には例えば硫酸ニッケルと、硫酸銅とのように同じ種類の塩を用いて黒化めっき液を調製することもできる。また、例えば硫酸ニッケルと、スルファミン酸銅と、のように異なる種類の塩を同時に用いて黒化めっき液を調製することもできる。
　そして、ｐＨ調整剤としてはアルカリ金属水酸化物を好ましく用いることができる。これは、ｐＨ調整剤としてアルカリ金属水酸化物を用いることで、該黒化めっき液を用いて成膜した黒化層を有する導電性基板の反射率を特に低くすることができるからである。ｐＨ調整剤として、アルカリ金属水酸化物を用いた場合に、該黒化めっき液を用いて成膜した黒化層を有する導電性基板の反射率を低く抑制できる理由は明らかではないが、黒化めっき液中に供給した水酸化物イオンが酸化ニッケルの析出を促進できるためと考えられる。酸化ニッケルの析出が促進されることで、該黒化層を金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とすることができる。このため、該黒化層を有する導電性基板の反射率を特に抑制できるものと推認される。
　ｐＨ調整剤であるアルカリ金属水酸化物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムから選択された１種類以上を用いることができる。特に、ｐＨ調整剤であるアルカリ金属水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムから選択された１種類以上であることがより好ましい。これは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムは特に入手しやすく、コスト的にも優れるからである。
　本実施形態の黒化めっき液のｐＨは特に限定されるものではないが、例えば４．０以上５．２以下であることが好ましく、４．５以上５．０以下であることがより好ましい。
　これは、黒化めっき液のｐＨを４．０以上とすることで、係る黒化めっき液を用いて黒化層を形成した際に、黒化層に色ムラが生じることをより確実に抑制でき、光の反射を特に抑制できる色を有する黒化層を形成することができるからである。また黒化めっき液のｐＨを５．２以下とすることで、黒化めっき液の成分の一部が析出することを抑制することができるからである。
　また、黒化めっき液は、錯化剤をさらに含有することもできる。錯化剤としては例えばアミド硫酸を好ましく用いることができる。黒化めっき液がアミド硫酸を含有することで、金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色の黒化層を形成することができる。
　黒化めっき液中の錯化剤の含有量については特に限定されるものではなく、形成する黒化層に要求される反射率の抑制の程度等に応じて任意に選択することができる。
　例えば、錯化剤としてアミド硫酸を用いる場合、黒化めっき液中のアミド硫酸の濃度は特に限定されないが、例えば１ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、５ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。これは、アミド硫酸の濃度が１ｇ／Ｌ以上とすることで、黒化層を金属層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、導電性基板の反射率を抑制できるからである。また、アミド硫酸を過剰に添加しても、導電性基板の反射率を抑制する効果は高くならないことから、上述のように５０ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。
　なお、黒化層を成膜する際のめっき液のｐＨや、電流密度を調整することで、黒化層が含有する結晶の形状や、サイズを選択することができる。例えばめっき液のｐＨを高くしたり、成膜時の電流密度を高くすることで針状結晶が生じやすくなり、めっき液のｐＨを低くしたり、成膜時の電流密度を低くすることで粒状結晶が生じやすくなる。
　このため、例えば予備試験を行い、所望の形状、サイズの結晶を含む黒化層となるように、条件を選択することができる。
　黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、導電性基板に要求される光の反射の抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。
　黒化層の厚さは例えば５０ｎｍ以上であることが好ましく、７０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、金属層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを５０ｎｍ以上とすることにより、金属層の表面での反射をより確実に抑制できるため好ましい。
　また、黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くすると、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは３５０ｎｍ以下とすることが好ましく、２００ｎｍ以下とすることよりが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
　また、導電性基板は上述の透明基材、金属層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
　密着層の構成例について説明する。
　上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。
　そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。すなわち、透明基材と金属層との間に密着層を有する導電性基板とすることもできる。
　透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することをより確実に抑制できる。
　また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。
　密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
　密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。
　なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ－Ｔｉ－Ｆｅ合金や、Ｃｕ－Ｎｉ－Ｆｅ合金、Ｎｉ－Ｃｕ合金、Ｎｉ－Ｚｎ合金、Ｎｉ－Ｔｉ合金、Ｎｉ－Ｗ合金、Ｎｉ－Ｃｒ合金、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
　密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
　密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび二酸化炭素ガスから選択された１種類以上を、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび水から選択された１種類以上を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
　炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
　密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
　密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
　密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
　密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
　次に、導電性基板の構成例について説明する。
　上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、金属層と、黒化層と、を有することができる。また、任意に密着層等の層を設けることもできる。
　具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
　本実施形態の導電性基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から金属層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。
　具体的には例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。黒化層１３は、黒化層１３の透明基材１１と対向する面とは反対側の面である表面Ａを粗化面とすることができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。この場合も黒化層１３Ａ、１３Ｂは、透明基材１１と対向する面とは反対側の面である表面Ａ、表面Ｂを粗化面とすることができる。
　また、さらに任意の層として、例えば密着層を設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から密着層と、金属層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。
　具体的には例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、密着層１４と、金属層１２と、黒化層１３とをその順に積層することができる。
　この場合も透明基材１１の両面に密着層、金属層、黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、他方の面１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１４Ａ、１４Ｂと、金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂとをその順に積層できる。
　なお、図１Ｂ、図２Ｂには、透明基材の両面に金属層、黒化層等を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ｂの構成と同様に、密着層１４Ａを設けずに金属層１２Ａと、黒化層１３Ａとをその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
　ところで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に金属層と、黒化層とを設けることで、金属層による光の反射を抑制し、導電性基板の反射率を抑制することができる。
　本実施形態の導電性基板の反射率の程度については特に限定されるものではないが、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合のディスプレイの視認性を高めるためには、反射率は低い方が良い。例えば、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
　反射率の測定は、導電性基板の黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように黒化層１３の表面Ａに対して光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率とすることができる。
　本実施形態の導電性基板はタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
　メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることにより得ることができる。
　例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層等の積層方向の上面側から見た図を示しており、配線パターンが分かり易いように、透明基材、及び金属層をパターン化して形成した配線３１Ａ、３１Ｂ以外の層は記載を省略している。また、透明基材１１を介してみえる配線３１Ｂも示している。
　図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは金属層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
　透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ－Ａ´線での断面図に当たる。
　まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａでは配線３１Ａの上面、及び配線３１Ｂの下面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
　また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、金属層、黒化層以外に密着層を設けることもできる。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも、例えば配線３１Ａおよび配線３１Ｂのいずれか一方、もしくは両方と透明基材１１との間に密着層を設けることもできる。密着層を設ける場合、密着層も配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされていることが好ましい。
　図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂとを備えた導電性基板から形成することができる。
　図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２Ａ、黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、図１Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。
　そして、透明基材１１の他方の面１１ｂ側の金属層１２Ｂ、黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。
　以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。また、図４Ａにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターン化された密着層を有する導電性基板は、図２Ｂに示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
　図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２、黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１Ａにおける表面Ａと、金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける他方の面１１ｂとを貼り合せて、図４Ｂに示した構造となるようにすることもできる。
　また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける他方の面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるようにすることもできる。
　なお、図４Ａ、図４Ｂにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターン化された密着層を有する導電性基板は、図１Ａに示した導電性基板にかえて図２Ａに示した導電性基板を用いることで作製できる。
　図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
　ただし、本実施形態の導電性基板によれば、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する黒化層を有しており、黒化層と金属層とを同時にエッチングし、パターン化した場合でも、黒化層、及び金属層を所望の形状にパターン化できる。また、サイドエッチングの発生を抑制できる。具体的には例えば配線幅が１０μｍ以下の配線を形成することができる。このため、本実施形態の導電性基板は、配線幅が１０μｍ以下の配線を含むことが好ましい。配線幅の下限値は特に限定されないが、例えば３μｍ以上とすることができる。
　また、図３、図４Ａ、図４Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
　このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
　以上の本実施形態の導電性基板によれば、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層上に、黒化層を積層した構造を有している。そして、黒化層はニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有しているため、金属層と、黒化層とをエッチングによりパターン化する際、黒化層を容易に所望の形状にパターン化することができる。
　また、黒化層は、透明基材と対向する面とは反対側の面が粗化面である粗化めっき層となっている。このため、レジストとの密着性が高く、サイドエッチングの発生を抑制できる。
　また、本実施形態の導電性基板に含まれる黒化層は、金属層表面における光の反射を十分に抑制し、反射率を抑制した導電性基板とすることができる。また、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性を高めることができる。
（導電性基板の製造方法）
　次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。
　本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。　
　透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。　
　金属層上に黒化層を形成する黒化層形成工程。
　そして、黒化層形成工程では、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する黒化層を形成することができる。
　以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について具体的に説明する。
　なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により既述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を一部省略する。
　金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する絶縁体フィルム（樹脂フィルム）や、ガラス基板等の透明基材を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
　そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
　金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
　次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
　次に、黒化層形成工程について説明する。
　黒化層形成工程においては、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する黒化層を形成することができる。
　黒化層は湿式法により形成できる。具体的には例えば、金属層を給電層として用いて、既述の黒化めっき液を含むめっき槽内で、金属層上に電解めっき法により黒化層を形成することができる。このように金属層を給電層として、電解めっき法により黒化層を形成することで、金属層の透明基材と対向する面とは反対側の面の全面に黒化層を形成できる。
　黒化層は、既述のように透明基材と対向する面とは反対側の面について、粗化面である粗化めっき層であることが好ましい。そして、黒化層を成膜する際に黒化めっき液のｐＨや、電流密度を調整することで、黒化層が含有する結晶の形状や、サイズを選択することができる。例えばめっき液のｐＨを高くしたり、成膜時の電流密度を高くすることで針状結晶が生じやすくなり、めっき液のｐＨを低くしたり、成膜時の電流密度を低くすることで粒状結晶が生じやすくなる。
　このため、例えば予備試験を行い、所望の形状、サイズの結晶を含む黒化層となるように、条件を選択することができる。
　黒化めっき液については既述のため、説明を省略する。
　本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。
　例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程では、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材に金属薄膜層を形成できる。
　密着層形成工程において、密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
　本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
　このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、及び黒化層をパターン化するパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び黒化層をパターン化する工程とすることができる。
　パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１Ａのように透明基材１１上に金属層１２、黒化層１３が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１３上の表面Ａに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施することができる。次いで、黒化層１３上の表面Ａ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
　エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではない。ただし、本実施形態の導電性基板の製造方法で形成する黒化層は金属層とほぼ同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に金属層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。
　エッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素（過酸化水素水）、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類以上を含む混合水溶液を好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。
　エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることもできる。
　また、図１Ｂのように透明基材１１の一方の面１１ａ、他方の面１１ｂに金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターン化するパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層１３Ａ、１３Ｂ上の表面Ａ、及び表面Ｂに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施できる。次いで、黒化層１３Ａ、１３Ｂ上の表面Ａ、及び表面Ｂ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
　エッチングステップで形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図１Ａに示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように金属層１２、黒化層１３を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）を含むようにパターンを形成することができる。
　また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、金属層１２Ａと、金属層１２Ｂとでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、黒化層１３Ａは、金属層１２Ａと同様の形状に、黒化層１３Ｂは金属層１２Ｂと同様の形状になるようにそれぞれパターン化を行うことが好ましい。
　また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて金属層１２等をパターン化した後、パターン化した２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の金属層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。
　積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。
　以上の本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層上に、黒化層を積層した構造を有している。そして、黒化層はニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有しているため、既述の様に、金属層と、黒化層とをエッチングによりパターン化する際、黒化層を容易に所望の形状にパターン化することができる。
　また、黒化層は、透明基材と対向する面とは反対側の面が粗化面である粗化めっき層となっている。このため、レジストとの密着性が高く、サイドエッチングの発生を抑制できる。
　また、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板に含まれる黒化層は、金属層表面における光の反射を十分に抑制し、反射率を抑制した導電性基板とすることができる。このため、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性を高めることができる。
　以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
　以下の実験例において作製した試料について以下の方法により評価を行った。
（１）黒化層の成分分析
　黒化層の成分分析は、Ｘ線光電子分光装置（ＰＨＩ社製、形式：ＱｕａｎｔａＳＸＭ）により行った。なお、Ｘ線源には単色化Ａｌ（１４８６．６ｅＶ）を使用した。
　後述のように、以下の各実験例では、図１Ａの構造を有する導電性基板を作製した。そこで、図１Ａにおける黒化層１３の外部に露出した表面ＡをＡｒイオンエッチングし、最表面から１０ｎｍ内部のＮｉ　２Ｐスペクトル、及びＣｕ　ＬＭＭスペクトルを測定した。得られたスペクトルから、黒化層に含まれるニッケルの原子数を１００とした場合の、銅の原子数の比率を算出した。なお、表１中では結果を金属成分の比として示している。
　また、Ｎｉ　２Ｐスペクトルのピーク分離解析により、黒化層に含まれる、金属ニッケルの原子数を１００としたときのニッケル酸化物となっているニッケルの原子数、及びニッケル水酸化物となっているニッケルの原子数を算出した。なお、表１中では結果をニッケル成分比として示している。
（２）反射率測定
　測定は、紫外可視分光光度計（株式会社　島津製作所製　型式：ＵＶ－２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
　後述のように各実験例では図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。このため、反射率測定は図１Ａに示した導電性基板１０Ａの黒化層１３の表面Ａに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の反射率（平均反射率）とした。
（３）エッチング特性
　まず、以下の実験例において得られた導電性基板の黒化層表面にドライフィルムレジスト（日立化成ＲＹ３３１０）をラミネート法により貼り付けた。そして、フォトマスクを介して紫外線露光を行い、さらに１％炭酸ナトリウム水溶液によりレジストを溶解して現像した。これにより、３．０μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲で０．５μｍ毎にレジスト幅が異なるパターンをもつサンプルを作製した。すなわち、レジスト幅が３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ・・・９．５μｍ、１０．０μｍと、０．５μｍ毎に異なる１５種類の線状のパターンを形成した。
　次いで、サンプルを、硫酸を１０重量％、過酸化水素を３重量％含む３０℃のエッチング液に、４０秒間浸漬した。その後、水酸化ナトリウム水溶液でドライフィルムレジストを剥離、除去した。
　得られたサンプルを２００倍の顕微鏡で観察し、導電性基板に残存する金属配線の配線幅の最小値を求めた。
　レジストを剥離した後、導電性基板に残存する金属配線の配線幅の最小値が小さいほど、また形成した金属配線の周囲に溶け残りが少ないほど、銅層と、黒化層とのエッチング液に対する反応性がより同一に近いことを意味する。そこで、残存する金属配線の配線幅の最小値が３μｍ以上１０μｍ以下であり、かつ形成した金属配線の周囲に溶け残りがみられない場合に〇と評価した。また、残存する金属配線の最小値が３μｍ以上１０μｍ以下ではあるが、形成した金属配線の周囲に実用上支障がない程度ではあるが一部溶け残りがみられる場合には△と評価した。エッチング液に溶解せず、配線幅が１０μｍ以下の金属配線を形成できなかった場合、不合格として×と評価した。○、または△の場合には同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板であるといえ、合格と評価することができる。
　なお、表２では評価結果である、○、△、×を示している。
（４）黒化層が含有する結晶の形状、サイズ
　黒化層の粗化面となる、透明基材と対向する面とは反対側の面、具体的には図１Ａの表面Ａについて、走査型電子顕微鏡により観察を行い、黒化層が含有する結晶の形状、サイズについて評価を行った。
　評価に当たってまず、黒化層の粗化面上の任意の位置において領域を５００００倍に拡大した。そして、該観察領域に存在する結晶の形状の観察を行った。粒状の結晶が観察された場合には粒状、針状の結晶が観察された場合には針状として表２の結晶形状の欄に示している。
　そして、粒状結晶が観察された場合には、評価の対象となる粒状結晶２０個を選択し、平均結晶粒サイズ、および標準偏差σを測定、算出した。なお、粒状結晶の結晶粒サイズとは粒状結晶の測定を行う粒状結晶を完全に包摂する最小サイズの円の直径を意味する。
　また、針状結晶が観察された場合には、評価の対象となる針状結晶２０個を選択し、平均長さ、平均幅、平均アスペクト比、および標準偏差σを測定、算出した。
　粒状結晶を評価した場合、その結晶粒サイズの平均値、標準偏差は表２中の「結晶粒サイズ／長さ」の欄に記載している。
　針状結晶を評価した場合、その長さの平均値、標準偏差は表２中の「結晶粒サイズ／長さ」の欄に記載しており、幅、アスペクト比の平均値、標準偏差は、それぞれ表２中の「幅」、「アスペクト比」の欄に記載している。
　各パラメータについては既に説明したため、ここでは説明を省略する。
（５）サイドエッチング量
　まず、以下の実験例において得られた導電性基板の黒化層表面にドライフィルムレジスト（日立化成ＲＹ３３１０）をラミネート法により貼り付けた。そして、フォトマスクを介して紫外線露光を行い、さらに１％炭酸ナトリウム水溶液によりレジストを溶解して現像した。これにより黒化層上に、互いに平行な複数の直線状のパターンのレジストを有するサンプルを作製した。
　次いで、サンプルを、硫酸を１０重量％、過酸化水素を３重量％含有する３０℃のエッチング液に浸漬した。
　得られたサンプルについて、レジストを剥離させることなく、導電性基板の各層の積層方向と平行であって、かつレジストの直線状のパターンと垂直な断面を観察した。この場合、図５に示したように、透明基材５１上に、パターン化した金属層５２、パターン化した黒化層５３、レジスト５４が積層された断面形状が観察される。そして、レジストの幅方向の端部５４ａと、パターン化した金属層５２の幅方向の端部５２ａとの間の距離Ｌをサイドエッチング量として測定した。
　なお、エッチング液への浸漬を開始してから、６０秒後、１２０秒後、１８０秒後のそれぞれで導電性基板をエッチング液から取り出し、洗浄後、上述のようにサイドエッチング量の評価を行った。
（試料の作製条件）
　以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。実験例１～実験例１０のいずれもが実施例となる。
［実験例１］
　図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。
（金属層形成工程）
　長さ３００ｍ、幅２５０ｍｍ、厚さ１００μｍの長尺状のポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の面上に金属層として銅層を成膜した。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ　Ｋ　７３６１－１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。
　金属層形成工程では、金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程と、を実施した。
　まず、金属薄膜層形成工程について説明する。
　金属薄膜層形成工程では、基材として上述の透明基材を用い、透明基材の一方の面上に金属薄膜層として、銅薄膜層を形成した。
　金属薄膜層形成工程ではまず、予め６０℃まで加熱して水分を除去した上述の透明基材を、スパッタリング装置のチャンバー内に設置した。
　次に、チャンバー内を１×１０－３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。
　スパッタリング装置のカソードに予めセットしておいた銅ターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の面上に銅薄膜層を厚さが０．７μｍになるように成膜した。
　次に、金属めっき層形成工程においては金属めっき層として銅めっき層を形成した。銅めっき層は、電気めっき法により銅めっき層の厚さが０．３μｍになるように成膜した。
　以上の金属薄膜層形成工程と、金属めっき層形成工程とを実施することで、金属層として厚さ１．０μｍの銅層を形成した。
　金属層形成工程で作製した、透明基材上に厚さ１．０μｍの銅層が形成された基板を２０ｇ／Ｌの硫酸に３０ｓｅｃ浸漬し、洗浄した後に以下の黒化層形成工程を実施した。
（黒化層形成工程）
　黒化層形成工程では、黒化めっき液を用いて電解めっき法により、銅層の一方の面上に黒化層を形成した。
　なお、黒化めっき液として、ニッケルイオン、銅イオン、アミド硫酸、水酸化ナトリウムを含有するめっき液を調製した。黒化めっき液には、硫酸ニッケル６水和物、硫酸銅５水和物を添加することで、ニッケルイオン、銅イオンを供給した。
　そして、黒化めっき液中のニッケルイオンの濃度が５ｇ／Ｌ、銅イオンの濃度が０．０３ｇ／Ｌ、アミド硫酸の濃度が１１ｇ／Ｌとなるように各成分を添加調製した。
　また、水酸化ナトリウム水溶液を黒化めっき液に添加して、黒化めっき液のｐＨを４．９に調整した。
　黒化層形成工程においては黒化めっき液の温度が４０℃、電流密度が０．１０Ａ／ｄｍ２、めっき時間が４００ｓｅｃの条件で電解めっきを行い、黒化層を形成した。
　形成した黒化層の膜厚は１１０ｎｍとなった。
　以上の工程により得られた導電性基板について、既述の黒化層の成分分析、反射率、及びエッチング特性の評価を実施した。結果を表１、表２に示す。
［実験例２～実験例１０］
　各実験例において、黒化層を形成する際の黒化めっき液中のニッケルイオン濃度、銅イオン濃度、黒化層の成膜時の電流密度、及びめっき時間を表１に示したように変更した点以外は実験例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。結果を表１、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示した結果によると、実験例１～実験例１０はいずれも、黒化層は、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有することが確認できた。
　そして、表１に示した結果によるとエッチング特性についても評価結果は〇、または△であり、同時にエッチングできる金属層と黒化層とを備えた導電性基板であることが確認できた。
　特に、黒化層中に含まれるニッケルと、銅とが、原子数の比率で、ニッケルを１００とした場合に、銅が７以上９０以下である実験例１～８については、エッチング特性が〇であり、反射率も１０％以下であることが確認できた。このため、実験例１～実験例８の導電性基板は、特に、金属層と黒化層とのエッチング液に対する反応性が特に近く、また金属層表面での光の反射を特に抑制できる黒化層を備えていることが確認できた。
　さらに、実験例１～実験例１０では、黒化層は粒状または針状の結晶を有しており、サイドエッチングの発生も抑制できていることを確認できた。すなわち、黒化層は、透明基材と対向する面とは反対側の面が粗化面である粗化めっき層となっており、レジストとの密着性が高いことが確認できた。
　以上に導電性基板を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１７年４月１７日に日本国特許庁に出願された特願２０１７－０８１５９１号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１７－０８１５９１号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０　　　　　　　　　導電性基板
１１、５１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ、５２　　　　　　　　　　　　　　金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ、５３　　　　　　黒化層

Claims (7)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
    　前記金属層上に形成された黒化層とを有し、
    　前記黒化層は、ニッケルの単体と、ニッケル酸化物と、ニッケル水酸化物と、銅とを含有する粗化めっき層である導電性基板。
  2. 　前記黒化層中に含まれるニッケルと、銅とは、原子数の比率で、
    　ニッケルを１００とした場合に、銅が５以上９０以下である請求項１に記載の導電性基板。
  3. 　前記透明基材と、前記金属層との間に密着層を有する請求項１または２に記載の導電性基板。
  4. 　前記黒化層は、平均結晶粒サイズが５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の粒状結晶を含む請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の導電性基板。
  5. 　前記黒化層は、平均長さが１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、平均幅が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、平均アスペクト比が２．０以上４．５以下の針状結晶を含む請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の導電性基板。
  6. 　前記黒化層の厚さが５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の導電性基板。
  7. 　前記金属層が銅または銅合金の層である請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の導電性基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021206177A1 (ja) * 2020-04-09 2021-10-14 大日本印刷株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076618A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
WO2005079130A1 (ja) * 2004-02-17 2005-08-25 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 黒化処理面又は層を有する銅箔
JP2008227352A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽シート、その製造方法、及びプラズマディスプレイパネル用フィルター
JP2012204782A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Dainippon Printing Co Ltd 複合フィルタ、及びそのフィルタを前面に配置した画像表示装置
WO2016175130A1 (ja) * 2015-04-28 2016-11-03 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
WO2017022596A1 (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
WO2017033740A1 (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
WO2017057262A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
WO2017130865A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 住友金属鉱山株式会社 黒化めっき液、導電性基板の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106716316A (zh) * 2014-06-30 2017-05-24 住友金属矿山股份有限公司 导电性基板、层叠导电性基板、导电性基板的制造方法、层叠导电性基板的制造方法
WO2016190224A1 (ja) * 2015-05-25 2016-12-01 住友金属鉱山株式会社 黒化めっき液、導電性基板

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076618A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
WO2005079130A1 (ja) * 2004-02-17 2005-08-25 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 黒化処理面又は層を有する銅箔
JP2008227352A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽シート、その製造方法、及びプラズマディスプレイパネル用フィルター
JP2012204782A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Dainippon Printing Co Ltd 複合フィルタ、及びそのフィルタを前面に配置した画像表示装置
WO2016175130A1 (ja) * 2015-04-28 2016-11-03 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
WO2017022596A1 (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
WO2017033740A1 (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
WO2017057262A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 住友金属鉱山株式会社 導電性基板
WO2017130865A1 (ja) * 2016-01-29 2017-08-03 住友金属鉱山株式会社 黒化めっき液、導電性基板の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021206177A1 (ja) * 2020-04-09 2021-10-14 大日本印刷株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法

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