JP6455366B2 - 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法に関する。

特許文献１に開示されているように、透明な高分子フィルム等の透明基材の表面に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜の配線にかえて、銅等の金属配線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属配線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

そこで、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。

特開２００３−１５１３５８号公報 特開２０１１−０１８１９４号公報 特開２０１３−０６９２６１号公報

ところで、透明基材上に金属配線を備えた導電性基板は、透明基材の表面に金属層を形成した積層体基板を得た後に、所望の配線パターンとなるように金属層をエッチングして金属配線を形成することで得られる。また、透明基材上に黒化層と金属配線とを有する導電性基板は、透明基材の表面に黒化層と金属層とをその順に積層した積層体基板を得た後に、所望の配線パターンとなるように黒化層と金属層とをエッチングして金属配線を形成することで得られる。

黒化層、及び金属層をエッチングすることで、例えば、図１（ａ）に示すように、透明基材１上にパターン化された黒化層２と、金属層をパターン化した金属配線３とが積層された導電性基板とすることができる。この場合、パターン化された黒化層２の幅Ｗ_Ａと、金属配線３の幅Ｗ_Ｂとを略同一とすることが好ましい。

しかし、エッチング液に対する反応性が金属層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。すなわち、金属層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が図１（ａ）に示したような目的の形状にエッチングできないという問題であった。

例えば、金属層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に遅い場合は、図１（ｂ）に示すように、パターン化された金属層である金属配線３はその側面がエッチングされる、いわゆるサイドエッチングが生じる。このため、金属配線３の断面形状が裾広がりの台形になり易く、金属配線３間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行うと配線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうという問題であった。

また、金属層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に速い場合は、図１（ｃ）に示すようにパターン化した黒化層２の幅（底部幅）Ｗ_Ａが金属配線３の幅Ｗ_Ｂよりも小さくなった状態、いわゆるアンダーカットが発生する場合がある。このようなアンダーカットが発生し、その程度によっては、所定の金属配線３の幅Ｗ_Ｂに対して、透明基材１への密着幅である、パターン化した黒化層２の幅（底部幅）Ｗ_Ａが小さくなり、密着幅の比率が必要以上に低下すると充分な配線密着強度が得られないという問題があった。

また、金属層と黒化層とを同時にエッチングせず、金属層のエッチングと黒化層のエッチングとを別々の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた積層体基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一態様では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体が、
酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、
銅層とを有し、
前記黒化層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの含有率が１５質量％以上６０質量％以下であり、
前記黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下である積層体基板を提供する。

本発明の一態様によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた積層体基板を提供することができる。

従来の導電性基板において、金属層と黒化層とを同時にエッチングした場合の説明図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図４のＡ−Ａ´線における断面図。 アンダーカット量比率の説明図。 本発明の実施形態に係るロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。

以下、本発明の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。そして、積層体が、酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、銅層とを有し、黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの含有率を１５質量％以上６０質量％以下とすることができる。

なお、本実施形態における積層体基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や黒化層を有する基板である。また、導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅配線層や黒化配線層を有する配線基板である。

ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する高分子フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

次に積層体について説明する。積層体は、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、黒化層と、銅層とを有することができる。

ここではまず銅層について説明する。

銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。

また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することとなる。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。

銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層をパターニングして配線として用いた場合に、該配線の電気抵抗値や配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に充分に電気が流れるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチングが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

次に、黒化層について説明する。

銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をパターニングして配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を充分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。

これに対して、本実施形態の導電性基板に配置した黒化層は、酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有している。このため、本実施形態の積層体基板に配置した黒化層のエッチング液に対する反応性は、銅層のエッチング液に対する反応性とほとんど差がなくエッチング性も良好である。従って、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、を同時にエッチングすることができる。

本実施形態の積層体基板に配置した黒化層が、銅層と同時にエッチングできる点について以下に説明する。

本発明の発明者らは当初、銅層表面の光の反射を抑制できる黒化層として、銅層の一部を酸化した酸化銅の層を形成する方法について検討を行った。そして、銅層の一部を酸化して黒化層とした場合、係る黒化層には不定比の銅酸化物や、酸化されていない銅が含まれている場合があることを見出した。

銅層、及び黒化層を備えた積層体基板の、銅層、及び黒化層を同時にエッチングする場合、エッチング液としては、例えば銅層をエッチング可能なエッチング液を好適に用いることができる。そして、本発明の発明者らの検討によれば、黒化層が不定比の銅酸化物を含有する場合、黒化層を構成する材料は銅層をエッチング可能なエッチング液に溶出しやすい。

このように、黒化層がエッチング液に対して溶出しやすい不定比の銅酸化物を含有する場合、黒化層はエッチング液に対する反応性が高く、銅層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に速くなる。このため、銅層と黒化層とを同時にエッチング処理した場合、黒化層はアンダーカットになりやすかった。

そこで、本実施形態の積層体基板においては、アンダーカットを抑制する為に、黒化層は、酸素、窒素、及び銅に加えて、エッチング液で溶解しにくいニッケル成分を含有することができる。このように、本実施形態の積層体基板の黒化層が、酸素、窒素、銅、及びニッケルを含有することで、エッチング液への反応性を銅層と同等にすることができ、黒化層と、銅層とを同時にエッチングすることが可能になる。

黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの含有率は、１５質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。なお、銅及びニッケルのうち、ニッケルの含有率とは、上述の様に、黒化層中の銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合の、黒化層中の銅と、ニッケルとのうちのニッケルの含有率を示している。

これは、黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１５質量％未満では、ニッケルの添加による黒化層のエッチング液への反応性を抑制する効果が十分ではなく、アンダーカットが発生しやすいからである。すなわち黒化層のエッチング液への溶解速度が銅層と比較して速く、銅層と同時にエッチングできる黒化層とすることができなくなるためである。

一方、黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が６０質量％を超えて配合されるとニッケルが過剰で、黒化層のエッチング液に反応性が過剰に抑制され、黒化層のエッチングが困難になるからである。すなわち黒化層のエッチング液への溶解速度が銅層と比較して遅く、銅層と同時にエッチングできる黒化層とすることができなくなるためである。

また、黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの含有率を１５質量％以上６０質量％以下とすることで、積層体基板、及び該積層体基板から形成した導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均を５０％以下とすることができる。このため、係る導電性基板をタッチパネル等の用途に用いた場合でも、ディスプレイの視認性の低下を抑制でき、この点でも好ましい。

さらに、積層体基板においては、後述のように透明基材上に、黒化層、及び銅層を積層した構成とすることができ、積層体基板の黒化層、銅層をパターニングすることで導電性基板とすることができる。そして、黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が６０質量％を超えると、黒化層や銅層をエッチングして開口部を形成した際に、エッチングによる除去が十分にできずに、透明基材の表面が黄色に変色したように見える場合がある。このため、上述の様に黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は、６０質量％以下であることが好ましい。

黒化層は金属種として銅及びニッケルを含有することができ、黒化層が含有する金属種は、銅及びニッケルのみから構成することもできるが、銅、及びニッケルのみに限定されるものではない。例えば黒化層は、金属種としてさらに１重量％以下の不可避不純物が存在していてもよい。

また、黒化層は、酸素、窒素、銅、及びニッケルを含有していればよく、各成分がどのような状態で含まれているかは特に限定されるものではない。例えば少なくとも一部の銅や、ニッケルは酸化され、不定比の銅酸化物、銅窒化物、ニッケル酸化物及びニッケル窒化物を形成し、黒化層に含まれていても良い。

これは、本実施形態の積層体基板の黒化層はニッケルを含有しているため、黒化層が不定比の銅酸化物を含有していても、エッチング液に対する反応性を銅層とほぼ同様とすることができるからである。このため、本実施形態の積層体基板においては、銅層と黒化層とを同時にエッチングすることができる。

なお、黒化層が含有する酸素や窒素の量は特に限定されるものではない。ただし、黒化層が含有する酸素や窒素の量は、積層体基板や、該積層体基板を用いて作製した導電性基板の光の反射率に影響を与える場合がある。このため、積層体基板や、該積層体基板を用いて作製する導電性基板において要求される光の反射率の程度や、黒化層の色調等に応じて、黒化層が含有する酸素や窒素の量、さらには黒化層を成膜する際に添加する酸素や窒素の量を選択することが好ましい。

本実施形態の積層体基板から得られる導電性基板の銅配線層と黒化配線層とはそれぞれ、本実施形態の積層体基板の銅層と黒化層との特徴が維持される。

本実施形態の導電性基板に配置する黒化層の成膜方法は特に限定されるものではない。黒化層は、スパッタリング法等の乾式成膜法により形成することが好ましい。

黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、例えば銅−ニッケル合金のターゲットを用い、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガス以外に、酸素ガスおよび窒素ガスを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。

スパッタリング時に銅−ニッケル合金のターゲットを用いた場合、銅−ニッケル合金中に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１５質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。これは成膜する黒化層に含まれる銅及びニッケルのうちの、ニッケルの割合と、該黒化層を成膜する際に用いた銅−ニッケル合金のターゲットの、銅−ニッケル合金中に含まれる銅及びニッケルのうちのニッケルの割合が同じになるためである。

スパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する酸素ガス及び窒素ガスの供給量を調整する方法は特に限定されるものではない。例えば予め所望の分圧となるように窒素ガス、酸素ガス、及び不活性ガスを混合した混合ガスを用いることもできる。また、チャンバー内に不活性ガス、酸素ガス、及び窒素ガスをそれぞれ同時に供給し、各ガスの供給量を調整することで、チャンバー内の酸素ガス、及び窒素ガスの分圧を調整することもできる。特に後者の方が必要に応じてチャンバー内の各ガスの分圧を調整できることから好ましい。

なお、黒化層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガスを用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。また、黒化層は、金属成分以外の成分として酸素、及び窒素以外に、水素、炭素から選ばれた１種類以上の成分もあわせて含有することもできる。このため、黒化層を成膜する際のガスは、酸素ガス、窒素ガス、及び不活性ガス以外に、水蒸気、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスから選択される１種類以上のガスを含んでいてもよい。

上述のように不活性ガスと、酸素ガスと、窒素ガスとを、チャンバーに供給しながらスパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガス、酸素ガス、窒素ガスの比は限定されるものではない。積層体基板や導電性基板に要求される光の反射率や、黒化層の色調の程度等に応じて任意に選択することができる。

本実施形態の積層体基板において形成する黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば銅層表面での光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。

黒化層の厚さは、下限値は例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい 。上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。

黒化層は上述のように銅層表面における光の反射を抑制する層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、銅層による光の反射を充分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより、銅層表面における光の反射をより確実に抑制できる。

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層、及び黒化層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内の銅層と黒化層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と黒化層とを一層ずつ任意の順番に積層することもできる。また、積層体内で銅層および／または黒化層は複数層形成することもできる。

ただし、積層体内で銅層と、黒化層とを配置する際、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。

特に積層体は、黒化層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい。具体的には例えば、積層体は、黒化層として、第１の黒化層及び第２の黒化層の２つの層を有し、銅層は第１の黒化層と、第２の黒化層との間に配置されていることが好ましい。

具体的な構成例について、図２、図３を用いて以下に説明する。図２および、図３は、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

例えば、図２（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図２（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図３（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。

このように黒化層として、第１の黒化層１３１及び第２の黒化層１３２を有し、銅層１２を第１の黒化層１３１と、第２の黒化層１３２との間に配置することで、銅層１２の上面側、及び下面側から入射する光の反射をより確実に抑制することが可能になる。

この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図３（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。

なお、第１の黒化層１３１（１３１Ａ、１３１Ｂ）と、第２の黒化層１３２（１３２Ａ、１３２Ｂ）とは、共に酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層とすることができ、同じ製造方法により製造することができる。

透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した、図２（ｂ）、図３（ｂ）の構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図３（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図２（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側を第１の黒化層１３１Ｂと、銅層１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ｂと、をその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

本実施形態の積層体基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下の場合、例えば本実施形態の積層体基板を、タッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。

なお、積層体基板の正反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から光を照射して測定を行うことができる。具体的には例えば図２（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、黒化層１３の表面Ａに対して光を照射して測定できる。また、図２（ａ）の場合と、銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から黒化層に対して光を照射して正反射率を測定できる。

また、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均とは、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。

なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングして配線加工することにより金属細線を形成して導電性基板とすることができる。導電性基板における光の正反射率とは、透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における正反射率を意味している。

このため、エッチング処理を行った後の導電性基板であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。

次に、本実施形態の導電性基板について説明する。

本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線が、酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化配線層と、銅配線層とを備えた積層体であり、黒化配線層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を１５質量％以上６０質量％以下とすることができる。

本実施形態の導電性基板は、例えば既述の積層体基板を配線加工して得ることができる。そして、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅配線層と、黒化配線層と、を設けているため、銅配線層による光の反射を抑制することができる。従って、黒化配線層を設けることにより、例えばタッチパネル等に用いた場合に良好なディスプレイの視認性を有することができる。

本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は既述の積層体基板における銅層、及び黒化層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。

開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。そして、例えば、二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板とすることができる。具体的な構成例を図４に示す。図４はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層、及び黒化配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。なお、図中には、透明基材１１を介して見えている銅配線層３１Ｂも示している。

図４に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の銅配線層３１ＢとＹ軸方向に平行な銅配線層３１Ａとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、既述の積層体をエッチングして形成することができる。そして、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されており、黒化層は銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状（パターン）となるようにエッチングされている。

透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図５に示す。図５は図４のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

例えば、図５に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図５に示した導電性基板の場合、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１側には、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされた第１の黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂが配置されている。また、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１と対向する面とは反対側の面には、第２の黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂが配置されている。

すなわち、図５に示した導電性基板においては、金属細線は、黒化配線層として第１の黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂ及び第２の黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂの２つの層を有しており、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、第１の黒化配線層３２１Ａ、３２１Ｂと、第２の黒化配線層３２２Ａ、３２２Ｂとの間に配置されていることとなる。

なお、ここでは第１の黒化配線層、及び第２の黒化配線層を設けた例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば第１の黒化配線層、または第２の黒化配線層いずれか一方のみを設けることもできる。

図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図２（ｂ）、図３（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた積層体基板から形成することができる。

なお、例えば図５に示した第１の黒化配線層と第２の黒化配線層とを備えた導電性基板は、図３（ｂ）に示した積層体基板から形成することができる。

そこで、図３（ｂ）の積層体基板を用いて形成した場合を例に説明する。

まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ、第１の黒化層１３１Ａ、及び第２の黒化層１３２Ａを、図３（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングする。なお、図３（ｂ）中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を指す。また、図３（ｂ）中のＸ軸方向とは各層の幅方向と平行な方向を意味している。

そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ、第１の黒化層１３１Ｂ、及び第２の黒化層１３２Ｂを図３（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。

以上の操作により図４、図５に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂ、及び第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。

図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図２（ａ）または図３（ａ）に示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図３（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図３（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２、第１の黒化層１３１、及び第２の黒化層１３２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。

例えば、２枚の導電性基板について、図３（ａ）における透明基材１１の銅層１２等が積層されていない面１１ｂ同士を貼り合せることで、図５に示した構成とすることができる。

なお、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に必要な電気抵抗値等に応じて選択することができる。

ただし、透明基材と、金属細線とが十分な密着性を有するように、以下のアンダーカット量比率が所定の範囲にあることが好ましい。

ここで、図６を用いてアンダーカット量比率について説明する。図６は、透明基材１１上に、黒化配線層６１、銅配線層６２がその順に積層された導電性基板の、黒化配線層及び銅配線層の積層方向に沿った面における断面図を示している。なお、図６においては黒化配線層が１層と、銅配線層が１層とにより金属細線が構成された例を示している。

導電性基板を構成する層のうち、透明基材に接する層が、透明基材に接する層の上面に形成された層よりもエッチング速度が速い場合、透明基材に接する層のパターン幅が、透明基材に接する層上に形成された層のパターン幅よりも狭くなる場合がある。すなわち、アンダーカットが発生する場合がある。

図６に示した構成例において、透明基材に接する黒化層のエッチング速度が、黒化層の上面に形成された銅層のエッチング速度よりも速い場合、アンダーカットが発生する場合がある。図６に示した構成例においてアンダーカットが発生した場合、金属細線の底部幅（Ｗ_２）となる透明基材１１に接する黒化配線層６１の幅が、金属細線のパターン幅（Ｗ_１）となる黒化配線層６１上に形成された銅配線層６２の幅よりも狭くなる。

この場合、アンダーカット量比率は、金属細線の底部幅（Ｗ_２）と、金属細線のパターン幅（Ｗ_１）とにより、（Ｗ_１−Ｗ_２）／２Ｗ_１の式で表される。

そして、アンダーカット量比率は（Ｗ_１−Ｗ_２）／２Ｗ_１≦０．０７５の関係を有することが好ましい。これはアンダーカット量比率が上記関係を充足することで、黒化層と、銅層とを同時にエッチングし、所望のパターンにパターニングできているといえ、透明基材１１と金属細線との密着性を高める観点からも好ましいからである。

本実施形態の導電性基板は、既述の積層体基板を配線加工し、積層体基板における銅層、及び黒化層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する。このため、配線パターンに含まれる金属細線間には透明基材を露出する開口部が設けられている。

そして、該開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率は、３．０％以下であることが好ましい。

これは、上記開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、積層体基板に供する透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率が３．０％を超えると、透明基材を目視で観察すると黄色に変色して見える場合があるからである。上記減少率が３．０％を超えるのは、黒化層、及び銅層をエッチングする際に黒化層のエッチング速度が遅く黒化層と銅層とを同時にエッチングできていないためである。このため、既述のように、黒化層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合を６０質量％以下とすることが好ましい。

また、本実施形態の導電性基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。

ここまで説明した本実施形態の２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。

本実施形態の積層体基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
透明基材を準備する透明基材準備工程。
透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。
そして、上記積層体形成工程は以下のステップを含むことができる。
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。
酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する黒化層形成ステップ。

そして、黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。また、黒化層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１５質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。

以下に本実施形態の積層体基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の積層体基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。

上述のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成ステップと、黒化層形成ステップと、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程、ステップに供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する高分子フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。

次に積層体形成工程について説明する。積層体形成工程は透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する工程であり、銅層形成ステップと、黒化層形成ステップとを有する。このため、各ステップについて以下に説明する。

まず、銅層形成ステップについて説明する。

銅層形成ステップでは透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。

銅層形成ステップでは、乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法により銅薄膜層を形成後に湿式めっき法を用いてさらに銅めっき層を形成することが好ましい。

このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成するステップと、を有していてもよい。

従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。

ここでまず、乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップについて説明する。

乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。

特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段はスパッタリング成膜法（スパッタリング成膜手段）であることが好ましい。

銅薄膜層は、例えば図７に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて好適に成膜することができる。以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。

図７はロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体７１を備えている。図７において筐体７１の形状は直方体形状として示しているが、筐体７１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体７１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体７１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０^−３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０^−４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体７１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール７３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。

筐体７１内には、銅薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール７２、キャンロール７３、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄ、前フィードロール７５ａ、後フィードロール７５ｂ、テンションロール７６ａ、７６ｂ、巻取ロール７７を配置することができる。また、銅薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール７８ａ〜７８ｈや、ヒーター７９等を設けることもできる。

巻出ロール７２、キャンロール７３、前フィードロール７５ａ、巻取ロール７７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール７２、巻取ロール７７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。

キャンロール７３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体７１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。

テンションロール７６ａ、７６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール７５ａや、後フィードロール７５ｂ、ガイドロール７８ａ〜７８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。

スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄは、キャンロール７３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄの銅薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する銅薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。

銅薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０内を搬送されて、キャンロール７３に対向するスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄで銅薄膜層が成膜される。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。

まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール７２にセットした筐体７１内を真空ポンプ７０ａ、７０ｂにより真空排気する。

そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段８１により筐体７１内に導入する。なお、気体供給手段８１の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体７１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）８１１ａ、８１１ｂ、及びバルブ８１２ａ、８１２ｂを設け、各ガスの筐体７１内への供給量を制御できるように構成できる。図７ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。

そして、気体供給手段８１によりスパッタリングガスを筐体７１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ７０ｂと筐体７１との間に設けられた圧力調整バルブ８２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。

この状態で、巻出ロール７２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに接続したスパッタリング用電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。

なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体７１内の圧力を測定するための圧力計８３ａ、８３ｂや、ベントバルブ８４ａ、８４ｂを設けることもできる。

次に、銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成するステップについて説明する。

既述のように銅層の厚さによっては、乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。

湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。

銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成するステップにおける条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

次に、黒化層形成ステップについて説明する。

黒化層形成ステップは既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を成膜する黒化層成膜手段により黒化層を成膜するステップである。黒化層形成ステップにおける酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を堆積する黒化層成膜手段は特に限定されるものではないが、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段、すなわちスパッタリング成膜法であることが好ましい。

黒化層は例えば図７に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０を用いて黒化層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。

まず、銅−ニッケル合金ターゲットをスパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに装着し、黒化層を成膜する基材を巻出ロール７２にセットした筐体７１内を真空ポンプ７０ａ、７０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンと、酸素と窒素とからなるスパッタリングガスを気体供給手段８１により筐体７１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ７０ｂと筐体７１との間に設けられた圧力調整バルブ８２の開度とを調整して筐体７１内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。

なお、不活性ガス、酸素ガス、窒素ガスは予め混合したガスを筐体７１内に供給することもできるが、それぞれ個別に筐体７１に供給し、筐体７１内でそれぞれのガスが所望の分圧となるようにその供給量、圧力を調整することもできる。また、スパッタリングガスは、既述のように不活性ガスと、酸素と窒素とからなるガスに限定されるものではなく、水蒸気、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガスから選択される１種類以上のガスをさらに含んでいてもよい。
この状態で、巻出ロール７２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに接続したスパッタリング用電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。

ここまで、本実施形態の積層体基板の製造方法に含まれる各工程、ステップについて説明した。

本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

また、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

さらに、本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。

本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板を用いて、銅層及び黒化層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。導電性基板は、より好ましくは、メッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。

係る本実施形態の導電性基板の製造方法は、上述の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の銅層と、黒化層と、をエッチングし、銅配線層と、黒化配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有することができる。そして、係るエッチング工程により、銅層及び黒化層に開口部を形成できる。

エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成する。例えば、図２（ａ）に示した積層体基板の場合、積層体基板に配置した銅層１２の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。

なお、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。

本実施形態の積層体基板の製造方法で形成する黒化層は、銅層と同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチング工程で用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。

エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素水、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類を含む水溶液、または上記硫酸等から選択された２種類以上を含む混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していること好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。

上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。

また、図２（ａ）、図３（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する２枚の積層体基板をエッチング工程に供して導電性基板とした後、２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば光学接着剤（ＯＣＡ）等を用いて接着することができる。

なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。

これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。

以上に本実施形態の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。係る積層体基板、または積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示す。このため、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた積層体基板を提供することができる。そして、銅層と黒化層とを同時にエッチングすることができるため、容易に所望の形状の銅配線層、及び黒化配線層を形成することができる。
また、本実施形態の導電性基板、及び導電性基板の製造方法により得られる導電性基板では、黒化配線層を設けることで銅配線層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。このため、黒化配線層を設けることで良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。

以下に、本発明の実施例、比較例、及び参考例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
（１）正反射率
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について正反射率の測定を行った。

測定は、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。

各実施例で図３（ａ）の構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図３（ａ）における第２の黒化層１３２の外部に露出した表面Ｃに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について正反射率の測定を行い、測定結果の平均を該導電性基板の正反射率の平均とした。
（２）金属細線のアンダーカット量比率
アンダーカット量比率は、各実施例、比較例で作製した導電性基板の配線の断面をＳＥＭで観察し、金属細線のパターン幅Ｗ_１及び金属細線の底部幅Ｗ_２を求めて算出した。なお、金属細線のパターン幅Ｗ_１、金属細線の底部幅Ｗ_２については図６を用いて既に説明した通りである。
（３）開口部の全光線透過率の減少率
各実施例、比較例で作製した試験片の開口部について、全光線透過率の測定を行った。

測定は、上記の紫外可視分光光度計に積分球付属装置を設置して行った。照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について透過率の測定を行い、測定結果の平均を該導電性基板の全光線透過率の平均とした。

また、予め積層体基板を製造する際に用いた透明基材について、同様にして全光線透過率の平均を測定しておいた。

そして、各実施例、比較例で作製した導電性基板の開口部の全光線透過率の平均の、透明基材の全光線透過率の平均からの減少率を算出した。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
図３（ａ）に示した構造を有する導電性基板を作製した。

まず、透明基材準備工程を実施した。

具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。

次に、積層体形成工程を実施した。

積層体形成工程として、第１の黒化層形成ステップ、銅層形成ステップ、及び第２の黒化層形成ステップを実施した。以下に具体的に説明する。

まず第１の黒化層形成ステップを実施した。

準備した透明基材を図７に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０にセットした。また、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに、８５質量％銅−Ｎｉ合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）を装着した。

そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０のヒーター７９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。

続いて筐体７１内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを２４０ｓｃｃｍ、酸素ガスを４０ｓｃｃｍ、窒素ガスを１０ｓｃｃｍで導入した。そして、透明基材を巻出ロール７２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード７４ａ〜７４ｄに接続したスパッタリング用電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の第１の黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の黒化層１３１を厚さ２０ｎｍとなるように形成した。

続いて、銅層形成ステップを実施した。

銅層形成ステップでは、スパッタリングカソードに銅ターゲット（住友金属鉱山（株）製）を装着し、筐体７１内を排気後、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置７０の筐体７１内にアルゴンガスのみを導入した点以外は第１の黒化層の場合と同様にして第１の黒化層の上面に銅層を厚さ２００ｎｍとなるように形成した。

なお、銅層を形成する基材としては、第１の黒化層形成工程で、透明基材上に第１の黒化層を形成した基材を用いた。

そして次に第２の黒化層形成ステップを実施した。

第２の黒化層形成ステップでは、第１の黒化層１３１と同条件で、銅層１２の上面に第２の黒化層１３２を形成した。

作製した積層体基板の第２の黒化層１３２の露出している表面Ｃ（図３（ａ）を参照）、すなわち、第２の黒化層１３２の銅層１２と対向していない面に光を照射して、上述の手順により波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均を測定したところ、正反射率の平均は５０％であった。

得られた積層体基板について正反射率測定を行った後、エッチング工程を行い、導電性基板を作製した。

エッチング工程ではまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、作製した積層体基板の図３（ａ）における表面Ｃ上に形成した。そして、塩化第二鉄１０重量％と、塩酸１０重量％と、残部が水と、からなるエッチング液に１分間浸漬して導電性基板を作製した。

作製した導電性基板について、金属細線のアンダーカット量比率、及び開口部の全光線透過率の測定を行った。

評価結果を表１に示す。
［実施例２〜実施例６］
各実施例について第１の黒化層１３１、及び第２の黒化層１３２を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成、及び酸素の供給量を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を製造し、評価を行った。

また、作製した積層体基板から実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。

結果を表１に示す。
［比較例１、２］
第１、第２の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。

また、作製した積層体基板から実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。

結果を表１に示す。

表１に示した結果によると、実施例１〜実施例６については、金属細線のアンダーカット量比率が０．０７５以下、開口部の全光線透過率の減少率が３．０％以下となった。すなわち、銅層と、第１、第２の黒化層を同時にエッチングすることができた。

これは、第１、第２の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１５質量％以上６０質量％以下であり、成膜した黒化層においても同様の組成であったためと考えられる。すなわち、黒化層のエッチング液に対する反応性を銅層と同等にすることができたためと考えられる。

なお、実施例６においては、アンダーカットしていなかった。すなわちアンダーカット量比率は０以下となる。
これに対して、比較例１は、金属細線のアンダーカット量比率が０．０９と、０．０７５を大きく超えており、銅層と比較して黒化層のエッチング速度が速かったことが確認できた。また、比較例２は、開口部の全光線透過率の減少率が３．０％を超えており、銅層と比較して黒化層のエッチング速度が遅かったことが確認できた。

これは、第１、第２の黒化層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１５質量％未満、または６０質量％を超え、成膜した黒化層においても同様の組成であったためと考えられる。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ 積層体基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ 黒化層
３０ 導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ、６２ 銅配線層
３２１Ａ、３２１Ｂ、３２２Ａ、３２２Ｂ、６１ 黒化配線層

Claims (11)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
   前記積層体が、
   酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、
   銅層とを有し、
   前記黒化層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの含有率が１５質量％以上６０質量％以下であり、
   前記黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下である積層体基板。
2. 前記積層体は、前記黒化層として、第１の黒化層及び第２の黒化層を有し、
   前記銅層は、前記第１の黒化層と、前記第２の黒化層との間に配置された請求項１に記載の積層体基板。
3. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
   前記金属細線が、
   酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化配線層と、
   銅配線層とを備えた積層体であり、
   前記黒化配線層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が１５質量％以上６０質量％以下であり、
   前記黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下である導電性基板。
4. 前記金属細線は、前記黒化配線層として、第１の黒化配線層及び第２の黒化配線層の２つの層を有し、
   前記銅配線層は、前記第１の黒化配線層と、前記第２の黒化配線層との間に配置された請求項３に記載の導電性基板。
5. 前記金属細線の底部幅（Ｗ_２）と、前記金属細線のパターン幅（Ｗ_１）とが、（１）式の関係を有する請求項３または４に記載の導電性基板。
   （Ｗ_１−Ｗ_２）／２Ｗ_１≦０．０７５・・・（１）
6. 前記金属細線間には前記透明基材を露出する開口部が設けられており、
   前記開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、前記透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率が、３．０％以下である請求項３乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板。
7. 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
   前記積層体形成工程は、
   銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
   酸素と、窒素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する黒化層形成ステップと、を含み、
   前記黒化層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記黒化層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が１５質量％以上６０質量％以下であり、
   前記黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下である積層体基板の製造方法。
8. 前記銅層成膜手段と、前記黒化層成膜手段と、がスパッタリング成膜法であることを特徴とする請求項７に記載の積層体基板の製造方法。
9. 前記黒化層は厚さが１０ｎｍ以上である請求項７または８に記載の積層体基板の製造方法。
10. 請求項７乃至９のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記黒化層とをエッチングし、銅配線層と、黒化配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
    前記エッチング工程により、前記銅層及び前記黒化層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。
11. 得られる導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５０％以下である請求項１０に記載の導電性基板の製造方法。

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