JP2016108613A - 導電性基板、導電性基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた導電性基板を提供することを目的とする。【解決手段】透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された酸素と、窒素と、銅とを含有する黒化層とを備えた導電性基板を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、導電性基板、導電性基板の製造方法に関する。

特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。

ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。

そこで、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。しかしながら、配線パターンを有する導電性基板とするためには、配線層と黒化層とを形成した後に、配線層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要があるが、エッチング液に対する反応性が配線層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。すなわち、配線層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、配線層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。

特開２００３−１５１３５８号公報 特開２０１１−０１８１９４号公報 特開２０１３−０６９２６１号公報

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一態様では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された酸素と、窒素と、銅とを含有する黒化層とを備えた導電性基板を提供する。

本発明の一態様によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。 本発明の実施形態に係るロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。 実施例、参考例に係る導電性基板の反射率の平均と、黒化層の成膜条件との関係の説明図。 実施例、参考例に係る導電性基板の反射率の平均と、黒化層の成膜条件との関係の説明図。 実施例、参考例に係る第１、第２の黒化層の厚さと、反射率の平均との関係の説明図。

以下、本発明の導電性基板、および、導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に形成された酸素と、窒素と、銅とを含有する黒化層とを備えた構成とすることができる。

なお、本実施形態における導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や黒化層を有する導電性基板、及び透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅層や黒化層を有する導電性基板、すなわち配線基板を含む。

ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上１２０μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

次に銅層について説明する。

銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。

他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。

また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することとなる。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。

銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

次に、黒化層について説明する。

銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を十分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。

これに対して、本実施形態の導電性基板に配置した黒化層は、酸素と、窒素と、銅とを含有している。このため、本実施形態の導電性基板に配置した黒化層のエッチング液に対する反応性は、銅層のエッチング液に対する反応性とほとんど差がなくエッチング性も良好である。従って、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、酸素と窒素と銅とを含有する黒化層と、を同時にエッチングすることができる。

本実施形態の導電性基板に配置した黒化層は、上述のように酸素と、窒素と、銅とを含有することができる。黒化層に含まれる酸素、窒素、銅の状態は特に限定されるものではないが、例えば少なくとも一部の元素は、他の元素と化合物を形成して黒化層に含まれていることが好ましい。具体的には例えば、銅の酸化物や、銅の窒化物を形成し、黒化層に含まれていることが好ましい。また、銅が酸素および窒素と化合物を形成し、黒化層に含まれていてもよい。

上述のように黒化層が銅の酸化物や銅の窒化物等の化合物を含有する場合でも、黒化層のエッチング液に対する反応性は、銅層のエッチング液に対する反応性とほぼ同等となる。このため、本実施形態の導電性基板においては、銅層と黒化層とを同時にエッチングすることができる。

本実施形態の導電性基板に配置する黒化層の成膜方法は特に限定されるものではない。黒化層は、例えば銅のターゲットを用い、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガス以外に、窒素ガスおよび酸素ガスを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。

スパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する窒素ガス及び酸素ガスの供給量を調整する方法は特に限定されるものではない。例えば予め所望の分圧となるように窒素ガス、酸素ガス、及び不活性ガスとを混合した混合ガスを用いることもできる。また、チャンバー内に不活性ガス、窒素ガス、及び酸素ガスをそれぞれ同時に供給し、各ガスの供給量を調整することで、チャンバー内の窒素ガスおよび酸素ガスの分圧を調整することもできる。特に後者の方が必要に応じてチャンバー内の各ガスの分圧を調整できることから好ましい。

なお、黒化層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガスを用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。

上述のように不活性ガスと、窒素ガスと、酸素ガスと、をチャンバーに供給しながらスパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガス、窒素ガス、酸素ガスの比は限定されるものではない。ただし、黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する窒素分子数（Γ（Ｎ_２））と、黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））とが、以下に示す（１）式および（２）式を満たすことが好ましい。すなわち、黒化層を成膜する際、以下の（１）式および（２）式を充足するようにチャンバー内の窒素分圧および酸素分圧を調整することが好ましい。

３０≦Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ） ・・・（１）
０．４≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）≦５０・・・（２）
ここで（１）式は、黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する窒素分子数（Γ（Ｎ_２）））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））との比を示している。

そして、上記（１）式に示したようにΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は３０以上であることが好ましい。特に、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は５０以上であることがより好ましい。

これは、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）が３０未満の場合、黒化層の黒化が不十分となり、黒化層としての機能を十分に果たせず、導電性基板の反射率を十分に低減できない場合があるためである。

一方、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）の上限値は特に限定されるものではないが、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）を大きくするには、窒素ガスの分圧を大きくする、あるいは銅の堆積速度を小さくすることになる。窒素ガスの分圧を大きくするためには、不活性ガスの分圧を小さくすることになるが、不活性ガスの分圧を小さくすると銅のスパッタ収率が小さくなる。これは、スパッタ収率はイオン化されたガスの質量が大きい方が高いためである。一方、銅の堆積速度を小さくすることは生産性の低下を招く。このため、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は、２０００以下であることが好ましく、１０００以下であることがより好ましい。

次に上記（２）式は黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））との比を示している。

そして、上記（２）式に示したように、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は０．４以上５０以下であることが好ましい。特に、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は０．６以上４０以下であることがより好ましく、１．０以上２０以下であることがさらに好ましい。

本実施形態の導電性基板における黒化層は、例えば上述のように不活性ガス、窒素ガスおよび酸素ガスを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。このように、不活性ガス、窒素ガス、及び酸素ガスを供給して黒化層を成膜することで、不活性ガス及び窒素ガスのみを供給し、黒化層を成膜した場合と比較して、導電性基板の反射率をさらに１割以上低下させることができる。

ただし、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）が０．４未満では、不活性ガス及び窒素ガスに、酸素ガスを追加して供給したことによる導電性基板の反射率を低減する効果を十分に発揮できない場合がある。

一方酸素ガスの供給量が多い場合、銅の酸化が優先的に進行して黒化層の透明度が高くなる場合がある。この場合、黒化層を透過した光が銅層で反射し再度黒化層を透過するため、反射率が却って高くなる恐れがある。このため、上述のようにΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は０．４以上５０以下であることが好ましい。

なお、上述した黒化層の被成膜表面とは、黒化層を成膜する際の最表面部分を意味している。このため、黒化層の成膜開始時であれば該黒化層を成膜する下層、すなわち、透明基材または銅層の表面を意味する。また、黒化層の成膜開始後であれば成膜されている黒化層の最表面を意味する。

ここで、上述の（１）式および（２）式のうち、黒化層の被成膜表面に入射する窒素または酸素分子の分子数Γ（ｘ）の算出方法について説明する。黒化層の被成膜表面に入射する窒素または酸素分子の分子数Γ（ｘ）は、以下の（３）式により算出することができる。
Γ（ｘ）＝ｐ／（２πｍｋＴ）^０．５ ［個／（ｍ^２ｓ）］・・・（３）
ここで、ｘ：窒素分子あるいは酸素分子、ｐ：ｘの分圧［Ｐａ］、ｍ：ｘの質量［ｋｇ］、ｋ：ボルツマン定数（１．３８×１０^−２３［Ｊ／Ｋ］）、Ｔ：温度（Ｋ）を意味している。

また、上述の（１）式及び（２）のうち、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））は、単位面積に堆積した銅の質量と成膜時間から算出することができる。具体的には以下の（４）式により算出することができる。
Γ（Ｃｕ）＝Ｗ・Ｎａ／（Ｍ・Ａ・ｔ） ［個／（ｍ^２ｓ）］・・・（４）
ここで、Ｗ：被成膜表面に堆積した銅の質量、Ｎａ：アボガドロ数、Ｍ：銅の分子量、Ａ：成膜面積、ｔ：成膜時間を意味している。

本実施形態の導電性基板において形成する黒化層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば銅層表面での光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。

黒化層の厚さは、下限値は例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましく、２５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
黒化層は上述のように銅層表面における光の反射を抑制する層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、銅層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより、銅層表面における光の反射をより確実に抑制できる。

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。

上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を有することができる。この際、銅層と黒化層とを透明基材上に配置する順番は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の一方の面に銅層を、もう一方の面（他方の面）に黒化層を配置することや、透明基材の少なくとも一方の面に、銅層と黒化層とを積層して配置することもできる。また、銅層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。

なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。特に黒化層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、すなわち、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。

具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。

例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。

また、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。

この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。

なお、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した、図１（ｂ）、図２（ｂ）の構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側を第１の黒化層１３１Ｂと、銅層１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ｂと、をその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。

ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。従って、黒化層を設けることにより、例えばタッチパネル等に用いた場合に良好な視認性を有することができる。

本実施形態の導電性基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が５５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。

導電性基板の光の反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から光を照射して測定を行うことができる。具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中Ａで示した表面側から光を照射して測定できる。また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から光を照射して反射率を測定できる。

なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。

なお、光の反射率の平均とは、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。

本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は銅層、及び黒化層に開口部を備えた配線パターンが形成された構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。

開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＹ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。

透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。

まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、および／または配線３１Ｂと透明基材１１との間に黒化層をさらに設けてもよい。

図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成することができる。

図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｘ軸方向に平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＸ軸方向とは、図１（ｂ）中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｙ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＹ軸方向は、紙面と垂直な方向を意味している。

以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。

図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば図４（ｂ）に示した構成とする場合、一方の導電性基板の銅層１２等が積層された図１（ａ）における面Ａと、他方の導電性基板の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せることができる。なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａ、および／または配線３１Ｂと透明基材１１との間に黒化層をさらに設けてもよい。

また、２枚の導電性基板を貼り合せて図４（ａ）に示した構成とする場合、例えば２枚の導電性基板について、透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せることができる。

なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。

このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。

透明基材を準備する透明基材準備工程。
透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成工程。
透明基材の少なくとも一方の面側に酸素と、窒素と、銅とを堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する黒化層形成工程。

そして、黒化層形成工程は減圧雰囲気下において実施することが好ましい。

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。

上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程と、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。

透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する絶縁体フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。

次に銅層形成工程について説明する。

銅層形成工程では透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。

銅層は既述のように、乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することが好ましい。

このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。

上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。

乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。

特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成工程における銅を堆積させる銅層成膜手段としてスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）を好ましく用いることができる。

銅薄膜層は例えばロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。

図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０^−３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０^−４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。

筐体５１内には、銅薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。また、銅薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ〜５８ｈや、ヒーター６１等を設けることもできる。

巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。

キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。

テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂ、ガイドロール５８ａ〜５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。

スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの銅薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する銅薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。

銅薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで銅薄膜層が成膜される。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。

まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段５９により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブの開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。

また、既述のように乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。

湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成工程における銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。

銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

次に、黒化層形成工程について説明する。

黒化層形成工程は既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に酸素と、窒素と、銅とを堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する工程である。黒化層形成工程における酸素と、窒素と、銅とを堆積する黒化層成膜手段は特に限定されるものではないが、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）であることが好ましい。

また、黒化層形成工程は、黒化層の被成膜表面に入射する窒素分子数（Γ（Ｎ_２））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））とが、（１）式を満たしていることが好ましい。さらに、黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））とが、（２）式を満たしていることが好ましい。なおΓ（Ｎ_２）、Γ（Ｏ_２）、Γ（Ｃｕ）については既に説明したため、ここでは説明を省略する。

３０≦Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）・・・（１）
０．４≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）≦５０・・・（２）
ここで（１）式は、黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する窒素分子数（Γ（Ｎ_２）））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））との比を示している。

そして、上記（１）式に示したようにΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は３０以上であることが好ましい。特に、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は５０以上であることが好ましい。

これは、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）が３０未満の場合、黒化層の黒化が不十分となり、黒化層としての機能を十分に果たせず、導電性基板の反射率を十分に低減できない場合があるためである。

一方、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）の上限値は特に限定されるものではないが、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）を大きくするには、窒素ガスの分圧を大きくする、あるいは銅の堆積速度を小さくすることになる。窒素ガスの分圧を大きくするためには、不活性ガスの分圧を小さくすることになるが、不活性ガスの分圧を小さくすると銅のスパッタ収率が小さくなる。これは、スパッタ収率はイオン化されたガスの質量が大きい方が高いためである。一方、銅の堆積速度を小さくすることは生産性の低下を招く。このため、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は、２０００以下であることが好ましく、１０００以下であることがより好ましい。

次に上記（２）式は黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））との比を示している。

そして、上記（２）式に示したように、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は０．４以上５０以下であることが好ましい。特に、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は０．６以上４０以下であることがより好ましく、１．０以上２０以下であることがさらに好ましい。

黒化層を成膜する黒化層形成工程においては、例えば上述のように不活性ガス、窒素ガスおよび酸素ガスを供給しながらスパッタリング法により黒化層を成膜することができる。このように、不活性ガス、窒素ガス、及び酸素ガスを供給して黒化層を成膜することで、不活性ガス及び窒素ガスのみを供給し、黒化層を成膜した場合と比較して、導電性基板の反射率をさらに１割以上低下させることができる。

ただし、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）が０．４未満では、不活性ガス及び窒素ガスに、酸素ガスを追加して供給したことによる導電性基板の反射率を低減する効果を十分に発揮できない場合がある。

一方酸素ガスの供給量が多い場合、銅の酸化が優先的に進行して黒化層の透明度が高くなる場合がある。この場合、黒化層を透過した光が銅層で反射し再度黒化層を透過するため、反射率が却って高くなる恐れがある。このため、上述のようにΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は０．４以上５０以下であることが好ましい。

なお、上述した黒化層の被成膜表面とは、黒化層を成膜する際の最表面部分を意味している。このため、黒化層の成膜開始時であれば該黒化層を成膜する下層、すなわち、透明基材または銅層の表面を意味する。また、黒化層の成膜開始後であれば成膜されている黒化層の最表面を意味する。

黒化層は例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。

まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした装置内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンと、窒素と、酸素とからなるスパッタリングガスを気体供給手段５９により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブの開度とを調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。なお、この際、上述のようにΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）およびΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）が、黒化層成膜時に所定の範囲を充足するように、窒素分圧および酸素分圧を調整することが好ましい。

また、不活性ガス、窒素ガス、酸素ガスは予め混合したガスを筐体５１内に供給することもできるが、それぞれ個別に筐体５１に供給し、筐体５１内でそれぞれのガスが所望の分圧となるようにその供給量、圧力を調整することもできる。

この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。

ここまで、本実施形態の導電性基板の製造方法に含まれる各工程について説明した。

本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、既述の導電性基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

また、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上とすることがより好ましく、２５ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

さらに、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。

本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、銅層及び黒化層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。これらの配線パターンを形成する場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることで配線パターンを形成するエッチング工程をさらに有することができる。

エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１（ａ）に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。

次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。

なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の最表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。

本実施形態の導電性基板の製造方法で形成する黒化層は、銅層と同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸との混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄、及び塩酸の含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。

エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していること好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。

上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。また、既述のように、図１（ａ）、図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。

以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板、または導電性基板の製造方法により得られる導電性基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示す。このため、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを備えた導電性基板を提供することができる。そして、銅層と黒化層とを同時にエッチングすることができるため、容易に所望の形状の配線、及び黒化層を形成することができる。

また、黒化層を設けることで銅層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。このため、黒化層を設けることで良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。

以下に、本発明の実施例、比較例、及び参考例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
（１）反射率の平均
以下の各実施例、比較例、参考例において作製した導電性基板について反射率の測定を行った。

測定は、紫外可視分光光度計（株式会社 島津製作所製 型式：ＵＶ−２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。

各実施例、参考例で図２（ａ）の構造を有する導電性基板を作製したが、反射率の測定は図２（ａ）における第２の黒化層１３２の外部に露出した面Ｃに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、比較例では、透明基材上に銅層のみを配置した構造を有する導電性基板を作製した。このため、比較例１の導電性基板の反射率の測定に当たっては、銅層のうち、透明基材と対向する面とは反対側の、外部に露出した面に、同様にして波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。

また、導電性基板に照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について反射率の測定を行い、測定結果の平均を該導電性基板の反射率の平均とした。
（試料の作製条件）
以下に各実施例、比較例、参考例における導電性基板の製造条件を示す。
［実施例１］
図２（ａ）に示した構造を有する導電性基板を作製した。

まず、透明基材準備工程を実施した。

具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。

次に、第１の黒化層形成工程を実施した。

準備した透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。

そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター６１を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。

続いて筐体５１内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを２４０ｓｃｃｍ、窒素ガスを１２０ｓｃｃｍ、酸素ガスを４０ｓｃｃｍで導入し、筐体５１内の圧力が４Ｐａになるように調整した。そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の第１の黒化層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の黒化層１３１を厚さ４０ｎｍとなるように形成した。

続いて、銅層形成工程を実施した。

銅層形成工程では筐体５１内を排気後、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の筐体５１内にアルゴンガスのみを導入し、圧力が０．３Ｐａになるように調整した点以外は第１の黒化層の場合と同様にして第１の黒化層の上面に銅層を厚さ２００ｎｍとなるように形成した。

なお、銅層を形成する基材としては、第１の黒化層形成工程で、透明基材上に第１の黒化層を形成した基材を用いた。

そして次に第２の黒化層形成工程を実施した。

第２の黒化層形成工程では、第１の黒化層１３１と同条件で銅層１２の上面に第２の黒化層１３２を形成した。

ここで、第１の黒化層１３１、第２の黒化層１３２を成膜したときのΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は、６１．３、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）は２０．４であった。

作製した導電性基板の反射率を、第２の黒化層１３２の露出している面Ｃ側、すなわち、銅層１２と対向していない面側から光を照射して、上述の手順により波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均を測定したところ反射率の平均は１４．０％であった。
［実施例２〜実施例２６］
各実施例について第１の黒化層１３１、及び第２の黒化層１３２を成膜する際の条件を表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を製造し、評価を行った。

具体的には、第１の黒化層１３１、第２の黒化層１３２を成膜する際のΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）、筐体５１内を排気後、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガスを導入した際の筐体５１内の圧力、基材の搬送速度、第１の黒化層１３１、第２の黒化層１３２の厚さを表１に示した値にした。それ以外の点は上述の実施例１と同様にして第１の黒化層１３１、及び第２の黒化層１３２を成膜している。

なお、いずれの例においても第１の黒化層１３１を成膜する際の成膜条件と、第２の黒化層１３２を成膜する際の成膜条件は同じにしている。

また、いずれの例においても銅層は実施例１と同じ条件で成膜した。
［比較例１］
実施例１と同じく幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備し、図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター６１を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。

続いて筐体５１内を１×１０^−４Ｐａまで排気した後、筐体５１内にアルゴンガスのみを導入し、圧力が０．３Ｐａになるように調整した。透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、厚さ２００ｎｍの銅層を透明基材の一方の面に形成した。

すなわち、第１の黒化層、および第２の黒化層を成膜せず、透明基材上に銅層のみを形成した点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。

作製した導電性基板の反射率を、銅層の面側から光を照射して、上述の手順により波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均を測定したところ反射率の平均は８０．７％であった。
［参考例１〜参考例６］
参考例１〜参考例６では、第１の黒化層１３１、第２の黒化層１３２を成膜する際に、酸素ガスを導入しないでアルゴンガス及び窒素ガスのみとし、黒化層を窒素と銅とを含む層として導電性基板を製造し、評価を行った。

具体的には、各参考例において、第１の黒化層、及び第２の黒化層を成膜する際に、Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）、筐体５１内を排気後、アルゴンガス、窒素ガスを導入した際の筐体５１内の圧力、基材の搬送速度、第１の黒化層、第２の黒化層の厚さを表１に示した値にした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製した。

なお、いずれの例においても第１の黒化層を成膜する際と、第２の黒化層を成膜する際と、で成膜条件は同じにして黒化層の成膜を行っている。

また、いずれの例においても銅層は実施例１と同じ条件で成膜している。

以上に説明した実施例１〜２６、及び参考例１〜６で製造した導電性基板の反射率の平均を表１に示す。

また、第１の黒化層、第２の黒化層の成膜時の筐体内の圧力、基材の搬送速度、第１、第２の黒化層の厚さが同一である、実施例１〜実施例１８、実施例２４、及び参考例１〜６における、第１、第２の黒化層成膜時のΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）と、反射率との関係を図６に示す。なお、図６においては、形成した黒化層のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）比毎にプロットのマークを変更している。

表１に示した結果によると、実施例１〜実施例２６の導電性基板においては、反射率の平均は５５％以下となっており、黒化層が反射抑制効果を有することを確認できた。特に実施例１〜１３、実施例１５〜１８、実施例２０〜２４の試料については反射率が４０％以下となっており、黒化層がより高い反射抑制効果を示していることが確認できた。

特にタッチパネルの用途等で用いる場合、反射率は４０％以下であることがより好ましい。そして、表１、図６に示した上記実験結果から、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）によらず、反射率を十分に低くするためには、黒化層を成膜するときのΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）は３０以上であることがより好ましいことを確認できた。

また、実施例２〜１４、及び参考例３、４における、第１、第２の黒化層成膜時のΓ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）と、反射率の平均との関係を図７に示す。なお、図７においては、形成した黒化層のΓ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）比毎にプロットのマークを変更している。

反応性ガスとして窒素ガスと酸素ガスの両方を導入し、Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）の値を０．４以上５０以下の範囲内とした実施例２〜６及び実施例８〜１２は、それぞれの参考例３または４に対して反射率の平均が１割以上低下しており、反射抑制効果が高いことが確認できた。

第１、第２の黒化層がない比較例１、第１、第２の黒化層の厚さのみ条件が異なる実施例１０及び実施例１９〜２１における、第１、第２の黒化層の厚さと、反射率の平均との関係を図８に示す。第１、第２の黒化層の厚さが薄くなると反射率が高くなるが、厚さを１０ｎｍ以上にすれば反射率は５５％以下であり、黒化層の厚さは１０ｎｍ以上が好ましいことも確認できた。

なお、実施例１〜２６のいずれの導電性基板についても、塩化第二鉄１０重量％と、塩酸１０重量％と、残部が水と、からなるエッチング液に１分間浸漬したところ、第１、第２の黒化層、及び、銅層が溶解することを確認できた。

１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ 黒化層
３１Ａ、３１Ｂ 配線

Claims (12)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された銅層と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された酸素と、窒素と、銅とを含有する黒化層とを備えた導電性基板。
2. 前記銅層は厚さが５０ｎｍ以上であり、
   前記黒化層の厚さが１０ｎｍ以上である請求項１に記載の導電性基板。
3. 前記黒化層が、前記銅層の表面に形成された積層構造を有する請求項１または２に記載の導電性基板。
4. 波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が５５％以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
5. 前記黒化層を成膜する際、
   黒化層の被成膜表面に入射する窒素分子数（Γ（Ｎ_２））と、
   黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、
   黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））とが、（１）式および（２）式を満たす、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。
   ３０≦Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）・・・（１）
   ０．４≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）≦５０・・・（２）
6. 前記銅層、及び前記黒化層に開口部を備えた配線パターンが形成された請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板。
7. 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成工程と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面側に酸素と、窒素と、銅とを堆積する黒化層成膜手段により黒化層を成膜する黒化層形成工程と、を有し、
   前記黒化層形成工程は減圧雰囲気下において実施する導電性基板の製造方法。
8. 前記銅層成膜手段と、前記黒化層成膜手段と、がスパッタリング成膜法であることを特徴とする請求項７に記載の導電性基板の製造方法。
9. 前記黒化層形成工程は、
   黒化層の被成膜表面に入射する窒素分子数（Γ（Ｎ_２））と、
   黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ_２））と、
   黒化層の被成膜表面に堆積する銅の原子数（Γ（Ｃｕ））とが、（１）式および（２）式を満たすようにして行う、請求項７または８に記載の導電性基板の製造方法。
   ３０≦Γ（Ｎ_２）／Γ（Ｃｕ）・・・（１）
   ０．４≦Γ（Ｏ_２）／Γ（Ｃｕ）≦５０・・・（２）
10. 前記銅層は厚さが５０ｎｍ以上であり、
    前記黒化層は厚さが１０ｎｍ以上である請求項７乃至９のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
11. 得られる導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が５５％以下である請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
12. 前記銅層と、前記黒化層と、をエッチングすることにより、配線パターンを形成するエッチング工程をさらに有し、
    得られる導電性基板は前記銅層、及び前記黒化層に開口部を備えた配線パターンが形成される請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
    

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